Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
28-05-2014 дата публикации

Semiconductor device driving unit with switchable gate impedance circuits

Номер: GB0002508129A
Автор: GIBSON RICHARD SAMUEL [GB], WAIN RICHARD MARK [GB], COTTELL ROBERT ANTHONY [GB], WILLIAMS ROBERT GWYN [GB], GIBSON RICHARD SAMUEL, WAIN RICHARD MARK, COTTELL ROBERT ANTHONY, WILLIAMS ROBERT GWYN, RICHARD SAMUEL GIBSON, RICHARD MARK WAIN, ROBERT ANTHONY COTTELL, ROBERT GWYN WILLIAMS
Принадлежит:

A drive circuit is disclosed for supplying a drive signal to the gate of a semiconductor switching device such as an IGBT or a MOSFET. The circuit comprises: a plurality of gate impedance circuits 40a, b, c and 42a, b, c selectably connectable to the gate of the semiconductor switching device 2, and a selector (e.g. a microprocessor 8, fig.1) to select one or more of the gate impedance circuits. The turn-on and turn-off times may be independently controlled. The micro-processor may control a number of gate impedance circuits for a plurality of devices 2. The associated method comprises selecting and connecting one or more of a plurality of gate circuits to the base of a switching device based on operating conditions and on stored data relating to the operating conditions. The components in the base drive circuit may thus be selected, in use, to provide or compensate for the cable length of an attached load, or to maintain relatively constant power loss in a switching device at different ...

Подробнее
Номер записи: 1
03-09-2014 дата публикации

Drive circuit for power transistor

Номер: GB0002511334A
Автор: GIBSON RICHARD SAMUEL [GB], GIBSON RICHARD SAMUEL, RICHARD SAMUEL GIBSON
Принадлежит:

A speed-up capacitor Ccontrol allows a rapid initial turn-on of an IGBT 4 so that the drain voltage initially falls quickly, thereby reducing transistor dissipation. As the speed-up capacitor becomes charged the gate drive current is reduced and the drain voltage then falls more slowly, thereby reducing interference. A speed-up capacitor may also be disposed in a turn-off circuit (C1, figure 3).

Подробнее
Номер записи: 2