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20-04-2023 дата публикации

전자빔을 이용한 미세패턴 형성 장치

Номер: KR20230052396A
Автор: 박미영, 박흥균
Принадлежит:

... 미세패턴 형성 장치가 제공된다. 상기 미세패턴 형성 장치는 기판 모듈, 기판 모듈과 대향하도록 배치되고, 내부에 채워진 증착 소스를 가열하여 기화시킨 후 기화된 증착 소스를 분사하는 소스 공급 모듈, 상기 기판 모듈 및 상기 소스 공급 모듈 사이에 배치되어, 상기 소스 공급 모듈로부터 상기 기판 모듈로 제공되는 상기 증착 소스의 일부를 마스킹하는 마스크 모듈, 및 상기 소스 공급 모듈로부터 상기 마스크 모듈로 이동되는 상기 증착 소스에 전자빔을 조사하여, 상기 증착 소스를 대전시키는 전자빔 모듈을 포함할 수 있다.

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Номер записи: 1
26-04-2023 дата публикации

듀얼 전자빔 소스를 이용한 폴리머 경화공정장치

Номер: KR20230055929A
Автор: 박흥균
Принадлежит:

... 본 발명은 기판에 형성된 폴리머를 경화하는 공정에 관한 것으로, 캐소드에 고전압을 발생시켜 생성된 플라즈마상의 전자와 캐소드에 이온을 충돌시켜 발생하는 이차전자를 동시에 사용하여 열원만을 이용하는 공정보다 낮은 공정온도에서 보다 단시간에 폴리머 경화 공정을 수행하고, 경화 공정 후 냉각 공정에서는 플라즈마상의 전자 대신 플라즈마상의 이온을 사용하여 열 스트레스에 의한 기판의 휨을 방지할 수 있도록 하는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따른 듀얼 전자빔 소스를 이용한 폴리머 경화공정장치는, 진공 챔버 내부에서 공정가스와 반응하여 폴리머층이 형성된 대면적 기판을 경화시키는 듀얼 전자빔 소스를 이용한 폴리머 경화공정장치에 있어서, 진공 챔버 내부 상측에 배치되어 플라즈마상의 전자와 이온을 포함하는 플라즈마를 형성하는 제1 전자빔 발생부와, 상기 제1 전자빔 발생부의 하측에 배치되고, 인가되는 전압의 극성에 따라 다수의 그리드 홀을 통해 상기 플라즈마상의 전자 또는 이온을 하측으로 선택적으로 방출하는 제1 그리드 전극, 상기 제1 그리드 전극의 하측에 배치되면서, 캐소드에 이온을 충돌시켜 이차전자를 생성함과 더불어, 이 이차전자를 하측으로 방출하고, 상기 제1 그리드 전극으로부터 유입되는 플라즈마상의 전자 또는 이온을 하측으로 선택적으로 방출하는 제2 전자빔 발생부, 상기 제2 전자빔 발생부의 하측에 배치되어 제2 전자빔 발생부로부터 선택적으로 방출되는 플라즈마상의 전자 또는 이온과, 이차전자를 다수의 그리드홀을 통해 동시에 하측으로 방출하여 하측에 배치된 대면적 기판상의 폴리머층을 경화시키는 제2 그리드 전극 및, 상기 제1 및 제2 전자빔 발생부와 제1 및 제2 그리드 전극으로 전압을 공급하여 제2 그리드 전극을 통해 선택적으로 방출되는 플라즈마상의 전자 또는 이온과, 이차전자를 동시에 기판측으로 방출하도록 제어하는 제어수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 2
21-01-2019 дата публикации

라인 형태의 전자빔 방출 장치

Номер: KR1020190006912A
Автор: 박흥균
Принадлежит:

... 본 발명은 라인 형태의 전자빔 방출 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 할로우(hollow) 캐소드에 형성된 홀(hole) 내의 플라즈마에서 방출되는 전자와 콜드(cold) 캐소드상에서 이온 충돌에 의하여 방출되는 이차전자를 방출하는 캐소드를 이용하여 높은 전자밀도를 갖는 라인 형태의 전자빔을 대상물에 방출할 수 있도록 해 주는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따른 라인 형태의 전자빔 방출 장치는, 챔버의 상부측에 설치되고, 하단이 상방으로 만곡진 곡면 형상으로 형성되면서 챔버 상측으로부터 길이방향으로 관통되어 외부로부터 공정가스를 유입시키는 다수의 가스홀을 형성하도록 구성됨과 더불어, 가스홀 내에서 공정가스를 전리시켜 플라즈마를 형성하는 캐소드와, 상기 캐소드의 하측에 배치되면서, 캐소드에 대응되는 형상의 곡면상에 다수의 홀이 형성되되, 캐소드 하단의 곡률반경 보다 작은 곡률 반경을 갖도록 구성되어 캐소드에 의해 발생된 전자를 하측으로 방출하는 애노드를 포함하여 구성되고, 상기 캐소드는 제1 음전압이 인가됨에 따라 가스홀 내의 가스전리 및 플라즈마에 의해 발생된 전자를 가스홀 하측으로 방출하고, 상기 애노드는 제2 음전압이 인가됨에 따라 캐소드측에서 애노드측으로 진행하는 전자가 애노드 부근의 가스를 전리하여 이온을 형성함과 더불어 캐소드의 제1 음전압에 의해 캐소드 표면으로 가속화되어 충돌함으로써 2차 전자를 발생시키고, 상기 캐소드의 가스홀에서 발생된 전자와 캐소드 표면 충돌에 의한 2차 전자를 복합적으로 애노드에 형성된 홀을 통해 애노드의 초점 위치에 집속하도록 구성되며, 상기 애노드로 인가되는 전압은 양의 전압과 음의 전압이 교번하는 펄스형태로 공급되되, 양의 전압 보다 음의 전압이 보다 넓은 시간폭을 갖는 펄스 형태로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 3
24-10-2022 дата публикации

반도체 패키지용 폴리머 경화공정장치

Номер: KR20220142802A
Автор: 박흥균
Принадлежит:

... 본 발명은 반도체 공정의 팬아웃 패키지 공정에 관한 것으로, 특히 진공 챔버내에서 전자빔과 적외선(IR)을 동시에 이용하여 기판상에 형성된 폴리머를 상대적으로 낮은 온도환경에서 경화 처리함과 더불어 다중 경화처리시 기 경화층으로의 열부하를 감소시켜 기판의 휨(warpage) 현상을 최소화하는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따른 인라인 타입의 반도체 패키지용 폴리머 경화공정시스템은, 진공 챔버 내부에서 공정가스와 반응하여 폴리머층이 형성된 대면적 기판을 경화시키는 반도체 패키지용 폴리머 경화공정장치에 있어서, 대면적의 전자빔을 생성하여 하측으로 방출하는 전자빔 발생장치와, 전자빔 발생장치의 하측에 배치되어 IR 램프로부터 발생되는 IR과 상측으로부터 유입되는 전자빔을 하측에 배치된 기판측으로 동시에 방출하는 IR 발생수단 및, 상기 전자빔 발생장치를 통해 기 설정된 밀도의 대면적 전자빔을 생성함과 더불어 상기 IR 발생수단을 통해 IR을 발생시키도록 각 장치로 해당 전원을 공급함으로써, 기판에 형성된 폴리머층을 경화시키도록 제어하는 제어수단을 포함하여 구성되고, 상기 IR 발생수단은 다수의 홀을 갖는 판형상의 제1 및 제2 메탈층이 일정 거리 이격되게 배치되어 내부 공간을 형성하는 반사체를 포함하며, IR 램프는 반사체의 측면에 배치되어 반사체 내부 공간으로 IR을 방출하여 IR이 제1 및 제2 메탈층에 의해 반사되어 제2 메탈층의 홀을 통해 하측으로 방출되고, 전자빔은 제1 메탈층의 홀을 통해 반사체 내부로 유입되어 제2 메탈층의 홀을 통해 하측으로 방출되는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 4
08-02-2023 дата публикации

반도체 기판의 정전기 제거 장치

Номер: KR102497755B1
Автор: 나성주, 박흥균
Принадлежит: (주)넥스틴

... 본 발명은 VUV 광을 이용하여 반도체 기판 및 반도체 기판에 위치하는 패턴에 형성된 정전기를 중화하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판측으로 조사되는 VUV 광의 범위를 확장시켜 대면적 반도체 기판상의 박막 내부에 임배드된(embedded) 정전기를 용이하게 제거할 수 있도록 해 주는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 기판의 정전기 제거 장치는, 진공 챔버 내부에 배치된 반도체 기판으로 VUV(Vacuum Ultraviolet Ray) 광을 조사하여 반도체 기판상에 형성된 정전기를 제거하는 반도체 기판의 정전기 제거 장치에 있어서, 진공 챔버의 상측에 배치되어 진공 챔버의 내측으로 협대역의 VUV 광을 방출하는 VUV 램프가 구비된 VUV 발생기와, VUV 발생기의 하측에 배치되어 입사되는 VUV 광을 광대역으로 확산하여 하측에 위치하는 반도체 기판으로 출력하는 광 확산부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 5
31-08-2018 дата публикации

LINE-SHAPED FOCUSED ELECTRON BEAM EMISSION DEVICE

Номер: KR1020180097430A
Автор: PARK, HEUNG GYUN
Принадлежит:

The present invention relates to a line-shaped focused electron beam emission device comprising: a chamber having an inner space, one side grounded, and a gas inlet through which a process gas is introduced; a substrate holder formed in the chamber and having a substrate mounted thereon; a cathode installed on an upper side of the chamber, and formed in a curved shape curved upward to emit secondary electrons; an anode installed in an average free row on a lower side of the cathode, and having a plurality of holes formed on a curved surface having a shape corresponding to the cathode to emit electron beams in a line shape; a magnetic lens installed on a lower side of a focal position of the cathode to focus the electron beams in a line shape, which are accelerated from the anode, on the substrate; and a grid electrode installed between the magnetic lens and the substrate holder to accelerate secondary electrons by a high voltage. Therefore, according to the present invention, the anode ...

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Номер записи: 6
25-01-2019 дата публикации

대면적 전자빔을 이용한 박막 공정 장치

Номер: KR1020190008702A
Автор: 박흥균
Принадлежит:

... 본 발명은 기판 보다 큰 대면적의 전자빔을 이용하여 챔버 내부의 공정가스를 이온화하되, 대면적 전자빔의 상태를 가변하여 챔버로 방출하여 챔버 내에서 이방성 모드와 등방성 모드의 박막 공정이 복합적으로 수행되도록 함으로써, 패턴 단차가 큰 기판에 대해서도 균일한 특성의 박막 공정 처리를 수행할 수 있도록 해 주는 대면적 전자빔을 이용한 박막 공정 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 대면적 전자빔을 이용한 박막 공정 장치는 내부 공간이 형성되고, 상부측에 공정 가스가 유입되는 가스 유입구가 형성되며, 하부측에 가스가 배출되는 가스 배출구가 형성됨과 더불어 기판이 안착되는 기판 지지대가 형성되는 챔버와, 상기 챔버의 측면에 결합되면서 챔버 내측으로 상기 기판보다 큰 대면적의 전자빔을 방출하되, 챔버 내에서 공정가스의 진행방향과 수직하는 방향으로 대면적의 전자빔을 방출하는 전자빔 발생수단을 포함하여 구성되고, 상기 전자빔 발생수단은 대면적의 전자빔을 생성하는 전자빔 생성부와, 상기 전자빔 생성부에서 생성된 대면적 전자빔의 폭을 일정 주기 단위로 가변시키면서 상기 챔버로 방출함으로써, 챔버 내부에서 전자빔 폭에 대응하여 등방성 모드와 이방성 모드의 박막 공정이 교대로 이루어지도록 하는 전자빔 조정부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 7
23-09-2022 дата публикации

반도체 패키지용 폴리머 경화공정장치

Номер: KR102446318B1
Автор: 박흥균
Принадлежит: 박흥균

... 본 발명은 반도체 공정의 팬아웃 패키지 공정에 관한 것으로, 특히 폴리머를 상대적으로 낮은 온도환경의 진공 챔버내에서 경화 처리하되, 폴리머 경화 처리와 폴리머가 도포된 기판에 대해 이온빔처리를 동시에 수행하여, 기판내 재료들간의 열팽창계수 차이로 인해 발생되는 기판의 휨(wrapage) 발생을 최소화할 수 있도록 해 주는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 패키지용 폴리머 경화공정장치는, 진공챔버내에서 대면적의 전자빔을 생성하여 하측으로 방출하는 전자빔 발생부와, 전자빔 발생부의 하측에 배치되어 대면적의 전자빔을 하측으로 방출하는 그리드 전극, 그리드 전극의 하측에 배치되면서 그 상면에 폴리머층이 형성된 대면적의 기판을 지지하는 기판 지지대 및, 상기 전자빔 발생부를 통해 기 설정된 밀도의 대면적 전자빔을 생성하여 대면적 기판에 형성된 폴리머층을 경화시킴과 동시에, 상기 그리드 전극과 기판 지지대로 기 설정된 전압차를 갖도록 그리드 전극 및 기판 지지대로 전압을 공급하여 그리드 전극과 기판 사이에서 대면적 전자빔과 공정가스의 반응에 의해 생성된 이온을 기판측으로 유도하도록 제어하되, 기판 지지대로 10~2000V의 음(-)의 바이어스 전압을 공급하는 제어수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 8
14-12-2022 дата публикации

반도체 패키지용 폴리머 경화공정장치

Номер: KR102478138B1
Автор: 박흥균
Принадлежит: 박흥균

... 본 발명은 반도체 공정의 팬아웃 패키지 공정에 관한 것으로, 특히 진공 챔버내에서 전자빔과 적외선(IR)을 동시에 이용하여 기판상에 형성된 폴리머를 상대적으로 낮은 온도환경에서 경화 처리함과 더불어 다중 경화처리시 기 경화층으로의 열부하를 감소시켜 기판의 휨(warpage) 현상을 최소화하는 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따른 인라인 타입의 반도체 패키지용 폴리머 경화공정시스템은, 진공 챔버 내부에서 공정가스와 반응하여 폴리머층이 형성된 대면적 기판을 경화시키는 반도체 패키지용 폴리머 경화공정장치에 있어서, 대면적의 전자빔을 생성하여 하측으로 방출하는 전자빔 발생장치와, 전자빔 발생장치의 하측에 배치되어 IR 램프로부터 발생되는 IR과 상측으로부터 유입되는 전자빔을 하측에 배치된 기판측으로 동시에 방출하는 IR 발생수단 및, 상기 전자빔 발생장치를 통해 기 설정된 밀도의 대면적 전자빔을 생성함과 더불어 상기 IR 발생수단을 통해 IR을 발생시키도록 각 장치로 해당 전원을 공급함으로써, 기판에 형성된 폴리머층을 경화시키도록 제어하는 제어수단을 포함하여 구성되고, 상기 IR 발생수단은 다수의 홀을 갖는 판형상의 제1 및 제2 메탈층이 일정 거리 이격되게 배치되어 내부 공간을 형성하는 반사체를 포함하며, IR 램프는 반사체의 측면에 배치되어 반사체 내부 공간으로 IR을 방출하여 IR이 제1 및 제2 메탈층에 의해 반사되어 제2 메탈층의 홀을 통해 하측으로 방출되고, 전자빔은 제1 메탈층의 홀을 통해 반사체 내부로 유입되어 제2 메탈층의 홀을 통해 하측으로 방출되는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 9
24-10-2018 дата публикации

라인 형태의 집중화된 전자빔 방출 장치

Номер: KR0101911542B1
Автор: 박흥균
Принадлежит: 박흥균

... 본 발명은 라인 형태의 집중화된 전자빔 방출 장치에 관한 것으로서, 내부 공간이 형성되고 일측이 접지되며, 일측에 공정 가스가 유입되는 가스 유입구가 형성되는 챔버; 상기 챔버 내에 형성되면서 기판이 안착되는 기판 홀더; 상기 챔버의 상부측에 설치되고, 상방으로 만곡진 곡면 형상으로 형성되어 2차 전자를 방출하는 캐소드; 상기 캐소드의 하측으로 평균 자유 행로 내에 설치되고, 상기 캐소드에 대응되는 형상의 곡면 상에 다수의 홀이 형성되어 라인 형태의 전자빔을 방출하는 애노드, 상기 캐소드의 초점 위치 하측에 설치되어 애노드로부터 가속화된 라인 형태의 전자빔을 상기 기판으로 집중시키는 마그네틱 렌즈; 및 상기 마그네틱 렌즈와 기판 홀더 사이에 설치되면서 고전압에 의해 2차 전자를 가속시키는 그리드 전극을 포함한다. 따라서, 본 발명은 다수의 홀이 형성된 애노드와 캐소드가 기설정된 곡률반경을 가지는 곡면 형상으로 형성되어 캐소드의 초점 위치에 라인 형태의 전자빔을 방출하고, 배기(Outgassing)되는 잔유 가스의 진입을 차단하여 기화물질의 오염을 방지할 수 있어 안정적이고 아크 방전 등의 발생없이 플라즈마 발생 및 경화 공정을 수행할 수 있다.

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Номер записи: 10