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14-02-2018 дата публикации

광반사성 이방성 도전 페이스트 및 발광 장치

Номер: KR0101829475B1
Автор: 우마코시 히데아키, 나미키 히데츠구, 이시가미 아키라, 아오키 마사하루, 가니사와 시유키, 신야 요시히사
Принадлежит: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤

... 발광 다이오드 소자 (LED) 등의 발광 소자를 배선판에 플립 칩 실장하여 발광 장치를 제조할 때에 사용하는 이방성 도전 페이스트로서, 제조 비용의 증대를 초래하는 광반사층을 LED 에 형성하지 않고 발광 효율을 개선하기 위해서 광반사성 절연 입자를 배합한 경우에, 고온 환경하에서의 발광 소자의 배선판에 대한 접착 강도의 저하를 억제할 수 있고, 또한 TCT 후에도 도통 신뢰성의 저하를 억제할 수 있는 광반사성 이방성 도전 페이스트는, 도전 입자 및 광반사성 절연 입자가 열경화성 수지 조성물에 분산되어 이루어지는 것이다. 열경화성 수지 조성물은, 에폭시 화합물과 열촉매형 경화제를 함유한다.

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Номер записи: 1
28-08-2018 дата публикации

발광 장치의 제조 방법

Номер: KR0101892753B1
Автор: 나미키 히데츠구, 가니사와 시유키, 우마코시 히데아키
Принадлежит: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤

... 발광 다이오드 (LED) 소자 등의 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접착제를 사용하여 플립 칩 실장하여 발광 장치를 제조할 때에, 제조 비용의 증대를 초래하는 광 반사층을 LED 소자에 형성하지 않아도 발광 효율을 개선할 수 있고, 또한 발광 소자에 균열이나 결손이 발생하지 않도록 한다. 그러기 위하여, 발광 소자와 그 발광 소자가 접속되어야 할 배선판 사이에, 열경화성 수지 조성물, 도전 입자 및 광 반사성 절연 입자를 함유하는 광 반사성 이방성 도전 접착제를 배치한 후, 배선판에 대해 발광 소자를, 가압면의 쇼어 A 고무 경도 (JIS K 6253) 가 40 이상 90 미만인 엘라스토머 헤드로 가열 가압하여 이방성 도전 접속을 실시한다.

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Номер записи: 2
24-10-2018 дата публикации

광반사성 이방성 도전 접착제 및 발광 장치

Номер: KR0101911564B1
Автор: 나미키 히데츠구, 가니사와 시유키, 우마코시 히데아키, 이시가미 아키라
Принадлежит: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤

... 발광 소자를 배선판에 이방성 도전 접속하기 위해 사용하는 광반사성 이방성 도전 접착제는, 열경화성 수지 조성물, 도전 입자, 광반사성 침상 절연 입자 및 광반사성 구상 절연 입자를 함유한다. 열경화성 수지 조성물에 있어서의 광반사성 침상 절연 입자 및 광반사성 구상 절연 입자의 배합량은, 열경화성 수지 조성물에 대하여 각각 1 ∼ 50 체적% 이고, 광반사성 구상 절연 입자의 광반사성 침상 절연 입자에 대한 배합비 (V/V) 는 1 : 1 ∼ 10 이다. 광반사성 이방성 도전 접착제는, 산화티탄 위스커, 산화아연 위스커, 티탄산염 위스커, 붕산알루미늄 위스커 또는 월러스토나이트이다.

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Номер записи: 3