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06-09-2017 дата публикации

장기 저장 안정성 및 방열성이 우수한 실리콘 조성물

Номер: KR0101775288B1
Автор: 임유승, 강형식, 이무형
Принадлежит: 주식회사 케이씨씨

... 본 발명은 장기 저장 안정성 및 방열성이 우수한 실리콘 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 열전도성 충전재를 고함량으로 함유하여 높은 열전도성을 나타내면서도 장기 저장시에도 오일성분과 다른 구성성분들이 분리되는 현상(이유현상)이 적어 안정하며, 유동성을 유지하고, 취급성이 양호하며, 고온 고습 조건하에서의 내구성ㆍ신뢰성이 우수한 열전도성 실리콘 조성물에 관한 것이다.

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Номер записи: 1
19-11-2018 дата публикации

유기물을 포함하는 포토트랜지스터 및 그 제조 방법

Номер: KR0101919667B1
Автор: 박진성, 임유승, 옥경철
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 포토트랜지스터의 제조 방법이 제공된다. 상기 포토트랜지스터의 제조 방법은, 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 상에 아연(Zn), 산소(O) 및 질소(N) 화합물을 포함하는 제1 활성 패턴(first active pattern)을 형성하는 단계, 상기 제1 활성 패턴의 일측 및 타측에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 및 상기 제1 활성 패턴 상에 배치되어 상기 제1 활성 패턴과 접촉하고, 유기물(organic material)을 포함하는 제2 활성 패턴(second active pattern)을 형성하는 단계를 포함한다.

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Номер записи: 2
29-12-2016 дата публикации

SILICONE POLYMER COMPOSITION HAVING EXCELLENT HEAT-RADIATING PERFORMANCE

Номер: KR1020160150290A
Автор: LIM, YOU SEUNG, KANG, HYUNG SIK, LEE, MOO HYUNG
Принадлежит:

The present invention relates to a silicone polymer composition having excellent heat-radiating performance. More particularly, the present invention relates to a heat-conductive silicone polymer composition having excellent durability and reliability under the conditions of high temperature and high humidity. Also, the silicone polymer composition exhibits high thermal conductivity by comprising high content of heat-conductive filler while maintaining fluidity and having favorable properties to handle. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 3
25-04-2017 дата публикации

고경도의 이형성이 우수한 경화성 실리콘 고무 조성물

Номер: KR0101729990B1
Автор: 이무형, 임유승, 강형식
Принадлежит: 주식회사 케이씨씨

... 본 발명은 변성 에폭시 수지에 대한 이형성이 우수한 고경도의 성형용 실온 경화성 오르가노폴리실록산 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 오르가노폴리실록산, 오르가노하이드로젠폴리실록산, 퓸드 실리카(fumed silica) 및 촉매 등을 포함하며, 경화시 성형용 반전 모형의 재질로서 사용가능한, 이형 내구성이 향상된 고경도의 경화성 실리콘 고무 조성물에 관한 것이다.

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Номер записи: 4
24-10-2018 дата публикации

산화물 반도체용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법

Номер: KR0101910969B1
Автор: 정연택, 김보성, 이두형, 김두나, 박은혜, 김동림, 김현재, 임유승, 임현수
Принадлежит: 삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단

... 개시된 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 따르면, 기판 상에, 금속 옥살레이트 및 용매를 포함하는 산화물 반도체용 조성물을 코팅하여 박막을 형성하고, 상기 박막을 어닐링하고, 상기 박막을 패터닝하여 반도체 패턴을 형성한다.

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Номер записи: 5
28-05-2018 дата публикации

PHOTOTRANSISTOR INCLUDING ORGANIC MATERIAL AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер: KR1020180056000A
Автор: PARK, JIN SEONG, RIM, YOU SEUNG, OK, KYUNG CHUL
Принадлежит:

Provided is a fabrication method of a phototransistor with high electron mobility. The method comprises the steps of: forming a gate insulating film on a substrate; forming a first active pattern including zinc (Zn), oxygen (O), and nitrogen (N) compounds on the gate insulating film; forming a source electrode and a drain electrode on one side and the other side of the first active pattern; and forming a second active pattern disposed on the first active pattern to be in contact with the first active pattern and including an organic material. COPYRIGHT KIPO 2018 (AA) Start (BB) End (S110) Step of forming a gate insulating film on a substrate (S120) Step of forming a first active pattern including nitrified powder on the gate insulating film (S130) Step of forming a source electrode and a drain electrode on one side and the other side of the first active pattern (S140) Step of forming a second active pattern disposed on the first active pattern ...

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Номер записи: 6
18-01-2019 дата публикации

실리콘 층이 포함된 실리콘 액정 보호 필름

Номер: KR1020190006236A
Автор: 임유승, 정경진
Принадлежит:

... 본 발명은 하드 코팅된 PET층과 실리콘 Gel층 실리콘 점착제층이 포함된 실리콘 액정보호필름에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 상기 구조를 통해 현재 다양하게 출시되고 있는 3D Glass 채택된 핸드폰에 전면 및 측면에 붙이면서도 들뜸이 없는 액정 보호 필름 개발에 그 목적이 있다.

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Номер записи: 7
08-09-2015 дата публикации

FORMING METHOD OF TIN OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер: KR1020150102761A
Автор: CHOI, CHAUN GI, MO, YEON GON, KIM, HYUN JAE, LIM, HYUN SOO, KIM, SI JOON, JUNG, TAE SOO, RIM, YOU SEUNG
Принадлежит:

The purpose of the present invention is to provide a forming method of a tin oxide semiconductor thin film by a solution process capable of controlling the semiconductor type. Provided is the forming method of a tin oxide semiconductor thin film according to an aspect. The forming method of the tin oxide semiconductor thin film comprises: a step of manufacturing a precursor solution of the tin oxide semiconductor; a step of spreading the precursor solution on a substrate; and a step of thermally treating the substrate where the precursor solution is spread. At that time, a tin compound having a different tin valency can be used in the precursor solution according to the semiconductor type of the tin oxide semiconductor which is objective to be formed. COPYRIGHT KIPO 2015 (S110) Manufacture a tin salt solution (S120) Spread a solution (S130) Heat treatment ...

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Номер записи: 8
28-11-2016 дата публикации

SILICONE COMPOSITION HAVING EXCELLENT LONG-TERM STORAGE STABILITY AND HEAT-RADIATING PROPERTIES

Номер: KR1020160135690A
Автор: LIM, YOU SEUNG, KANG, HYUNG SIK, LEE, MOO HYUNG
Принадлежит:

The present invention relates to a silicone composition having excellent long-term storage stability and heat-radiating properties. More particularly, the present invention relates to a thermally conductive silicone composition exhibiting high thermal conductivity by comprising high content of thermally conductive filler. When stored for a long period of time, the silicone composition has little chance of having an oil component separated from the other components, and thus is stable. Also, the silicone composition maintains flowability, and has favorable handling properties while having excellent durability and reliability under the conditions of high temperature and high humidity. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 9
04-04-2019 дата публикации

PHOTOTRANSISTOR AND WEARABLE BIOMETRIC INFORMATION MONITORING APPARATUS USING SAME

Номер: WO2019066458A1
Автор: RIM, You Seung, KIM, Da Sol, CHOI, Yun Young, LIM, Se Rin, PARK, Joon Hui
Принадлежит:

A wearable biometric information monitoring apparatus is provided. The apparatus comprises a substrate. A pair of light emitting devices are disposed on the substrate. Each of the light emitting devices has a rectangular shape in which the length in a first direction is greater than the length in a second direction, and includes a light source disposed at one end thereof in the first direction and optical waveguides extending in the first direction from the light source. A photosensor is disposed between each of the optical waveguides. The optical waveguides are formed of a flexible polymer material.

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Номер записи: 10
28-11-2017 дата публикации

산화물 반도체 제조 방법

Номер: KR0101801845B1
Автор: 정연택, 김보성, 김영민, 김현재, 이두형, 최태영, 이기범, 장선필, 임유승, 조강문, 김동림, 김시준, 김두나
Принадлежит: 삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단

... 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 반도체의 제조 방법은 주석 원소를 포함하는 제1 화합물을 제1 열처리하는 단계, 아연, 인듐, 갈륨, 탈륨, 지르코늄으로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상의 금속 원소를 포함하는 제2 화합물을 제2 열처리하는 단계, 무수화 처리된 제1 화합물 및 제2 화합물을 혼합한 후 유기 용매를 혼합하여 전구체 용액을 제조하는 단계, 전구체 용액을 기판에 도포하여 전구체층을 형성하는 단계, 전구체층을 제3 열처리하여 산화물 반도체를 형성하는 단계를 포함하고, 제1 열처리는 100℃ 이상 제1 화합물의 용융점 이하의 온도에서 진행하고, 제2 열처리는 100℃이상 제2 화합물의 용융점 이하의 온도에서 진행한다.

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Номер записи: 11