Kontaktstruktur und Verfahren zur Bildung

Kontaktstrukturen und Verfahren zur Bildung von Kontaktstrukturen werden durch diese Offenbarung vorgeschlagen. Eine Struktur schließt eine dielektrische Lage über einem Substrat, eine Adhäsionslage, ein Silizid, eine Barrierelage und ein leitfähiges Material ein. Die dielektrische Lage weist eine Öffnung zu einer Oberfläche des Substrats auf. Die Adhäsionslage liegt entlang von Seitenwänden der Öffnung vor. Das Silizid liegt auf der Oberfläche des Substrats vor. Die Barrierelage ist auf der Adhäsionslage und dem Silizid, und die Barrierelage grenzt direkt an das Silizid an. Das leitfähige Material liegt auf der Barrierelage in der Öffnung vor.