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27-06-2018 дата публикации

기판 지지 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 그 제어 방법

Номер: KR0101870657B1
Автор: 손덕현
Принадлежит: 세메스 주식회사

... 본 발명은 멀티 존(Multi Zone)을 갖는 기판 지지 유닛에 있어서 온도 센서의 수를 최소화시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판을 처리하는 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 고주파전력을 제공하는 고주파전원을 포함하며, 상기 챔버 내의 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하며, 상기 지지 유닛은: 기판이 놓이는 지지판; N개(N은 2≤N인 자연수)의 영역으로 구획된 상기 지지판의 각각의 영역을 가열하는 N개의 히터; 및 상기 N개의 영역을 M개(M은 1≤M＜N인 자연수)의 그룹으로 그룹화하고, 각각의 상기 그룹에 상기 그룹에 포함되는 영역의 온도를 측정하는 M개의 온도 센서를 연결하는 제어부를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 1
08-01-2019 дата публикации

다중 보빈 인덕터

Номер: KR0101935950B1
Автор: 성효성, 손덕현, 멜리키안
Принадлежит: 세메스 주식회사

... 본 발명은 다중 보빈 인덕터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 복수의 보빈이 중첩된 형태의 보빈에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 원통 형상의 제1보빈; 상기 제1보빈이 삽입되도록 중공된 제2보빈; 및 상기 제1보빈 및 상기 제2보빈에 감기는 코일;을 포함하는 다중 보빈 인덕터가 제공될 수 있다.

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Номер записи: 2
27-01-2016 дата публикации

SUBSTRATE TREATING DEVICE AND FILTER MANUFACTURING METHOD

Номер: KR1020160010254A
Автор: SON, DUK HYUN
Принадлежит:

The present invention relates to a substrate treating unit. According to an embodiment of the present invention, the substrate treating unit comprises: a processing chamber having an internal space formed therein; a support unit located inside the processing chamber and supporting a substrate; a gas supply unit supplying a processing gas into the processing chamber; and a plasma generating unit including a high frequency power source, which applies high frequency power, and exciting the processing gas supplied into the processing chamber. The support unit comprises: a support plate supporting the substrate; and a heating member controlling a temperature of the support plate. The heating member comprises: a heating unit; a control unit applying AC power to the heating unit; and a filter preventing coupling between the heating unit and the high frequency power wherein the filter includes a multi-staged inductor which is formed in multi-stages. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 3
19-11-2015 дата публикации

SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD

Номер: KR0101570174B1
Автор: 손덕현
Принадлежит: 세메스 주식회사

... 본 발명은 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치 및 그 방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판 처리 장치의 공정 챔버 내의 전극에 시간에 주기적으로 온/오프되는 펄스 모드의 고주파 전력이 공급되는 경우, 펄스 모드가 오프(off)일 때 가변 커패시터의 잔류 전력을 방전하여 공정 챔버 내의 전극으로 공급되는 전력을 제어한다. 또한, 본 발명은 복수 개의 커패시터로 이루어진 가변 커패시터를 스위치 단속에 의해 커패시턴스를 조절하여 임피던스를 정합시킨다.

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Номер записи: 4
05-06-2017 дата публикации

플라즈마 발생 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 그 제어 방법

Номер: KR0101743493B1
Автор: 손덕현, 이정환
Принадлежит: 세메스 주식회사

... 본 발명은 필터의 특성을 조절하여 플라즈마 공정을 용이하게 제어할 수 있는 플라즈마 발생 장치, 기판 처리 장치, 및 그 제어 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생 장치는, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원을 포함하고, 상기 고주파 전력을 이용하여 플라즈마를 생성하여 상기 기판상에 플라즈마 공정을 수행하며, 상기 지지 유닛은, 기판을 지지하는 지지판; 및 상기 기판의 온도를 제어하는 가열 유닛을 포함하며, 상기 가열 유닛은, 가열부; 상기 가열부로 전력을 인가하는 제어부; 및 상기 가열부와 상기 고주파 전원의 커플링을 방지하는 필터를 포함하며, 상기 필터는 가변 소자를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 5
12-04-2017 дата публикации

PLASMA GENERATION APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS COMPRISING SAME, AND METHOD OF CONTROLLING SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер: KR1020170039978A
Автор: SON, DUK HYUN, LEE, JUNG HWAN
Принадлежит:

The present invention relates to a plasma generation apparatus, a substrate processing apparatus comprising the same, and a method of controlling a substrate processing apparatus, which enable plasma processing to be easily controlled through adjustment of characteristics of a filter. A plasma generation apparatus according to an embodiment of the present invention may comprise: a support unit which supports a substrate; and a high-frequency power supply which supplies high-frequency power. The plasma generation apparatus may generate plasma by using the high-frequency power, and may perform plasma processing on the substrate. The support unit may comprise: a support plate which supports the substrate; and a heating unit which controls the temperature of the substrate. The heating unit may comprise: a heater; a controller which applies power to the heater; and a filter which prevents the heater and the high-frequency power supply from being coupled to each other. Furthermore, the filter ...

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Номер записи: 6
08-04-2016 дата публикации

CURRENT MEASURING SENSOR

Номер: KR1020160039009A
Автор: EMMA DANIELYAN, SON, DOK HYUN
Принадлежит:

The present invention relates a current measuring sensor with high accuracy for an RF power source. Disclosed is a current measuring sensor which includes: a signal transmission part for transmitting a power signal; a probe for measuring a current which is separated from a lateral surface of the signal transmission part and has a loop structure to divide a region intersecting with a magnetic field induced according to the power signal flowing along the signal transmission part; and a signal processing part which measures an induced current in the probe for measuring a current due to the magnetic field induced according to power signal flowing along the signal transmission part, and calculates the current value of the power signal flowing along the signal transmission part from the measured induced current value. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 7
10-05-2018 дата публикации

SUBSTRATE SUPPORT UNIT, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING SAME

Номер: KR1020180046946A
Автор: SON, DUK HYUN
Принадлежит:

The present invention is to provide a substrate processing apparatus wherein the number of temperature sensors can be minimized in a substrate support unit that has a multi zone. The substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a chamber having an internal substrate processing space; a support unit positioned in the chamber and supporting a substrate; a gas supply unit supplying gas into the chamber; and a plasma generating unit including a high frequency power source providing high frequency power and exciting the gas in the chamber into a plasma state. The support unit may include: a support plate where a substrate is placed; N heaters heating each of N partitioned regions of the support plate (N is a natural number equal to or greater than 2); and a control unit grouping the N regions in M groups (M is a natural number equal to or greater than 1 and less than N) and connecting each of the groups to M temperature sensors measuring the temperature ...

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Номер записи: 8
24-06-2016 дата публикации

CURRENT SENSOR AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер: KR0101632603B1
Автор: 엠마 다니엘얀, 손덕현
Принадлежит: 세메스 주식회사

... 본 발명은 전류 측정 센서에 관한 것으로, 전원 신호가 전송되는 신호 전송부; 신호 전송부의 측면에 이격되어 구비되고, 신호 전송부에 흐르는 전원 신호에 따라 유도되는 자기장과 쇄교하는 영역을 구획하도록 루프(loop) 구조를 갖는 전류 측정용 프로브; 및 신호 전송부를 통해 흐르는 전원 신호에 따라 유도되는 자기장에 의하여 전류 측정용 프로브에 유도되는 유도 전류를 측정하고, 측정된 유도 전류 값으로부터 신호 전송부에 흐르는 전원 신호의 전류 값을 산출하는 신호 처리부를 포함하는 전류 측정 센서를 개시한다.

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Номер записи: 9
12-12-2018 дата публикации

임피던스정합장치 및 이를 포함하는 기판처리장치

Номер: KR0101927940B1
Автор: 성효성, 손덕현, 니키신
Принадлежит: 세메스 주식회사

... 본 명세서는 임피던스정합장치 및 이를 포함하는 기판처리장치, 보다 상세하게는 플라즈마공정에서 임피던스를 정합하는 장치 및 이를 포함하여 플라즈마공정을 수행하는 기판처리장치를 개시한다. 본 발명의 일 양상에 따른 임피던스정합장치는, 플라즈마공정을 수행하는 공정챔버의 임피던스를 측정하는 임피던스측정기; 상기 임피던스측정기의 측정값에 근거하여 제어신호를 생성하는 제어기; 및 상기 공정챔버로 고주파전력을 전송하는 전송라인에 연결되어 상기 제어신호에 따라 임피던스를 정합하는 정합기;를 포함하되, 상기 정합기는, 정전용량이 조절되는 가변커패시터; 및 상기 공정챔버 내부에 축적된 반사전력을 제거하는 바이패스라인(by-pass line);을 포함한다.

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Номер записи: 10
11-06-2015 дата публикации

PLASMA IMPEDANCE MATCHING DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер: KR1020150064722A
Автор: SON, DUK HYUN
Принадлежит:

The present invention relates to a device which matches an impedance of a plasma in a processor using a plasma of a semiconductor manufacturing equipment and a method thereof. According to the present invention, an impedance between a high frequency power supply and a process chamber is matched by using a mechanically driven first variable capacitor, and a second variable capacitor switched by an electrical signal. COPYRIGHT KIPO 2015 (2140) Impedance measurement device (2150) Reflection power measurement device (2160) Process chamber (2250) Controller ...

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Номер записи: 11
20-11-2015 дата публикации

PLASMA GENERATING UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING PLASMA GENERATING UNIT

Номер: KR101570171B1
Автор: SON, DUK HYUN, LEE, JUNG HWAN
Принадлежит: SEMES CO., LTD.

The present invention relates to a substrate processing apparatus. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus comprises: a processing chamber; a support unit which supports the substrate in the processing chamber; a gas supply unit which supplies a processing gas into the process chamber; and a plasma generating unit which generates plasma from the processing gas supplied into the processing chamber, wherein the plasma generating unit includes a high-frequency power source, an antenna unit which is connected to the high-frequency power source through a supply line, and an impedance matching device which is connected to the supply line between the high-frequency power source and the antenna unit and matches impedance, and the impedance matching device includes a first sensor which is installed in an input terminal and measures input impedance and a second sensor which is installed in an output terminal and measures output impedance. COPYRIGHT ...

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Номер записи: 12