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30-10-2017 дата публикации

전산화성 물질 농도의 측정 방법, 기판 세정 방법 및 기판 세정 시스템

Номер: KR0101791490B1
Автор: 야마카와 하루요시
Принадлежит: 쿠리타 고교 가부시키가이샤

... 세정 시스템 등의 전해 황산의 전산화성 물질 농도를 온라인으로 모니터링하는 것을 가능하게 하기 위해, 전해 황산의 황산 농도와 같은 황산 농도의 전해 황산 조제액을 표준 시료액으로 해서 전산화성 물질 농도와 관련지어서 베이스라인 보정한 흡광도 데이터를 이용하고, 황산 농도가 60∼97질량%, 액온이 20∼70℃인 전해 황산을 시료액으로 해서 파장 190∼290㎚로 흡광도 측정함으로써, 상기 데이터 에 의거하여 상기 전해 황산 중의 전산화성 물질 농도를 측정함으로써 전해 황산에 있어서의 전산화성 물질 농도를 즉시 측정하는 것을 가능하게 한다.

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Номер записи: 1
28-03-2016 дата публикации

전산화성 물질 농도의 측정 방법, 기판 세정 방법 및 기판 세정 시스템

Номер: KR1020160033659A
Автор: 야마카와 하루요시
Принадлежит:

... 세정 시스템 등의 전해 황산의 전산화성 물질 농도를 온라인으로 모니터링하는 것을 가능하게 하기 위해, 전해 황산의 황산 농도와 같은 황산 농도의 전해 황산 조제액을 표준 시료액으로 해서 전산화성 물질 농도와 관련지어서 베이스라인 보정한 흡광도 데이터를 이용하고, 황산 농도가 60∼97질량%, 액온이 20∼70℃인 전해 황산을 시료액으로 해서 파장 190∼290㎚로 흡광도 측정함으로써, 상기 데이터 에 의거하여 상기 전해 황산 중의 전산화성 물질 농도를 측정함으로써 전해 황산에 있어서의 전산화성 물질 농도를 즉시 측정하는 것을 가능하게 한다.

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Номер записи: 2
08-06-2015 дата публикации

반도체 기판의 세정 방법 및 세정 시스템

Номер: KR1020150063055A
Автор: 오가와 유이치, 야마카와 하루요시
Принадлежит:

... 실리콘 기판에 Al이 적어도 일부 노출되고, 금속성 물질로 실리사이드화 처리된 반도체 기판(100)을 Al이나 실리사이드층을 손상하는 일 없이 효율적으로 세정하는 것을 가능하게 하기 위해서 반도체 기판(100)을 세정하는 세정부(2)와, 세정부(2)에 배치되어 세정용 용액을 세정부(2)의 반도체 기판(100)에 송출해서 접촉시키는 송출부(30)와, 송출부(30)에 접속되어 산화제를 포함하는 황산 용액을 송출부로 이송하는 황산 용액 이송로(5)와, 송출부(30)에 접속되어 N계, S계 및 P계의 극성기 중 어느 하나 이상을 갖는 흡착형 인히비터를 포함하는 용액을 송출부(30)로 이송하는 흡착형 인히비터 용액 이송로(11)를 구비하고, 황산 용액과 흡착형 인히비터 용액이 혼합되어서 반도체 기판(100)에 접촉하거나 각각 이송되어서 반도체 기판(100) 상에서 시기를 어긋나게 하거나, 또는 서로 혼합하면서 반도체 기판(100)에 접촉한다.

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Номер записи: 3
18-12-2017 дата публикации

메탈 게이트 반도체의 세정 방법

Номер: KR0101809927B1
Автор: 나가이 타츠오, 야마카와 하루요시
Принадлежит: 쿠리타 고교 가부시키가이샤

... 본 발명은 메탈 게이트의 에칭을 억제하면서, 반도체에 부착된 레지스트를 효과적으로 박리할 수 있는 메탈 게이트 반도체의 세정 방법을 제공한다. 반도체 상의 포토레지스트를 회화하는 에싱 공정(스텝 s1)과, 상기 에싱 공정 후에, 상기 에싱 공정을 거친 상기 반도체에 과황산 함유 황산 용액을 접촉시켜 상기 반도체 상의 포토레지스트를 상기 반도체로부터 박리하는 과황산 세정 공정(스텝 s2)을 갖고, 상기 과황산 세정 공정에 있어서의 상기 과황산 함유 황산 용액은 과산화수소 농도가 16mM as O 이하, 황산 농도가 90질량% 이상 96질량% 이하, 액 온도가 70℃ 이상 130℃ 이하이고, 과황산 농도가 0.50mM as O 이상 25mM as O 이하이다.

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Номер записи: 4