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17-05-2017 дата публикации

BLOCK COPOLYMER, PATTERN TREATMENT COMPOSITION, AND METHOD

Номер: KR1020170054246A
Автор: HUAXING ZHOU, VIPUL JAIN, JIN WUK SUNG, PETER TREFONAS III, PHILLIP D. HUSTAD, MINGQI LI
Принадлежит:

The present invention relates to a block copolymer, a pattern treatment composition, and a method. The block copolymer of the present invention comprises: a first block including an alternation copolymer; and a second block including a unit containing a hydrogen acceptor. The block copolymer provides specific applications in a pattern shrinking composition and a method in semiconductor device production to provide a high resolution pattern. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 1
22-06-2017 дата публикации

PATTERN PROCESSING METHOD

Номер: KR1020170070808A
Автор: JONG KEUN PARK, MINGQI LI, AMY M. KWOK, PHILLIP D. HUSTAD
Принадлежит:

Provided is a method for processing a pattern on a substrate of a semiconductor device. The objective of the present invention is to provide an improved method for processing a pattern, which is able to form fine patterns when manufacturing an electronic device. The present pattern processing method includes the steps of: (a) providing a semiconductor substrate comprising a patterned feature on the surface; (b) applying, to the patterned feature, a pattern processing composition comprising a polymer including a surface affixer for forming a bond with the surface of the patterned feature and a solvent, while not including a cross-linker; (c) removing a residual pattern processing composition from the substrate with a first rinse agent and leaving a coating of the polymer which is bound to the surface on the surface of the patterned feature; and (d) rinsing the polymer-coated patterned features with a second rinse agent which is different from the first rinse agent, wherein the polymer has ...

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Номер записи: 2
10-05-2018 дата публикации

PHOTORESIST TOPCOAT COMPOSITION AND METHOD FOR PROCESSING PHOTORESIST COMPOSITION

Номер: KR1020180048339A
Автор: CONG LIU, DORIS H. KANG, DEYAN WANG, CHENG BAI XU, MINGQI LI, IRVINDER KAUR
Принадлежит:

The present invention relates to a photoresist topcoat composition and a method for processing a photoresist composition. According to an embodiment of the present invention, the photoresist topcoat composition comprises a first polymer, a second polymer, and a solvent. According to the present invention, the photoresist topcoat composition and the method for processing a photoresist composition can improve solubility of a developer. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 3
09-11-2018 дата публикации

블록 코폴리머 및 패턴 처리 조성물, 및 방법

Номер: KR0101917136B1
Автор: 화싱 저우, 비풀 자인, 성진욱, 피터 트레포나스 3세, 필립 디. 허스타드, 밍치 리
Принадлежит: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨, 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨

... 본 발명의 블록 코폴리머는 교호 코폴리머를 포함하는 제1 블록, 및 수소 수용체를 포함하는 단위체를 포함하는 제2 블록을 포함한다. 본 블록 코폴리머는 고해상도 패턴을 제공하기 위한 반도체 소자 제작에서의 패턴 수축 조성물 및 방법에서의 특정 용도를 제공한다.

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Номер записи: 4
17-05-2017 дата публикации

THERMAL ACID GENERATOR AND PHOTORESIST PATTERN TRIMMING COMPOSITION AND METHOD

Номер: KR1020170054247A
Автор: IRVINDER KAUR, CONG LIU, KEVIN ROWELL, GERHARD POHLERS, MINGQI LI
Принадлежит:

Provided is an ionic thermal acid generator which contains negative ions and positive ions of aromatic sulfonic acid including at least one fluoridated alcohol group. Moreover, provided are a photoresist pattern trimming composition containing the ionic thermal acid generator, a matrix polymer, and a solvent; and a photoresist pattern trimming method using the composition. The ionic thermal acid generator, and the photoresist pattern trimming composition and method have specific applicability when producing semiconductor devices. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 5
08-09-2017 дата публикации

전자 장치 형성 방법

Номер: KR0101776068B1
Автор: 박종근, 필립 디. 허스타드, 이마드 아콰드, 밍치 리, 쳉-바이 시, 피터 트레포나스 3세, 제임스 더블유. 새커리
Принадлежит: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨, 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨

... 전자 장치 형성 방법으로서, (a) 다공성 부분을 이의 표면에 포함하는 반도체를 제공하는 단계; (b)상기 다공성 부분에 걸쳐 조성물을 인가하는 단계; 및 (c) 상기 조성물을 가열하는 단계를 포함하고, 상기 조성물은 중합체 및 용매를 포함하고, 상기 중합체는 하기 일반 화학식 (I)의 반복 단위를 포함하고, 상기 중합체는 상기 다공성 부분의 공극 내에 위치하는, 전자 장치 형성 방법. 상기 식에서, Ar1, Ar2, Ar3및 Ar4은 독립적으로 임의로 치환된 2가 방향족 기를 나타내고; X1및 X2는 독립적으로 단일 결합, -O-, -C(O)-, -C(O)O-, OC(O)-, C(O)NR1-, NR2C(O)-, -S-, -S(O)-, SO2-, 또는 임의로 치환된 C1-202가 탄화수소기를 나타내고; R1및 R2는 독립적으로 H 또는C1-20하이드로카르빌 기를 나타내고; m은 0 또는 1이고; n은 0 또는 1이고; 그리고 o는 0 또는 1이다. 상기 방법은 저-k 및 초저-k 유전체 물질을 형성하는 반도체 장치의 제조에 있어 특별한 적용성을 제공한다.

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Номер записи: 6
06-07-2016 дата публикации

METHOD TO MANUFACTURE ELECTRONIC DEVICE

Номер: KR1020160079720A
Автор: JONG KEUN PARK, PHILLIP D. HUSTAD, EMAD AQAD, MINGQI LI, CHENG BAI XU, PETER TREFONAS III, JAMES W. THACKERAY
Принадлежит:

An electronic device forming method includes: a step (a) of providing a semiconductor including a porous part in its surface; a step (b) of applying a composite throughout the porous part; and a step (c) of heating the composite. The composite contains a polymer and a solvent. The polymer includes a repetitive unit of the following chemical formula (I), and the polymer is placed in a gap of the porous part. In the formula above, Ar1, Ar2, Ar3, and Ar 4 independently indicate a randomly replaced divalent aromatic base. X1 and X2 independently indicate -O-, -C(O)-, -C(O)O-,OC(O)-, C(O)NR1-,NR2C(O)-, -S-, -S(O)-,SO2-, singly combined, or a randomly replaced C1-202-valent hydrocarbon base. R1 and R2 independently indicate an H or C1-20-valent hydro-carbyl base. m is 0 or 1. n is 0 or 1. o is 0 or 1. The method is capable of providing special applicability for the manufacture of a semiconductor device forming low-k and ultralow-k dielectric substances. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 7
06-07-2016 дата публикации

PORE-FILLING COMPOSITION

Номер: KR1020160079721A
Автор: EMAD AQAD, JONG KEUN PARK, PHILLIP D. HUSTAD, MINGQI LI, CHENG BAI XU, PETER TREFONAS III, JAMES W. THACKERAY
Принадлежит:

The present invention relates to a composition comprising a polymer and a solvent, wherein the polymer comprises a repeating unit represented by Formula (I) below and an end capping group devoid of polymerizable vinyl groups and hydroxyl groups. In the above formula, Ar1, Ar2, Ar3 and Ar4 each independently represent an optionally substituted bidentate aromatic group; X1 and X2 each independently represent a single bond, -O-, -C(O)-, -C(O)O-, OC(O)-, C(O)NR1-, NR2C(O)-, -S-, -S(O)-, SO2-, or an optionally substituted C1-202 valent hydrocarbon group; R1 and R2 each independently represent H or C1-20 hydrocarbyl group; m is 0 or 1; n is 0 or 1; and o is 0 or 1. The present composition is uniquely applicable in the production of semiconductor devices forming low-k and ultralow-k dielectric materials. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 8
18-01-2019 дата публикации

패턴 처리 방법

Номер: KR0101940005B1
Автор: 박종근, 밍치 리, 에이미 엠. 곽, 필립 디. 허스타드
Принадлежит: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨, 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨

... 본 패턴 처리 방법은 (a) 표면 상에 패턴화된 피쳐를 포함하는 반도체 기판을 제공하는 단계; (b) 패턴화된 피쳐의 표면과 결합을 형성하기 위한 표면 부착기를 포함하는 폴리머 및 용매를 포함하고 가교결합제를 포함하지 않는 패턴 처리 조성물을 상기 패턴화된 피쳐에 도포하는 단계; (c) 제1 헹굼제로 상기 기판으로부터 잔여 패턴 처리 조성물을 제거하여, 패턴화된 피쳐의 표면 위에 당해 표면에 결합된 폴리머의 코팅을 남기는 단계; 및 (d) 폴리머-코팅된 패턴화된 피쳐를 상기 제1 헹굼제와는 상이한 제2 헹굼제로 헹구는 단계로서, 상기 폴리머가 제2 헹굼제에서보다 제1 헹굼제에서 더 큰 용해도를 갖는, 상기 헹구는 단계를 포함한다. 본 방법은 고분해능 패턴을 제공하기 위한 반도체 디바이스의 제작에 특히 적용가능하다.

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Номер записи: 9
07-12-2017 дата публикации

공극-충진 조성물

Номер: KR0101804855B1
Автор: 이마드 아콰드, 박종근, 필립 디. 허스타드, 밍치 리, 쳉-바이 시, 피터 트레포나스 3세, 제임스 더블유. 새커리
Принадлежит: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨, 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨

... 조성물로서, 중합체 및 용매를 포함하고, 상기 중합체는 하기 일반 화학식 (I)의 반복 단위; 및 중합성 비닐기 및 히드록실기가 없는 말단캡핑 기를 포함하는, 조성물. 상기 식에서, Ar1, Ar2, Ar3및 Ar4은 독립적으로 임의로 치환된 2가 방향족 기를 나타내고; X1및 X2는 독립적으로 단일 결합, -O-, -C(O)-, -C(O)O-, OC(O)-, C(O)NR1-, NR2C(O)-, -S-, -S(O)-, SO2-, 또는 임의로 치환된 C1-202가 탄화수소기를 나타내고; R1및 R2는 독립적으로 H 또는C1-20하이드로카르빌 기를 나타내고; m은 0 또는 1이고; n은 0 또는 1이고; 그리고 o는 0 또는 1이다. 상기 조성물은 저-k 및 초저-k 유전체 물질을 형성하는 반도체 장치의 제조에 있어 특별한 적용성을 제공한다.

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Номер записи: 10
21-02-2018 дата публикации

THERMAL ACID GENERATOR AND PHOTORESIST PATTERN TRIMMING COMPOSITION AND METHOD

Номер: KR1020180018603A
Автор: IRVINDER KAUR, CONG LIU, KEVIN ROWELL, GERHARD POHLERS, MINGQI LI
Принадлежит:

Provided is an ionic thermal acid generator comprising a positive ion and a negative ion of aromatic sulfonic acid containing at least one fluorinated alcohol group. Additionally, provided are a photoresist pattern trimming composition comprising the ionic thermal acid generator, a matrix polymer and a solvent, and a photoresist pattern trimming method using the trimming composition. The thermal acid generator, the composition and the method find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 11
17-05-2016 дата публикации

TOPCOAT COMPOSITIONS AND PHOTOLITHOGRAPHIC METHODS

Номер: KR1020160055078A
Автор: CONG LIU, DORIS H. KANG, DEYAN WANG, CHENG BAI XU, MINGQI LI
Принадлежит:

A topcoat composition comprises: a matrix polymer; a surface active polymer comprising: a first unit including a group of the following general formula (I): wherein R1 represents H, F, C1 to C8 alkyl or C1 to C8 fluoroalkyl, optionally comprising one or more heteroatom; X1 represents oxygen, sulfur or NR2, wherein R2 is chosen from hydrogen and optionally substituted C1 to C10 alkyl; and a solvent. The surface active polymer is present in the composition in an amount less than the matrix polymer, and the surface active polymer has a lower surface energy than a surface energy of the matrix polymer. The invention has particular applicability in photolithographic processes as a photoresist topcoat layer in the manufacture of semiconductor devices. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 12
15-12-2017 дата публикации

열산 발생제 및 포토레지스트 패턴 트리밍 조성물 및 방법

Номер: KR0101809582B1
Автор: 어빈더 카우르, 콩 리우, 케빈 로웰, 게르하르트 폴러스, 밍치 리
Принадлежит: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨

... 하기 일반 식 (I)의 이온성 열산 발생제가 제공된다: 식 중: Ar1은 임의로 치환된 카보사이클릭 또는 헤테로사이클릭 방향족 기를 나타내고; W는 독립적으로 카복실, 하이드록시, 니트로, 시아노, C1-5 알콕시 및 포르밀로부터 선택된 기를 나타내고; X는 양이온이고; Y는 독립적으로 연결기를 나타내고; Z는 독립적으로 하이드록실, 플루오르화된 알코올, 에스테르, 임의로 치환된 알킬, C5 이상의 임의로 치환된 모노사이클릭, 폴리사이클릭, 융합된 폴리사이클릭 지환족, 또는 아릴로부터 선택된 기를 나타내고, 이것들은 헤테로원자를 임의로 함유할 수 있고, 단, 적어도 하나의 경우의 Z는 하이드록실기이고; a는 0 이상의 정수이고; b는 1 이상의 정수이고; 단, a + b는 적어도 1이고 방향족 기의 이용가능한 방향족 탄소 원자의 총 수 이하이다. 포토레지스트 패턴 트리밍 조성물 및 트리밍 조성물을 사용하여 포토레지스트 패턴을 트리밍하는 방법이 또한 제공된다. 상기 열산 발생제, 조성물 및 방법은 반도체 소자의 제조에서 특정한 적용가능성을 발견한다.

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Номер записи: 13
11-05-2017 дата публикации

THERMAL ACID GENERATOR AND PHOTORESIST PATTERN TRIMMING COMPOSITION AND METHOD THEREOF

Номер: KR1020170051273A
Автор: IRVINDER KAUR, CONG LIU, KEVIN ROWELL, GERHARD POHLERS, MINGQI LI
Принадлежит:

Provided is a thermal acid generator of formula (1) below. In formula (1), Ar^1 represents an optionally substituted carbocyclic or heterocyclic aromatic group; W independently represents a group selected from carboxyl, hydroxy, nitro, cyano, C1-5 alkoxy, and formyl groups; X is a cation; Y independently represents a linking group; Z independently represents a group selected from hydroxyl, fluorinated alcohol, ester, optionally substituted alkyl, optionally substituted monocyclic of C5 or more, polycyclic, fused polycyclic alicyclic, and aryl which can optionally contain hetero-atoms but, in at least one case, Z is a hydroxyl group; a is an integer of 0 or greater; and b is an integer of 1 or greater. Meanwhile, a + b is at least 1 and not more than the total number of available aromatic carbon atoms of an aromatic group. In addition, provided is a photoresist pattern trimming composition and a method for trimming a photo resist pattern by using the same. According to the present invention ...

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Номер записи: 14