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28-11-2017 дата публикации

밀폐층을 갖는 배선 구조

Номер: KR0101802695B1
Автор: 로 시아윤, 린 융-치, 슈에 양-치, 우 창-지우, 치오우 웬-치
Принадлежит: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

... 토포그래피 변화가 감소된 전도성 특징부를 포함하는 배선 구조 및 방법이 개시된다. 배선 구조는 기판 위에 배치된 컨택 패드를 포함한다. 컨택 패드는 제1 도전 재료의 제1 층과, 상기 제1 층 위에 제2 도전 재료의 제2 층을 포함한다. 제1 도전 재료와 제2 도전 재료는 실질적으로 동일한 재료로 이루어지며, 제1 도전 재료는 제1 평균 입자 크기를 가지고, 상기 제2 도전 재료는 상기 제1 평균 입자 크기보다 작은 제2 평균 입자 크기를 가진다. 배선 구조는 또한, 기판과 컨택 패드를 피복하며, 컨택 패드를 노출시키는 개구를 갖는 패시베이션층을 포함한다.

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Номер записи: 1
19-04-2017 дата публикации

METHOD FOR STACKING 3D CHIP AND STRUCTURE THEREOF

Номер: KR1020170042461A
Автор: YU CHEN HUA, LIN YUNG CHI, CHIOU WEN CHIH
Принадлежит:

A method includes the step of arranging a plurality of first device dies on a first carrier. A first composite wafer is formed by combining the plurality of first device dies and the first carrier. The first composite wafer is bonded to a second wafer. The plurality of first device dies are bonded to a plurality of second device dies on the second wafer through hybrid bonding. Also, the method includes the steps of: de-bonding the first carrier from the plurality of first device dies; encapsulating the plurality of first device dies in an encapsulating material; and forming an interconnection structure on the encapsulating material and the plurality of first device dies. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 2
17-12-2015 дата публикации

WIRING STRUCTURE WITH SEALING LAYER

Номер: KR1020150141119A
Автор: LO HSIAOYUN, LIN YUNG CHI, HSUEH YANG CHIH, WU TSANG JIUH, CHIOU WEN CHIH
Принадлежит:

Disclosed are a wiring structure including conductive features having reduced topographic variations, and a method thereof. The wiring structure comprises a contact pad disposed over a substrate. The contact pad includes a first layer of a first conductive material and a second layer of a second conductive material over the first layer. The first conductive material and the second conductive material are made of substantially the same material and have a first average grain size and a second average grain size that is smaller than the first average grain size. The wiring structure also includes a passivation layer covering the substrate and the contact pad, and the passivation layer has an opening which exposes the contact pad. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 3
30-04-2018 дата публикации

3차원 칩 스택킹의 방법 및 구조체

Номер: KR0101853537B1
Автор: 유 첸-후아, 린 융-치, 치후 웬-치
Принадлежит: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

... 방법은 제1 캐리어 위에 제1 복수의 디바이스 다이를 배치하는 단계를 포함하고, 제1 복수의 디바이스 및 제1 캐리어는 조합하여 제1 복합 웨이퍼를 형성한다. 제1 복합 웨이퍼는 제2 웨이퍼에 본딩되고, 제1 복수의 디바이스 다이는 하이브리드 본딩을 통해 제2 웨이퍼에서의 제2 복수의 디바이스 다이에 본딩된다. 방법은 또한 제1 복수의 디바이스 다이로부터 제1 캐리어를 디본딩하는 단계, 제1 복수의 디바이스 다이를 밀봉 재료 내에 밀봉하는 단계, 및 제1 복수의 디바이스 다이 및 밀봉 재료 위에 상호연결 구조체를 형성하는 단계를 포함한다.

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Номер записи: 4
22-02-2017 дата публикации

WIRING STRUCTURE WITH ENCLOSED LAYER

Номер: KR1020170020398A
Автор: LO HSIAOYUN, LIN YUNG CHI, HSUEH YANG CHIH, WU TSANG JIUH, CHIOU WEN CHIH
Принадлежит:

Disclosed are a wiring structure and method including a conductive feature part with reduced topography changes. The wiring structure includes a contact pad disposed on a substrate. The contact pad includes a first layer of a first conductive material and a second layer of a second conductive material over the first layer. The first conductive material and the second conductive material are made of substantially the same material. The first conductive material has a first average particle size. The second conductive material has a second average particle size smaller than the first average particle size. The wiring structure also includes a passivation layer covering the substrate and the contact pad and having an opening exposing the contact pad. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 5