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16-02-2016 дата публикации

DOUBLE EXTRUSION IN PRODUCTION OF PLASTIC PAPER TUBE

Номер: KR1020160017161A
Автор: LEE, SO HYUNG
Принадлежит:

A target object of the present invention is a plastic paper tube which is doubly extruded. In addition, the purpose of the present invention is to provide extrusion dies by inserting a soft layer on an outer layer of the paper tube and further inserting a hard layer on an inner layer of the paper tube, so as to form a uniform inner and an outer layer. According to the present invention, a waste of high-priced films due to a step phenomenon can be avoided. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 1
03-09-2015 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING SAME

Номер: KR1020150101406A
Автор: LEE, YOUNG JANG, SON, KYUNG MO, LEE, SO HYUNG, JUNG, HO YOUNG, PARK, MOON HO, LEE, SUNG JIN
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor substrate having different types of thin film transistors arranged on the same substrate, and a display device using the same. The thin film transistor substrate according to the present invention comprises a substrate, a first thin film transistor, a second thin film transistor, a middle insulation film, and an etching-stopper layer. The first thin film transistor is arranged on the substrate, and includes a polycrystal semiconductor layer, a first gate electrode, a first source electrode, and a first drain electrode arranged on the polycrystal semiconductor layer. The second thin film transistor is arranged on the substrate, and includes a second gate electrode, an oxide semiconductor layer, a second source electrode, and a second drain electrode arranged on the second gate electrode. The middle insulation film is arranged on the first gate electrode and the second gate electrode, and includes a nitride film and an oxide film stacked ...

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Номер записи: 2
03-09-2015 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING SAME

Номер: KR1020150101394A
Автор: LEE, YOUNG JANG, SON, KYUNG MO, LEE, SO HYUNG, JUNG, HO YOUNG, PARK, MOON HO, LEE, SUNG JIN
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor substrate on which different types of thin film transistors are arranged on the same substrate and a display device using the same. The display device includes a first thin film transistor, a second thin film transistor, a middle insulating film, and an etch-stopper layer. The first thin film transistor includes a polycrystal semiconductor layer, a first gate electrode disposed on the polycrystal semiconductor layer, a first source electrode, and a first drain electrode. The second thin film transistor includes a second gate electrode, an oxide semiconductor layer disposed on the second gate electrode, a second source electrode, and a second drain electrode. The middle insulating film is disposed on the first gate electrode and the second gate electrode and under the oxide semiconductor layer and includes a nitride film and an oxide film on the nitride film. The etch-stopper layer is disposed on the oxide semiconductor layer. COPYRIGHT ...

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14-08-2017 дата публикации

모재, 인코넬, 309MoL 및 316L의 순서로 적층되는 용접방법

Номер: KR0101763156B1
Автор: 김종열, 이소형
Принадлежит: 동명대학교산학협력단, 케이제이에프 주식회사

... 본 발명에 따른 모재, 인코넬, 309MoL 및 316L의 순서로 적층되는 용접방법은, 균열 또는 접합이 필요한 모재(100)의 상면에 인코넬(200)층을 열융착 시키는 인코넬 용접층 형성 단계(A); 상기 인코넬 용접층 형성 단계(A) 후, 인코넬(200) 융착면의 상면에 스테인리스 309MoL(300)층을 열융착 시키는 309MoL 용접층 형성 단계(B); 상기 309MoL 용접층 형성 단계(B) 후, 309MoL(300) 융착면의 상면에 스테인리스 316L(400)층을 열 융착 시키는 316L(400) 용접층 형성 단계(B);를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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16-05-2016 дата публикации

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE FOR DIGITAL X-RAY DETECTOR

Номер: KR1020160054102A
Автор: YOO, HA JIN, YANG, JEONG SUK, LEE, SO HYUNG, JUNG, HO YOUNG
Принадлежит:

The present invention relates to a thin-film transistor array substrate for a digital X-ray detector, comprising; a thin-film transistor, a protective film, a repeller, and a photodiode. The thin-film transistor is located on a substrate and is formed in a coplanar structure having a first semiconductor layer of an oxide, a gate electrode, a first electrode and a second electrode. The protective film covers the thin-film transistor. The repeller is located on the protective film and covers a region corresponding to a channel region of the thin-film transistor. The photodiode is located on the protective film and has a lower electrode connected to the second electrode of the thin-film transistor, a second semiconductor layer located on the lower electrode, and an upper electrode located on the second semiconductor layer. The thin-film transistor array substrate for a digital X-ray detector according to the present invention can enhance a signal detection ability and solve a current crowding ...

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05-08-2010 дата публикации

PROBE STRUCTURE AND A PROBE CARD HAVING THE SAME

Номер: WO2010087668A3
Автор: LEE, Ho-Jun, LEE, So-Hyeong
Принадлежит:

The present invention comprises: a securing part attached over the pad of a probe substrate; a first pillar part joined to the securing part by means of an upright structure; a first beam part joined to the pillar part by means of a cantilever structure; a second pillar part joined to the tip of the first beam part by means of an upright structure; a second beam part joined to the second pillar part, in the direction of the securing part, by means of a cantilever structure; and a contact part which is joined to the tip of the second beam part by means of an upright structure, and which makes contact with a test body when electrical testing is being carried out. As a result, even though the horizontal distance between the securing position and the contact position is relatively short, a uniform contact pressure is formed while at the same time allowing sufficient resilience to be ensured and the lifespan to be lengthened.

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09-06-2016 дата публикации

DISPLAY DEVICE WITH INTEGRATED TOUCH SCREEN

Номер: KR0101628724B1
Автор: 이소형, 오준석
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은, 콘택홀이 형성되어 있는 복수의 전극들을 포함하는 패널; 상기 패널의 구동모드에 따라 상기 복수의 전극들 각각으로 상기 콘택홀과 연결된 배선들을 통해 공통 전압을 인가하거나, 터치 스캔 신호를 인가하는 디스플레이 드라이브 IC; 및 상기 터치 스캔 신호에 의해 발생된 터치 센싱 신호를 상기 전극들로부터 수신하고, 상기 수신된 터치 센싱 신호의 차이를 이용하여 터치 여부를 감지하는 터치 IC를 포함하며, 상기 복수의 전극들은 복수의 전극열들을 형성하며, 상기 복수의 전극들에 형성된 상기 콘택홀은 이웃하는 전극열끼리 서로 대칭되어 위치하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 일체형 표시장치에 관한 것이다.

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24-05-2016 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL FOR DIGITAL X-RAY DETECTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер: KR1020160057516A
Автор: LEE, SO HYUNG, CHANG, YOUN GYOUNG, KIM, MIN CHEOL, JUNG, HO YOUNG, YOO, HA JIN, YANG, JEONG SUK
Принадлежит:

The present invention provides a thin film transistor array panel for a digital X-ray detector. The thin film transistor array panel for a digital x-ray detector includes a thin film transistor, a common electrode layer, an interlayer insulating film, a ground electrode layer, a flattening film, and a lower electrode layer. The thin film transistor is positioned on a substrate, and has a first semiconductor layer made of an oxide, a gate electrode, a first electrode, and a second electrode. The common electrode layer extends from the first semiconductor layer and is electrically conducted. The interlayer insulating layer is positioned on the thin film transistor and the common electrode layer. The ground electrode layer is positioned on the interlayer insulating layer in a region corresponding to the common electrode layer. The flattening film is positioned on the interlayer insulating layer and the ground electrode layer, and exposes the second electrode of the thin film transistor. The ...

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29-12-2016 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING SAME

Номер: KR1020160150199A
Автор: LEE, SO HYUNG, YANG, JEONG SUK, CHANG, YOUN GYOUNG, PARK, KWON SHIK, KIM, MIN CHEOL
Принадлежит:

The present invention provides a display device. The display device comprises a first thin film transistor, a second thin film transistor, and a plurality of storage capacitors. The first thin film transistor has a thin film wherein a polycrystalline semiconductor layer, a first gate electrode, a first source electrode, and a first drain electrode is sequentially deposited on a substrate. The second thin film transistor is arranged and separated from the first thin film transistor, and has a thin film wherein a second gate electrode, an oxide semiconductor layer, a second source electrode, and a second drain electrode is sequentially deposited on a layer covering the first gate electrode. The storage capacitors are arranged and separated from the first and the second thin film transistor, and comprise: a first dummy semiconductor layer; a first gate insulation film positioned on the first dummy semiconductor layer; a first dummy gate electrode positioned on the first insulation film; an ...

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Номер записи: 9
05-08-2010 дата публикации

PROBE STRUCTURE AND A PROBE CARD HAVING THE SAME

Номер: KR2010087668A2
Автор: LEE, Ho-Jun, LEE, So-Hyeong
Принадлежит:

The present invention comprises: a securing part attached over the pad of a probe substrate; a first pillar part joined to the securing part by means of an upright structure; a first beam part joined to the pillar part by means of a cantilever structure; a second pillar part joined to the tip of the first beam part by means of an upright structure; a second beam part joined to the second pillar part, in the direction of the securing part, by means of a cantilever structure; and a contact part which is joined to the tip of the second beam part by means of an upright structure, and which makes contact with a test body when electrical testing is being carried out. As a result, even though the horizontal distance between the securing position and the contact position is relatively short, a uniform contact pressure is formed while at the same time allowing sufficient resilience to be ensured and the lifespan to be lengthened.

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11-05-2018 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE HAVING BILAYER OXIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер: KR1020180049780A
Автор: LEE, SO HYUNG, KIM, SUNG KI, YI, YOUNG JIN, KIM, MIN CHEOL, YANG, JEONG SUK, IM, SEO YEON
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor substrate with excellent switching characteristics having an oxide semiconductor layer of a bilayer structure. According to the present invention, included is an oxide semiconductor layer disposed on the thin film transistor substrate. The oxide semiconductor layer has a first oxide semiconductor layer and a second oxide semiconductor layer stacked on the first oxide semiconductor layer. One of the first oxide semiconductor layer and the second oxide semiconductor layer has a first content ratio of indium : gallium : zinc of 1 : 1 : 1. The other one has a second content ratio where gallium content is higher than indium content and zinc content. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 11
11-12-2018 дата публикации

ELECTROLUMINESCENT DISPLAY

Номер: KR1020180131706A
Автор: LEE, SO HYUNG, GONG, NAM YONG, SHIN, SUNG SOO, YANG, JUNG YUL, LEE, HEE SUNG
Принадлежит:

The present invention relates to an electroluminescent display capable of reducing power consumption. The electroluminescent display comprises: a first drive unit using a first EM switch element for switching a current path between a pixel drive voltage and a light emitting element in response to a first light emission control signal and a first drive element connected between the first EM switch element and the light emitting element to drive the light emitting element; and a second drive unit using a second EM switch element switching the current path between the pixel drive voltage and the light emitting element in response to a second light emission control signal and a second drive element connected between the second EM switch element and the light emitting element to drive the light emitting element. COPYRIGHT KIPO 2019 ...

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Номер записи: 12
24-01-2019 дата публикации

터치 및 입체 영상 표시 기능을 갖는 액정표시장치 및 그의 제조 방법

Номер: KR0101941444B1
Автор: 이소형, 김기덕, 강병구, 김동섭, 한종현
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은 하나의 기판에 3D FPC와 터치 FPC를 모두 부착할 수 있도록 터치 및 입체 영상 표시패널을 형성하여 기판 사이즈를 줄이고 공정을 단순화 시킬 수 있는 터치 및 입체 영상 표시 기능을 갖는 액정표시장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 액정 패널에 접착층에 의해 접착되는 터치 및 입체 영상 표시패널을 구비하고, 상기 터치 및 입체 영상 표시패널은, 입체 영상을 구현하기 위해 제 1, 제 2 전극들과 복수개의 라우팅 라인들을 구비한 입체 영상 픽셀들이 형성된 하부 기판과, 터치를 센싱하기 위한 X축,Y축 전극들과, 복수개의 라우팅 라인들을 구비한 터치 픽셀들과, 상기 입체 영상을 구현하기 위한 공통 전극과, 상기 입체 영상을 구현하기 위한 상기 복수개의 라우팅 라인들의 패드와 도전성 볼 접착제에 의해 연결되는 패드부가 형성된 상부 기판과, 상기 상부 및 하부 기판 사이에 채워진 액정층을 포함하여 구성된 것이다.

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Номер записи: 13
24-03-2017 дата публикации

정전용량 방식 터치 스크린 패널

Номер: KR0101719371B1
Автор: 김동섭, 강병구, 조소행, 이소형, 이영진
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은 터치 스크린 패널의 공정 및 제품운송시 발생할 수 있는 정전기 문제를 해소할 수 있는 터치 스크린 패널에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 제 1 방향으로 나란하게 배열되는 복수의 제 1 전극열들과, 상기 제 1 전극열들과 교차하도록 배열되는 복수의 제 2 전극열들을 포함하는 전극 형성부; 상기 전극 형성부의 외곽부에서 상기 기판 상에 형성되며, 상기 복수의 제 1 전극열들과 각각 연결되는 복수의 제 1 라우팅 배선들과, 상기 복수의 제 2 전극열들과 각각 연결되는 복수의 제 2 라우팅 배선들을 포함하는 라우팅 배선부; 및 상기 제 1 전극열과 상기 제 2 전극열이 교차하는 곳에서 상기 제 1 전극열과 상기 제 2 전극열을 절연시키는 제 1 절연층; 상기 전극 형성부 외곽에서 상기 복수의 제 1 및 제 2 전극열들의 적어도 일단부에 형성되어 외부에서 유입되는 정전기를 방전시키는 적어도 하나의 제 1 정전기 방지부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 14
22-10-2015 дата публикации

Thin Film Transistor Substrate And Display Using The Same

Номер: KR0101561804B1
Автор: 이소형, 손경모, 이영장, 박문호, 이성진
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은 서로 다른 유형의 박막 트랜지스터들이 동일 기판 위에 배치된 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 표시장치는, 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터 및 중간 절연막을 포함한다. 제1 박막 트랜지스터는 다결정 반도체 층, 상기 다결정 반도체 층 위에 배치된 제1 게이트 전극, 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함한다. 제2 박막 트랜지스터는 제2 게이트 전극, 상기 제2 게이트 전극 위에 배치되는 산화물 반도체 층, 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함한다. 중간 절연막은 질화막과 질화막 위의 산화막을 포함하며, 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극 위에 그리고 산화물 반도체 층 아래에 배치된다.

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Номер записи: 15
20-10-2015 дата публикации

Thin Film Transistor Substrate And Display Using The Same

Номер: KR0101561801B1
Автор: 이영장, 손경모, 이소형, 정호영, 박문호, 이성진
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은 서로 다른 유형의 박막 트랜지스터들이 동일 기판 위에 배치된 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 표시장치는, 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 중간 절연막 및 에치-스토퍼 층을 포함한다. 제1 박막 트랜지스터는, 다결정 반도체 층, 다결정 반도체 층 위에 배치된 제1 게이트 전극, 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함한다. 제2 박막 트랜지스터는, 제2 게이트 전극, 제2 게이트 전극 위에 배치된 산화물 반도체 층, 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함한다. 중간 절연막은, 제1 게이트 전극과 제2 게이트 전극 위 그리고 산화물 반도체 층 아래에 배치되며, 질화막과 질화막 위의 산화막을 포함한다. 에치-스토퍼 층은, 산화물 반도체 층 위에 배치된다.

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Номер записи: 16
01-09-2016 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING SAME

Номер: KR1020160103492A
Автор: LEE, YOUNG JANG, SON, KYUNG MO, LEE, SO HYUNG, JUNG, HO YOUNG, PARK, MOON HO, LEE, SUNG JIN
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor substrate where different kinds of thin film transistors are arranged on the same substrate, and a display device using the same. The display device according to the present invention includes a first thin film transistor, a second thin film transistor, and an intermediate insulating layer and an etch-stopper layer. The first thin film transistor includes a polycrystalline semiconductor layer, a first gate electrode arranged on the polycrystalline semiconductor layer, a first source electrode and a first drain electrode. The second thin film transistor includes a second gate electrode, an oxide semiconductor layer arranged on the second gate electrode, a second source electrode and a second drain electrode. The intermediate insulating layer is arranged on the first gate electrode and the second gate electrode and under the oxide semiconductor layer, and includes a nitride layer and an oxide layer on the nitride layer. The etch-stopper ...

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Номер записи: 17
11-01-2017 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING SAME

Номер: KR1020170004936A
Автор: LEE, YOUNG JANG, SON, KYUNG MO, LEE, SO HYUNG, JUNG, HO YOUNG, PARK, MOON HO, LEE, SUNG JIN
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor substrate in which different kinds of thin film transistors are arranged on the same substrate and a display device using the same. According to the present invention, the thin film transistor substrate includes the substrate, a first thin film transistor, a second thin film transistor, a middle insulation layer, and an etch-stopper layer. The first thin film transistor is arranged on the substrate and includes a polycrystal semiconductor layer, a first gate electrode arranged on the polycrystal semiconductor layer, a first source electrode, and a first drain electrode. The second thin film transistor is arranged on the substrate and includes a second gate electrode, an oxide semiconductor layer arranged on the second gate electrode, a second source electrode, and a second drain electrode. The middle insulation layer is arranged on the first gate electrode and the second gate electrode and includes a nitride layer and an oxide layer ...

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Номер записи: 18
03-05-2018 дата публикации

금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법

Номер: KR0101854510B1
Автор: 이소형, 도균봉, 김동진, 안강수, 정영철
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사

... 본 발명은 연마 입자; 산화제; 착화제; 부식 억제제; 및 탈이온수를 포함하며, 상기 부식 억제제는 아질산염 및 질산암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 무기계 부식 억제제를 포함하는 것인 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 및 이를 이용한 연마 방법에 관한 것이다.

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Номер записи: 19
03-09-2015 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY USING SAME

Номер: KR1020150101404A
Автор: LEE, YOUNG JANG, SON, KYUNG MO, CHO, SEONG PIL, PARK, JAE HOON, LEE, SO HYUNG, NOH, SANG SOON, PARK, MOON HO, LEE, SUNG JIN, KO, SEUNG HYO, JEONG, MI JIN
Принадлежит:

Provided are a thin film transistor substrate having various types of thin film transistors arranged on same substrate and a display using the same. A thin film transistor substrate includes: a substrate, a first thin film transistor disposed at a first area of the substrate, the first thin film transistor including: a polycrystalline semiconductor layer, a first gate electrode on the polycrystalline semiconductor layer, a first source electrode, and a first drain electrode, a second thin film transistor disposed at a second area of the substrate, the second thin film transistor including: a second gate electrode, an oxide semiconductor layer on the second gate electrode, a second source electrode, and a second drain electrode, a nitride layer disposed on an area of the substrate, other than the second area, the nitride layer covering the first gate electrode, and an oxide layer disposed over the first gate electrode and the second gate electrode, and under the oxide semiconductor layer ...

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Номер записи: 20
05-04-2017 дата публикации

HEAT TREATMENT METHOD FOR CASE-HARDENING ALLOY STEEL

Номер: KR101719560B1
Автор: BAEK, TAE SIK, LEE, SO HYUNG
Принадлежит: KJF CO., LTD.

The present invention relates to a heat treatment method for case-hardening alloy steel. The heat treatment method of the present invention comprises: a first thermostatic processing step of performing a thermostatic process on a base metal consisting of a case-hardening alloy steel (18CrNiMo7-6) at a temperature of 860-900°C; a forced air-cooling step of forcibly air-cooling the base metal for 30 seconds to 1 minute; a natural air-cooling step of naturally air-cooling the base metal; and a second thermostatic processing step of performing a thermostatic process again on the base metal at a temperature of 600-650°C. As such, the present invention is able to suppress generation of bainite and martensite during a heat treatment process of base metal (case-hardening alloy steel). COPYRIGHT KIPO 2017 (AA) Start (BB) End (S10) Preheating step (S20) Drip feed agent inserting step (S30) First thermostatic process step (S40) Forced air cooling step (S50) Natural air cooling step (S60) Second thermostatic ...

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Номер записи: 21
03-09-2015 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY USING SAME

Номер: KR1020150101403A
Автор: LEE, YOUNG JANG, SON, KYUNG MO, LEE, SO HYUNG, PARK, MOON HO, LEE, SUNG JIN
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor substrate having different types of thin film transistors on the same substrate, and to a display using the same. A thin film transistor substrate according to the present invention includes a substrate, a first thin film transistor, a second thin film transistor, and a second intermediate insulating layer. The first thin film transistor is disposed on the substrate, and includes a polycrystalline semiconductor layer, a first gate electrode disposed on the polycrystalline semiconductor layer, a first source electrode, and a first drain electrode. The second thin film transistor is disposed on the substrate, and includes a second gate electrode, an oxide semiconductor layer disposed on the second gate electrode, a second source electrode, and a second drain electrode. And the second intermediate insulating layer includes a nitride layer and an oxide layer laminated on the nitride layer, and covers the first gate electrode and the second ...

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Номер записи: 22
14-08-2017 дата публикации

모재, 인코넬, 309MoL 및 316L의 순서로 적층되는 용접구조

Номер: KR0101763161B1
Автор: 김종열, 이소형
Принадлежит: 동명대학교산학협력단, 케이제이에프 주식회사

... 본 발명에 따른 모재, 인코넬, 309MoL 및 316L의 순서로 적층되는 용접구조는, 균열 또는 접합이 필요한 용접대상인 모재(100); 상기 모재(100)의 균열부 또는 접합부 상면에 융착되는 내열합금인 인코넬(200); 상기 인코넬(200) 융착면의 상면에 융착되는 스테인리스 309MoL(300); 상기 309MoL(300) 융착면의 상면에 융착되는 스테인리스 316L(400);을 포함하는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 23
03-09-2015 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING SAME

Номер: KR1020150101396A
Автор: LEE, YOUNG JANG, SON, KYUNG MO, CHO, SEONG PIL, PARK, JAE HOON, LEE, SO HYUNG, NOH, SANG SOON, PARK, MOON HO, LEE, SUNG JIN, KO, SEUNG HYO, JEONG, MI JIN
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor substrate on which different types of thin film transistors are disposed on the same substrate and a display device using the same. The display device according to the present invention includes a first region and a second region, a first thin film transistor, a second thin film transistor, and a nitride film and an oxide film. The first thin film transistor is disposed in the first region and includes a polycrystal semiconductor layer, a first gate electrode disposed on the polycrystal semiconductor, a first source electrode, and a first drain electrode. The second thin film transistor is disposed in the second region and includes a second gate electrode, an oxide semiconductor layer disposed on the second gate electrode, a second source electrode, and a second drain electrode. The nitride film is disposed in the region except the second region, and covers the first gate electrode. The oxide covers the first gate electrode and the ...

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Номер записи: 24
30-06-2017 дата публикации

WELDING METHOD OF STACKING BASE MATERIAL, INCONEL, 309MOL, AND 316L RESPECTIVELY IN THIS ORDER

Номер: KR1020170074444A
Автор: KIM, JONG RYEOL, LEE, SO HYOUNG
Принадлежит:

According to the present invention, a welding method of stacking a base material, Inconel, 309MoL, and 316L respectively in this order comprises: a step (A) of forming an Inconel welding layer to thermally fuse an Inconel (200) layer on an upper surface of a base material (100) requiring cracking or bonding; a step (B) of forming a 309MoL welding layer in which a 30MoL layer (300) of stainless steel is thermally fused on an upper surface of the Inconel (200) fused surface after step (A) of forming the Inconel welding layer; and a step (B) of forming a 316L welding layer (400) in which a 316L layer (400) of stainless steel is thermally fused on an upper surface of the 309MoL (300) fused surface after step (B) of forming the 309MoL welding layer. As such, the present invention is able to acquire strong corrosion resistance and heat resistance. COPYRIGHT KIPO 2017 (A) Forming an Inconel welding layer (AA) Start (B) Forming a 309 MOL welding layer (BB) End (C) Forming a 316 L welding layer ...

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Номер записи: 25
01-09-2016 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY USING SAME

Номер: KR1020160103495A
Автор: LEE, SO HYUNG, SON, KYUNG MO, LEE, YOUNG JANG, PARK, MOON HO, LEE, SUNG JIN
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor substrate where different kinds of thin film transistors are arranged on the same substrate, and a display device using the same. The display device according to the present invention includes a first thin film transistor, a second thin film transistor, and an intermediate insulating layer. The first thin film transistor includes a polycrystalline semiconductor layer, a first gate electrode arranged on the polycrystalline semiconductor layer, a first source electrode and a first drain electrode. The second thin film transistor includes a second gate electrode, an oxide semiconductor layer arranged on the second gate electrode, a second source electrode and a second drain electrode. The intermediate insulating layer includes a nitride layer and an oxide layer on the nitride, and is arranged on the first gate electrode and the second gate electrode and under the oxide semiconductor layer. So, the thin film transistors can be formed by ...

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31-01-2018 дата публикации

CMP SLURRY COMPOSITION FOR METAL FILM AND POLISHING METHOD USING SAME

Номер: KR1020180010871A
Автор: PARK, KYUNG JU, LEE, SOH YUNG, KIM, DONG JIN, DO, KEUN BONG, AN, KANG SU, YOO, YONG SIK, JUNG, YOUNG CHUL, JEONG, JEONG HWAN
Принадлежит:

The purpose of the present invention is to provide a CMP slurry composition for a metal film which is capable of realizing excellent etching uniformity while preventing corrosion of a metal wiring; and a polishing method using the CMP slurry composition for the metal film. The CMP slurry composition comprises: a solvent; an oxidizer; a corrosion inhibitor; and one or more surface modifiers selected from the group consisting of benzimidazole, piperazine and pyazine, wherein the CMP slurry composition has 0.35 or less of an etching relative deviation measured according to equation (1), Etching relative deviation = {a standard deviation of surface resistance thickness variations of a copper film/an average of the surface resistance thickness variations of the copper film}, after dipping a copper film specimen with a size of 2×6 cm^2 into the CMP slurry composition for 60 minutes. In equation (1), the surface resistance thickness variations are differences between surface resistance thickness ...

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07-07-2015 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE

Номер: KR1020150076936A
Автор: KIM, MIN CHEOL, CHANG, YOUN GYOUNG, PARK, KWON SHIK, LEE, SO HYUNG, JUNG, HO YOUNG, YOO, HA JIN, YANG, JEONG SUK
Принадлежит:

The present invention relates to a method for manufacturing a thin film transistor array substrate capable of increasing reliability. The method for manufacturing a thin film transistor array substrate includes: a step of forming, on a gate insulation film, multiple layers including at least one first metal layer and a second metal layer formed of copper (Cu); a step of forming, on the multiple layers, a first mask area corresponding to a data line and a second mask area corresponding to an electrode pattern overlapped on an active layer; a step of forming the data line formed of the multiple layers by patterning the multiple layers; a step of forming the first make area at a third height lower than the first height by ashing the first mask layer; a step of forming an electrode pattern formed of at least one first metal layer by patterning the second metal layer; a step of forming, on the gate insulation film, the second mask layer covering the data line and a remaining portion except for ...

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03-09-2015 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING SAME

Номер: KR1020150101397A
Автор: LEE, SO HYUNG, SON, KYUNG MO, LEE, YOUNG JANG, PARK, MOON HO, LEE, SUNG JIN
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor substrate on which different types of thin film transistors are arranged on the same substrate, and a display device using the same. The display device according to the present invention includes a first thin film transistor, a second thin film transistor, and a middle insulating film. The first thin film transistor includes a polycrystal semiconductor layer, a first gate electrode disposed on the polycrystal semiconductor layer, a first source electrode, and a first drain electrode. The second thin film transistor includes a second gate electrode, an oxide semiconductor layer disposed on the second gate electrode, a second source electrode, and a second train electrode. The middle insulating film includes a nitride film and an oxide film on the nitride film, and is disposed on the first gate electrode and the second gate electrode, and under the oxide semiconductor layer. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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11-01-2017 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS USING SAME

Номер: KR1020170004935A
Автор: LEE, YOUNG JANG, SON, KYUNG MO, LEE, SO HYUNG, PARK, MOON HO, LEE, SUNG JIN
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor substrate on which various kinds of thin film transistors area disposed, and a display apparatus using the same. The thin film transistor substrate according to the present invention comprises a substrate, a first thin film transistor, a second transistor, and a second intermediate insulation film. The first thin film transistor is disposed on the substrate, and includes a polycrystalline semiconductor layer, a first gate electrode disposed on the polycrystalline semiconductor layer, and a first source electrode, and a drain electrode. The second film transistor is disposed on the substrate, and includes a second gate electrode, an oxide semiconductor layer disposed on the second gate electrode, and a second source electrode, and a second drain electrode. The second intermediate insulating film includes a nitride film and an oxide film stacked on the nitride film and covers the first gate electrode and the second gate electrode under ...

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15-02-2016 дата публикации

TUBE SHEET PROCESSING DEVICE

Номер: KR1020160016426A
Автор: LEE, SO HYUNG, KIM, JONG RYEOL
Принадлежит:

The present invention relates to a tube sheet processing device with a structure improved to rapidly and easily weld a welding wire to a tube sheet. According to the present invention, the tube sheet processing device comprises: a work table on which the tube seat is seated rotating the tube sheet; a variable rail arranged on an upper side of the work table; a plurality of welding nozzles where the welding wires are supplied joined to the variable rail to slide on the variable rail; a plurality of welding wire supplying unit supplying the welding wires to the welding nozzles; and a power supplying unit applying power with different polarities to cause a discharge between the welding wires discharged through the welding nozzles and the tube sheet to weld the welding wire to the tube sheet. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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06-03-2018 дата публикации

METHOD FOR PRODUCING CMP SLURRY FOR OXIDE FILM

Номер: KR1020180022485A
Автор: HWANG, KI WOOK, KIM, HYEONG MOOK, LEE, SOH YUNG
Принадлежит:

The present invention relates to a method for producing CMP slurry for an oxide film, which comprises the following steps: preparing preliminary slurry comprising abrasive particles, a pH adjusting agent, a dispersion stabilizer, and water; performing a treatment for reducing the dispersibility of the preliminary slurry; and aging the preliminary slurry in which the treatment for reducing the dispersibility has been performed. An objective of the present invention is to provide a method for producing CMP slurry for an oxide film capable of shortening the aging time for removing large particles. COPYRIGHT KIPO 2018 (AA) 0.6 μm or more number of particles /ml (BB) LPC measurement time (days) ...

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27-05-2016 дата публикации

Color Filter Substrate for Display Device with Integrated Touch Screen and Method for Fabricating The Same

Номер: KR0101625176B1
Автор: 조성용, 이소형, 이재균
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명의 일 측면에 따른 터치스크린 일체형 표시장치용 컬러 필터 기판은 기판 상에 형성되는 복수의 터치 센싱 전극 및 복수의 터치 구동 전극열; 상기 복수의 터치 센싱 전극 및 복수의 터치 구동 전극열 및 상기 기판 상에 형성되는 제1 보호층; 상기 제1 보호층 상에 형성되며, 상기 복수의 터치 센싱 전극을 서로 연결하는 브릿지; 상기 제1 보호층 및 상기 브릿지 상에 형성되는 제2 보호층; 상기 제2 보호층 상에 형성되는 블랙 매트릭스; 상기 제2 보호층 및 상기 블랙 매트릭스 상에 형성되는 컬러 필터층; 및 상기 컬러 필터층 상에 형성되는 제3 보호층을 포함하며, 상기 복수의 터치 센싱 전극은 제1 금속 라인들의 교차에 의해 형성되는 제1 메쉬(mesh) 패턴을 포함하고, 상기 복수의 터치 구동 전극열은 제2 금속 라인들의 교차에 의해 형성되는 복수의 제2 메쉬(mesh) 패턴들을 포함하며, 상기 블랙 매트릭스는 상기 제1 및 제2 금속 라인들과 대응되는 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.

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04-07-2017 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING SAME

Номер: KR1020170076388A
Автор: LEE, SO HYUNG, CHANG, YOUN GYOUNG, KIM, MIN CHEOL, YANG, JEONG SUK
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor substrate capable of shortening an etching process time and reducing the size of a contact hole by reducing the number of insulating layers to be etched to for the contact hole, and a display device using the same. A gate insulating film according to the present invention comprises: a first gate insulating film provided on a substrate; a second gate insulating film provided on the first gate insulating film; a third gate insulating film provided on the second gate insulating film; and a fourth gate insulating film provided on the third gate insulating film, wherein the first gate insulating film and the second gate insulating film have a contact hole, the second gate insulating film has an area having a first thickness and an area having a second thickness thinner than the first thickness, and the area having the second thickness in the second gate insulating film is in contact with the contact hole. COPYRIGHT KIPO 2017 (AA) Pad area ...

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09-03-2018 дата публикации

ORGANIC LIGHT EMITTING APPARATUS

Номер: KR1020180025513A
Автор: LEE, SO HYUNG, KIM, MIN CHEOL, SHIN, SUNG SOO, YANG, JUNG YUL, LEE, HEE SUNG
Принадлежит:

The present invention relates to an organic light emitting apparatus which can prevent a bezel from being viewed and can prevent an image from being distorted. The organic light emitting apparatus comprises: normal pixels; and folding pixels. Normal pixels are arranged in a first display area of a flexible panel, and folding pixels are arranged in a second display area of the flexible panel. Each of the normal pixels has the same area, and the folding pixels have an area larger than the normal pixels. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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06-07-2018 дата публикации

정전용량 방식 터치 스크린 패널

Номер: KR0101875020B1
Автор: 송원선, 김성철, 송문봉, 이소형
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은 터치 성능을 향상시킬 수 있는 정전용량식 터치 스크린 패널을 제공하기 위한 것으로, 기판; 상기 기판 상의 전극 형성부에 형성되는 복수의 제 1 연결패턴들; 상기 기판 상의 라우팅 배선 형성부에서 상기 제 1 연결패턴과 동일 평면 상에 형성되는 복수의 제 1 라우팅 배선들과 복수의 제 2 라우팅 배선들; 상기 복수의 제 1 연결패턴들의 각각의 일부분을 노출시키도록 상기 제 1 연결패턴이 형성된 상기 기판 상에 형성되는 절연층; 및 상기 절연층 상에 제 1 방향으로 평행하게 배열되며, 상기 복수의 제 1 라우팅 배선들과 접속되는 복수의 제 1 전극열들과, 상기 복수의 제 1 전극열들과 교차하는 제 2 방향으로 평행하게 배열되며, 상기 복수의 제 2 라우팅 배선들과 접속되는 복수의 제 2 전극열들을 포함하며, 상기 제 1 전극열들과 상기 제 2 전극열들은 상기 절연층에 의해 서로 비접촉 상태를 유지하고, 상기 복수의 제 1 연결패턴들의 각각은 상기 제 1 전극열의 서로 인접한 제 1 전극패턴들을 접속시키며, 상기 제 2 전극열의 각각은 일체로 형성된 복수의 제 2 전극패턴들을 포함하고, 상기 제 1 전극패턴들의 각각은 제 1 개구부를 구비하고, 상기 제 2 전극패턴들의 각각은 제 2 개구부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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21-06-2017 дата публикации

CMP SLURRY COMPOSITION FOR POLISHING METAL WIRING AND POLISHING METHOD USING SAME

Номер: KR1020170069820A
Автор: LEE, SOH YUNG, DO, KEUN BONG, KIM, DONG JIN, AN, KANG SU, JUNG, YOUNG CHUL
Принадлежит:

The present invention relates to a CMP slurry composition for polishing a metal wiring, and a polishing method using the same. The CMP slurry composition for polishing a metal wiring comprises: polishing particles; an oxidizer; a complexing agents; a corrosion inhibitor; and deionized water, wherein the corrosion inhibitor comprises at least one inorganic corrosion inhibitor selected from the group consisting of nitrite and ammonium nitrate. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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26-06-2017 дата публикации

OXIDE THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING SAME

Номер: KR1020170071780A
Автор: YANG, JEONG SUK, LEE, SO HYUNG, YOON, DOO HYUN
Принадлежит:

The active layer of an oxide thin film transistor substrate according to the present invention includes a first oxide semiconductor layer provided on a gate insulating film, a second oxide semiconductor layer provided on the first oxide semiconductor layer, and a third oxide semiconductor layer provided on the second oxide semiconductor layer. According to the present invention, it is possible to prevent the deterioration of the device characteristics of a thin film transistor. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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22-10-2015 дата публикации

Thin Film Transistor Substrate And Display Using The Same

Номер: KR0101561803B1
Автор: 이영장, 손경모, 조성필, 박제훈, 이소형, 노상순, 박문호, 이성진, 고승효, 정미진
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은 서로 다른 유형의 박막 트랜지스터들이 동일 기판 위에 배치된 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 표시장치는, 제1 영역 및 제2 영역, 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 질화막 및 산화막을 포함한다. 제1 박막 트랜지스터는, 제1 영역에 배치되며, 다결정 반도체 층, 다결정 반도체 층 위에 배치된 제1 게이트 전극, 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함한다. 제2 박막 트랜지스터는, 제2 영역에 배치되며, 제2 게이트 전극, 제2 게이트 전극 위에 배치된 산화물 반도체 층, 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함한다. 질화막은, 제2 영역을 제외한 영역에 배치되어 제1 게이트 전극을 덮는다. 산화막은 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극을 덮는다.

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30-06-2017 дата публикации

WELDING STRUCTURE LAMINATED IN ORDER FROM BASE MATERIAL, INCONNEL, 309MOL, AND 316L

Номер: KR1020170074438A
Автор: KIM, JONG RYEOL, LEE, SO HYOUNG
Принадлежит:

According to the present invention, a welding structure laminated in order from a base material, an inconnel, 309MoL, and 316L comprises: a base material (100) which is a target to be welded and requires a crack or bonding; an inconnel (200) which is a heat resistant alloy fused on an upper surface of a crack portion or a bonded portion of the base material (100); stainless 309MoL (300) fused on an upper surface of a fused surface of the inconnel (200); and stainless 316L (400) fused on an upper surface of the fused surface of the 309MoL (300). COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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01-09-2016 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY USING SAME

Номер: KR1020160103494A
Автор: LEE, YOUNG JANG, SON, KYUNG MO, CHO, SEONG PIL, PARK, JAE HOON, LEE, SO HYUNG, NOH, SANG SOON, PARK, MOON HO, LEE, SUNG JIN, KO, SEUNG HYO, JEONG, MI JIN
Принадлежит:

The present invention relates to a thin film transistor substrate where different kinds of thin film transistors are arranged on the same substrate, and a display device using the same. The display device according to the present invention includes a first region and a second region, a first thin film transistor, a second thin film transistor, a nitride layer and an oxide layer. The first thin film transistor is arranged on the first region and includes polycrystalline semiconductor layer, a first gate electrode arranged on the polycrystalline semiconductor layer, a first source electrode and a first drain electrode. The second thin film transistor is arranged on the second region, and includes a second gate electrode, an oxide semiconductor layer arranged on the second gate electrode, a second source electrode and a second drain electrode. The nitride layer is arrange on a region except the second region and covers the first gate electrode. The oxide layer covers the first gate electrode ...

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14-06-2017 дата публикации

정전용량 방식 터치 스크린 패널 및 그 제조방법

Номер: KR0101746847B1
Автор: 신승목, 구상남, 이소형
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은 절연층을 패터닝 공정에서 절연층에 과식각이 발생하더라도 전극패턴과 라우팅 배선이 단선되는 것을 방지하기 위한 것이다. 본 발명의 터치 스크린 패널은 기판; 기판 상에 제 1 방향으로 나란하게 배열되는 복수의 제 1 전극열들과, 제 1 전극열들과 교차하도록 배열되는 복수의 제 2 전극열들을 포함하는 전극 형성부; 전극 형성부의 외곽부에서 상기 기판 상에 형성되며, 복수의 제 1 전극열들과 각각 연결되는 복수의 제 1 라우팅 배선들과, 복수의 제 2 전극열들과 각각 연결되는 복수의 제 2 라우팅 배선들을 포함하는 라우팅 배선부; 복수의 제 1 및 제 2 라우팅 배선들과 동일층에 형성되며, 서로 분리되어 형성되는 복수의 제 1 연결패턴들; 제 1 전극열과 상기 제 2 전극열이 교차하는 곳에서 제 1 전극열과 제 2 전극열을 절연시키는 복수의 제 1 절연패턴들; 전극형성부 쪽를 향하고 있는 복수의 제 1 및 제 2 라우팅 배선들의 일부분을 노출시키도록 복수의 제 1 및 제 2 라우팅 배선들 상에 형성되는 제 2 절연패턴을 포함하며, 상기 복수의 제 1 전극열의 각각은 복수의 제 1 전극패턴들로 구성되고, 상기 복수의 제 1 전극패턴들 중 최외측의 제 1 전극패턴은 상기 라우팅 배선부로 연장되어 상기 제 1 라우팅 배선과 전기적으로 접속되고, 상기 제 1 전극패턴들의 인접한 쌍은 상기 제 1 연결패턴에 의해 접속되는 것을 특징으로 한다.

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17-02-2016 дата публикации

LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер: KR1020160017705A
Автор: LEE, SO HYUNG, CHANG, YOUN GYOUNG, KIM, MIN CHEOL, JUNG, HO YOUNG, YOO, HA JIN, YANG, JEONG SUK
Принадлежит:

The present invention provides a liquid crystal display panel and a method for manufacturing the same. The liquid crystal display panel includes a transistor which is located in an intersection part of a gate line formed in one direction and a data line formed in a direction vertical to the one direction on a substrate, and includes a multi-structured gate insulating layer located on a gate connected to the gate line, and a source electrode and a drain electrode located on the multi-structured gate insulating layer; a multi-structured protection layer located on the transistor; a color conversion layer located on at least one layer of the multi-structured protection layer; a photosensitive material layer located on the color conversion layer; a first contact hole which is formed on the multi-structured protection layer, the color conversion layer, and the photosensitive material layer, and exposes part of the source electrode or the drain electrode; and a pixel electrode which is connected ...

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03-09-2015 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SEMICONDUCTOR

Номер: KR1020150101407A
Автор: LEE, SO HYUNG, RYU, WON SANG, PARK, SE HEE, JUNG, IN SANG, KIM, SUNG HOON, NOH, JI YONG
Принадлежит:

A thin film transistor substrate of the present invention comprises a first semiconductor layer formed on a substrate; a first insulation layer formed on the substrate to cover the first semiconductor layer; a gate electrode formed on the first insulation layer, and overlapped on the first semiconductor layer; a second insulation layer formed on the first insulation layer to cover the gate electrode; and a second semiconductor layer formed on the second insulation layer, and overlapped with the first semiconductor layer and the gate electrode. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 44
07-12-2016 дата публикации

박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치

Номер: KR0101679956B1
Автор: 이영장, 손경모, 조성필, 박제훈, 이소형, 노상순, 박문호, 이성진, 고승효, 정미진
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은 서로 다른 유형의 박막 트랜지스터들이 동일 기판 위에 배치된 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 박막 트랜지스터 기판은, 기판, 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 질화막 및 산화막을 포함한다. 제1 박막 트랜지스터는, 기판 위의 제1 영역에 배치되며, 다결정 반도체 층, 다결정 반도체 층 위에 배치된 제1 게이트 전극, 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함한다. 제2 박막 트랜지스터는, 기판 위의 제2 영역에 배치되며, 제2 게이트 전극, 제2 게이트 전극 위에 배치된 산화물 반도체 층, 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함한다. 질화막은 기판에서 제2 영역을 제외한 영역 위에 배치되고 제1 게이트 전극을 덮는다. 산화막은 산화물 반도체 층 아래에서 제1 게이트 전극과 제2 게이트 전극을 덮는다.

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Номер записи: 45
03-09-2015 дата публикации

DISPLAY DEVICE

Номер: KR1020150101417A
Автор: LEE, SO HYUNG, RYU, WON SANG, PARK, SE HEE, JUNG, IN SANG, KIM, SUNG HOON, NOH, JI YONG
Принадлежит:

A display device of the present invention includes: a first semiconductor layer prepared on a substrate; a first insulating layer prepared on the substrate to cover the first semiconductor layer; a gate electrode prepared on the first insulating film to overlap the first semiconductor layer; a second insulating layer prepared on the first insulating layer to cover the gate electrode; and a second semiconductor layer prepared on the second insulating layer to overlap the first semiconductor layer and the gate electrode. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 46
11-12-2018 дата публикации

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE HAVING BI-LAYER OXIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер: KR1020180131726A
Автор: LEE, HEE SUNG, LEE, SO HYUNG, KIM, MIN CHEOL, KIM, SEUNG JIN, YANG, JEONG SUK, IM, SEO YEON
Принадлежит:

According to the present invention, a thin film transistor substrate includes a thin film transistor disposed on a substrate and having an oxide semiconductor layer. The oxide semiconductor layer includes a first oxide semiconductor layer and a second oxide semiconductor layer. The first oxide semiconductor layer is made of indium-gallium-zinc-tin oxide (IGZTO). The second oxide semiconductor layer is made of indium-gallium-zinc-tin oxide and has the content of gallium which is higher than that of the first oxide semiconductor layer. The etch rate of the second oxide semiconductor layer is equal to or higher than the etch rate of the first oxide semiconductor layer. It is possible to ensure stable device characteristics. COPYRIGHT KIPO 2019 ...

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Номер записи: 47
20-07-2015 дата публикации

Probe for inspecting electric condition and probe assembly having the same

Номер: KR0101534110B1
Автор: 김형익, 박찬현, 박길룡, 이소형
Принадлежит: (주)엠투엔

... 개시된 프로브 어셈블리는 프로브와 가이드를 구비한다. 프로브는 프로브 기판의 패드 상에 위치하는 고정부와, 상기 고정부에 기립 구조로 연결되고, 상기 고정부와 연결되는 부분의 면적은 상기 고정부보다 작은 면적을 갖는 기둥부와, 상기 기둥부에 켄틸레버 구조로 연결되고, 상기 기둥부와 연결되는 부분은 단차를 갖는 빔부, 그리고 상기 빔부의 일단에 기립 구조로 연결되고, 전기 검사를 수행할 때 피검사체와 접촉하는 접촉부를 포함한다. 가이드는 그 일면은 상기 고정부와 면접하면서 상기 일면에 대향하는 타면은 상기 빔부의 표면을 노출시킴과 아울러 상기 접촉부를 돌출시키는 관통홀을 갖고, 상기 관통홀에 상기 기둥부와 빔부가 삽입됨에 의해 상기 프로브를 지지한다.

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Номер записи: 48
15-02-2016 дата публикации

DISPLAY DEVICE

Номер: KR1020160016510A
Автор: YANG, JEONG SUK, LEE, SO HYUNG
Принадлежит:

The present invention provides a display device which includes a display panel and a driving part. The display panel includes sub pixels which have a thin film transistor formed in an intersection part of a data line and a gate line. The driving part drives the display panel. In the sub pixels, the lower electrode allows data metal constituting the data line to indirectly touch a first region of an oxide semiconductor layer constituting the thin film transistor. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 49
13-07-2015 дата публикации

Liquid crystal display device having touch and three dimensional display functions and method for manufacturing the same

Номер: KR0101535823B1
Автор: 이소형, 강병구, 김동섭, 한종현
Принадлежит: 엘지디스플레이 주식회사

... 본 발명은 입체 영상 표시 패널 내에 터치 패널을 내장하여 무게 및 두께를 감소시키고, 접착제를 하나만 사용하고 별도의 터치 기능의 패널을 요구하지 않으므로 공정이 간단하고 생산 비용이 감소되는 터치 및 입체 영상 표시 기능을 갖는 액정표시장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 터치 및 입체 영상 표시 기능을 갖는 액정표시장치는, 액정 패널에 접착층에 의해 접착되는 터치 및 입체 영상 표시패널을 구비하고, 상기 터치 및 입체 영상 표시패널은, 입체 영상을 구현하기 위한 제 1, 제 2 전극들이 형성된 하부 기판과, 터치를 센싱하기 위한 제 3, 제 4 전극들과 상기 입체 영상을 구현하기 위한 공통 전극이 형성된 상부 기판과, 상기 상부 및 하부 기판 사이에 채워진 액정층을 포함하여 구성된 것이다.

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17-06-2016 дата публикации

METHOD TO CRYSTALLIZE OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE IN WHICH METHOD TO CRYSTALLIZE OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER IS APPLIED, AND METHOD TO MANUFACTURE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020160069729A
Автор: KIM, MIN CHEOL, CHANG, YOUN GYOUNG, PARK, KWON SHIK, LEE, SO HYUNG, JUNG, HO YOUNG, YOO, HA JIN, YANG, JEONG SUK
Принадлежит:

The purpose of the present invention is to provide a method to crystallize an oxide semiconductor layer, a semiconductor device in which the method to crystallize the oxide semiconductor layer is applied, and a method to manufacture the semiconductor device capable of improving reliability of an element by improving a crystallization characteristic. According to the present invention, the method to manufacture the semiconductor device comprises the steps of: heating a substrate at 200 to 300°C and depositing indium (In)-gallium (Ga)-zinc (Zn) oxide on the substrate; and treating the deposited In-Ga-Zn oxide by heating and forming the crystallized oxide semiconductor layer in the whole thicknesses. COPYRIGHT KIPO 2016 (10S) Heat a substrate and deposit In-Ga-Zn type oxide on the substrate (20S) Firstly treat the deposited oxide with heat and form a crystallized semiconductor layer ...

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