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09-03-2016 дата публикации

티타네이트, 란타네이트 및 탄탈레이트 유전막의 원자층 증착 및 화학 증기 증착용 전구체 조성물

Номер: KR1020160027244A
Автор: 쉬 총잉, 천 티엔뉴, 캐머론 토머스 엠, 로에더 제프리 에프, 바움 토머스 에이치
Принадлежит:

... 본 발명은 티타네이트 박막의 원자층 증착(ALD) 및 화학 증기 증착(CVD)에 유용한 바륨, 스트론튬, 탄탈 및 란타늄 전구체 조성물에 관한 것이다. 상기 전구체는 화학식이 M(Cp)2{식 중, M은 스트론튬, 바륨, 탄탈 또는 란타늄이고, Cp는 화학식 I[식 중, R1-R5 각각은 서로 동일 또는 상이하며, 각각은 독립적으로 수소, C1-C12 알킬, C1-C12 아미노, C6-C10 아릴, C1-C12 알콕시, C3-C6 알킬실릴, C2-C12 알케닐, R1R2R3NNR3(식 중, R1, R2 및 R3은 서로 동일 또는 상이할 수 있으며, 각각은 독립적으로 수소 및 C1-C6 알킬에서 선택됨), 및 금속 중심 M에 추가의 배위를 제공하는 작용기(들)를 포함하는 펜던트 리간드에서 선택됨]의 시클로펜타디에닐임}이다. 상기 화학식의 전구체는 플래쉬 메모리 및 기타 마이크로전자 소자의 제조에서 고유전 상수 재료의 균일한 코팅을 달성하는 데에 유용하다.

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Номер записи: 1
12-12-2016 дата публикации

코발트 CVD

Номер: KR1020160142357A
Автор: 바움 토머스 에이치, 배틀 스코트 엘, 피터스 데이비드 더블유, 첸 필립 에스 에이치
Принадлежит:

CCTBA, CCTMSA 및 CCBTMSA 중에서 선택된 코발트 전구체를 휘발시켜 전구체 증기를 형성하고; 기판 상에 (i) 고순도 저저항률 코발트 또는 (ii) 열 어닐링에 의해 어닐링되어 고순도 저저항률 코발트를 형성할 수 있는 코발트를 증착시키기에 효과적인 증기 증착 조건 하에 전구체 증기를 기판과 접촉시키는 것을 포함하는 코발트 증착 방법이 제공된다. 이러한 코발트 증착 방법은, 증착된 코발트가 전극, 캡핑 층, 캡슐화 층, 확산 층, 또는 상부의 금속을 전기도금하기 위한 시드를 형성하는 것인 제조 물품, 예를 들어 반도체 장치, 평판 표시장치, 또는 태양광 패널의 제조에 사용될 수 있다.

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Номер записи: 2
04-04-2018 дата публикации

응력을 감소시키기 위한 Co 합금

Номер: KR1020180034311A
Автор: 첸 필립 에스 에이치, 헨드릭스 브라이언 시, 바움 토머스 에이치
Принадлежит:

... 코발트, 및 코발트와 조합되어, 기판 상에서 가변적 온도 및/또는 박리력 조건에 노출될 때 상응하는 원소 코발트에 비해 기판에의 접착력을 향상시키는 데 효과적인, 붕소, 인, 주석, 안티모니, 인듐 및 금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 합금 성분을 포함하는 침착된 코발트 조성물이 기술된다. 이러한 침착된 코발트 조성물은 반도체 디바이스 및 디바이스 전구 구조체, 평판 디스플레이 및 태양광 패널에서의 금속화를 위해 사용될 수 있고, 금속화된 기판이 반도체, 평판 디스플레이 또는 태양광 패널 제품의 제조에 있어서 열 사이클링 및/또는 화학 기계적 평탄화 작업에 적용될 때 고도 접착성 금속화를 제공한다.

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Номер записи: 3