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08-07-2015 дата публикации

IMAGE SENSOR INCLUDING A PIXEL CELL HAVING AN EPITAXIAL LAYER, SYSTEM HAVING THE SAME, AND METHOD OF FORMING PIXEL CELLS

Номер: KR0101534544B1
Автор: 이경호, 정광일, 안정착, 김이태, 문경식, 김범석, 기영배, 이동영, 정태섭, 이강선
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 엠보싱 형태의 도핑 프로파일을 갖는 에피 층을 구비한 픽셀 셀 및 이를 포함하는 이미지 센서가 개시된다. 픽셀 셀은 기판, 에피 층(epitaxial layer) 및 상기 에피 층 내에 형성된 광 변환 소자를 포함한다. 에피 층은 엠보싱 형태의 도핑 농도 프로파일을 갖고, 기판 상에 적층된 복수의 층으로 구성된다. 에피 층 내에 형성된 광변환 소자는 수직 방향으로 일정한 전위를 갖는 영역(neutral zone)을 포함하지 않는다. 따라서, 픽셀 셀은 주어진 에너지에서 블루밍이 없는 최대 깊이의 광변환 소자를 형성할 수 있으며, 픽셀 셀을 포함하는 이미지 센서는 양자효율을 증가시키고 광 변환 소자들 간의 크로스 토크를 줄일 수 있다.

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Номер записи: 1
15-02-2016 дата публикации

IMAGE PIXEL, IMAGE SENSOR INCLUDING SAME, AND IMAGE PROCESSING SYSTEM INCLUDING SAME

Номер: KR1020160016325A
Автор: LEE, KYUNG HO, AHN, JUNG CHAK, CHOI, HYUK SOON
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, an image pixel comprises a plurality of photodiodes and trenches. Each of the plurality of photodiodes accumulates photocharges in accordance with the intensity of incident light passing through a microlens. The trenches electrically isolate the plurality of photodiodes from one another. Therefore, the present invention prevents crosstalk between the photodiodes of the image pixel to generate an image of a high quality. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 2
26-10-2017 дата публикации

빛을 수신하는 면에 곡률이 있는 포토다이오드를 구비하는 백사이드 일루미네이션 ＣＭＯＳ 이미지센서 및 상기 이미지센서의 형성방법

Номер: KR0101790164B1
Автор: 안정착, 이경호
Принадлежит: 삼성전자 주식회사

... 본 발명은 빛을 수신하는 면에 곡률이 있는 포토다이오드를 구비하는 백사이드 일루미네이션 ＣＭＯＳ 이미지센서 및 백사이드 일루미네이션 ＣＭＯＳ 이미지센서의 생성방법을 개시한다. 상기 백사이드 일루미네이션 ＣＭＯＳ 이미지센서는 메탈층, 절연층 및 포토다이오드를 구비한다. 상기 절연층은 상기 메탈층의 상부에 형성된다. 상기 포토다이오드는 상기 절연층의 상부에 형성되며, 빛을 수신하는 상기 포토다이오드의 상부 면은 일정한 곡률이 있다. 상기 백사이드 일루미네이션 ＣＭＯＳ 이미지센서의 생성방법은 빛을 수신하는 방향의 포토다이오드의 면이 볼록한 백사이드 일루미네이션(Back-Side Illumination) ＣＭＯＳ 이미지센서를 생성하며, 빛을 수신하는 방향의 포토다이오드 영역의 일부분에, 포토다이오드 보다 작은 일정한 크기의 아일랜드를 생성하는 단계; 및 상기 아일랜드를 어닐링하여 볼록한 형태의 포토다이오드를 생성시키는 단계를 구비한다.

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Номер записи: 3
12-04-2016 дата публикации

CMOS IMAGE SENSOR TO REDUCE DEAD ZONE

Номер: KR1020160039877A
Автор: LEE, SEUNG WOOK, KIM, YI TAE, PARK, JONG EUN, AHN, JUNG CHAK, LEE, KYUNG HO, LEE, TAE HUN, JEONG, HEE GEUN
Принадлежит:

Disclosed is a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor. The CMOS image sensor comprises: a semiconductor substrate, active areas, and a trench type-element separation area. The semiconductor substrate includes a first surface and a third surface formed by removing a predetermined part from a second surface. Each of the active areas is formed between the first surface and the third surface, and includes a photoelectric conversion device generating electric charges in response to an incident light received through the third surface. The trench type-element separation area is vertically formed on the first surface or the third surface to separate each of the active areas from neighboring active areas. In a case where the third surface is cut out, a section of the active area has a center having a concave shape and edges having a convex shape. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 4
11-01-2018 дата публикации

후면수광 이미지 센서에서 노이즈 차단을 위한 깊은 가드링 구조 및 잡음방지영역을 갖는 이미지센서 및 그 제조방법

Номер: KR0101804268B1
Автор: 이경호, 안정착
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 노이즈 차단을 위한 깊은 가드링 구조 및 잡음방지영역을 갖는 이미지 센서 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 이미지센서는 깊은 가드링 구조 및 깊은 가드링 주변에 깊은 웰을 형성하여 인접 픽셀에서의 노이즈 간섭을 방지할 수 있고, 깊은 가드링 영역에 잡음 방지 영역을 형성하여 이온주입층을 분리시킴으로써 기판의 혼색현상(crosstalk)을 효과적으로 제거가능한 이미지 센서 구조를 얻을 수 있다.

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Номер записи: 5
11-09-2017 дата публикации

씨모스 이미지 센서의 단위 화소 어레이

Номер: KR0101776611B1
Автор: 안정착, 이경호
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 씨모스 이미지 센서의 단위 화소 어레이는 복수의 단위 화소들이 형성된 반도체 기판, 반도체 기판의 전면 방향으로 적층되는 층간 절연층, 반도체 기판의 후면 방향으로 적층되는 파장 변환층, 파장 변환층의 전면 방향으로 적층되는 복수의 컬러 필터들 및 복수의 컬러 필터들의 전면 방향으로 적층되는 복수의 마이크로 렌즈들을 포함한다. 따라서, 씨모스 이미지 센서의 단위 화소 어레이는 씨모스 이미지 센서의 센싱 성능 즉, 수광 효율 및 광 감도를 향상시킬 수 있다.

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Номер записи: 6
21-12-2018 дата публикации

이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 이미지 센서

Номер: KR0101931658B1
Автор: 안정착
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 이미지 센서의 단위 픽셀은 광전 변환부, 소자 분리부 및 전송 게이트를 포함한다. 광전 변환부는 입사광에 상응하는 광전하를 발생하도록 반도체 기판의 단위 화소 영역에 형성된다. 소자 분리부는 입사광의 누설 및 광전 변환부로부터의 확산 캐리어를 차단하기 위하여, 단위 화소 영역을 둘러싸고 반도체 기판의 제1 면으로부터 광전 변환부보다 깊게 수직으로 형성된다. 전송 게이트는 반도체 기판의 단위 화소 영역에서 광전 변환부보다 상부 영역에 형성된 플로팅 확산 영역에 광전하를 전달하기 위하여, 반도체 기판의 제1 면으로부터 광전 변환부와 인접하도록 수직으로 형성된다.

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Номер записи: 7
21-04-2017 дата публикации

IMAGE SENSOR

Номер: KR1020170043141A
Автор: PARK, JONG EUN, KIM, YI TAE, PARK, DONG HYUK, AHN, JUNG CHAK
Принадлежит:

An image sensor is provided. The image sensor includes a photoelectric conversion layer formed in a substrate including an element isolation film defining an active region, a floating diffusion region formed on one side of the active region, and a transfer gate disposed in the active region and being in contact with the element isolation film adjacent to the active region. One side of the transfer gate is in contact with the element isolation film so that photo charges generated and accumulated in a photoelectric conversion layer move to the floating diffusion region through a channel. So, it is possible to provide the image sensor with excellent photosensitivity within a limited area. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 8
19-12-2018 дата публикации

픽셀, 픽셀 어레이 및 이미지 센서

Номер: KR0101930757B1
Автор: 오민석, 심은섭, 안정착, 임무섭, 최성호
Принадлежит: 삼성전자 주식회사

... 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서는 각 픽셀의 포토 다이오드의 양 측면에 플로팅 센싱 노드들이 대칭으로 배치됨으로써, 픽셀 어레이 내의 위치에 따른 픽셀의 CRA 특성 차이로 인한 레드 칼라와 같은 장파장 빛에 대한 픽셀 별 감도 차이를 줄일 수 있다. 또한, 각 픽셀에 포토 게이트를 배치하고, 광 전하 전송 시 상기 포토 게이트에 음의 전압을 인가함으로써 상기 포토 다이오드로부터 플로팅 센싱 노드들 각각으로의 광 전송 효율을 높일 수 있다.

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Номер записи: 9
03-03-2016 дата публикации

UNIT PIXEL, IMAGE SENSOR INCLUDING UNIT PIXEL, AND IMAGE PROCESSING SYSTEM INCLUDING UNIT PIXEL

Номер: KR1020160023218A
Автор: KIM, YUNG CHAN, AHN, JUNG CHAK, CHOI, HYUK SOON, LEE, KYUNG HO, LEE, JUN SUK, JUNG, YOUNG WOO
Принадлежит:

A unit pixel of an image sensor according to an embodiment of the present invention includes: a photodiode region including a photodiode which accumulates photocharges generated by an incident light during a first time; and a storage diode region including a storage diode which receives the photocharges accumulated in the photodiode and stores the photocharges. The photodiode corresponds to a microlens condensing the incident light, and the image sensor operates in a method of a global shutter. The present invention is to overcome shortcoming of the image sensor operated by the global shutter method. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 10
02-05-2018 дата публикации

블랙 레벨 안정화를 위한 이미지 센서

Номер: KR0101853333B1
Автор: 심은섭, 안정착, 임무섭, 배형진, 오민석
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 이미지 센서는 제1 픽셀들, 제2 픽셀들 및 딥 트렌치를 포함한다. 제1 픽셀들은 입사광에 상응하는 광전하를 측정하기 위하여 반도체 기판의 활성 영역에 형성되고, 제2 픽셀들은 블랙 레벨 보정을 위하여 반도체 기판의 옵티컬 블랙 영역에 형성된다. 딥 트렌치는 활성 영역으로부터의 누설광 및 확산 캐리어를 차단하기 위하여 활성 영역에 인접한 옵티컬 블랙 영역의 경계 영역에 수직으로 형성된다. 이러한 빛샘 방지 구조에 의해 안정화된 블랙 레벨을 제공할 수 있다.

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Номер записи: 11
21-08-2017 дата публикации

IMAGE SENSOR

Номер: KR1020170094693A
Автор: OH, YOUNG SUN, KIM, YI TAE, AHN, JUNG CHAK
Принадлежит:

An image sensor is provided. The image sensor includes a substrate on which a first pixel region and a second pixel region adjacent to the first pixel region are defined, a device isolation film which is formed between the first pixel region and the second pixel region and isolates the first pixel region from the second pixel region, a first transistor disposed in the first pixel region, a second transistor disposed in the second pixel region, and a wiring structure electrically connecting the first transistor and the second transistor. The device isolation film includes a deep trench isolation (DTI) structure extended from the upper side to the lower side of the substrate. Accordingly, the present invention can improve a noise characteristic by increasing a region of a source follower transistor per pixel. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 12
20-01-2016 дата публикации

PIXEL OF IMAGE SENSOR, AND IMAGE SENSOR

Номер: KR1020160007217A
Автор: JUNG, YOUNG WOO, AHN, JUNG CHAK, JEONG, HEE GEUN
Принадлежит:

A pixel of an image sensor includes: a photoelectric conversion area formed in a semiconductor substrate; a floating diffusion area formed by being separated from the photoelectric transformation area in the semiconductor substrate; a vertical transmission gate formed in a recess, extended from a first surface of the semiconductor substrate to the inside, and forming a transmission channel between the photoelectric transformation area and the floating diffusion area; and an impurity area formed by doping impurities to surround the recess, having a first impurity concentration in an adjacent area to a side of the recess, and having a second impurity concentration, higher than the first impurity concentration, in an adjacent area to the bottom of the recess. A channel area of the vertical transmission gate, adjacent to the bottom of the recess, is doped with an impurity concentration, higher than a channel area of the vertical transmission gate, adjacent to the side of the recess, and therefore ...

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Номер записи: 13
25-07-2016 дата публикации

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер: KR1020160087967A
Автор: UM, CHANG YONG, PARK, BYUNG JUN, AHN, JUNG CHAK
Принадлежит:

Provided are an image sensor and a method for manufacturing the same. The image sensor includes a device isolation part defining a plurality of pixel regions on a substrate, and a photoelectric conversion element which is formed in each of the pixel regions. The device isolation part includes a filling insulating layer which fills the upper part and the lower part of the device isolation part, a spacer which is arranged on a lateral surface of the filling insulating layer in the upper part of the device isolation part, and a lower additional impurity region which is arranged between the filling insulating layer and the substrate in the lower part of the device isolation part. So, a high-integrated image sensor can be provided. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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15-01-2016 дата публикации

IMAGE SENSOR, IMAGE PROCESSING SYSTEM INCLUDING SAME, AND MOBILE ELECTRONIC DEVICE INCLUDING SAME

Номер: KR1020160005573A
Автор: LEE, JUN SUK, AHN, JUNG CHAK, JEONG, HEE GEUN, LEE, KYUNG HO
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, an image sensor comprises: a first pixel formed in an active pixel region; a second pixel formed in a dummy region adjacent to the active pixel region; and a first deep trench isolation (DTI) formed between the first pixel and the second pixel. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 15
16-02-2016 дата публикации

PIXEL, IMAGE SENSOR INCLUDING PIXEL, AND PORTABLE ELECTRONIC DEVICE INCLUDING IMAGE SENSOR

Номер: KR1020160017623A
Автор: AHN, JUNG CHAK, LEE, KYUNG HO, JUNG, YOUNG WOO, NA, SEUNG JOO, PARK, HAE YONG
Принадлежит:

A pixel of a backside illuminated (BSI) image sensor comprises: a semiconductor substrate including a first surface and a second surface; a photoelectric conversion region formed between the first surface and the second surface and configured to generate charges in response to incident light received through the second surface; first trench-type isolated regions configured to surround the photoelectric conversion region and vertically extended from the second surface; a floating diffusion region formed below the photoelectric conversion region in the semiconductor substrate; and a transmission gate vertically extended from the first surface to the photoelectric conversion region and configured to transmit the charges of the photoelectric conversion region to the floating diffusion region. The first trench-type isolated regions comprise negative charge materials. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 16
29-02-2016 дата публикации

UNIT PIXEL OF IMAGE SENSOR AND PIXEL ARRAY INCLUDING UNIT PIXEL

Номер: KR1020160022087A
Автор: LEE, SEUNG WOOK, KIM, YI TAE, AHN, JUNG CHAK, JUNG, YOUNG WOO
Принадлежит:

A unit pixel of an image sensor and a pixel array including the unit pixel are provided. The unit pixel comprises: a first pixel which includes a first photodiode and a second photodiode adjacent to each other; and a first DTI (deep trench isolation) which completely surrounds the lateral faces of the first and second photodiodes, and electrically isolates the first pixel from the other pixels adjacent to the first pixel, wherein the first pixel includes a second DTI which is positioned between the first photodiode and the second photodiode and has one side formed to be separated from the first DTI, a color filter which is positioned on the first and second photodiodes and is completely overlapped with the first and second photodiodes, and a floating diffusion node which is electrically connected to the first and second photodiodes, and wherein the first and second photodiodes share one floating diffusion node. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 17
29-05-2018 дата публикации

이미지 센서, 이를 포함하는 이미지 처리 장치 및 이미지 처리 장치의 보간 방법

Номер: KR0101861767B1
Автор: 이윤태, 안정착, 김태찬, 김범석, 정정훈, 정태섭
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 실시예는 이미지 센서, 이를 포함하는 이미지 처리 장치 및 이미지 처리 장치의 보간 방법에 관한 것이다. 실시예에 따른 이미지 센서는, 다수의 단위 픽셀들을 포함하고, 다수의 단위 픽셀들은, 미리 설정된 기준값보다 적은 양의 전하를 축적하는 제1 광전변환소자를 구비한 저조도용 픽셀과 기준값보다 많은 양의 전하를 축적하는 제2 광전변환소자를 구비한 고조도용 픽셀을 포함한다. 이에 의해, 저조도에서는 저조도용 픽셀에 더 비중을 두어 보간하고, 고조도에서는 고조도용 픽셀에 더 비중을 두어 보간함으로써 기존 구조보다 더 좋은 신호대 잡음비를 얻을 수 있다.

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Номер записи: 18
09-02-2017 дата публикации

이미지센서 셀, 상기 이미지센서 셀들을 복수 개 구비하는 이미지센서 어레이를 구비하는 이미지센서 및 상기 이미지센서를 구비하는 카메라시스템

Номер: KR0101704687B1
Автор: 이경호, 오훈상, 안정착
Принадлежит: 삼성전자 주식회사

... 본 발명은 이미지센서 셀을 구성하는 복수 개의 트랜지스터들 중 적어도 하나가 채널영역이 기판의 내부로 함몰된 리세스 트랜지스터(Recess Transistor)인 이미지센서 셀을 개시한다. 상기 이미지센서 셀은, 영상신호에 대응되는 영상전하를 생성하는 영상전하생성부 및 상기 영상전하를 전기신호로 변환하는 영상신호변환부를 구비하며, 상기 영상신호변환부를 구성하는 복수 개의 트랜지스터들 중 적어도 하나의 트랜지스터는 기판의 내부로 함몰된 채널영역을 가지는 리세스 트랜지스터이다.

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Номер записи: 19
30-05-2017 дата публикации

픽셀, 이미지 센서, 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치들

Номер: KR0101736330B1
Автор: 안정착
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 이미지 센서의 픽셀이 개시된다. 상기 이미지 센서는 가시광선 영역의 파장들을 통과시키기 위한 컬러 필터; 및 상기 컬러 필터 위에 형성되며 적외선 영역의 파장들을 차단시키기 위한 적외선 차단 필터를 포함한다.

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Номер записи: 20
31-07-2017 дата публикации

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020170087580A
Автор: PARK, DONG HYUK, CHA, SEUNG WON, KANG, CHEOL JU, KIM, YI TAE, PARK, JONG EUN, AHN, JUNG CHAK, CHOI, YU JUNG
Принадлежит:

An image sensor is provided. The image sensor comprises a light blocking film having a grid structure which corresponds to an element separation film configured to define a plurality of pixel regions. The light blocking film includes holes which expose the pixel regions, respectively. The light blocking film is connected to a charge pump configured to apply a minus voltage. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 21
11-02-2016 дата публикации

IMAGE SENSOR

Номер: KR1020160014192A
Автор: AHN, JUNG CHAK, OH, YOUNG SUN, LEE, KYUNG HO, JANG, DONG YOUNG
Принадлежит:

The present invention relates to an image sensor. The image sensor comprises: a substrate including a pixel region and a peripheral circuit region; a first device isolation layer arranged in the substrate to define a plurality of unit pixels in the pixel region; a photoelectric conversion unit arranged in the substrate of each of the unit pixels; an interlayer insulating layer structure on the substrate; and a first blocking structure arranged on the first device isolation layer and penetrating the interlayer insulating layer structure. When viewed from a planar view, the first blocking structure extends in a second direction crossing a first direction between the plurality of unit pixels which are adjacent to each other in the first direction. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 22
08-02-2017 дата публикации

빛 샘 보상을 하는 단위이미지센서, 상기 단위이미지센서로 구현된 이미지센서어레이 및 상기 이미지센서어레이의 빛 샘 보상방법

Номер: KR0101703746B1
Автор: 이경호, 안정착, 이상주, 박영환, 장동윤, 장영흡
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 본 발명은 백사이드로 입사되는 장파장의 빛이 스토리지 다이오드로의 영향을 최소한으로 하는 단위이미지센서, 상기 단위이미지센서로 구현된 이미지센서어레이 및 상기 이미지센서어레이의 빛 샘 보상방법을 개시한다. 상기 단위이미지센서는, 포토다이오드(photo diode) 및 스토리지 다이오드(storage diode)를 구비하는 백사이드 일루미네이션(Backside illumination) 방식이 적용되며, 백사이드로 인가되는 빛은 상기 포토다이오드의 하나의 전극을 형성하는 영역만으로 수신하며, 상기 포토다이오드의 다른 전극을 형성하는 영역 및 상기 스토리지 다이오드의 두 개의 전극을 형성하는 영역은 웰(Well)에 의해 서로 격리된다.

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Номер записи: 23
12-01-2016 дата публикации

Unit pixel including boosting capacitor boosting floating diffusion area and pixel array including the pixel and photo detecting device including the pixel array

Номер: KR0101584098B1
Автор: 안정착, 이경호, 하마미 샤이, 박영환
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 본 발명은 플로팅 확산영역의 초기화를 극대화 시킬 수 있는 단위 픽셀, 상기 단위 픽셀을 구비하는 픽셀어레이 및 상기 픽셀어레이를 구비하는 광 감지소자를 개시한다. 본 발명에 따른 픽셀은, 포토다이오드, 상기 포토다이오드로부터 생성된 전하를 플로팅 확산영역에 전달하는 전달트랜지스터 및 상기 플로팅 확산영역을 초기화시키는 리셋트랜지스터를 구비하며, 일 단자가 상기 플로팅 확산영역에 연결되고 다른 일 단자로부터 부스팅 전압이 인가되는 부스팅 커패시터를 더 구비한다.

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Номер записи: 24
19-02-2018 дата публикации

IMAGE SENSOR

Номер: KR1020180016699A
Автор: JANG, MIN, AHN, JUNG CHAK, PARK, JUN SUNG, JIN, YOUNG GU
Принадлежит:

The present invention relates to an image sensor with improved sensitivity properties. The image sensor according to an embodiment of the present invention comprises: an element separation film disposed in a substrate and defining pixel areas; and grid patterns disposed on one side of the substrate, wherein the grid patterns overlap with the element separation film between adjacent pixel areas in one direction perpendicular to the one side, and the width of the grid patterns is smaller than the width of the device separation film. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 25
18-01-2017 дата публикации

IMAGE SENSOR HAVING CONVERSION DEVICE ISOLATION LAYER DISPOSED IN PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE

Номер: KR1020170006520A
Автор: CHOI, HYUK SOON, AHN, JUNG CHAK, AN, HYUK, LEE, KYUNG HO
Принадлежит:

An image sensor is provided. The image sensor comprises a first impurity region of a first conductive type surrounded by a pixel separation layer; a first conversion device isolation layer traversing the first impurity region in a first direction and including a first side surface and a second side surface opposite to the first side surface; a second impurity region of a second conductivity type located in the first impurity region and located on the first side of the first conversion device isolation layer; a third impurity region of the second conductivity type located in the first impurity region and located on the second side of the first conversion device isolation layer; and a second conversion device isolation layer which traverses the first impurity region in a second direction perpendicular to the first direction. So, crosstalk generated by conversion device isolation layers can be uniform in adjacent pixel regions. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 26
08-06-2015 дата публикации

IMAGE SENSOR

Номер: KR1020150062487A
Автор: PARK, HAE YONG, LEE, KYUNG HO, AHN, JUNG CHAK, CHOI, SANG JUN
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In a backlight-type image sensor, the upper part of a transmission gate for transiting photo charges generated in a photoelectric conversion part to a floating diffusion part has a relatively narrow line width with a small filler shape. The lower part has a relatively large line width with a large flask shape. Thereby, a surface area which touches the photoelectric conversion part is increased so that an effective channel length can be increased when photo charges are transmitted to the floating diffusion part. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 27
10-08-2016 дата публикации

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер: KR1020160094471A
Автор: UM, CHANG YONG, JUNG, YOUNG WOO, AHN, JUNG CHAK
Принадлежит:

Provided are an image sensor and a manufacturing method for the same. The image sensor comprises: a substrate; a first separation pattern placed on the substrate; a photoelectric conversion unit; a photocharge storage unit; a second separation pattern placed between the photoelectric conversion unit and the photocharge storage unit; a shielding unit covering the photocharge storage unit on a back surface of the substrate; and a reflection preventing film placed between the shielding unit and the substrate. The shielding unit comprises: a protrusion unit which protrudes towards the inside of the substrate corresponding to the first separation pattern; and an extension unit which extends towards the back surface of the substrate from the protrusion unit. The reflection preventing film has an overhang structure between the protrusion unit and the extension unit. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 28
12-08-2015 дата публикации

Pixel array and 3D image sensor having the same

Номер: KR0101543664B1
Автор: 에릭 로이. 포썸, 진영구, 황수정, 차대길, 박윤동, 안정착, 문경식
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 픽셀 어레이 및 이를 포함하는 입체 영상 센서가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 입체 영상 센서는, 종래의 MOS 구조 대신에 정션 게이트 구조를 갖는 픽셀 구조를 사용하기 때문에 광 이용 효율이 증대될 수 있다. 또한, 생성된 광전하가 웰에 저장되기 때문에 노이즈가 크게 감소될 수 있다.

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Номер записи: 29
26-02-2016 дата публикации

GLOBAL SHUTTER IMAGE SENSOR, AND IMAGE PROCESSING SYSTEM INCLUDING GLOBAL SHUTTER IMAGE SENSOR

Номер: KR1020160021473A
Автор: LEE, JUN SUK, KIM, YUNG CHAN, AHN, JUNG CHAK, JUNG, YOUNG WOO
Принадлежит:

A global shutter image sensor according to an embodiment of the present invention comprises: a semiconductor substrate which includes a first surface and a second surface; a photoelectric conversion area which is formed in the semiconductor substrate; a storage diode which is formed around the photoelectric conversion area in the semiconductor substrate; a drain area which is formed above the photoelectric conversion area in the semiconductor substrate; a floating diffusion area which is formed above the storage diode in the semiconductor substrate; an overflow gate which transmits first charges from the photoelectric conversion area to the drain area; a storage gate which transmits second charges from the photoelectric conversion area to the storage diode; and a transmission gate which transmits the second charges from the storage diode to the floating diffusion area. The overflow gate, the photoelectric conversion area, the storage gate, the storage diode, the transmission gate, and the ...

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26-04-2016 дата публикации

PIXEL, IMAGE SENSOR INCLUDING PIXEL, AND IMAGE PROCESSING SYSTEM INCLUDING PIXEL

Номер: KR1020160044879A
Автор: AHN, JUNG CHAK, NAH, SEUNG JOO, LEE, KYUNG HO, JUNG, YOUNG WOO
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, a pixel of an image sensor comprises: a photo diode configured to accumulate photo charges generated by incident light during a first period; a storage diode configured to receive and store the photo charges accumulated in the photo diode; and a storage gate configured to transfer the photo charges accumulated in the photo diode from the photo diode to the storage diode. The storage gate has a vertical gate structure facing the photo diode. Therefore, the pixel increases sensitivity and reduces noise by improving a structure of a transistor included in the pixel. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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12-08-2016 дата публикации

이미지 센서 및 그 제조 방법

Номер: KR0101648200B1
Автор: 최상준, 구준모, 문창록, 박윤동, 배대록, 안정착, 홍성권, 김석필, 오훈상
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 이미지 센서 및 그 제조 방법에서, 이미지 센서는 리셋 트랜지스터, 변환 트랜지스터 및 선택 트랜지스터가 형성된 제1 기판이 구비된다. 상기 제1 기판 상에, 상기 리셋 트랜지스터, 변환 트랜지스터 및 선택 트랜지스터를 덮는 제1 실리콘 산화막이 구비된다. 포토다이오드, 전송 트랜지스터 및 플로팅 확산 영역이 형성된 제2 기판이 구비된다. 상기 포토다이오드, 전송 트랜지스터 및 플로팅 확산 영역을 덮는 형상을 갖고, 표면 부위가 상기 제1 실리콘 산화막의 상부면과 본딩된 제2 실리콘 산화막이 구비된다. 상기 제2 기판 및 제2 실리콘 산화막을 관통하고, 계속하여 상기 제1 실리콘 산화막의 일부를 관통하는 콘택 플러그를 포함한다. 상기 이미지 센서는 고집적화되고 고성능을 갖는다.

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09-07-2015 дата публикации

Image sensor and image sensing system including of the same

Номер: KR0101534823B1
Автор: 이경호, 장동윤, 안정착, 임무섭
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 이미지 센서 및 이를 포함하는 이미지 센싱 시스템이 제공된다. 이미지 센서는, 반도체 기판, 반도체 기판에 정의된 픽셀 영역에 형성되며, 다수의 광전 변환부들을 포함하는 픽셀 어레이부, 반도체 기판에 정의된 회로 영역에 형성된 다수의 구동 회로들 및 반도체 기판의 픽셀 영역과 회로 영역 사이에 형성되며, 회로 영역에서 발생되는 열이 반도체 기판을 통해 픽셀 영역으로 전달되는 것을 차단하기 위한 적어도 하나의 열 차단부를 포함한다. 이러한, 열 차단부는 BIS(Back-side Illumination Sensor; BIS) 구조의 이미지 센서 또는 SOI(Silicon On Insulator; SOI) 반도체 기판을 사용하는 이미지 센서에서 적용할 수 있다.

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15-02-2016 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер: KR1020160015998A
Автор: NAH, SEUNG JOO, AHN, JUNG CHAK, LEE, KYUNG HO
Принадлежит:

A semiconductor device and a manufacturing method therefor are provided. The semiconductor device includes a light receiving device which outputs charges by incident light, and a driving transistor which is gated by the output of the light receiving device to generate a source-drain current proportional to the incident light. The driving transistor includes a first gate electrode, a first channel region arranged in a lower part of the first gate electrode, a first source-drain region which is arranged at both ends of the first channel region and has a first conductivity type, and a first channel stop region which is arranged on one side of the first channel region, separates the light receiving device from the first channel region, and has a second conductivity type different from the first conductivity type. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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21-07-2017 дата публикации

CMOS IMAGE SENSOR

Номер: KR1020170084734A
Автор: IHARA HISANORI, AHN, JUNG CHAK
Принадлежит:

Provided is a CMOS image sensor according to an embodiment of the present invention. The CMOS image sensor includes a substrate including a first surface, a second surface facing the first surface, and a first recess region which is recessed from the first surface to the second surface, a transfer gate arranged on the substrate, and a source follower gate arranged in the first recess region. The source follower gate is inserted into the first recess region and covers a part of the first surface of the substrate. Accordingly, the present invention can reduce noise due to charges which are randomly trapped or de-trapped in a gate insulation film. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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17-04-2018 дата публикации

후면 조명 이미지 센서 및 이의 동작 방법

Номер: KR0101848770B1
Автор: 안정착, 김태찬, 김범석, 김진학
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 후면 조명 이미지 센서가 개시된다. 상기 이미지 센서는 각각이 반도체 기판의 후면(backside)으로 입사되는 빛에 상응하는 광 전하를 축적하는 포토 다이오드와 상기 광 전하를 플로팅 디퓨전 노드로 전송하기 위한 전송 트랜지스터를 포함하는 서로 다른 종류의 복수의 픽셀들과, 각각이 상기 반도체 기판의 전면에 배치되고 상기 복수의 픽셀들 각각의 상기 전송 트랜지스터의 게이트에 접속된 복수의 전송 라인들을 포함하며, 상기 복수의 전송 라인들 각각으로 전송되는 전송 제어 신호는 서로 다른 유효 축적 시간을 갖는다.

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22-06-2017 дата публикации

IMAGE SENSOR

Номер: KR1020170070693A
Автор: LEE, TAE YON, GONG, JOO YEONG, NA, KYOUNG WON, AHN, JUNG CHAK, LEE, MYUNG WON
Принадлежит:

An image sensor according to the technical idea of the present invention includes: a substrate which includes a first surface and a second surface which faces the first surface and to which light is incident; a semiconductor photoelectric conversion element formed in the substrate; a gate electrode extended between the first surface in the substrate and the semiconductor photoelectric conversion element in a first direction perpendicular to the first surface; and an organic photoelectric conversion element stacked on the second surface of the substrate. Accordingly, the present invention can increases the light receiving area of the photoelectric conversion element. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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04-12-2017 дата публикации

후면 조사형 액티브 픽셀 센서 어레이 및 그 제조 방법, 이를 구비하는 후면 조사형 이미지 센서

Номер: KR0101803719B1
Автор: 심은섭, 안정착, 김범석, 이경호
Принадлежит: 삼성전자 주식회사

... 인접 화소간 크로스 토크가 방지되는 후면 조사형 액티브 픽셀 센서 어레이 및 그 제조 방법, 이를 구비한 후면 조사형 이미지 센서가 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 후면 조사형 액티브 픽셀 센서 어레이는 전면과 후면을 구비하고, 상기 후면으로 입사되는 빛에 응답하여 전하를 생성하는 다수의 수광 소자들 및 인접하는 상기 수광 소자들 사이에 위치하여 화소간 경계를 형성하는 적어도 하나의 화소 분리막을 구비하는 제 1 도전형의 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 전면 측에 위치하는 배선층 및 상기 반도체 기판의 후면 측에 위치하는 광 필터층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 화소 분리막의 두께는 상기 반도체 기판 내의 한 지점으로부터 상기 후면으로 갈수록 좁게 형성되는 것을 특징으로 한다.

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11-07-2016 дата публикации

IMAGE SENSOR

Номер: KR0101638183B1
Автор: 이경호, 안정착, 장동윤, 이욱, 정태섭
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 이미지 센서는 복수의 광 감지 소자들, 절연층, 복수의 컬러 필터들 및 복수의 마이크로 렌즈들을 포함한다. 복수의 광 감지 소자들은 입사광에 상응하는 전기 신호를 생성한다. 절연층은 반도체 기판의 후면 상에 형성되고, 복수의 광 감지 소자들 사이의 영역 상에 형성된 복수의 광 차단 영역들을 포함한다. 복수의 컬러 필터들은 절연층 상에 복수의 광 감지 소자들에 각각 대응하여 형성된다. 복수의 마이크로 렌즈들은 복수의 컬러 필터들 상에 복수의 광 감지 소자들에 각각 대응하여 형성된다. 이미지 센서는 전체 면적에서 광 감지 영역이 차지하는 비율의 악화 없이 광학적 크로스토크를 억제할 수 있다.

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02-03-2016 дата публикации

CMOS IMAGE SENSOR

Номер: KR1020160022456A
Автор: LEE, SEUNG WOOK, AHN, JUNG CHAK, JUNG, YOUNG WOO
Принадлежит:

A CMOS image sensor is provided. The CMOS image sensor includes: a first conduction type epitaxial layer having a first plane and a second plane facing each other; a first isolation film which defines a first pixel region and a second pixel region as extended to the second plane from the first plane of the epitaxial layer; a second conduction type well impurity layer which is formed in each epitaxial layer of the first and the second pixel region, and is adjacent to the first plane; a second isolation film which is formed in the well impurity layer, and defines first and second active regions separated from each other in the first and the second pixel region respectively; first and second transfer gates which are respectively arranged in the first active regions of the first and the second pixel regions; first and second floating diffusion regions which are formed in the first active regions, respectively, on one side of the first and the second transfer gates; and a connection wire which ...

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31-07-2017 дата публикации

IMAGE SENSOR

Номер: KR1020170087581A
Автор: PARK, DONG HYUK, CHA, SEUNG WON, KANG, CHEOL JU, KIM, YI TAE, PARK, JONG EUN, AHN, JUNG CHAK, CHOI, YU JUNG
Принадлежит:

Provided are an image sensor with excellent photosensitivity in a limited area and a manufacturing method thereof. The image sensor comprises: a substrate including an active area and a device separation film; a photoelectric transformation layer; a well impurity layer; a floating diffusion area; and a transmission gate. In a planar point of view, a lower part of the transmission gate includes a first surface being in contact with the device separation film; a second surface practically perpendicular to the first surface; and a third surface connecting the first and second surfaces. The third surface faces the floating diffusion area. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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21-09-2018 дата публикации

시모스 이미지 센서

Номер: KR0101900273B1
Автор: 박영환, 안정착, 이상주, 박종은, 장영흡
Принадлежит: 삼성전자 주식회사

... 본 발명에 따른 이미지 센서는, 밀러 효과를 통해 소스 폴로워 증폭기로 동작하는 드라이브 트랜지스터의 입력 캐패시턴스를 감소시켜 변환 이득을 증가시킬 수 있다. 이를 위해, 센싱 노드와 메탈 콘택 사이를 격리 시켜 이들 간의 기생 캐패시턴스를 최소화하도록 배치한다. 출력 라인과 센싱 노드 사이의 캐패시터는 소스 폴로워 증폭기의 피드백 캐패시터로 작용하며, 상기 기생 캐패시턴스를 상쇄시킬 수 있다.

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04-01-2016 дата публикации

AUTOFOCUS IMAGE SENSOR AND DIGITAL IMAGE PROCESSING DEVICE HAVING SAME

Номер: KR1020160000044A
Автор: KIM, BUM SUK, AHN, JUNG CHAK
Принадлежит:

The present invention provides an autofocus image sensor and a digital image processing device having the same. The autofocus image sensor includes: a substrate which includes at least one first pixel used for detecting a phase difference, and at least one second pixel used for detecting an image; a deep device isolation part which is arranged in the substrate, and separates the first pixel from the second pixel; and a light shield pattern which is arranged on the substrate in the at least one pixel, and controls the amount of light which is lower than the amount of light entering the second pixel. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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26-07-2016 дата публикации

IMAGE SENSOR

Номер: KR1020160088471A
Автор: CHOI, HYUK SOON, YUN, JUNG BIN, AHN, JUNG CHAK
Принадлежит:

According to the present invention, an image sensor includes a substrate having unit pixels. Each of the unit pixels includes a plurality of photoelectric element units and a plurality of storage element units provided within the substrate. Therefore, the image sensor can have high resolution. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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20-03-2017 дата публикации

IMAGE SENSOR

Номер: KR1020170030705A
Автор: JIN, YOUNG GU, AHN, JUNG CHAK
Принадлежит:

The present invention provides an image sensor. The image sensor includes a photoelectric conversion unit, a transfer gate which is arranged in a recess part on the photoelectric conversion unit, and a floating diffusion region which is adjacent to the transfer gate. The transfer gate includes a first region which is provided on the lower side of the recess part and a second region which is provided on the upper side of the recess part. The first region and the second region have different conductive types. Accordingly, the present invention can move an electron or a hole on the lower side of the transfer gate to the floating diffusion region through the transfer gate including the first region and the second region. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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19-12-2018 дата публикации

이미지 센서의 구동 방법

Номер: KR0101930755B1
Автор: 안정착
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 이미지 센서를 구동하기 위하여, 리셋 모드에서 플로팅 확산 영역을 전원 전압보다 낮은 제1 전압으로 리셋한다. 광 집적 모드에서 입사광을 변환하여 광전 변환 영역에서 전하들을 생성한다. 입사광의 조도에 기초하여 생성된 전하들 중 광전 변환 영역에서 수집된 수집 전하들, 광전 변환 영역에서 오버플로우되고 플로팅 확산 영역의 전하 저장 능력 이내의 제1 오버플로우 전하들, 및 광전 변환 영역에서 오버플로우되고 플로팅 확산 영역의 전하 저장 능력을 초과하는 제2 오버플로우 전하들 중 적어도 하나를 플로팅 확산 영역에 축적한다.

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04-05-2015 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING IMAGE SENSOR

Номер: KR1020150046898A
Автор: JUNG, YOUNG WOO, AHN, JUNG CHAK, JEONG, HEE GEUN
Принадлежит:

The present invention relates to a manufacturing an image sensor. A method for manufacturing an image sensor includes: a step of forming an opening portion on a substrate having photo diodes; a step of forming gate dielectric film and first preliminary polysilicon film along an inner surface of the opening portion and the upper surface of the substrate; a step of forming a first polysilicon film by performing a first impurity doping process wherein the preliminary first polysilicon on the inner surface of the opening portion is evenly doped with the impurity of a first conductivity type, a step of forming a second preliminary polysilicon film on the first polysilicon film, a step of forming a second polysilicon film by performing doping on the front surface of the second preliminary polysilicon film, a step of forming a buried gate electrode on the opening portion by patterning the first and the second polysilicon films; and a step of forming a first impurity area on the surface of the ...

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16-02-2017 дата публикации

IMAGE SENSOR AND IMAGE PROCESSING DEVICE INCLUDING SAME

Номер: KR1020170018206A
Автор: OH, YOUNG SUN, AHN, JUNG CHAK, JUNG, YOUNG WOO
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention comprises: a semiconductor substrate having a plurality of pixel regions defined therein; a photo diode (PD) which is disposed inside the semiconductor substrate in each of the plurality of pixel regions; a transfer transistor having a transfer gate electrode which is at least partially buried in the semiconductor substrate and is extended in a direction perpendicular to the PD; and a floating diffusion which accumulates charges transferred from the PD by the transfer transistor, and includes a first region and a second region arranged in different directions on the basis of the transfer gate electrode. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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28-05-2018 дата публикации

3차원 이미지 센서 및 이를 포함하는 휴대용 장치

Номер: KR0101848771B1
Автор: 오민석, 공해경, 김태찬, 안정착, 임무섭
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 3차원 이미지 센서 및 3차원 이미지 센서를 포함한 휴대용 장치가 개시된다. 본 발명의 실시예들에 따른 3차원 이미지 센서는 광전하를 생성하는 광 검출부, 플로팅 확산 영역, 전송게이팅 신호가 인가되면, 상기 생성된 광전하를 플로팅 확산 영역으로 전송하는 트랜스퍼 트랜지스터,제1 단자와 상기 플로팅 확산 영역 사이에 연결되어 상기 광전하들을 상기 제1 단자로 전송하는 리셋 트랜지스터; 및 드라이브게이팅 신호가 인가되면, 상기 광 검출부으로부터 기설정된 단위시간 외에서 발생하는 잉여 광전하를 제2 단자로 방출하는 오버플로우 트랜지스터를 포함하는 복수의 깊이 픽셀들이 배열된 픽셀 어레이 및 상기 픽셀 어레이로부터 센싱된 깊이 정보를 리드아웃하기 위한 리드 아웃회로를 포함한다. 상기 리드 아웃 회로는 제1 플로팅 확산 영역으로의 상기 광전하 전송구간과 제2 플로팅 디퓨전 영역으로의 상기 광전하 전송구간이 오버랩되지 않는 경우 상기 트랜스퍼 트랜지스터에 상기 전송게이팅 신호를 각각 인가하고, 상기 광전하 전송구간이 오버랩되는 경우 상기 오버플로우 트랜지스터에 상기 드라이브게이팅 신호를 인가하는 로직부를 포함한다.

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04-05-2017 дата публикации

포토다이오드 계면에 광흡수 방지층을 구비하는 단위화소, 및 상기 단위화소를 구비하는 백사이드 일루미네이션 ＣＭＯＳ 이미지센서

Номер: KR0101729249B1
Автор: 안정착, 심은섭, 김범석, 이경호
Принадлежит: 삼성전자 주식회사

... 본 발명은 포토다이오드와 반사방지층의 계면에 광흡수방지층을 구비한 단위화소, 및 상기 단위화소를 구비하는 백사이드 일루미네이션 ＣＭＯＳ 이미지센서 을 개시한다. 상기 단위화소는, 배선층, 상기 배선층 상부에 형성된 포토다이오드, 상기 포토다이오드 상부에 형성된 광흡수방지층, 및 상기 광흡수방지층의 상부에 형성된 반사방지층(Anti-Reflection Layer)을 구비한다. 상기 광흡수방지층은 포토다이오드를 구성하는 반도체보다 에너지밴드갭(Eg)이 큰 화합물 반도체로 형성된다.

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31-08-2015 дата публикации

CMOS IMAGE SENSOR HAVING VERTICAL TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер: KR1020150099119A
Автор: OH, YOUNG SUN, LEE, KYUNG HO, AHN, JUNG CHAK, JEONG, HEE GEUN
Принадлежит:

Described is a CMOS image sensor, which includes: a substrate which has a first device isolation layer for classifying and defining a first active region and a second active region; a photodiode which is formed in the substrate and vertically overlaps the first device isolation layer; a transmission gate electrode which is arranged in the first active region to vertically overlap the photodiode and extends from the surface of the substrate to the inside; and a floating diffusion region formed in the first active region. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 51
24-11-2015 дата публикации

IMAGE SENSOR FOR IMPROVING INTERFERENCE INFLUENCE BETWEEN PIXELS

Номер: KR1020150130851A
Автор: OH, YOUNG SUN, KIM, YI TAE, AHN, JUNG CHAK, LEE, KYUNG HO, LEE, JUN SUK
Принадлежит:

According to an embodiment of the present invention, an image sensor comprises: first and second pixels which are adjacently arranged in the same row; a first source follower transistor which controls the first pixel; and a second source follower transistor which controls the second pixel wherein the first source follower transistor and the second source follower transistor are arranged on the same line. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 52
31-05-2017 дата публикации

페데스탈 레벨 보상 방법 및 이를 수행할 수 있는 장치들

Номер: KR0101741499B1
Автор: 이경호, 안정착
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 페데스탈 레벨 보상 방법이 개시된다. 상기 페데스탈 레벨 보상 방법은 온도에 따른 다크 레벨 차이 오차를 계산하는 단계와, 아날로그 이득에 따른 페데스탈 레벨 오프셋을 계산하는 단계와, 상기 다크 레벨 차이 오차와 상기 페데스탈 레벨 오프셋에 따라 페데스탈 레벨을 보상하는 단계를 포함한다.

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Номер записи: 53
14-11-2017 дата публикации

3차원 이미지 센서의 단위 픽셀

Номер: KR0101797014B1
Автор: 오민석, 임무섭, 안정착, 심은섭
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 3차원 이미지 센서의 단위 픽셀은 광학적으로 차폐되어 암전류를 발생시키고, 암전류를 비행시간 동안 누적시켜 누적 암전류를 생성하는 누적부, 누적 암전류에 기초하여 비행시간에 상응하는 출력 전압을 생성하여 출력하는 출력 전압 생성부, 광원에서 조사된 후 목표물에 반사되어 돌아온 광 신호에 응답하여 출력 전압 생성부의 동작을 제어하는 제어부, 및 기 설정된 주기마다 누적부를 초기화시키는 초기화부를 포함한다. 따라서, 3차원 이미지 센서의 단위 픽셀은 암전류 및/또는 누설전류에 기초하여 비행시간을 측정할 수 있다.

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Номер записи: 54
15-02-2016 дата публикации

IMAGE SENSOR FOR AMELIORATING CROSSTALK CHARACTERISTIC AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020160016015A
Автор: AHN, JUNG CHAK, KIM, BUM SUK
Принадлежит:

An image sensor according to an embodiment of the present invention includes a semiconductor substrate, a plurality of color filters which are separated from the surface of the semiconductor substrate, a pixel separation layer which is extended to a preset depth from the color filter, and a plurality of photoelectric detection devices which are distinguished from each other by the pixel separation layer. The color filters include a white color filter. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 55
20-10-2017 дата публикации

후면 조사형 이미지 센서 및 그 제조 방법

Номер: KR0101788124B1
Автор: 심은섭, 안정착, 김범석, 이경호
Принадлежит: 삼성전자 주식회사

... 후면 조사형 이미지 센서 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 전면 및 후면을 갖는 제 1 반도체층 내에서 미리 정해진 깊이를 갖고 각 화소 영역을 구획하는 제 1 분리막을 형성하는 단계, 상기 제 1 반도체층의 전면에 제 2 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제 2 반도체층 내에서 수광 소자 영역 및 회로 소자 영역을 구획하는 제 2 분리막을 형성하는 단계, 상기 제 1 반도체층을 향하지 않는 상기 제 2 반도체층의 일면에 불순물을 주입하여 수광 소자들 및 회로 소자들을 형성하는 단계, 상기 제 1 반도체층을 향하지 않는 상기 제 2 반도체층의 일면에 배선층을 형성하는 단계 및 상기 제 1 반도체층의 후면에 광 필터층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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