TEXTURE-FREE POLYCRYSTALLINE SILICON AND PROCESSES FOR THE MANUFACTURE THEREOF

PRODUCTION OF THIN LAYERS OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

SEMICONDUCTORS

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF HOMOGENEOUS DOPED, MONO-CRYSTALLINE BODIES FROM A SEMI-CONDUCTING ELEMENT

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF CRYSTALLINE LAYERS FROM LOW-VOLATILITY SUBSTANCES IN THE GAS PHASE

PRODUCTION OF CONTACT LAYERS OF HIGH MELTING-POINT METALS

METHOD FOR PRODUCING A COMPACT, PARTICULARLY A MONO-CRYSTALLINE BORON

PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR ASSEMBLY

PROCESSES FOR THE PREPARATION OF SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS

MONOCRYSTALLINE SILICON SHEETS FOR SOLAR CELLS

MANUFACTURE OF LAYERS OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

PROCESSES FOR PREPARING CRYSTALLINE SILICON

PROCESS FOR THE PRODUCTION OF RIBBON-SHAPED DENDRITES OF A SEMICONDUCTOR MATERIAL

MANUFACTURE OF HIGH-PURITY CRYSTALLINE MATERIALS

PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR BODIES

METHOD OF PREPARING SEMICONDUCTIVE SILICON, PARTICULARLY IN MONOCRYSTALLINE FORM

METHOD FOR PRODUCING HYPERPURE SEMICONDUCTING ELEMENTS FROM THEIR HALOGEN COMPOUNDS

PROCESSES FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CRYSTALS HAVING AT LEAST TWO LAYERS OF DIFFERENT CONDUCTIVITY AND/OR CONDUCTIVITY TYPE

PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF RIBBON-SHAPED DENDRITES OF SEMI-CONDUCTOR MATERIAL

PYROLYTIC PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

MANUFACTURE OF MONOCRYSTALLINE SILICON LAYERS

PROCESS FOR THE PREPARATION OF MONO-CRYSTALLINE SILICON

METHOD OF FORMING SEMI-CONDUCTOR MATERIALS

PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS

EPITAXIAL DEPOSITION OF A SEMICONDUCTOR MATERIAL

PROCESS FOR THE PREPARATION OF CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIAL

MANUFACTURE OF HIGH-PURITY ARSENIC TRICHLORIDE

PURIFICATION OF SILICON

MANUFACTURE OF SILICONS

METHOD OF PRODUCING THIN LAYERS ON SUBSTRATES

MANUFACTURE OF THIN LAYERS OF ETCHABLE SILICON NITRIDE

PROCESSES FOR THE PREPARATION OF SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS

PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES

PRODUCTION OF EPITAXIALLY GROWN LAYERS OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

PRODUCTION OF STRIP-LIKE DENDRITIC CRYSTALS OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

MANUFACTURE OF THIN LAYERS OF HIGH PURITY MATERIAL

PULLING MONOCRYSTALLINE SILICON RODS FROM A MELT

MONOCRYSTALLINE SILICON SHEETS FOR SOLAR CELLS

Process for producing large-size, self-supporting plates of silicon

Process for producing large-size, self-supporting plates of silicon deposd from the gaseous phase on a substrate body, which comprises heating a graphite substrate to deposition temperature of silicon, which is deposited on the substrate from a gaseous compound to which a dopant has been added until a layer of about 200 to 650 μm has formed, subsequently melting 40-100% of this layer from the free surface downward, resolidifying the molten silicon by adjustment of a temperature gradient from the substrate body upward, and finally separating the silicon therefrom. The plates so formed are used primarily for making solar cells.

Process for producing high purity single crystal silicon

Process for making solar cell base material

Competitive current generation by the exploitation of solar energy requires cheap solar cells. A process is described which makes it possible to manufacture from silicon a base material for solar cells of this type in an economical manner and in large quantities. This is achieved by bringing silicon from a supply container into contact with a non-elemental lubricating melt, which is immiscible with silicon but will not wet silicon and has a melting point below that of silicon, and by drawing off a silicon film, sliding on this lubricating melt, and solidifying the silicon continuously by cooling to below its' melting point.

Process for the production of the purest silicon for semiconductor devices

Process for producing large-size substrate-based semiconductor material

ABSTRACT OF THE DISCLOSURE A process for producing large-size, substrate-based semiconductor material of silicon deposited on a substrate body from the gaseous phase, which comprises the steps of heating a substrate body by direct current passage to deposition temperature, contacting said body with a gaseous silicon-containing mixture to which a dopant has been added, until a deposit having a thickness from about 10 to 200 µm has been formed, subsequently melting 80 to 100% of the deposited silicon layer from the free surface downward, and resolidifying the molten silicon by adjust-ment of a temperature gradient from the substrate body up-ward. Large-sized plates obtained by cutting up the semi-conductor material are used as solar cells.

PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR PLATES

PROCEDE DE FABRICATION DE PLAQUES DE SEMI-CONDUCTEUR A PARTIR D'UNE MATIERE SEMI-CONDUCTRICE FONDUE ET APPAREILLAGE POUR LA MISE EN OEUVRE DU PROCEDE. DANS LA MATIERE SEMI-CONDUCTRICE EN FUSION, ET DANS LA REGION DE LA SURFACE CORRESPONDANT A PEU PRES A LA DIMENSION DE LA PLAQUE QU'ON VEUT OBTENIR, ON INTRODUIT DES GERMES CRISTALLINS D'ENSEMENCEMENT, ON LAISSE REFROIDIR LA MEME REGION DE LA SURFACE JUSQU'A SOLIDIFICATION, LE REFROIDISSEMENT ETANT PRINCIPALEMENT PROVOQUE PAR RAYONNEMENT DE CHALEUR, ET ON SEPARE LA PLAQUE SOLIDIFIEE DE LA MASSE EN FUSION. L'APPAREILLAGE UTILISE COMPREND UN MOULE DE CRISTALLISATION 12 ASSOCIE A UN DISPOSITIF DE TRANSPORT 13 QUI PRESENTE DES SAILLIES EN FORME DE BEC OU D'EPINE. PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PLATES FROM A MELTED SEMICONDUCTOR MATERIAL AND APPARATUS FOR IMPLEMENTING THE PROCESS. IN THE SEMICONDUCTOR MELTING MATERIAL, AND IN THE REGION OF THE SURFACE CORRESPONDING TO ABOUT THE DIMENSION OF THE PLATE WE WANT TO OBTAIN, CRYSTALLINE SEEDING GERMS ARE INTRODUCED, THE SAME AREA OF THE SURFACE IS ALLOWED TO COOL UNTIL SOLIDIFICATION, THE COOLING IS PRIMARILY CAUSED BY HEAT RADIATION, AND THE SOLIDIFIED PLATE IS SEPARATED FROM THE MELTING MASS. THE APPARATUS USED INCLUDES A CRYSTALLIZATION MOLD 12 ASSOCIATED WITH A TRANSPORT DEVICE 13 WHICH SHOWS BEC OR SPINE-SHAPED protrusions.

Process for the production of silicon or germanium

Method of purifying metallurgical-grade silicon

METHOD OF PURIFYING METALLURGICAL-GRADE SILICON ABSTRACT OF THE DISCLOSURE A method of purifying metallurgical-grade silicon for the production of silicon solar cells is provided, in which metallurgical-grade silicon is dissolved in aluminum and brought into contact with an aluminum sulphide extraction melt. Thereafter, the silicon is crystallized out and separated off by cooling the melt to a minimum temperature of 600°C. The aluminum melt remaining can then be recharged with silicon, heated, brought into contact with the extraction melt, so that additional silicon can be crystallized out.

Piezoelectric transducer with acceleration compensation

PROCESS FOR MANUFACTURING CHROME CORES SUITABLE FOR REFRACTORY PURPOSES

Process for applying a protective layer to shaped carbon bodies

PROCESS FOR APPLYING A PROTECTIVE LAYER SHAPED CARBON BODIES ABSTRACT OF THE DISCLOSURE The invention relates to the preparation of a material more favorably priced than the usual quartz crucible for use in the crucible-pulling of silicon according to Czechralski. To prevent reaction of the crucible wall with molten silicon, the surface of the shaped carbon body is coated by means of chemical vapor deposition first with a carbon-enriched silicon carbide layer and then with a carbon-enriched silicon nitride layer. The carbon-enriched silicon carbide layer is obtained by reacting a gaseous silicon compound with a gaseous carbon compound at a temperature of the shaped carbon body to be coated at 1250 to 1350°C while the carbon-enriched silicon nitride layer is obtained by reacting a gaseous organosilicon compound with ammonia at a temperature of the shaped carbon body of 1000 to 1200°C.

Process for the deposition of high-melting contact metal layers at low temperatures

Semicontinuous process for the manufacture of pure silicon

Pure silicon is obtained in a cyclic process by reducing quartz sand with aluminum; the finely divided quartz is dissolved in an aluminum sulphide slag and is reduced by molten aluminum. The molten aluminum also serves as a solvent for the elemental silicon which crystallizes out and precipitates as the temperature falls. Aluminum oxide formed during the reduction is extracted from the slag and passed on for melt electrolysis in order to recover the aluminum.

Verfahren zum herstellen eines hoeheren dotierungsgrades in halbleitermaterialien, als ihn die loeslichkeit eines fremdstoffes im halbleitermaterial zulaesst

Verfahren zur Herstellung regenerierfähiger elektrischer Kondensatoren

Verfahren zur Entfluorierung von Phosphorsäure-Abfallgips

Fotografische Kamera

Hohlkörper aus Quarzglas, insbe sondere rohrformiger Quarzglaskorper, zur Verwendung bei unter hohen Temperaturen durchzuführenden Herstellungsverfahren fur Halbleiterbauelemente

Wandförmige Installationseinrichtung für Laboratorien

Goldlegierung als werkstoff fuer elektrische kontakte

Verfahren zur kapazitatsarmen Kon taktierung von Halbleiterbauelementen bzw Bauelementen in integrierten Schaltungen

Verfahren zur Herstellung von keramikfreien Graphitschreibrmnen

Verfahren zur herstellung eines katalysatortraegers zur entgiftung von abgasen

Verfahren und Vorrichtung zum dichten Verbinden eines Behältermantels aus thermoplastischem Kunststoff mit einem Bodenoder Deckelteil aus thermoplastischem Kunststoff mittels Ultraschall

Verfahren zur katalytischer! Herstellung von Melamin

Verfahren zur Getterung schnell diffundierender Verunreinigungen in Halbleiterkristallen

Visuell und maschinell lesbare Zeichen

Verfahren zum Herstellen von Kristallstaeben aus hochreinen halbleitenden Stoffen

Verfahren zur Herstellung regenerier fähiger elektrischer Kondensatoren

Verfahren zur herstellung regenerierfaehiger elektrischer kondensatoren

Method of producing highly pure arsenic trichloride

Versuchsanlage zur einzel- oder mehrfachbeschichtung und trocknung von papier- oder folienbahnen

Polycarbamoylamidrazone

Fotografische Kamera

Lasergeraet fuer den einsatz in schlagwetter- oder explosionsgefaehrdeten betrieben

Vorrichtung in schreibmaschinen und aehnlichen maschinen zum abdrucken von typen, welche auf einem entlang der zeile wandernden typentraeger angeordnet sind

Vorrichtung in Schreibmaschinen und ähnlichen Maschinen zum Abdrucken von Typen, welche auf einem entlang der Zeile wandernden Typenträger angeordnet sind

Vorrichtung in Schreibmaschinen und ähnlichen Maschinen zum Abdrucken von Typen, welche auf einem entlang der Zeile wandernden Typenträger angeordnet sind

Verfahren zur herstellung von trennduesenteilen und mit diesen teilen hergestellte trennduesen

Selektionseinrichtung für monolithisch integrierte Speicheranordnungen

Verfahren und Schaltungsanordnung zum Betreiben eines Informationsspeichers

Verfahren zum Aufkonzentrieren von Elektrolysesole bei der Alkalichlorid-Elektrolyse

Mittel zum entschwefeln von eisenschmelzen

Schaltungsanordnung zur dynamischen Zuteilung von Rechenzeit

Verfahren zum Verschließen von Behal tern aus sprödem Material durch metallische Verschlußteile

Verfahren zur Herstellung von magnesiumhaltigen Vorlegierungsblöcken

Verfahren zum Herstellen eines eine Querschnittsverminderung aufweisenden Halbleiterkoerpers fuer Halbleiteranordnungen

Verfahren zur katalytischen herstellung von melamin

Diode mit einer Metall-Halbleiter-Sperrschicht

Synergistisch wirkendes mittel zur unkrautbekaempfung in getreide

Vorrichtung zur Herstellung eines Flachglasbandes nach dem Floatverfahren Ausscheidung aus 1596418

Basisch substituierte chromane und verfahren zu deren herstellung

Verfahren zur knitterfestausruestung von cellulosehaltigen textilmaterialien

Basisch substituierte Chromane und Verfahren zu deren Herstellung

Verfahren zum Herstellen von insbesondere einkristallinem Silicium

Anordnung zum kuehlen eines lasers

Verfahren zur herstellung von magnesiumhaltigen vorlegierungsbloecken

Dynamisches Verfahren zur Minderung oder Beseitigung des Granulationseffektes bei Laserstrahlprojektionsverfahren

Verfahren zur herstellung von magnetogrammtraegern

Fremgangsmaate ved rensing av silicium

Verschlußelement für die Durchlaßöffnungen in Böden von Stoffaustauschkolonnen

Trockenvorrichtung an Maschinen zum Beschichten von Trägerbahnen, insbesondere mit fotographischen Emulsionen

Trockenvorrichtung an Maschinen zum Beschichten von Trägerbahnen, insbesondere mit foto graphischen Emulsionen

Verfahren zur Herstellung von Trenndüsenteilen und mit diesen Teilen hergestellte Trenndüsen

Temperaturmeßvorrichtung in der Beschickung eines Drehrohrofens

Verwendung einer vanadiumlegierung hoher zeitstandfestigkeit als kernreaktorwerkstoff

Verfahren zum Trennen eines kristallisierbaren Materials von in ihm in geringer Konzentration geloesten Verunreinigungen

Procede de production de semi-conducteurs dopes dans un systeme ferme, par croissance epitaxiale

L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS DOPES, PAR CROISSANCE EPITAXIALE D'UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE MONOCRISTALLINE DOPEE SUR UN SEMI-CONDUCTEUR. DANS UN RECIPIENT 1 ON DISPOSE DEUX DISQUES 2 ET 4, LE PREMIER 2 DEVANT RECEVOIR LA MATIERE 8 DE DOPAGE ET LE SECOND 4 ETANT CONSTITUE DE LA MATIERE SEMI-CONDUCTRICE A DOPER. ON SCELLE LE RECIPIENT, ON LE CHAUFFE DANS LE FOUR 10 POUR PROVOQUER UNE REACTION DE TRANSPORT, EN EVITANT LES ESPACES MORTS ENTRE LES DISQUES ET EN MAINTENANT UN GRADIENT DE TEMPERATURE D'AU MAXIMUM 1CMM ENTRE LES DISQUES. APPLICATION: PRODUCTION DE SILICIUM DOPE.

Procede de production de semi-conducteurs dopes dans un systeme ferme, par croissance epitaxiale

Process for making doped semiconductors

A process for making doped semiconductor bodies in thick sheets by epitaxial growth of a doped monocrystalline semiconductor layer on a substrate body by means of a transfer reaction, the transfer system being so arranged that dead spaces are avoided and that within the transfer system a gradient of maximally 1° C./mm is maintained. The invention makes it possible to obtain doped layers of larger thickness than heretofore known.

Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung

Verfahren zum Reinigen von Rohcyanurchlorid

Umlenkvorrichtung fuer einseitig beschichtete baender

Adresscodiertes uebermittlungssystem nach dem pulslage-modulationsverfahren

Verfahren zur Herstellung von Diphenyl propylamindenvaten

Schnelle Treiberschaltung mit Feldeffekttransistoren

Verfahren und schaltungsanordnung zum betreiben eines halbleiterspeichers

Signaluebertragungsanordnung fuer modulierte optische strahlung

Quarzglasrohr mit auf der aussenflaeche angebrachtem ueberzug zur verwendung bei temperaturen ueber 1000 grad c, insbesondere fuer die durchfuehrung halbleitertechnologischer verfahren

Stahl für Rollen und Walzen

Verfahren zur Herstellung von Kupfer phthalocyaninen

Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial

Verfahren zum Herstellen von mindestens zwei Halbleiterelementen aus einem einzigen scheibenförmigen Halbleiterkristall

Transistor zur Verstärkungsregelung, insbesondere Planar- oder Mesa-Transistor

Piezoelektrischer Druck-, Kraft- oder Beschleunigungsaufnehmer

Verfahren zur herstellung methanreicher gase durch katalytische spaltung von kohlenwasserstoffen

Verfahren zur Herstellung von Kupfer phthalocyaninen

Verfahren und Vorrichtung zur Bestim mung der Ungleichmäßigkeit von Textil fäden

Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der ungleichmaessigkeit von textilfaeden

Verfahren zum Herstellen einer Halb leiteranordnung

Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen transparenter Behälter, insbesondere Bierflaschen

Verfahren und vorrichtung zum pruefen transparenter behaelter, insbesondere bierflaschen

Spannverbindung für zwei sich überlappende Rinnenprofilsegmente eines Streckenausbaurahmens

Kuehlanordnung fuer feststofflaser

Verfahren zur Frequenzbandausdünnung und Kompression von Signalen in Nachrichtenübertragungssystemen

Phenylhydrazone von 1,2-dicarbonylverbindungen

Vorrichtung und Betriebsverfahren zum Reinigen und Vakuumentgasen von schmelz flussigen Metallen

Verfahren zur vermeidung von verkrustungen in den einer fluessig-harnstoffwaesche gasseitig nachgeschalteten tropfenabscheidern

Elektrode für Kochgerät