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08-07-2015 дата публикации

Method of forming fine pattern using block copolymer

Номер: KR0101535227B1
Автор: 윤동기, 이시용, 오석환, 김경선, 김상욱, 박승학
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 미세 패턴 형성 방법에서는 기판상에 유기 가이드층을 형성한다. 유기 가이드층을 노출시키는 복수의 개구가 형성된 포토레지스트 패턴을 형성한다. 유기 가이드층의 노출 부분과 포토레지스트 패턴 위에 블록 공중합체를 포함하는 물질층을 형성한다. 물질층의 상분리를 통해 물질층의 성분들을 재배열시켜, 유기 가이드층의 노출 부분과 포토레지스트 패턴 위에 서로 다른 성분의 반복 단위를 가지는 복수의 제1 블록 및 복수의 제2 블록이 각각 교대로 반복 배치되어 있는 미세 패턴층을 형성한다.

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Номер записи: 1
24-11-2016 дата публикации

MEMORY DEVICE HAVING NON-VOLATILE RESISTIVE SWITCHING CHARACTERISTIC AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020160134976A
Автор: JANG, HO WON, NAM, KI TAE, CHOI, JAE HO, PARK, SUNG HAK
Принадлежит:

The present invention relates to a memory device having a non-volatile resistive switching characteristic and a manufacturing method thereof. More specifically, the memory device having a non-volatile resistive switching characteristic includes: a substrate; a lower electrode formed in the upper portion of the substrate; an organic/inorganic thin film layer having a perovskite structure formed in the upper portion of the lower electrode; and an upper electrode formed in the upper portion of the organic/inorganic thin film layer. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Start (BB) End (S10) Step of forming a lower portion electrode using electron beam deposition on an upper portion of a substrate (S20) Step of loading a precursor solution of a compound having a perovskite structure formed in the upper portion of a lower electrode, and heat-treatment after forming a thin film by spin-coating (S30) Step of forming an upper portion electrode by the electron beam deposition on an upper portion of the thin film ...

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Номер записи: 2
11-07-2017 дата публикации

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер: KR1020170080926A
Автор: KIM, CHUL HO, PARK, SEUNG HAK, KIM, SI HYUN, KIM, CHEOL HONG, LEE, HUN KOOK, JUNG, YONG JU
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, a semiconductor memory device comprises: stacked structures which include word lines stacked on a substrate and first and second string selection lines horizontally separated from each other; vertical columns to pass through the stacked structures; and first and second bit lines to extend in a first direction and to be repeatedly arranged in a second direction crossing the first direction. When viewed from the top, each of the vertical columns is overlapped with at least two first bit lines adjacent in the second direction and at least one second bit line disposed between the at least two first bit lines. A minimum distance from each of the centers of the vertical columns arranged in the second direction to any one of the first bit lines may be different from a minimum distance from each of the centers of the vertical columns to the other one of the first bit lines. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 3
21-04-2016 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL MEMORY DEVICE

Номер: KR1020160043263A
Автор: KIM, CHUL HO, PARK, SEUNG HAK, KIM, MI YOUN, KIM, CHEOL HONG, KIM, HYUNG DO, LEE, JAE HAN
Принадлежит:

In a method for manufacturing a vertical memory device with improved reliability, a mold structure is formed by stacking alternately interlayer dielectrics and sacrificial layers on a substrate. A preliminary step-type mold structure is formed by etching partly the lateral part of the mold structure by a first etching process. A step-type mold structure is formed by etching partly steps included in the preliminary step-type mold structure by a second etching process. Channels penetrating the step-type mold structure are formed. The sacrificial layers included in the step-type mold structure are substituted with gate lines. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) First direction (BB) Second direction (CC) Third direction ...

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Номер записи: 4
21-12-2016 дата публикации

비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자 및 이의 제조방법

Номер: KR0101687812B1
Автор: 장호원, 남기태, 최재호, 박승학
Принадлежит: 서울대학교산학협력단

... 본 발명은 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 기판; 상기 기판 상부에 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극 상부에 형성된 페로브스카이트 구조를 갖는 유무기 박막층; 및 상기 유무기 박막층 상부에 형성된 상부 전극;을 포함하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

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Номер записи: 5
15-03-2016 дата публикации

Method of forming pattern

Номер: KR0101602942B1
Автор: 윤동기, 이시용, 김경선, 최성운, 오석환, 김상욱, 박승학
Принадлежит: 삼성전자주식회사, 한국과학기술원

... 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법에서는, 서로 다른 표면 성질을 나타내는 제 1 영역과 제 2 영역을 가지는 자기 조립 유도층 상에 블록 공중합체층을 형성하고 상분리를 시켜, 원기둥 형태의 제 1 패턴과 눕혀진 반원기둥 형태의 제 2 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제 1 영역과 제 2 영역의 선폭은 포토리소 그라피 공정에서 구현할 수 있는 최소의 선폭일 수 있으며, 상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴은 각각 제 1 영역과 제 2 영역에서, 각각 제 1 영역과 제 2 영역의 선폭보다 작은 선폭을 가지도록 형성될 수 있다. 상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴을 식각 마스크로 이용하여 원하는 패턴을 형성할 수 있다. 이로써, 포토리소그라피 공정에서 구현할 수 있는 최소의 선폭보다 작은 선폭을 가지는 미세한 패턴을 형성할 수 있다. 또한 라인 형태와 섬 형태의 패턴을 동시에 형성할 수 있다.

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Номер записи: 6
28-09-2017 дата публикации

FLEXIBLE MEMORY DEVICE HAVING MULTILEVEL RESISTANCE SWITCHING CHARACTERISTICS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR101782379B1
Автор: JANG, HO WON, NAM, KI TAE, CHOI, JAE HO, PARK, SUNG HAK
Принадлежит: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION

The present invention relates to a flexible memory device, comprising: a flexible substrate; a lower electrode formed on the flexible substrate; an organic and inorganic thin film layer stacked on the upper part of the lower electrode, having a perovskite structure and having multiple resistances according to the limitation of a current to be driven; and an upper electrode formed on the upper part of the thin film layer, and a manufacturing method thereof. Accordingly, the memory device having various shapes and sizes can be manufactured by giving the flexibility to have various curvatures to the memory device. COPYRIGHT KIPO 2017 (AA) Start (BB) End (S100) Prepare a flexible substrate and form a lower electrode in an upper part of the flexible substrate (S200) Perform heat treatment after forming an organic and inorganic thin film layer having a perovskite structure in an upper part of the lower electrode (S300) Form an upper electrode in an upper part of the organic and inorganic thin ...

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Номер записи: 7
28-03-2018 дата публикации

SHEATHING METHOD OF ELECTRIC WIRE SUPPORT

Номер: KR1020180031361A
Автор: PARK, SUNG HAK, LEE, SUNG JA
Принадлежит:

The present invention relates to a sheathing method of an electric wire support. The sheathing method of an electric wire support comprises: an electric wire support heating step of heating an electric wire support mounted on a utility pole to allow a surface temperature of the electric wire support to reach within a range of 150-250°C in a temperature condition of 200-250°C; an affixing step of inserting the electric wire support into a tank holding polyethylene resin powder after completing the electric wire support heating step to rotate the electric wire support by 360 degrees, spurt an air pressure into the tank, and scatter the polyethylene resin powder to be melted onto a surface of the electric wire support in a thickness of 0.1-1.5 mm to be affixed; a melting step of allowing the electric wire support to which the polyethylene resin powder is affixed to pass through a hot wind heating furnace, and melting the polyethylene resin powder to be uniformly melted on the surface of the ...

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Номер записи: 8