30-04-2020 дата публикации
Номер: DE102018127075A1
Hochstromschaltung mit einer Leiterplatte aus einem nichtleitenden Substrat 2, einer auf dem Substrat 2 aufgebrachten Leiterschicht 4 und einer auf der Leiterschicht aufgebrachten Isolationsschicht 6, wobei beidseitig der Leiterpatte jeweils die Isolationsschicht 6 durchbrechende Kontaktpads 8, 10, 12, 20, 22, 24 angeordnet sind, und die Kontaktpads 8, 10, 12, 20, 22, 24 über Vias 14 durch dass Substrat 2 hindurch miteinander kontaktiert sind, und wobei die Vias 14 in der Fläche der Kontaktpads 8, 10, 12, 20, 22, 24 angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass auf einer ersten Seite der Leiterplatte zumindest ein erstes der Kontaktpads 8 angeordnet ist und auf einer zweiten Seite der Leiterplatte ein erster Halbleiterschalter 28 unmittelbar mit zumindest einem zweiten der Kontaktpads 20 verbunden ist, und dass der Halbleiterschalter 28 mit dem ersten Kontaktpad 8 unmittelbar über die Vias 14 und das zweite Kontaktpad 20, ohne weitere Leiterbahnen, verbunden ist. High-current circuit with a printed circuit board made of a non-conductive substrate 2, a conductor layer 4 applied to the substrate 2 and an insulation layer 6 applied to the conductor layer, contact pads 8, 10, 12, 20, 22, 24 being arranged on both sides of the conductor plate , and the contact pads 8, 10, 12, 20, 22, 24 are contacted via vias 14 through the substrate 2, and wherein the vias 14 are arranged in the surface of the contact pads 8, 10, 12, 20, 22, 24 , characterized in that at least a first of the contact pads 8 is arranged on a first side of the printed circuit board and a first semiconductor switch 28 is connected directly to at least a second of the contact pads 20 on a second side of the printed circuit board, and that the semiconductor switch 28 is connected to the first contact pad 8 is connected directly via the vias 14 and the second contact pad 20, without further conductor tracks.
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