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15-09-2004 дата публикации

具有形成凹凸的基板的半导体发光元件

Номер: CN0001529915A
Автор: ISAMU NIKL, MOTOKAZU YAMADA, MASSAHIKO SANO, NIKL ISAMU, YAMADA MOTOKAZU, SANO MASSAHIKO, 仁木勇, 量, 彦, 司
Принадлежит:

... 本发明提供一种具有形成凹凸的基板的半导体发光元件。在基板(10)的表面部分上形成使发光区域(12)产生的光散射或绕射的至少一个凹部(20)和/或凸部(21)。凹部及/凸部形成使半导体层(11，13)上不产生结晶缺陷的形状。 ...

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Номер записи: 1
10-11-2004 дата публикации

由二腈和二胺制备聚酰胺的方法

Номер: CN0001175029C
Автор: LUYKEN HERMANN, OHLBACH FRANK, F. OHLBACH,H. LUYKEN, F・奥尔巴赫, 量
Принадлежит:

... 一种由二腈和二胺制备聚酰胺的方法，包括：至少一种二腈和至少一种二胺与水在90～400℃的温度和0.1～50×10#+[6]Pa的压力下，按照水∶二腈与二胺之和至少是1∶1的摩尔比，在选自氧化铝、氧化锌、氧化硅、周期表第二～第七副族的氧化物、镧系和锕系氧化物、层状硅酸盐和沸石的多相催化剂存在下进行反应。本发明还涉及按所述方法制取的聚酰胺。 ...

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Номер записи: 2
24-03-2004 дата публикации

氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件

Номер: CN0001484326A
Автор: SHUJI NAKAMURA, MOTOKAZU YAMADA, MASAYUKI SENOH, NAKAMURA SHUJI, YAMADA MOTOKAZU, SENOH MASAYUKI, 中村修二, 夫, 之, 量, 治
Принадлежит:

... 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，其特征在于包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面上、包括n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；在除去设置在所述n型半导体层上的p型层后露出的n型层上形成的第一电极；以及形成在所述p型半导体层上的第二电极；其中，所述第二电极具有从由铬、镍、金、钛、铂构成的一组中选出的至少二种材料的金属材料。 ...

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Номер записи: 3
24-03-2004 дата публикации

防静电干扰和电磁干扰的布置结构

Номер: CN0001484485A
Автор: SCHMIDT S, NEUKAM W, S. SCHMIDT, W. NEUKAM, S・施密德特, 量
Принадлежит:

... 本发明涉及一种在以可拆卸形式相互连接的第一外壳部(1)与第二外壳部(2)的过渡区中防止外壳内的电子元件受到静电干扰和电磁干扰的布置结构。在此，外壳(1和2)对应的端面(9和10)彼此紧密安放，从而在外壳部(1和2)之间尽可能大的表面上产生电接触，而且端面(9和10)上具有至少一个对应的折弯角(11)。 ...

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Номер записи: 4
03-03-2004 дата публикации

从包含6-氨基己腈和亚胺的混合物中分离6-氨基己腈的方法

Номер: CN0001140501C
Автор: BASCCLER P, LUYKEN H, REHFINGER A, P. BASCCLER, H. LUYKEN, A. REHFINGER, P・巴斯勒, 量, 腋, 固
Принадлежит:

... 本发明公开了一种从包含6-氨基己腈和亚胺(II)的混合物(I)中蒸馏分离6-氨基己腈的方法，该方法包括在二氧化碳的存在下进行蒸馏。 ...

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Номер записи: 5
21-01-2004 дата публикации

源极侧边植入硼以减少沟道掺杂的深次0.18微米闪存单元

Номер: CN0001470066A
Автор: HE Y-S, HADDAD S, FASTOW P M, Y-S. HE, S. HADDAD, P.M. FASTOW, Y-S・何, 锏, 法斯托, 量
Принадлежит:

... 为了在半导体底材上制作一快闪存储单元，将一沟道掺杂物植入该半导体底材。来自该植入制程的该半导体底材的沟道掺杂物浓度小于约4×10#+[13]/cm#+[2]。在该底材上形成一源极线掩模，且该源极线掩模具有一开口以暴露出该半导体底材上的源极线。以具有第一导电性质的源极线掺杂物植入该半导体底材上所暴露的源极线。然后自该半导体底材上移除该源极线掩模。在该半导体底材上形成一漏极掩模，且该漏极掩模具有一开口以暴露出该半导体底材上的漏极区域。以具有第二导电性质的漏极掺杂物植入该半导体底材上所暴露的漏极区域。在该源极线与该漏极区域间布置该半导体底材之一沟道区域。该第一导电性质与该第二导电性质相反。此外，该沟道掺杂物的导电性质与该源极线掺杂物的第一导电性质相同。使用自该源极线扩散至该沟道区域的该源极线掺杂物，以变更该快闪存储单元的阈值电压亦或降低该快闪存储单元的短沟道效应，使得所植入的沟道掺杂物具有较低的浓度，或甚至可剔除该沟道掺杂物的植入，以提升该快闪存储单元的可靠度与执行速度。 ...

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Номер записи: 6
18-08-2004 дата публикации

氮化物荧光体,其制造方法及发光装置

Номер: CN0001522291A
Автор: KEMESHIMA MASATOSHI, TAMAKI HIROTO, NAITOU TAKAHIRO, SAKAI KAZUHIKO, KEMESHIMA MASATOSHI,TAMAKI HIROTO,NAITOU TAKAHIRO,SAKAI KAZUHIKO,YAMADA MOTOKAZU,MURAZAKI YOSHINORI,TAKASHIMA SUGURU, 玉置宽人, 敏, 量, 宏, 彦, 典
Принадлежит:

... 提供一种氮化物荧光体，其制造方法及发光装置，提供含有较多的红色成份且发光效率和亮度更高，而耐久性也更高的荧光体及其制造方法，为此，在通式L#-[X]M#-[Y]N#-[((2/3)X+(4/3)Y)]：R或L#-[X]M#-[Y]O#-[Z]N#-[((2/3)X+(4/3)Y-(2/3)Z)]：R(L选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn所组成的第II族元素的至少1种以上，M选自C、Si、Ge的中Si为必须的第IV族元素的至少1种以上，R选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu的中Eu为必须的稀土类元素的至少1种以上)所表示，其吸收具有峰值波长为500nm以下的第1发光光谱的光的至少一部分、并将具有在520～780nm的范围内具备至少1个以上的峰值的第2发光光谱的光发光的氮化物荧光体(基底氮化物荧光体)的中，进而含有不同的元素。 ...

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Номер записи: 7
30-06-2004 дата публикации

节点互联的方法与装置

Номер: CN0001509550A
Автор: STIMPERT M, MATTILA L, SUIHKO T, M. STIMPERT, L. MATTILA, T. SUIHKO, M・施蒂姆珀特, 倮, 量
Принадлежит:

... 描述了一种用于在通信系统中从适应于第一个载体协议的第一个节点向适应于第二个载体协议的第二个节点建立载体的方法。载体的建立开始于发送至第一个节点的一个消息，并且第二个节点的一个识别信息提供给第一个节点。第一个节点确定第二个节点是否适应于第一个载体协议，且如果第二个节点适应于第一个载体协议，则根据第一个载体协议建立载体。否则，第一个节点根据第一个载体协议向一个转换节点(BIGW)建立一个载体，并向该转换节点(BIGW)发送第二个节点的识别信息，并且转换节点(BIGW)向第二个节点建立一个载体，且在第一个载体协议和第二个载体协议之间引入一个转换单元。适应于本方法的节点和程序单元也被描述。 ...

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Номер записи: 8
12-05-2004 дата публикации

在炽热头引火塞里的加热棒和炽热头引火塞

Номер: CN0001496465A
Автор: HALUSCHKA C, REISSNER A, SOSSINKA P, C. HALUSCHKA, A. REISSNER, P. SOSSINKA, C・哈卢施卡, 鼓, 量, 姿估, 诙, 蚵
Принадлежит:

... 提出一种在炽热头引火塞(5)里的加热棒(1)以及一种内燃机炽热头引火塞(5)，该内燃机具有更高的电气性能和机械性能。加热棒(1)具有至少一个基本靠内的绝缘层(10)和一个基本靠外的第一导电层(15，16)，这两个层(10；15，16)具有陶瓷复合构造。加热棒(1)包括一个第二导电层(20)，它同样具有陶瓷复合构造。第二导电层(20)在燃烧室侧的加热棒(1)尖(40)的区域中与第一导电层(15，16)连接。第二导电层(20)布置在绝缘层(10)之内。 ...

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Номер записи: 9
09-06-2004 дата публикации

区分无线通信系统的共用物理传输信道中的逻辑信道的方法

Номер: CN0001504060A
Автор: GESSNER C, HEYCK A, SCHNIEDENHARN J, C. GESSNER, A. HEYCK, J. SCHNIEDENHARN, C・格斯纳, 量, 岬枪恩, 髟, 撞祭嫉, 镜系偎
Принадлежит:

... 用于在至少两个无线通信系统(TDSCDMAGSM，TDSCDMAUTRAN)的共用物理传输信道(P-CCPCH)中传输逻辑信道(BCH)的方法，其中，借助一种在所述逻辑信道(BCH)和一个其它传输信道(Pilot)之间的独有的相位关系来区分所述各自的逻辑信道(BCH)。 ...

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Номер записи: 10
12-05-2004 дата публикации

增加带有分离的呼叫控制和载体控制的通信网的灵活性的方法

Номер: CN0001496090A
Автор: STIMBOT M, SUHJIK T, M. STIMBOT, T. SUHJIK, M・斯蒂姆珀特, 量
Принадлежит:

... 使得在带有分离的呼叫控制和载体控制的通信网中能够有更灵活的结构的方法，通信网和软件程序。当与带有整体型信令设备的另一种网接合时，本发明能够完全支持带有分离的呼叫控制和载体控制的通信网的优点。本发明也增加现有的有效载荷连接的灵活性，尤其是在发生故障的情况下。本发明使用现有的信令协议传送进一步的信息。基本上，信息要素和解释所传送的信息的方法被存储在接收机和信息发送器中。这使接收机和信息发送器能够传送比原先协议设计时所计划的要多的信息。所以这就有可能识别有效载荷传输设备和控制节点的组合而不只是单一的设备。并还可以把识别一种分配作为一种进一步的分配。这就允许改变对于无线电接入控制器当前的分配。 ...

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Номер записи: 11
24-03-2004 дата публикации

氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件

Номер: CN0001484325A
Автор: SHUJI NAKAMURA, MOTOKAZU YAMADA, MASAYUKI SENOH, NAKAMURA SHUJI, YAMADA MOTOKAZU, SENOH MASAYUKI, 中村修二, 夫, 之, 量, 治
Принадлежит:

... 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面上、包括n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；在除去设置在所述n型半导体层上的p型层后露出的n型层上形成的第一电极；形成在所述p型半导体层上的透光性的第二电极，以及覆盖住一部分所述第二电极表面、一部分露出的端面和一部分露出的n型半导体层表面的绝缘的透明保护膜。 ...

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Номер записи: 12
15-12-2004 дата публикации

用于高吸水性聚合物制造的连续聚合方法

Номер: CN0001555386A
Автор: GARTNER HERBERT A, KATRIN NUYKEN, O'CONNOR DENO F, GARTNER HERBERT A., NUYKEN KATRIN, O'CONNOR DENO F., H・A・加特纳, 量, 奥康纳
Принадлежит:

... 生产水不溶性、水溶胀性聚合物的连续方法，包括在含有至少3个区的反应器系统中将单体和引发剂进行聚合。 ...

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Номер записи: 13
21-04-2004 дата публикации

弹簧罩盖和电气构件

Номер: CN0001491422A
Автор: STEINER E, HERINGER E, MIELKE T, E. STEINER, E. HERINGER, T. MIELKE, E・斯泰纳, 指, 量
Принадлежит:

... 一种弹簧罩盖(10)，它尤其用于一种电气构件，具有一个中部为平面部位(12)的磁轭(11)和在二个对置侧面上的弹簧卡箍(17)以及在二个对置侧面上的、设计成弹簧卡箍的边脚(13)。该电气构件具有一个带有成型在其上的接触板条(24，25)的线圈体(20)、一个可磁化的铁芯(30)，该铁芯的带有中间凸台(31)的部分啮合入线圈体里，还有可以推移到与线圈体处于啮合的铁芯上的弹簧罩盖，该罩盖的边脚与接触板条接触，而其弹簧卡箍则与可磁化铁芯接触。 ...

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Номер записи: 14
24-03-2004 дата публикации

氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法

Номер: CN0001484327A
Автор: SHUJI NAKAMURA, MOTOKAZU YAMADA, MASAYUKI SENOH, NAKAMURA SHUJI, YAMADA MOTOKAZU, SENOH MASAYUKI, 中村修二, 夫, 之, 量, 治
Принадлежит:

... 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面上、形成第一电极的n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和形成第二电极的p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构，其特征在于：对所述第二电极在形成金属层之后进行热处理，以改善透光性和欧姆性能。 ...

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Номер записи: 15
05-01-2005 дата публикации

制备六亚甲基二胺的改良方法

Номер: CN0001183096C
Автор: FISCHER R, BASSLER P, LUYKEN H, R. FISCHER, P. BASSLER, H. LUYKEN, R・菲舍尔, 估斩, 量, 巴赫, っ范德尔, 穸, 孤, 腋穸, 撂
Принадлежит:

... 本发明涉及一种在高温、高压下，在基于元素铁作为催化组分的催化剂以及氨作为溶剂的存在下，将己二腈催化氢化为六亚甲基二胺的方法。该方法的特征在于，a)己二腈在70～220℃的温度和1×10#+[7]-4×10#+[7]帕(100～400bar)的压力下、在基于元素铁作为催化组分的催化剂以及氨作为溶剂的存在下进行氢化，以获得包含己二腈、6-氨基己腈、六亚甲基二胺和高沸点化合物的混合物，直至6-氨基己腈浓度与己二腈浓度之总和到达，以无氨的氢化混合物为基准1～50重量％范围内；b)从氢化流出物中移出氨；c)从剩余混合物中移出六亚甲基二胺；d)单独地或一起，将6-氨基己腈和己二腈从高沸点化合物中分离出来；以及e)6-氨基己腈、己二腈或二者的混合物返回到步骤a)中去。 ...

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Номер записи: 16
22-09-2004 дата публикации

数据处理器及运行数据处理器的方法

Номер: CN0001531684A
Автор: GANGWAL O P, WOLF P VAN DER, NIEUWLAND A K, O.P. GANGWAL, P. VAN DER WOLF, A.K. NIEUWLAND, O・P・冈瓦尔, 挛侄夫, 纽夫兰德, 量
Принадлежит:

... 一种根据本发明的数据处理器，至少包括第一(1.2)和第二处理器(1.3)，处理器通过根据同步协议经缓冲区交换令牌，能够相互传递数据。协议含有同步信息，同步信息至少包括两个处理器可读的第一和第二同步计数器(writec、readc)。至少第一处理器(1.2)能够修改第一计数器(writec)，至少第二处理器(1.3)能够修改第二计数器(readc)，协议至少包括第一命令(claim)，当处理器出发该命令时导致验证所请求的令牌数是否可用于该处理器，和第二命令(release)，该命令导致更新一个同步计数器，指示释放令牌供另一个处理器使用。其中至少一个处理器(1.3)包括一个存储装置，用于本地存储可用于该处理器的令牌数的指示(Nc′；writec′，readc)，其中发出第一命令(claim)导致根据该指示验证可用于该处理器的令牌数。否定的验证结果导致根据至少一个同步计数器更新该指示。处理器发出的第二命令(release)导致根据释放给另一个处理器的令牌数更新指示。 ...

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Номер записи: 17
17-11-2004 дата публикации

光记录载体记录方法和设备

Номер: CN0001547736A
Автор: RUDOLPH TIEKE BENNO LANGEREIS, TIEKE BENNO,LANGEREIS GERARDUS RUDOLPH, G・R・兰格雷斯, 量
Принадлежит:

... 本发明涉及光记录载体记录方法，该方法用于通过将辐射束(12)引导至光记录载体(20)的记录表面(21)上来形成凹区和凸区。对于每个将被记录的凹区，辐射束被设定到至少一个能够在写功率照射周期(31)内形成凹区的写功率电平(P#-[w])，并且对于凹区之间的每个凸区，辐射束被设定到至少一个在底功率照射周期(51)内不能形成凹区的底功率电平(P#-[0])。为了在不增加整体抖动的条件下将附加LML通道的位嵌入主通道，根据本发明提出在用于形成LML凸区的LML凸区照射周期(55)内将底功率电平(P#-[0])临时增加到LML凸区功率电平(P#-[11])，该LML凸区功率电平(P#-[11])接近于写功率电平(P#-[w])，以及在用于形成LML凹区的LML凹区照射周期(35)内将写功率电平(P#-[w])临时降低到LML凹区功率电平(P#-[p1])，该LML凹区功率电平(P#-[p1])接近于底功率电平(P#-[0])。 ...

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Номер записи: 18
09-06-2004 дата публикации

从含6-氨基己腈和亚胺的混合物中分离6-氨基己腈的方法

Номер: CN0001152856C
Автор: REHFINGER A, LUYKEN H, A. REHFINGER, H. LUYKEN, A・雷芬格, 量
Принадлежит:

... 本发明涉及一种用于从含6-氨基己酸腈和亚胺(II)的混合物(I)中蒸馏分离6-氨基己酸腈的方法。所述方法的特征在于，在蒸馏塔中进行蒸馏，蒸馏混合物在蒸馏塔的至少一个水平面上平均停留至少5分钟。 ...

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Номер записи: 19
17-11-2004 дата публикации

发光元件

Номер: CN0001176500C
Автор: MOTOKAZU MORITA DAISUKE YAMADA, MORITA DAISUKE,YAMADA MOTOKAZU, 森田大介, 量
Принадлежит:

... 本发明的发光元件，具有由含有铟(In)的氮化物半导体的活性层的发光元件，尤其是为了要提高发出长波长(550nm以上)的光的发光元件的发光输出，其在n型半导体层与p型半导体层之间形成有活性层，该活性层由有：由含有铟(In)的In#-[x1]Ga#-[1-x1]N(x1＞0)的阱层、及由含有形成于该阱层上的铝(Al)的Aly#-[2]Ga#-[1-y2]N(y2＞0)的第一势垒层。 ...

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Номер записи: 20
05-01-2005 дата публикации

环烷并吲哚和环烷并氮杂吲哚衍生物,其制备方法和含有它们的药物组合物

Номер: CN0001183111C
Автор: MUELLER ULRICH, GRUETZMANN RUDI, CONNELL RICHARD, ULRICH MUELLER, RUDI GRUETZMANN, RICHARD CONNELL, U・米勒, 雷嚷, 味, 量, 鞣, 返-贝蒂, 讯
Принадлежит:

... 用合适取代的羧酸与胺反应制备环烷并吲哚和环烷并氮杂吲哚。该环烷并吲哚和环烷并氮杂吲哚衍生物适合作为药物，特别是抗动脉粥样硬化药物的活性化合物。 ...

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Номер записи: 21
07-01-2004 дата публикации

增加带有分离的呼叫控制和载体控制的通信网的灵活性的方法

Номер: CN0001134187C
Автор: STIMPERT M, SUIHKO T, M. STIMPERT, T. SUIHKO, M・斯蒂姆珀特, 量
Принадлежит:

... 使得在带有分离的呼叫控制和载体控制的通信网中能够有更灵活的结构的方法，通信网和软件程序。当与带有整体型信令设备的另一种网接合时，本发明能够完全支持带有分离的呼叫控制和载体控制的通信网的优点。本发明也增加现有的有效载荷连接的灵活性，尤其是在发生故障的情况下。本发明使用现有的信令协议传送进一步的信息。基本上，信息要素和解释所传送的信息的方法被存储在接收机和信息发送器中。这使接收机和信息发送器能够传送比原先协议设计时所计划的要多的信息。所以这就有可能识别有效载荷传输设备和控制节点的组合而不只是单一的设备。并还可以把识别一种分配作为一种进一步的分配。这就允许改变对于无线电接入控制器当前的分配。 ...

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Номер записи: 22
07-07-2004 дата публикации

α-1，4-葡聚糖裂解酶在制备1，5-D-脱水果糖中的应用

Номер: CN0001510106A
Автор: SHUKUN YU, BAEUSEN K, CALAGEHE K M, YU SHUKUN, K. BAEUSEN, K.M. CALAGEHE, 于书坤, 辽, 卡拉格赫, 量, 森, 馍, I・E・克里斯藤森
Принадлежит:

... 本发明描述了制备糖1，5-D-脱水果糖的方法。该方法包含用α-1，4-葡聚糖裂解酶处理α-1，4-葡聚糖，其中所用的酶基本上是纯化形式。在优选的实施方案中，如果葡聚糖除α-1，4-键外，还含有不同于该键的其它键，则将α-1，4-葡聚糖裂解酶与能打开这些其它键的合适试剂结合使用。 ...

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Номер записи: 23
17-03-2004 дата публикации

氮化镓系化合物半导体发光器件

Номер: CN0001482690A
Автор: SHUJI NAKAMURA, TAKAO YAMADA, MASAYUKI SENO, NAKAMURA SHUJI, YAMADA TAKAO, SENO MASAYUKI, 中村修二, 夫, 之, 量, 治
Принадлежит:

... 一种氮化镓系化合物半导体发光器件，在绝缘衬底上至少依次层叠的n型氮化镓系化合物半导体层和p型氮化镓系化合物半导体层，所述p型氮化镓系化合物半导体层的侧面为发光观察面，其特征在于：在所述p型氮化镓系化合物半导体层的整个表面上形成有透光的第一电极，同时在所述第一电极上形成有贯通该第一电极的一部分的切口状窗口；在所述窗口上形成有与第一电极电连接的焊接用第二电极，以及所述第二电极与p型氮化镓系化合物半导体层粘结得比第一电极牢固。 ...

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Номер записи: 24
21-07-2004 дата публикации

由酚醛缩合物进行反应性加工制取共聚物/聚烯烃橡胶共混物

Номер: CN0001514854A
Автор: OBRECHT W, STEINHAUSER N, VIERLE M, W. OBRECHT, N. STEINHAUSER, M. VIERLE, W・奥布雷希特, ┮蚝涝, 勒, 量
Принадлежит:

... 本发明涉及可通过一段熔融混炼获得的机械性能非常好的共聚物与聚烯烃橡胶的共混物。本发明还涉及其生产方法及其用于生产成形体的应用。所述聚合物共混物可由下列组分通过混炼制取：A)一种或多种共聚物；以及B)一种或多种聚烯烃橡胶，A与B的重量比介于40∶1～1∶40，C)相对于聚合物共混物总量而言0.25～5wt％的酚醛缩合物，以及D)相对于聚合物共混物总量而言0.05～2wt％的路易斯酸。 ...

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Номер записи: 25
30-06-2004 дата публикации

擦除后自动编程扰乱(APDE)期间提高效率的快闪存储装置

Номер: CN0001509477A
Автор: WANG Z, FASTOW R, PARK S-H, Z. WANG, R. FASTOW, S-H. PARK, Z・王, 固匕, 俚, 量
Принадлежит:

... 源极电阻或正电压连结至快闪存储单元的源极以及负偏压施加至快闪存储单元的基板或p-井以在编程期间和/或快闪存储装置的擦除后自动编程扰乱(Automatic Program Disturb after Erase，APDE)处理期间加强效率。此外，在编程快闪存储装置的系统和方法中，选择多个快闪存储单元阵列的快闪存储单元进行编程。控制闸极编程电压施加至选择的快闪存储单元的控制闸极，以及位线编程电压经由连接选择的快闪存储单元的漏极的共同位线终端而施加至选择的快闪存储单元的漏极。执行擦除后自动编程扰乱处理的系统和方法中，选择具有多个快闪存储单元的阵列的快闪存储单元列进行擦除修正。位线擦除后自动编程扰乱电压施加至对应于快闪存储单元的选择列的共同位线终端。控制闸极擦除后自动编程扰乱电压施加至快闪存储单元的选择列的各个快闪存储单元的各自控制闸极。或者，在自偏差构造中，将源极连结至各个快闪存储单元的控制闸极，而使控制闸极擦除后自动编程扰乱电压不施加至快闪存储单元的选择列的各个快闪存储单元的各自控制闸极。 ...

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Номер записи: 26