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28-02-2017 дата публикации

레이저 가공 방법, 레이저 가공 장치 및 그 제조 방법

Номер: KR0101711247B1
Автор: 나카노 마코토, 구노 고지, 오사지마 데츠야, 이노우에 다카시, 구마가이 마사요시
Принадлежит: 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤

... 가공 대상물(1)의 내부에 집광되는 레이저 광(L)의 수차가 소정의 수차 이하가 되도록 반사형 공간 광변조기(203)에 의해서 변조된 레이저 광(L)이 가공 대상물(1)에 조사된다. 그 때문에, 레이저 광(L)의 집광점(P)을 맞추는 위치에서 발생하는 레이저 광(L)의 수차를 아주 작게 하고, 그 위치에서의 레이저 광(L)의 에너지 밀도를 높여 절단의 기점으로서의 기능이 높은 개질 영역(7)을 형성할 수 있다. 게다가, 반사형 공간 광변조기(203)를 이용하기 때문에, 투과형 공간 광변조기에 비해 레이저 광(L)의 이용 효율을 향상시킬 수 있다. 이와 같은 레이저 광(L)의 이용 효율의 향상은, 절단의 기점이 되는 개질 영역(7)을 판 모양의 가공 대상물(1)에 형성하는 경우, 특히 중요하다.

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Номер записи: 1
28-02-2017 дата публикации

레이저 가공 방법, 레이저 가공 장치 및 그 제조 방법

Номер: KR0101711311B1
Автор: 나카노 마코토, 구노 고지, 오사지마 데츠야, 이노우에 다카시, 구마가이 마사요시
Принадлежит: 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤

... 가공 대상물(1)의 내부에 집광되는 레이저 광(L)의 수차가 소정의 수차 이하가 되도록 반사형 공간 광변조기(203)에 의해서 변조된 레이저 광(L)이 가공 대상물(1)에 조사된다. 그 때문에, 레이저 광(L)의 집광점(P)을 맞추는 위치에서 발생하는 레이저 광(L)의 수차를 아주 작게 하고, 그 위치에서의 레이저 광(L)의 에너지 밀도를 높여 절단의 기점으로서의 기능이 높은 개질 영역(7)을 형성할 수 있다. 게다가, 반사형 공간 광변조기(203)를 이용하기 때문에, 투과형 공간 광변조기에 비해 레이저 광(L)의 이용 효율을 향상시킬 수 있다. 이와 같은 레이저 광(L)의 이용 효율의 향상은, 절단의 기점이 되는 개질 영역(7)을 판 모양의 가공 대상물(1)에 형성하는 경우, 특히 중요하다.

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Номер записи: 2
29-10-2015 дата публикации

LASER WORKING METHOD, LASER WORKING APPARATUS, AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер: KR0101564523B1
Автор: 나카노 마코토, 구노 고지, 오사지마 데츠야, 이노우에 다카시, 구마가이 마사요시
Принадлежит: 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤

... 가공 대상물(1)의 내부에 집광되는 레이저 광(L)의 수차가 소정의 수차 이하가 되도록 반사형 공간 광변조기(203)에 의해서 변조된 레이저 광(L)이 가공 대상물(1)에 조사된다. 그 때문에, 레이저 광(L)의 집광점(P)을 맞추는 위치에서 발생하는 레이저 광(L)의 수차를 아주 작게 하고, 그 위치에서의 레이저 광(L)의 에너지 밀도를 높여 절단의 기점으로서의 기능이 높은 개질 영역(7)을 형성할 수 있다. 게다가, 반사형 공간 광변조기(203)를 이용하기 때문에, 투과형 공간 광변조기에 비해 레이저 광(L)의 이용 효율을 향상시킬 수 있다. 이와 같은 레이저 광(L)의 이용 효율의 향상은, 절단의 기점이 되는 개질 영역(7)을 판 모양의 가공 대상물(1)에 형성하는 경우, 특히 중요하다.

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Номер записи: 3
01-09-2015 дата публикации

LASER PROCESSING METHOD

Номер: KR0101549271B1
Автор: 구마가이 마사요시
Принадлежит: 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤

... 31㎱~54㎱의 펄스 폭(pulse width)으로 또한 7.5㎛~10㎛의 펄스 피치(pulse pitch)로, 펄스 레이저 광인 레이저 광(L)을 조사하는 것에 의해, 절단의 기점이 되는 개질 영역(7)을 절단 예정 라인(5)을 따라서 GaAs 기판(12)에 형성한다. 이에 의해, 절단 예정 라인(5)을 따라서 GaAs 기판(12)에 형성된 개질 영역(7)은, 가공 대상물(1)의 두께 방향으로 균열을 발생시키기 쉽게 된다. 따라서, GaAs 기판(12)을 구비하는 판 모양의 가공 대상물(1)에 대해, 절단의 기점으로서의 기능이 매우 높은 개질 영역(7)을 형성할 수 있다.

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Номер записи: 4