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09-02-2018 дата публикации

반도체 장치 및 그 형성방법

Номер: KR0101828063B1
Автор: 이도선, 윤기영, 박영렬, 최길현, 배기순, 문광진
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 관통 전극을 갖는 반도체 장치가 제공된다. 상기 반도체 장치의 기판을 관통하는 TSV를 둘러싸는 에어 갭에 의하여 상기 TSV가 형성된 반도체 소자에 인가하는 스트레스가 완화되어, 상기 반도체 소자의 전기적 특성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.

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Номер записи: 1
21-11-2016 дата публикации

반도체 장치의 제조 방법

Номер: KR0101677507B1
Автор: 이호진, 조성동, 정세영, 박영렬, 강신우
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 반도체 장치는 기판 및 관통 전극을 포함한다. 상기 기판은 제1 면 및 상기 제1 면에 반대하는 제2 면을 갖고, 상기 제1 면에 회로 패턴들이 형성된다. 상기 관통 전극은 상기 회로 패턴과 전기적으로 연결되며 상기 기판을 관통한다. 상기 관통 전극은 상기 제1 면으로부터 상기 기판의 두께 방향으로 연장하는 제1 플러그 및 상기 제2 면으로부터 상기 기판의 두께 방향으로 연장하며 상기 제1 플러그와 접속하는 제2 플러그를 포함한다.

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Номер записи: 2
29-05-2015 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME, SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер: KR1020150058778A
Автор: KIM, EUN JI, CHO, SUNG DONG, KANG, SIN WOO, JANG, MYUNG SOO, PARK, YEONG LYEOL, LEE, SEUNG TEAK
Принадлежит:

A semiconductor device includes: a first low dielectric layer structure which includes at least one first low dielectric layer successively stacked on a substrate, a through electrode structure which penetrates the first low dielectric layer and at least part of the substrate, and a first blocking layer pattern structure which is separated from the through electrode structure in the first low dielectric layer structure and surrounds the sidewall of the through electrode structure. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 3
02-01-2019 дата публикации

반도체 장치 및 그 제조 방법

Номер: KR0101934045B1
Автор: 강신우, 김장호, 이운섭, 조종훈, 조성동, 박영렬
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 반도체 장치는 회로 영역 및 비아 영역을 갖는 기판의 회로 영역 상부에 형성된 소자 분리막, 기판의 비아 영역 상부에 형성되고 소자 분리막보다 큰 두께를 가지며 기판 내부로 향함에 따라 폭이 줄어드는 계단 형상을 갖는 스트레스 완화막 및 스트레스 완화막 및 기판의 적어도 일부를 관통하는 관통 전극 구조물을 포함한다. 스트레스 완화막이 관통 전극 구조물의 측벽을 감쌈에 따라, 기판에 미치는 스트레스가 감소될 수 있다.

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Номер записи: 4
29-01-2016 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер: KR1020160011017A
Автор: LEE, SEUNG TAEK, KIM, EUN JI, KANG, SIN WOO, PARK, YEONG LYEOL, CHO, SUNG DONG
Принадлежит:

A semiconductor device comprises a circuit element on a substrate, a first interlayer insulating film, a through electrode structure, an etch-stop film patter, a blocking film pattern, and an interconnection structure. The first interlayer insulating film is formed on the substrate and covers the circuit element. The through electrode structure penetrates the first interlayer insulating film and penetrates a portion of the substrate. The etch-stop film pattern is formed on an upper sidewall of the through electrode structure. The blocking film pattern is formed on the etch-stop film pattern and partially exposes at least an upper surface of the through electrode structure. The interconnection structure penetrates the blocking film pattern to be electrically connected to the through electrode structure and comprises a via part and a wiring part of different widths. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 5
30-11-2015 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PROTECTION PATTERN, AND FORMING METHOD THEREOF

Номер: KR1020150133520A
Автор: KIM, EUN JI, CHO, SUNG DONG, MUN, HYOUNG YOL, PARK, YEONG LYEOL, LEE, SEUNG TAEK
Принадлежит:

The present invention relates to a semiconductor device including a galvanic corrosion preventing pattern. A substrate with a keep out zone (KOZ) is arranged. A plurality of wires are formed out of the KOZ on the substrate. A through silicon via (TSV) is formed in the KOZ and passes through the substrate. Arranged is a protection pattern which is electrically insulated from the TSV, is formed in the KOZ, and has a conductive material which is different from the material of the TSV. The lower side of the protection pattern is formed on a level which is higher than the lower side of the TSV. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 6
20-05-2015 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING MAGNETIC ELEMENT AND RELATED EQUIPMENT

Номер: KR1020150054502A
Автор: JI, SANG WOOK, MUN, HYOUNG YOL, PARK, YEONG LYEOL, LEE, IN KYUM
Принадлежит:

A semiconductor chip is mounted on a substrate. First to third magnetic elements to be separated are formed on the semiconductor chip. The first magnetic element and the second magnetic element are close to the edge of the semiconductor chip. The third magnetic element is close to the center of the semiconductor chip. The third magnetic element is formed between the first magnetic element and the second magnetic element. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 7