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22-02-2019 дата публикации

스위칭 소자, 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법

Номер: KR1020190018262A
Автор: 정창욱, 아자리아 수산트 구나르, 날라카틀라 벤카타 라빈드라, 이보화, 류춘리
Принадлежит:

... 본 발명은 스위칭 소자, 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 산소 이온의 저장원을 포함하는 제 1 전극; 상기 산소 이온과의 산화 또는 환원 반응에 따라 전기적 또는 자기적 성질 중 적어도 어느 하나의 스위칭이 발생하는 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고, 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에서 상기 산소 이온의 전달 경로를 제공하는 가역적 컨덕팅 필라멘트를 갖는 브라운밀러라이트 (Brownmille rite) 구조의 산소 이온 전달층을 포함하는 스위칭 소자가 제공된다 ...

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Номер записи: 1
29-01-2019 дата публикации

가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법

Номер: KR0101943710B1
Автор: 정창욱, 아자리아 수산트 구나르, 날라카틀라 벤카타 라빈드라, 이보화, 류춘리
Принадлежит: 한국외국어대학교 연구산학협력단

... 본 발명은 가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 1 전극; 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고, 초기 구조로서 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극을 가로질러 경사 배향되어 결정화된 브라운밀러라이트(Brownmillerite) 구조를 갖는 저항성 스위칭 층을 포함하는 가변 저항체가 제공된다.

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Номер записи: 2
19-03-2018 дата публикации

VARIABLE RESISTOR, NON-VOLATILE MEMORY DEVICE USING SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020180028859A
Автор: JUNG, CHANG UK, ACHARYA SUSANT KUMAR, N. VENKATA RAVEENDRA, LEE, BO HWA, CHUNLI LIU
Принадлежит:

The present invention relates to a variable resistor, a non-volatile memory device using the same, and a manufacturing method thereof. According to an embodiment of the present invention, the variable resistor comprises: a first electrode; a second electrode; and a resistive switching layer arranged between the first electrode and the second electrode wherein the resistive switching layer has a Brownmillerite structure as an initial structure and the Brownmillerite structure is slantly aligned to crystallize by crossing the first electrode and the second electrode. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 3