METHOD FOR MANUFACTURING A CONNECTING CONTACT FOR AN ELECTRODE OF AN ELECTROCHEMICAL STORE, METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTROCHEMICAL STORE, AND ELECTROCHEMICAL STORE

In a method for manufacturing a connecting contact for an electrode of an electrochemical store, the electrode having a first material, a contact element made of a second material is provided, the contact element having a section coated using the first material, and the coated section is electrically and mechanically connected to the electrode to manufacture the connecting contact. 1. A method for manufacturing a connecting contact for an electrode of an electrochemical store , wherein the electrode has a first material , the method comprising:providing a contact element made of a second material, the contact element having a section coated using the first material; andelectrically and mechanically connecting the coated section of the contact element to the electrode, to manufacture the connecting contact.2. The method as recited in claim 1 , wherein the first material includes copper and the second material includes aluminum.3. The method as recited in claim 2 , wherein in the step of electrically and mechanically connecting claim 2 , the coated section of the contact element is connected to the electrode in an ultrasonic welding process.4. A method for manufacturing an electrochemical store claim 2 , comprising:providing an electrochemical storage element which includes a first electrode, a second electrode, and a separator situated between the first electrode and the second electrode, the first electrode having a first material and the second electrode having a second material;providing a first contact element for connecting the first electrode to a circuit and a second contact element for connecting the second electrode to the circuit, the first contact element and the second contact element having the second material;coating at least one section of the first contact element using the first material; andelectrically and mechanically connecting the coated section of the first contact element to the first electrode, and electrically and mechanically connecting the ...

Method for Producing Structured Sintered Connection Layers, and Semiconductor Element Having a Structured Sintered Connection Layer

A method for producing a sinter layer connection between a substrate and a chip resulting in an electric and thermal connection therebetween and in reduced mechanical tensions within the chip. The method produces a sinter layer by applying a multitude of sinter elements of a base material forming the sinter layer in structured manner on a contact area of a main surface of a substrate; placing a chip to be joined to the substrate on the sinter elements; and heating and compressing the sinter elements to produce a structured sinter layer connecting the substrate and chip and extending within the contact area, the surface coverage density of the sinter elements on the substrate in a center region of the contact area being greater than the surface coverage density of the sinter elements in an edge region of the contact area, and at least one through channel, extending laterally as to the substrate's main surface being provided towards the contact area's edge. A large-area sinter element is situated in the contact area's center region, and circular sinter elements is situated in a contact area edge region. The sinter elements may also have notches. Also described is a related device. 110-. (canceled)11. A method for producing a sinter layer , the method comprising:applying a multitude of sinter elements of a base material forming the sinter layer in structured manner on a contact area of a main surface of a substrate;placing a chip to be connected to the substrate on the sinter elements; andheating and compressing the sinter elements to produce a structured sinter layer which extends within the contact area and connects the substrate and the chip;wherein the surface coverage density of the sinter elements on the substrate in a center region of the contact area is greater than the surface coverage density of the sinter elements in an edge region of the contact area, andwherein at least one through channel, which extends laterally to the main surface of the substrate, is ...

LAYERED COMPOSITE OF A SUBSTRATE FILM AND OF A LAYER ASSEMBLY COMPRISING A SINTERABLE LAYER MADE OF AT LEAST ONE METAL POWDER AND A SOLDER LAYER

The invention relates to a layered composite (), in particular for connecting electronic components as joining partners, comprising at least one substrate film () and a layer assembly () applied to the substrate film. The layer assembly comprises at least one sinterable layer (), which is applied to the substrate film () and which contains at least one metal powder, and a solder layer () applied to the sinterable layer (). The invention further relates to a method for forming a layered composite, to a circuit assembly containing a layered composite () according to the invention, and to the use of a layered composite () in a joining method for electronic components. 110111213111413. A layer composite () , which comprises at least one support film () and a layer arrangement applied thereto comprising at least one sinterable layer () which has been applied to the support film () and contains at least one metal powder and a solder layer () applied to the sinterable layer ().214. The layer composite as claimed in claim 1 , characterized in that the material of the solder layer () is selected from the group consisting of SnCu claim 1 , SnAg claim 1 , SnAu claim 1 , SnBi claim 1 , SnNi claim 1 , SnZn claim 1 , SnIn claim 1 , SnIn claim 1 , CuNi claim 1 , CuAg claim 1 , AgBi claim 1 , ZnAl claim 1 , BiIn claim 1 , InAg claim 1 , InGa and ternary or quaternary alloys of a mixture thereof.314. The layer composite as claimed in claim 1 , characterized in that the solder layer () is formed by a reactive solder consisting of a mixture of a base solder with an AgX claim 1 , CuX or NiX alloy claim 1 , where the component X of the AgX claim 1 , CuX or NiX alloy is selected from the group consisting of B claim 1 , Mg claim 1 , Al claim 1 , Si claim 1 , Ca claim 1 , Se claim 1 , Ti claim 1 , V claim 1 , Cr claim 1 , Mn claim 1 , Fe claim 1 , Co claim 1 , Ni claim 1 , Cu claim 1 , Zn claim 1 , Ga claim 1 , Ge claim 1 , Y claim 1 , Zr claim 1 , Nb claim 1 , Mo claim 1 , Ag claim 1 , In ...

LAMINATED COMPOSITE MADE UP OF AN ELECTRONIC SUBSTRATE AND A LAYER ARRANGEMENT COMPRISING A REACTION SOLDER

Laminated composite () comprising at least one electronic substrate () and an arrangement of layers () made up of at least a first layer () of a first metal and/or a first metal alloy and of a second layer () of a second metal and/or a second metal alloy adjacent to this first layer (), wherein the melting temperatures of the first and second layers are different, and wherein, after a thermal treatment of the arrangement of layers (), a region with at least one intermetallic phase () is formed between the first layer and the second layer, wherein the first layer () or the second layer () is formed by a reaction solder which consists of a mixture of a basic solder with an AgX, CuX or NiX alloy, wherein the component X of the AgX, CuX or NiX alloy is selected from the group consisting of B, Mg, Al, Si, Ca, Se, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Y, Zr, Nb, Mo, Ag, In, Sn, Sb, Ba, Hf, Ta, W, Au, Bi, La, Ce, Pr, Nd, Gd, Dy, Sm, Er, Tb, Eu, Ho, Tm, Yb and Lu and wherein the melting temperature of the AgX, CuX or NiX alloy is greater than the melting temperature of the basic solder. The invention also relates to a method for forming a laminated composite () and to a circuit arrangement containing a laminated composite () according to the invention. 110112030203040. A laminated composite () comprising at least one electronic substrate () and a layer arrangement ( , ) including at least a first layer of at least one of a first metal and a first metal alloy and including a second layer , adjoining said first layer , of at least one of a second metal and a second metal alloy , wherein melting temperatures of the first layer and of the second layer are different , wherein , after the layer arrangement ( , ) has been subjected to a thermal treatment , a region with at least one intermetallic phase () is formed between the first layer and the second layer , wherein one of the first layer and the second layer is formed by a reaction solder which consists of a mixture of a ...

STRESS-MINIMISING ELECTRICAL THROUGH-CONTACT

The invention relates to a contact element () with a plug side () and a solder side () to be contacted with a circuit board or a carrier substrate. The contact element () is produced from an Al/Cu material composite (), the Cu portion () of which forms the plug side () and the Al portion () of which forms the solder side () of the contact element (). 110141610364214441610. A contact element () with a plug side () and a solder side () configured to be contacted with a circuit board or a carrier substrate , characterized in that the contact element () is produced from an Al/Cu material composite () , a Cu portion () of which forms the plug side () and an Al portion () of which forms the solder side () of the contact element ().2424446. The contact element according to claim 1 , characterized in that the Cu portion () and the Al portion () lie in a common claim 1 , horizontally extending plane ().342444850. The contact element according to claim 1 , characterized in that the Cu portion () and the Al portion () run in horizontal planes ( claim 1 , ) that are different from one another.4384244. The contact element according to claim 1 , characterized that a transition region () runs between the Cu portion () and the Al portion ().53852425444. The contact element according to claim 4 , characterized in that claim 4 , in the transition region () claim 4 , an arrow-shaped end () of the Cu portion () passes into a complementarily configured receptacle () of the Al portion ().636. The contact element according to claim 1 , characterized in that said contact element is punched out of the Al/Cu material composite ().710321214. The contact element according to claim 1 , characterized in that the contact element () comprises a plug-side geometry () in the form of plug pins () on the plug side () thereof.816341856. The contact element according to claim 1 , characterized in that the contact element claim 1 , on the solder side () thereof claim 1 , has a solder-side geometry () in ...

Press-in contact

The invention relates to an electrical contact, particularly designed as a press-in pin ( 16 ) for a circuit carrier ( 10 ). The press-in pin comprises at least one press-in zone ( 14 ) at which conductor traces ( 30 ) can be contacted. The press-in pin ( 16 ) is either made of solid aluminium material ( 36 ) or contains at least one aluminium material section ( 40 ) or is made of solid aluminium material ( 36, 46 ) with a copper jacket coating ( 48 ).

Laminated composite made up of an electronic substrate and a layer arrangement comprising a reaction solder

Laminated composite ( 10 ) comprising at least one electronic substrate ( 11 ) and an arrangement of layers ( 20, 30 ) made up of at least a first layer ( 20 ) of a first metal and/or a first metal alloy and of a second layer ( 30 ) of a second metal and/or a second metal alloy adjacent to this first layer ( 20 ), wherein the melting temperatures of the first and second layers are different, and wherein, after a thermal treatment of the arrangement of layers ( 20, 30 ), a region with at least one intermetallic phase ( 40 ) is formed between the first layer and the second layer, wherein the first layer ( 20 ) or the second layer ( 30 ) is formed by a reaction solder which consists of a mixture of a basic solder with an AgX, CuX or NiX alloy, wherein the component X of the AgX, CuX or NiX alloy is selected from the group consisting of B, Mg, Al, Si, Ca, Se, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Y, Zr, Nb, Mo, Ag, In, Sn, Sb, Ba, Hf, Ta, W, Au, Bi, La, Ce, Pr, Nd, Gd, Dy, Sm, Er, Tb, Eu, Ho, Tm, Yb and Lu and wherein the melting temperature of the AgX, CuX or NiX alloy is greater than the melting temperature of the basic solder. The invention also relates to a method for forming a laminated composite ( 10 ) and to a circuit arrangement containing a laminated composite ( 10 ) according to the invention.

Method for producing a composite body with sintered joining layer and sintering device for producing such a composite body

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers (10), insbesondere eines Verbundkörpers (10) zum Aufbau eines elektronischen Bauelements, der in einem fertiggestellten Zustand zumindest zwei stoffschlüssig miteinander verbundene Teilkörper (12, 14) umfasst, wobei der Stoffschluss durch zumindest eine in einer Fügerichtung (16) zwischen den Teilkörpern (12, 14) angeordnete Fügeschicht (18) herbeigeführt ist, die von einem gesinterten Werkstoff gebildet ist, gekennzeichnet durch folgende Schritte: a) Erstellen einer Anordnung der zumindest zwei Teilkörper (12, 14) und der in der Fügerichtung (16) zwischen den zumindest zwei Teilkörpern (12, 14) angeordneten, zumindest einen ungesinterten Fügeschicht (18) zu einem angeordneten Verbundkörper (10), b) Platzieren des angeordneten Verbundkörpers (10) in einen ersten Teilraum (36) einer im Wesentlichen gasdicht verschließbaren Sinterkammer (22) mit Kammerwänden (26) und einem im Wesentlichen gasundurchlässigen Raumteiler (32), der die Sinterkammer (22) in den ersten Teilraum (36) und zumindest einen zweiten Teilraum (38) aufteilt, in unmittelbarer Nähe des Raumteilers (32), wobei der Raumteiler (32) zumindest ein verformbares Teilelement (34) aufweist, dessen Position relativ zu den Kammerwänden (26) veränderbar ist, c) Herstellen einer positiven Raumdruckdifferenz zwischen dem zweiten Teilraum (38) und dem ersten Teilraum (36), und d) Erhitzen des angeordneten Verbundkörpers (10) zumindest bis auf eine als Sintertemperatur vorbestimmte Temperatur. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Sintervorrichtung zur Herstellung eines derartigen Verbundkörpers (10). The present invention relates to a method for producing a composite body (10), in particular a composite body (10) for constructing an electronic component, which comprises in a finished state at least two cohesively interconnected part bodies (12, 14), wherein the material connection by at least one in a joining direction (16) ...

Layered composite of a substrate film and of a layer assembly comprising a sinterable layer made of at least one metal powder and a solder layer

The invention relates to a layered composite (10), in particular for connecting electronic components as joining partners, comprising at least one substrate film (11) and a layer assembly (12) applied to the substrate film. The layer assembly comprises at least one sinterable layer (13), which is applied to the substrate film (11) and which contains at least one metal powder, and a solder layer (14) applied to the sinterable layer (13). The invention further relates to a method for forming a layered composite, to a circuit assembly containing a layered composite (10) according to the invention, and to the use of a layered composite (10) in a joining method for electronic components.

Stress-minimising electrical through-contact

The invention relates to a contact element (10) with a plug side (14) and a solder side (16) to be contacted with a circuit board or a carrier substrate. The contact element (10) is produced from an Al/Cu material composite (36), the Cu portion (42) of which forms the plug side (14) and the Al portion (44) of which forms the solder side (16) of the contact element (10).

Method of making a solder joint and circuit component

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Lötverbindung (1), bei dem ein elektronisches Bauteil (10) mit einem Schaltungsträger (11) verbunden wird, wobei die Lötverbindung (1) aus zwei unterschiedliche Schmelzpunkte aufweisenden Komponenten (18; 18a; 18b, 20) besteht, wobei eine erste Komponente (18; 18a; 18b) zumindest Metallpartikel und eine zweite Komponente (20) zumindest ein Lotmittel enthält. The invention relates to a method for producing a soldered connection (1), in which an electronic component (10) is connected to a circuit carrier (11), the soldered connection (1) comprising two components (18; 18a; 18b, 20) having different melting points ), wherein a first component (18; 18a; 18b) contains at least metal particles and a second component (20) contains at least one solder.

Method for fabricating a semiconductor component with a structured sintered connection layer and semiconductor component with a structured sintered connection layer

Layer composite of a carrier film and a layer arrangement comprising a sinterable layer of at least one metal powder and a solder layer

Die Erfindung betrifft einen Schichtverbund (10), insbesondere zum Verbinden von elektronischen Bauteilen als Fügepartner, umfassend mindestens eine Trägerfolie (11) und eine darauf aufgebrachte Schichtanordnung (12) umfassend mindestens eine auf die Trägerfolie (11) aufgebrachte, sinterbare Schicht (13) enthaltend mindestens ein Metallpulver und eine auf die sinterbare Schicht (13) aufgebrachte Lotschicht (14). Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Ausbildung eines Schichtverbunds, eine Schaltungsanordnung enthaltend einen erfindungsgemäßen Schichtverbund (10) sowie die Verwendung eines Schichtverbunds (10) in einem Fügeverfahren für elektronische Bauteile. The invention relates to a layer composite (10), in particular for joining electronic components as joining partners, comprising at least one carrier film (11) and a layer arrangement (12) applied thereto comprising at least one sinterable layer (13) applied to the carrier film (11) at least one metal powder and a solder layer (14) applied to the sinterable layer (13). The invention further relates to a method for forming a layer composite, a circuit arrangement comprising a layer composite (10) according to the invention and the use of a layer composite (10) in a joining method for electronic components.

Control unit and method for manufacturing a control unit

Es wird eine Steuergeräteeinheit (10), insbesondere für eine Getriebesteuerung in einem Kraftfahrzeug, vorgeschlagen, wobei die Steuergeräteeinheit (10) folgendes umfasst: eine Leiterplatte (20) mit auf der Leiterplatte (20) angeordneten elektrischen Bauelementen (21-27), ein Vergussmaterial (30), das die Leiterplatte (20) zumindest teilweise und zumindest einen Teil der elektrischen Bauelemente (21-27) flüssigkeitsdicht gegenüber der Umgebung abdichtet, und einen Kühlkörper (40) zum Ableiten von Wärme von der Leiterplatte (20) und/oder den elektrischen Bauelementen (21-27), wobei das Vergussmaterial (30) den Kühlkörper (40) kontaktiert, dadurch gekennzeichnet, dass der Kühlkörper (40) als Aufnahmewanne zum Aufnehmen des vor einem Aushärten flüssigen Vergussmaterials (30) ausgebildet ist. A control unit (10), in particular for a transmission control in a motor vehicle, is proposed, the control unit (10) comprising the following: a printed circuit board (20) with electrical components (21-27) arranged on the printed circuit board (20), a potting material (30), which seals the circuit board (20) at least partially and at least some of the electrical components (21-27) in a liquid-tight manner from the environment, and a heat sink (40) for dissipating heat from the circuit board (20) and / or the electrical components (21-27), the potting material (30) making contact with the cooling body (40), characterized in that the cooling body (40) is designed as a receiving trough for receiving the potting material (30) which is liquid before curing.

Schaltungsbauteil und Einrichtung zur Wärmeabfuhr an einem Schaltungsbauteil

Schaltungsbauteil (10), mit einem aus Metall, insbesondere aus Kupfer bestehenden Schaltungsträger (11), mit wenigstens einem auf dem Schaltungsträger (11) angeordneten und mit dem Schaltungsträger (11) elektrisch leitend verbundenen elektronischen Bauelement (1), mit einer den Schaltungsträger (11) und das wenigstens eine elektronische Bauelement (1) umgebenden, aus Kunststoff bestehenden Umhüllung (15), wobei eine im Bereich der Ober- und der Unterseite des Schaltungsträgers (11) auf der Umhüllung (15) angeordneten metallischen Schicht (16, 17), insbesondere aus Kupfer bestehend, wobei zumindest eine der metallischen Schichten (16, 17) mit einer Korrosionsschutzschicht (21, 22) versehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Korrosionsschutzschicht (21, 22) aus Aluminium besteht.

Schablone für eine Beschichtungsvorrichtung zum Aufbringen eines fließfähigen Beschichtungsmaterials auf eine Oberfläche, Druckeinrichtung sowie Verwendung einer Schablone zum Aufbringen eines fließfähigen Beschichtungsmaterials auf eine Oberfläche

Die Erfindung betrifft eine Schablone (100) für eine Beschichtungsvorrichtung, insbesondere eine Rakelvorrichtung (30), zum Aufbringen eines fließfähigen Beschichtungsmaterials (5), insbesondere einer Suspension, einer Paste und/oder eines Pulvers, auf eine Oberfläche (6), mit wenigstens einer Aussparung (110) zum Aufnehmen des fließfähigen Beschichtungsmaterials (5), wobei die Aussparung (110) durch einen Rand (120) lateral begrenzt ist, wobei der Rand (120) durch eine untere, den Rand (120) an einer Unterseite (150) der Schablone (100) umlaufenden Kante (130) und durch eine obere, den Rand (120) an einer Oberseite (155) der Schablone (100) umlaufenden Kante (135) gebildet wird, wobei der Rand (120) wenigstens bereichsweise entlang eines Verlaufs, insbesondere der unteren Kante (130) und/oder der oberen Kante (135), texturiert ist und/oder die untere Kante (130) wenigstens bereichsweise einen lateralen Versatz zu der oberen Kante (135) aufweist.

Elektronische Baugruppe und Verfahren zur Herstellung der elektronischen Baugruppe

Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektronische Baugruppe (1), vorzugsweise ausgebildet als Steuergerät, umfassend eine Leiterplatte (2), zumindest ein auf der Leiterplatte (2) angeordnetes elektronisches Bauelement (3), eine die Leiterplatte (2) und das zumindest eine Bauelement (3) abdeckende Schutzlackschicht (4), und eine auf der Leiterplatte (2) angeordnete Entlastungsstruktur (5) mit zumindest einem Steg (6), wobei zwischen Anteilen des einen Steges (6) und/oder zwischen benachbarten Stegen (6) Freiräume (7) verbleiben, und wobei die Schutzlackschicht (4) lediglich in den Freiräumen (7) angeordnet ist, oder wobei die Schutzlackschicht (4) in den Freiräumen (7) und auf der Entlastungsstruktur (5) angeordnet ist.

Elektronikeinheit und verfahren zum herstellen derselben

Die Erfindung betrifft eine Elektronikeinheit (10). Die Elektronikeinheit (10) umfasst eine mit wenigstens einem elektronischen Bauelement (3) und einer Leiterplattendirektkontaktierung (9) bestückte Leiterplatte (1), wobei die Leiterplatte (1) in einem Gehäuse (2) angeordnet ist, das mit einem wärmeleitenden Medium (7) befüllt ist. Es ist ein Verschlusspfropfen (8) vorgesehen, der aus einer Klebstoffschicht gebildet ist, und einen Kontaktbereich (4) mit der Leiterplattendirektkontaktierung (9) von einem Schaltungsbereich (5) mit dem mindestens einen elektronischen Bauelement (3) abgrenzt.

Rakelvorrichtung und Verfahren zum Aufbringen eines fließfähigen Beschichtungsmaterials auf eine Substratoberfläche und/oder in offene Bereiche einer Schablone, sowie Druckeinrichtung

Die Erfindung betrifft eine Rakelvorrichtung (30) zum Aufbringen eines fließfähigen Beschichtungsmaterials (5), insbesondere einer Paste und/oder eines Pulvers auf eine Substratoberfläche (6) und/oder in offene Bereiche (94) einer Schablone (92), umfassend eine erste Rakel (40) mit einer im Wesentlichen länglichen, sich entlang einer ersten Hauptachse (42) erstreckenden Form, wobei die erste Hauptachse (42) der ersten Rakel (40) parallel zu der Substratoberfläche (6) ausgerichtet ist, wobei die Rakelvorrichtung (30) eingerichtet ist, das Beschichtungsmaterial (5) durch eine Bewegung der ersten Rakel (40) unter einem einstellbaren Winkel, insbesondere senkrecht, zu der ersten Hauptachse (42) und parallel zu der Substratoberfläche (6) auf der Substratoberfläche (6) und/oder innerhalb der offenen Bereiche (94) der Schablone (92), insbesondere homogen und/oder gleichmäßig, zu verteilen, wobei die Rakelvorrichtung (30) wenigstens eine weitere, insbesondere zweite, Rakel (50) mit einer im Wesentlichen länglichen, sich entlang einer weiteren Hauptachse (52) erstreckenden Form aufweist, wobei die weitere Hauptachse (52) der weiteren Rakel (50) parallel zu der Substratoberfläche (6) ausgerichtet ist und wobei die Rakelvorrichtung (30) eingerichtet ist, durch eine Bewegung der weiteren Rakel (50) unter einem einstellbaren Winkel, insbesondere senkrecht, zu der weiteren Hauptachse (52) und parallel zu der Substratoberfläche (6) Unebenheiten (7) auf einer Oberfläche (10) des verteilten Beschichtungsmaterials (5) und/oder Fehlstellen (8) des Beschichtungsmaterials (5) auszugleichen.

Rakelvorrichtung zum Aufbringen eines fließfähigen Beschichtungsmaterials auf eine Oberfläche, Druckeinrichtung sowie Verfahren zum Aufbringen eines fließfähigen Beschichtungsmaterials auf eine Oberfläche

Die Erfindung betrifft eine Rakelvorrichtung (30) zum Aufbringen eines fließfähigen Beschichtungsmaterials (5), insbesondere einer Paste und/oder eines Pulvers, auf eine Oberfläche (6), umfassend wenigstens eine Rakel (40) mit einer im Wesentlichen länglichen, sich entlang einer Hauptachse (42) erstreckenden Form, wobei die Hauptachse (42) der Rakel (40) parallel zu der Oberfläche (6) ausgerichtet ist, wobei die Rakelvorrichtung (30) eingerichtet ist, das Beschichtungsmaterial (5) durch eine Bewegung der Rakel (40) entlang einer ersten Bewegungsrichtung (20) unter einem einstellbaren Winkel, insbesondere senkrecht, zu der Hauptachse (42) und parallel zu der Oberfläche (6) auf der Oberfläche (6), insbesondere homogen und/oder gleichmäßig, zu verteilen, dadurch gekennzeichnet, dass die Rakelvorrichtung (30) eingerichtet ist, die Rakel (40) mit einer Vibration und/oder einer Schwingung zu beaufschlagen.

Verfahren zum herstellen von strukturierten sinterverbindungsschichten und halbleiterbauelement mit strukturierter sinterverbindungsschicht

Eine grundlegende Idee der Erfindung ist es, eine Sinterschichtverbindung zwischen einem Substrat (11) und einem Chip (13) herzustellen, die sowohl eine gute elektrische und thermische Anbindung zwischen dem Substrat (11) und dem Chip (13) herstellt als auch mechanische Spannungen im Chip (13) vermindert. Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Sinterschicht (12), mit den Schritten des strukturiertes Aufbringens einer Vielzahl von Sinterelementen (22a, 22b, 22c) aus einem die Sinterschicht (12) ausbildenden Ausgangsmaterial auf einer Kontaktfläche (21) einer Hauptoberfläche (11a) eines Substrats (11), des Anordnens eines mit dem Substrat (11) zu verbindenden Chips (13) auf den Sinterelementen (22a, 22b, 22c), und des Erhitzens und Komprimierens der Sinterelemente (22a, 22b, 22c) zum Herstellen einer das Substrat (11) und den Chip (13) verbindenden strukturierten Sinterschicht (12), welche sich innerhalb der Kontaktfläche (21) erstreckt, wobei die Flächenbelegungsdichte der Sinterelemente (22a, 22b, 22c) auf dem Substrat (11) in einem Mittelbereich (21a) der Kontaktfläche (21)größer ist als die Flächenbelegungsdichte der Sinterelemente (22a, 22b, 22c) in einem Randbereich (21c) der Kontaktfläche (21), und wobei von jedem der Sinterelemente (22a, 22b, 22c) mindestens ein lateral zur Hauptoberfläche (11a) des Substrats (11) verlaufender Durchgangskanal (23) zum Rand der Kontaktfläche (21) besteht. Es können im Mittelbereich (21a) der Kontaktfläche (21) ein großflächiges Sinterelement (22a) und in einem Randbereich (21c) der Kontaktfläche (21) eine Vielzahl von beispielsweise kreisförmigen Sinterelementen (22c) angeordnet sein. Die Sinterelemente (22a, 22b, 22c) können auch Einkerbungen (24) aufweisen. Die Erfindung betrifft auch eine entsprechende Vorrichtung (10, 10', 10").

Verfahren und vorrichtung zum festlegen eines eine elektrische schaltung oder dergleichen aufweisenden flächensubstrats in einer einbauposition

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Festlegen eines eine elektrische Schaltung oder dergleichen aufweisenden Flächensubstrats in einer Einbauposition an einem Einbauelement, wobei ein Haltemittel das Flächensubstrat zur Festlegung beaufschlagt. Es ist vorgesehen, dass als Haltemittel ein aktivierbares Ausdehnmittel verwendet wird. Die Erfindung betrifft weiter eine Vorrichtung, insbesondere zur Durchführung des Verfahrens, mit mindestens einem eine elektrische Schaltung (5) oder dergleichen aufweisenden Flächensubstrat (4), das in einer Einbauposition an einem Einbauelement (1) festgelegt ist, wobei ein Haltemittel (20) das Flächensubstrat (4) zur Festlegung beaufschlagt. Hierbei ist vorgesehen, dass das Haltemittel (20) als aktivierbares Ausdehnmittel (21) ausgebildet ist.

Verfahren und vorrichtung zum festlegen eines eine elektrische schaltung oder dergleichen aufweisenden flächensubstrats in einer einbauposition

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Festlegen eines eine elektrische Schaltung oder dergleichen aufweisenden Flächensubstrats in einer Einbauposition an einem Einbauelement, wobei ein Haltemittel das Flächensubstrat zur Festlegung beaufschlagt. Es ist vorgesehen, dass als Haltemittel ein aktivierbares Ausdehnmittel verwendet wird. Die Erfindung betrifft weiter eine Vorrichtung, insbesondere zur Durchführung des Verfahrens, mit mindestens einem eine elektrische Schaltung (5) oder dergleichen aufweisenden Flächensubstrat (4), das in einer Einbauposition an einem Einbauelement (1) festgelegt ist, wobei ein Haltemittel (20) das Flächensubstrat (4) zur Festlegung beaufschlagt. Hierbei ist vorgesehen, dass das Haltemittel (20) als aktivierbares Ausdehnmittel (21) ausgebildet ist.

Method for producing structured sintered connection layers, and semiconductor element having a structured sintered connection layer

A method for producing a sinter layer connection between a substrate and a chip resulting in an electric and thermal connection therebetween and in reduced mechanical tensions within the chip. The method produces a sinter layer by applying a multitude of sinter elements of a base material forming the sinter layer in structured manner on a contact area of a main surface of a substrate; placing a chip to be joined to the substrate on the sinter elements; and heating and compressing the sinter elements to produce a structured sinter layer connecting the substrate and chip and extending within the contact area, the surface coverage density of the sinter elements on the substrate in a center region of the contact area being greater than the surface coverage density of the sinter elements in an edge region of the contact area, and at least one through channel, extending laterally as to the substrate's main surface being provided towards the contact area's edge. A large-area sinter element is situated in the contact area's center region, and circular sinter elements is situated in a contact area edge region. The sinter elements may also have notches. Also described is a related device.

Method for manufacturing a connecting contact for an electrode of an electrochemical store, method for manufacturing an electrochemical store, and electrochemical store

In a method for manufacturing a connecting contact for an electrode of an electrochemical store, the electrode having a first material, a contact element made of a second material is provided, the contact element having a section coated using the first material, and the coated section is electrically and mechanically connected to the electrode to manufacture the connecting contact.

Press-in contact

The invention relates to an electrical contact, particularly designed as a press-in pin ( 16 ) for a circuit carrier ( 10 ). The press-in pin comprises at least one press-in zone ( 14 ) at which conductor traces ( 30 ) can be contacted. The press-in pin ( 16 ) is either made of solid aluminum material ( 36 ) or contains at least one aluminum material section ( 40 ) or is made of solid aluminum material ( 36, 46 ) with a copper jacket coating ( 48 ).