Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
12-12-2006 дата публикации

Optoelectronic semiconductor device

Номер: US0007149236B1
Автор: Ashish K. Verma, Arnold C. Chen, Daniel A. Francis, VERMA ASHISH K, CHEN ARNOLD C, FRANCIS DANIEL A, VERMA ASHISH K., CHEN ARNOLD C., FRANCIS DANIEL A.
Принадлежит: Finisar Corporation, FINISAR CORP, FINISAR CORPORATION

Optoelectronic devices, such as optical transmitters and optical amplifiers, are provided. The optoelectronic devices are suitable for use in connection with optical communications systems, and related components and devices, such as may be used in the transmission, reception and processing of data and other information. The optoelectronic devices are implemented as various types of semiconductors. The form, structure, properties and functionality of a particular optoelectronic semiconductor device are determined with reference to the application(s) in connection with which the optoelectronic device is to be employed.

Подробнее
Номер записи: 1
11-11-2003 дата публикации

Electrically pumped vertical optical cavity with improved electrical performance

Номер: US0006647041B1
Автор: Ashish K. Verma, Arnold C. Chen, Daniel A. Francis, VERMA ASHISH K, CHEN ARNOLD C, FRANCIS DANIEL A, VERMA ASHISH K., CHEN ARNOLD C., FRANCIS DANIEL A.
Принадлежит: Finisar Corporation, FINISAR CORP, FINISAR CORPORATION

A monolithic semiconductor device extends primarily along a vertical direction and includes the following layers. A first semiconductor layer and a second semiconductor layer form an active region between them. A third semiconductor layer is doped the same type as the second semiconductor layer but is lattice mismatched to the second semiconductor layer. The lattice mismatch results in unwanted electrical effects. An additional doping layer, preferably a delta doping layer, is located in close proximity to the interface between the second and third semiconductor layers. The delta doping layer mitigates the unwanted electrical effects introduced by the lattice mismatch. In a preferred embodiment, the device further includes a bottom mirror layer and a top mirror layer, which together form a laser cavity including the active region.

Подробнее
Номер записи: 2