Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 2. Отображено 2.
21-08-1975 дата публикации

n-Type gallium antimonide mfr - contg sulphur and excess gallium, and exhibiting relaxation of conductivity

Номер: DE0002408176A1
Автор: GOLUBEW LEW WASILJEWITSCH, SCHMARZEW JURIJ WASILJEWITSCH, WUL ALEXANDR JAKOWLEWITSCH, SCHARONOWA LARISA WASILJEWNA, WASILJEWITSCH GOLUBEW,LEW, WASILJEWITSCH SCHMARZEW,JURIJ, JAKOWLEWITSCH WUL,ALEXANDR, WASILJEWNA SCHARONOWA,LARISA
Принадлежит:

... n-Type gallium antimonide is produced by seed-crystallisation from a melt of GaSb using the Czochralski method to obtain a single crystal of GaSb contg. alloy additions. Seed crystallisation is undertaken from a melt of GaSb with a Ga addn. of 0.04-0.k wt.% in excess of the stoichiometric amt. of Ga in the GaSb, and with the addn. of 0.001-0.01 wt.% of sulphur. The object is to obtain n-type GaSb (S) which exhibits relaxation of conductivity. Esp. used for the mfr. of tunnel diodes, and other electronic devices. When GaSb is cooled, e.g. to 90 degrees K, its specific electric resistance alters immediately to the equilibrium value at that temp. By using the invention, this alteration is delayed.

Подробнее
Номер записи: 1
11-12-1975 дата публикации

Multilayered semiconductor heterostructures crystallisation - on substrate from satd. gp. 3-gp. 5 cpd. soln. using directional current

Номер: DE0002426372A1
Автор: GOLUBEW LEW WASILJEWITSCH, KORNEJEW JEWGENIJ FJODOROWITSC, SCHMARZEW JURIJ WASILJEWITSCH, WASILJEWITSCH GOLUBEW,LEW, FJODOROWITSCH KORNEJEW,JEWGENIJ, WASILJEWITSCH SCHMARZEW,JURIJ
Принадлежит:

The process relates to the prodn. of a multi-layered semiconductor heterostructure (I) based on A111BV cpds. (in which A111 is a gp. III metal and BV is a gp. V metalloid) by crystallisation of layers of (I) on a substrate (II), f formed from a certain material made from the A111BV cpds. used to form (I), from a liquid zone of Ga or Bi previously satd. with A111BV cpds. used to form (I). Satn. of the liquid zones take splace from a source material, which supplies the liquid zone with a substance for crystallising the layers and consisting of A111BV cpds. The process comprises the use of a solid GaSb-AlSb soln. for crystallisation of the layers of (I) based on GaSb and AlSb cpds. and crystal growth under the influence of direct current (d.c.) impulses passing through the source material, the liquid zone and (II) in a direction providing for crystallisation of layers on (II) by dissoln. of the source material in the liquid zone, 2 layers of (I) crystallising when a current impulse is passed ...

Подробнее
Номер записи: 2