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27-10-2015 дата публикации

METHOD FOR FABRICATING INDIUM ZINC OXIDE SPUTTERING TARGET

Номер: KR1020150120073A
Автор: PARK, HOON, LEE, EUN KYUNG, KWON, SE HEE, KIM, SUNG MIN, PARK, HYUNG RYUL
Принадлежит:

The present invention relates to a method for fabricating an indium zinc oxide (IZO) sputtering target and, more specifically, to a method for fabricating an IZO sputtering target, which can reduce the specific resistance of a sintered body made of IZO and the cracks in the IZO sintered body against high power during sputtering. To achieve this, the method comprises: a step for forming a mixture of indium oxide powder and zinc oxide powder to make an IZO formed body; a step for sintering the IZO formed body into an IZO sintered body; and a step for bonding a backing plate onto the rear surface of the IZO sintered body. In the step for sintering, the IZO formed body is sintered under an oxygen-free atmosphere and controls the maximum temperature of sintering to be equal to or higher than 1400°C. COPYRIGHT KIPO 2016 (AA) Specific resistance (BB) Temperature ...

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Номер записи: 1
08-02-2023 дата публикации

산화물 스퍼터링 타겟 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법

Номер: KR102497241B1
Автор: 박형율, 윤상원, 강신혁, 이형록, 옥강민
Принадлежит: 케이브이머티리얼즈 주식회사

... 본 발명은 산화물 스퍼터링 타겟을 제조하기 위한 방법 및 그 스퍼터링 타겟을 이용하여 증착된 반사방지막에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 반사방지막을 증착시키는 스퍼터링 타겟으로, 스퍼터링을 통해 성막된 박막은 금속과 접합면에서 반사율이 10%이하(@550nm) 수준을 나타내는 반사방지막에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은, W, Cu, La, O로 이루어지거나 Cu, Ca, In, O로 이루어진다. W, Cu, La, O로 이루어지는 소결체를 제조하기 위한 방법은, WO3 분말, CuO 분말 및 La2O3 분말을 혼합하여 분말 혼합물을 얻는 것과, 상기 분말 혼합물을 소결하여 소결체를 얻는 것을 포함할 수 있다. 여기서, CuO의 함유율은 W 원자, Cu 원자, La 원자 및 O원자 함유율 합계 대비 25원자%이하, 상기 La2O3의 함유율은 W 원자, Cu 원자, La 원자 및 O원자 함유율 합계 대비 10원자%이하일 수 있다. 또한 Cu, Ca, In, O로 이루어지는 소결체를 제조하기 위한 방법은, CuO 분말. CaCO3 분말 및 In2O3 분말을 혼합하여 분말 혼합물을 얻는 것과, 상기 분말 혼합물을 소결하여 소결체를 얻는 것을 포함할 수 있다. 여기서, CaCO3 함유량은 Cu 원자, Ca 원자, In 원자, C 원자 및 O 원자의 함유율 합계 대비 20원자% 이하고, In2O3의 함유량은 Cu 원자, Ca 원자, In 원자, C 원자 및 O 원자의 함유율 합계 대비 50원자% 이하일 수 있다.

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Номер записи: 2
03-06-2015 дата публикации

CARRIAGE FOR SINTERING FURNACE

Номер: KR1020150059965A
Автор: PARK, HOON, KANG, SU NAM, PARK, HYUNG RYUL, LEE, EUN KYUNG, LEE, JEONG MIN, LEE, HAK KI, JEONG, BO HYUN, CHOO, YOU JIN, HA, YOUNG JOO, HWANG, IN BOM
Принадлежит:

The present invention relates to a carriage for a sintering furnace and, more specifically, relates to a carriage for the sintering furnace which prevents an SiC plate from sagging during high temperature sintering due to a loading of the SiC plate, high temperature, and weight sputtering target molded articles; and prevents a support block to support the SiC plate from being pushed out, thereby having an extended service life. To achieve this, the present invention provides a carriage for a sintering furnace, comprising: a plurality of supporting blocks arranged into a matrix; a plurality of plates made of R-SiC, and arranged in series in a horizontal direction to be shaped into a plate on the plurality of supporting blocks; and a plurality of beams made of the R-SiC and arranged on the plurality of plates to horizontally support the SiC plate seated with a sputtering target molded article to be sintered. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 3