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31-05-2018 дата публикации

태양전지 및 그 제조 방법

Номер: KR0101863294B1
Автор: 모찬빈, 이두열, 김영진, 오민석, 이윤석, 송남규, 이초영, 김영수, 박영상
Принадлежит: 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨

... 본 발명에 따른 태양 전지는 반도체 기판, 반도체 기판에 위치하며 분리되어 있는 제1 진성 반도체층 및 제2 진성 반도체층, 제1 진성 반도체층 및 제2 진성 반도체층 위에 각각 형성되어 있는 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층 위에 위치하며 투명 전도성 산화물로 이루어지는 하부층, 하부층 위에 위치하며 구리로 이루어지는 중간층을 포함하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함한다.

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Номер записи: 1
25-11-2010 дата публикации

MULTITAP

Номер: WO2010134745A3
Автор: MOON, Myung Sup, SONG, Nam Kyu
Принадлежит:

The present invention relates to a multitap comprising: a power-source-application unit where a power source is applied; a DC voltage output unit for outputting, as a DC voltage, the power source applied at the power-source-application unit; and a terminal of a kind which matches the power source applied at the power-source-application unit to the applicable DC voltage output as the DC voltage stipulated for a specific voltage. In this way, it is possible to use various electronic devices without employing an adapter and, in particular, it is possible to effect power source input in a straightforward fashion even when the forms of power source input terminals differ, and electronic devices can be controlled remotely through PLC communications, the Internet and the like.

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Номер записи: 2
25-11-2010 дата публикации

MULTITAP

Номер: KR2010134745A2
Автор: MOON, Myung Sup, SONG, Nam Kyu
Принадлежит:

The present invention relates to a multitap comprising: a power-source-application unit where a power source is applied; a DC voltage output unit for outputting, as a DC voltage, the power source applied at the power-source-application unit; and a terminal of a kind which matches the power source applied at the power-source-application unit to the applicable DC voltage output as the DC voltage stipulated for a specific voltage. In this way, it is possible to use various electronic devices without employing an adapter and, in particular, it is possible to effect power source input in a straightforward fashion even when the forms of power source input terminals differ, and electronic devices can be controlled remotely through PLC communications, the Internet and the like.

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Номер записи: 3
28-05-2018 дата публикации

SEISMIC REINFORCEMENT STRUCTURE OF HALLWAY TYPE APARTMENT USING TOWER TYPE SEISMIC DEVICE

Номер: KR101861484B1
Автор: CHO, HAE JIN, SONG, NAM KYU
Принадлежит: TECHSQUARE LTD.

The present invention relates to a seismic reinforcement structure of a hallway type apartment using a tower type seismic device, capable of facilitating seismic reinforcement of an old building. According to one embodiment of the present invention, comprises: a pair of new pillars spaced apart from each other at a predetermined distance to be parallel with each other, and formed outside apart from an outer wall surface of an existing building at a predetermined distance; an outer horizontal member to horizontally connect the pair of new pillars at a predetermined distance; a new beam to horizontally connect the new pillar with the outer wall surface of the existing building at predetermined intervals; and a seismic damper having a fixing member formed in the new pillar and the outer wall surface of the existing building and connecting between the fixing members in a brace type, so as to be operated by interlayer deformation of the existing building. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 4
08-02-2018 дата публикации

광전변환소자 및 그 제조 방법

Номер: KR0101826912B1
Автор: 송남규, 오민석, 이윤석, 이초영
Принадлежит: 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨

... 본 발명은 결정질의 반도체 기판과, 반도체 기판의 배면의 제1 영역에 형성되며 제1 불순물을 포함하는 비정질의 제1 도전형 반도체층과, 반도체 기판의 배면의 제2 영역에 형성되며 제1 불순물과 다른 제2 불순물을 포함하는 비정질의 제2 도전형 반도체층과, 반도체 기판의 배면 상에서 제1 영역과 제2 영역 사이에 구비되는 갭 패시베이션층을 포함하며, 갭 패시베이션층 상에는 제1 도전형 반도체층이 구비된 광전변환소자와 그 제조 방법에 관한 것이다.

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Номер записи: 5
16-07-2018 дата публикации

태양전지 및 그 제조 방법

Номер: KR0101878397B1
Автор: 모찬빈, 이두열, 김영진, 오민석, 박성찬, 이윤석, 송남규, 김동섭, 김민성, 이초영, 김영수, 박영상
Принадлежит: 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨

... 본 발명에 따른 태양 전지는 제1 도전형의 결정질 반도체 기판, 반도체 기판의 전면에 위치하며 제1 도전형으로 도핑되어 있는 제1 도핑층, 반도체 기판의 전면 및 후면에 각각 위치하는 전면 반사 방지막 및 후면 반사 방지막, 후면 반사 방지막 및 반도체 기판 위에 적층되어 있는 진성 반도체층, 에미터 및 제1 보조 전극, 반도체 기판의 후면에 위치하며 제1 도전형 물질로 도핑되어 있는 제2 도핑층, 제2 도핑층을 노출하는 개구부를 가지는 절연막, 제2 도핑층과 접촉하며 개구부 내에 위치하는 제2 보조 전극, 제1 보조 전극 위에 위치하는 제1 전극, 제1 전극과 분리되어 있으며 제2 보조 전극 위에 위치하는 제2 전극을 포함한다.

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Номер записи: 6
30-06-2017 дата публикации

MOTION CONTROL SYSTEM

Номер: KR1020170074431A
Автор: YANG, HYUN MO, SONG, NAM GYU, KIM, JONG WOO
Принадлежит:

The present invention relates to a motion control system and, more specifically, relates to a system for controlling hardware based on data obtained by capturing a human motion using a motion sensor. Generally, there is a large difference in the efficiency depending on a user since the user needs to master the operation method in a system which controls hardware by using a manipulator such as a joystick, a handle and the like. The present invention aims to solve the above-mentioned problem and is provided to allow all users to easily and conveniently control the hardware. The present invention recognizes the movement of the user by using the motion sensor, and the system processes the data received by the sensor, transmits the processed data to the hardware, and reproduces the movement of the user. As described above, according to the present invention, since the motion control system reproduces the human motion exactly the same, the skill is not required so that the user can easily use ...

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Номер записи: 7
23-07-2015 дата публикации

Photoelectric conversion device and Manufacturing method thereof

Номер: KR0101539047B1
Автор: 오민석, 김정태, 송남규, 박민, 이윤석, 이창호, 신명훈, 이병규, 남육현, 정승재, 임미화, 서준영, 최동욱, 김동섭, 김병준
Принадлежит: 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨

... 본 발명의 일 실시예에 따른 광기전력 변환 소자는 전면과 후면을 가진 반도체 기판, 상기 반도체 기판 전면에 형성된 보호층, 상기 반도체 기판 후면에 형성된 제1 비단결정 반도체층, 상기 제1 비단결정 반도체층 후면의 제1영역에 형성되고 제1 불순물을 포함하는 제1도전층, 그리고, 상기 제1 비단결정 반도체층 후면의 제2영역에 형성되고 상기 제1불순물과 제2불순물을 포함하는 제2도전층을 포함한다.

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Номер записи: 8