14-08-2014 дата публикации
Номер: DE102013226544A1
Eine Halbleitervorrichtung enthält ein Metallsubstrat (11), Halbleiterelemente (30, 32), Drähte (35, 36, 37, 38), einen Steueranschluss (40), einen Hauptelektrodenanschluss (42), ein Steuersubstrat (44), eine Abdeckung (45), ein Dichtungsharz (50), ein Gehäuse (20) und einen Isolator (18). Das Metallsubstrat (11) enthält eine Metallplatte (12), eine Isolierschicht (14), die auf der oberen Oberfläche der Metallplatte (12) ausgebildet ist, und Elektrodenmuster (16), die auf der Isolierschicht (14) vorgesehen sind. Die Halbleiterelemente (30, 32) sind durch Lötmittel an unterschiedlichen der Elektrodenmuster (16) befestigt. Das Dichtungsharz (50) dichtet die Komponenten innerhalb des Gehäuses (20) wie etwa die Halbleiterelemente (30, 32) ab. Der Isolator (18) bedeckt einen Abschnitt der Oberfläche der Isolierschicht (14) und wenigstens einen Abschnitt des Rands jedes Elektrodenmusters (16). A semiconductor device includes a metal substrate (11), semiconductor elements (30, 32), wires (35, 36, 37, 38), a control terminal (40), a main electrode terminal (42), a control substrate (44), a cover (45). , a sealing resin (50), a housing (20) and an insulator (18). The metal substrate (11) includes a metal plate (12), an insulating layer (14) formed on the upper surface of the metal plate (12), and electrode patterns (16) provided on the insulating layer (14). The semiconductor elements (30, 32) are fixed to different ones of the electrode patterns (16) by solder. The sealing resin (50) seals the components within the housing (20), such as the semiconductor elements (30, 32). The insulator (18) covers a portion of the surface of the insulating layer (14) and at least a portion of the edge of each electrode pattern (16).
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