ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

The electronic device includes a substrate, a first electrode formed over a surface of the substrate, a second electrode located on an opposite side of the first electrode from the substrate so as to face the first electrode, and a functional layer interposed between the first electrode and second electrode and formed by means of anodizing a first polycrystalline semiconductor layer in an electrolysis solution so as to contain a plurality of semiconductor nanocrystals. The electronic device further includes a second polycrystalline semiconductor layer interposed between the first electrode and the functional layer so as to be in close contact with the functional layer. The second polycrystalline semiconductor layer has an anodic oxidization rate in the electrolysis solution lower than that of the first polycrystalline semiconductor layer so as to function as a stop layer for exclusively anodizing the first polycrystalline semiconductor layer. 1. An electronic device comprising:a substrate;a first electrode formed over a surface of said substrate;a second electrode located on an opposite side of said first electrode from said substrate so as to face said first electrode; anda functional layer interposed between said first electrode and said second electrode, and formed by means of anodizing a first polycrystalline semiconductor layer in an electrolysis solution so as to contain a plurality of semiconductor nanocrystals,wherein said electronic device further comprises a second polycrystalline semiconductor layer interposed between said first electrode and said functional layer so as to be in close contact with said functional layer, said second polycrystalline semiconductor layer having an anodic oxidization rate in the electrolysis solution lower than that of said first polycrystalline semiconductor layer so as to function as a stop layer for exclusively anodizing said first polycrystalline semiconductor layer.2. An electronic device as set forth in claim 1 , ...

Production of liquid crystal display element

Manufacture of liquid crystal display element

Electrode for channel type electron multiplier

Light-emitting element, light-emitting device and information display

A light-emitting device has a structure in which a semiconductor or a conductive substrate having a bottom electrode, a layer for generating hot electrons, quasi-ballistic electrons or ballistic electrons, a luminous layer, and a semitransparent surface electrode are deposited, or a structure in which a holes supply layer is provided between the luminous layer and the semitransparent surface electrode having the same structure. The light-emitting device realizes highly efficient light emission in a range from infrared rays to ultraviolet ray with smaller driving current than that of conventional injection-type or intrinsic EL devices.

Silicon-based blue-green phosphorescent material of which luminescence peak can be controlled by excitation wavelength and process for producing silicon-based blue-green phosphorescent material

Provided is a silicon-based blue phosphorescent material having a longer luminescence lifetime, a high luminescence intensity, and excellent long-term stability and reproducibility. A method for producing a silicon-based blue-green phosphorescent material controllable by an excitation wavelength, which comprises a first step of anodizing the surface of silicon to prepare a nanocrystal silicon or a nanostructure silicon, a second step of processing the nanocrystal silicon or the nanostructure silicon prepared in the first step for rapid thermal oxidation, and a third step of processing the nanocrystal silicon or nanostructure silicon having been processed for rapid thermal oxidation in the second step, for high-pressure water vapor annealing. Further, a silicon-based blue-green phosphorescent material controllable by an excitation wavelength, which comprises a silicon oxide film in which numerous nanoscale crystal silicon or nanostructure silicon embedded therein, and which has a transition property between molecular energy levels through triplet excitons having a relaxation time of not shorter than 1 ms, or luminescence transition through quasi-stable excitation or trap having a relaxation time of not shorter than 1 ms.

Electronic device and method for manufacturing same

The electronic device includes a substrate, a first electrode formed over a surface of the substrate, a second electrode located on an opposite side of the first electrode from the substrate so as to face the first electrode, and a functional layer interposed between the first electrode and second electrode and formed by means of anodizing a first polycrystalline semiconductor layer in an electrolysis solution so as to contain a plurality of semiconductor nanocrystals. The electronic device further includes a second polycrystalline semiconductor layer interposed between the first electrode and the functional layer so as to be in close contact with the functional layer. The second polycrystalline semiconductor layer has an anodic oxidization rate in the electrolysis solution lower than that of the first polycrystalline semiconductor layer so as to function as a stop layer for exclusively anodizing the first polycrystalline semiconductor layer.

Field emission-type electron source and manufacturing method thereof and display using the electron source

A field emission type electron source 10 is provided with an n-type silicon substrate 1, a strong field drift layer 6 formed on the n-type silicon substrate 1 directly or inserting a polycrystalline silicon layer 3 therebetween, and an electrically conductive thin film 7, which is a thin gold film, formed on the strong field drift layer 6. Further, an ohmic electrode 2 is provided on the back surface of the n-type silicon substrate 1. Hereupon, electrons, which are injected from the n-type silicon substrate 1 into the strong field drift layer 6, drift in the strong field drift layer 6 toward the surface of the layer, and then pass through the electrically conductive thin film 7 to be emitted outward. The strong field drift layer 6 is formed by making the polycrystalline silicon 3 formed on the n-type silicon substrate 1 porous by means of an anodic oxidation, and further oxidizing it using dilute nitric acid or the like.

Forming method and a forming apparatus of nanocrystalline silicon structure

A forming method and a forming apparatus of nanocrystalline silicon structure makes it possible to prepare a nanocrystalline silicon structure at a low temperature to have densely packed silicon crystal grains which are stably terminated and to effectively control the grain size in nanometer scale. A forming method and a forming apparatus of nanocrystalline silicon structure with oxide or nitride termination, carry out a first step of treating a surface of a substrate with hydrogen radical; a second step of depositing silicon crystals having a grain size of 10 nm or less by the thermal reaction of a silicon-containing gas; and a third step of terminating the surface of the silicon crystal with oxygen or nitrogen by using one of oxygen gas, oxygen radical and nitrogen radical.

Thermally excited sound wave generating device

NETWORK OF ELECTRONIC SOURCES BY FIELD ISSUANCE AND MANUFACTURING PROCEDURE OF THE SAME.

Una red de fuentes (10) electrónicas por emisión de campo que comprende un substrato eléctricamente conductor (1) que tiene una capa eléctricamente conductora (8) situada sobre una de las superficies principales de dicho substrato conductor; una capa de deriva de campo eléctrico intenso (6) formada sobre la citada capa conductora (8) de dicho substrato eléctricamente conductor (1), y electrodos de superficie (7) de una película delgada eléctricamente conductora formada sobre la capa de deriva de campo eléctrico intenso (6), en la que se inyectan electrones desde dicho substrato eléctricamente conductor (1) en la citada capa de deriva de campo eléctrico intenso (6) y son derivados y descargados a través de la citada película conductora delgada cuando se aplica, durante la actuación de la red, una tensión a través de dicha película conductora delgada y de dicha capa conductora (8) del citado substrato eléctricamente conductor (1), sirviendo la citada película conductora delgada como electrodo positivo, en la que dicha capa conductora (8) está formada por una pluralidad de bandas que se extienden en paralelo unas con otras a intervalos predeterminados sobre dicho substrato conductor (1), y la citada película conductora delgada (7) está formada por una pluralidad de bandas que se extienden en paralelo unas con otras a intervalos predeterminados de una manera que se enfrentan a, y que cruzan sobre, las bandas de dicha capa conductora (8) a través de la citada capa de deriva de campo eléctrico intenso (6), y en la que dicha capa de deriva de campo eléctrico intenso (6) es una capa semiconductora policristalina porosa (3) que ha sido sometida a oxidación o nitración, con regiones de dicha capa de deriva de campo eléctrico intenso (6) que están retenidas entre la citada capa conductora (8) y la citada película conductora delgada en puntos de intersección de las bandas de dicha capa conductora (8) y de dicha película conductora delgada, formando con ello una pluralidad de ...

Cold electron emission display device

A surface cold electron emission display device includes; a pair of an element-substrate and a transparent substrate sandwiching a vacuum space and facing to each other; plural ohmic electrodes disposed on the element-substrate parallel to each other; and plural cold electron emission elements made of semiconductor. Each cold electron emission element includes; a semiconductor layer formed on the ohmic electrode; a porous semiconductor layer formed on the semiconductor layer; and a metallic thin film electrode formed on the porous semiconductor layer to face the vacuum space. The device also includes; a plurality of bus electrodes formed on the metallic thin film electrodes for bridging and electrically connecting the adjacent metallic thin film electrodes and extending perpendicular to the ohmic electrodes; a plurality of collector electrode disposed on the transparent substrate parallel to each other for capturing emitted electrons from the metallic thin film electrode; and a fluorescent layer formed on the collector electrode.

Feldemissionselektronenquellenmatrix und deren herstellungsverfahren

シリコンウェーハの平坦化処理方法

【課題】陽極酸化法を用い、より短時間に、シリコンウェーハの面内全体を均一に平坦化することができ、シリコンウェーハの一主面に基準面を形成するシリコンウェーハの平坦化処理方法を提供する。【解決手段】シリコンウェーハＷを陽極とし、シリコンウェーハよりも大きな外形寸法を有する平坦化電極４を陰極として、平坦化電極を前記シリコンウェーハの一の主面に対向あるいは接触させ、電圧を印加し、シリコンウェーハの一の主面表面の前記凹凸上にポーラスシリコン層ＰＳを形成する一の主面陽極酸化工程と、平坦化電極４をシリコンウェーハの一の主面全面に接触させて、ポーラスシリコン層ＰＳを除去する工程と、シリコンウェーハの一の主面陽極酸化工程と前記ポーラスシリコン層ＰＳの除去工程を同時あるいは繰り返し、シリコンウェーハの一の主面表面を平坦化し、シリコンウェーハの一の主面に基準面を形成する基準面形成工程と、を備える。【選択図】図４

[UNK]

Feldemissionselektronenquelle

多孔質シリコン発光素子及びその製造方法

(57)【要約】 【課題】 発光強度の経時劣化を防止された多孔質シリ コン発光素子及びその方法を提供する。 【解決手段】 高濃度シリコン単結晶基板１の表面の一 部の領域を多孔質化して多孔質層２を形成し、その多孔 質層の領域の内側の領域に透明電極４を有し、さらに表 面に露出した単結晶シリコン、多孔質層、透明電極を電 子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）スパッタ堆積シリコン 酸化膜或いはシリコン窒化膜、或いは、電子サイクロト ロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ堆積シリコン酸化膜或いは シリコン窒化膜３が被覆する構造を特徴とし、前記膜を ２００℃の温度で作製する。 【効果】多 孔質シリコンの表面のダングリングボンド を終端している水素原子の脱離等の変化が防止でき、発 光強度の低下を防止することができる。

Verfahren zur herstellung einer feldemissions- elektronenquelle

帯電装置及びそれを用いた電子写真装置

(57)【要約】 【課題】 光導電性を有する被帯電物に対して、良好な 帯電能と共に、ＮＯｘ等の放電生成物の低減を実現する ことが可能な帯電装置及びそれを用いた電子写真装置を 提供することを目的とする。 【解決手段】 被帯電物１０に対向して設置されている 電子放出素子１４は、３．６０ｅＶ以上か１．３０ｅＶ 以下のエネルギーバンドギャップの半導体層１６及び薄 膜絶縁層１８と、薄膜絶縁層１８表面側に形成された薄 膜電極２０と、半導体層１６裏面側に形成された基板電 極２２とを有している。そして、直流電源２６により薄 膜電極２０にプラスの電圧を印加し、基板電極２２から 半導体層１６に注入された電子を高電界強度の薄膜絶縁 層１８において加速し、薄膜電極２０をトンネルして被 帯電物１０に向かわせる際に、バイアス電源２８による バイアス電圧を調整して、電子の運動エネルギーが２ ４．３ｅＶ未満になるようにする。

風向制御装置

【課題】小型化可能な風向制御装置を提供する。【解決手段】風向制御装置１は、風速制御部に対応する超音波素子４０を備える。超音波素子４０は、ブロワ１０から流れる風の流路２３を形成する配管２０の開口端２２が向く方向である開口方向Ｄｏに対して交差する方向Ｄｒに向かって、超音波を放射することにより、開口方向Ｄｏに流れる風の風速である第１風速Ｖ１および開口方向に対して交差する方向Ｄｒに流れる風の風速である第２風速Ｖ２を制御する。【選択図】図１

Silicon electron emitter

A high emission electron emitter and a method of fabricating a high emission electron emitter are disclosed. A high emission electron emitter 10 includes an election injection layer 1. an active layer of high porosity porous silicon material 3 in contact with the electron iniection layer 1, a contact layer of low porosity porous silicon material 5 in contact with the active layer 3 and including an interface surface 12 with a heavily doped region 8, and an optional top electrode 7 in contact with the contact layer 5. The contact layer 5 reduces contact resistance between the active layer 3 and the top electrode 7 and the heavily doped region 8 reduces resistivity of the contact layer 5 thereby increasing electron emission efficiency and stable electron emission from the top electrode 7. The electron injection layer 1 is made from an electrically conductive material such as n+ semiconductor, n+ single crystal silicon, a metal, a silicide, or a nitride. The active layer 3 and the contact layer 5 are formed in a layer of silicon material 6 that is deposited on the electron injection layer 1 and then electrochemically anodized in a hydrofluoric acid solution. Prior to the anodization. the interface surface 12 can be doped to form the heavily doped region 8. The layer of silicon material 8 can be porous epitaxial silicon, porous polysilicon, porous amorphous silicon, and porous silicon carbide.

ナノ結晶シリコンを用いた素子の作製方法および素子構造

【課題】 ナノ結晶シリコン領域を含む素子、特に、陽極酸化法によりナノ結晶シリコン領域を形成し、そのナノ結晶シリコン／バルク結晶シリコン境界部を渡って形成する薄膜を、高歩留かつ高信頼性で製造する方法を提供する。 【解決手段】 ナノ結晶シリコン／バルク結晶シリコン境界部を含む構造、およびそれを含む構造上に薄膜を形成する場合、境界部を形成する前にその境界部を（１１１）結晶面を主体とするテーパー構造にすることで、ナノ結晶シリコン／バルク結晶シリコン境界部をなめらかに形成し、その上に、金属、半導体、絶縁薄膜をクラックや切断などが発生しないように形成することを特徴とする。 【選択図】図１

放電点灯装置およびそれを用いた照明器具

【課題】放電ガスの種類、ガス圧、放電用電極の配置などの仕様に応じて放電開始電圧を低減できる放電点灯装置を提供する。 【解決手段】気密容器１内に封入されている放電ガスに電界を印加して放電プラズマを生成させるための一対の放電用電極であるアノード電極２ａおよびカソード電極２ｂと、気密容器１内に配置され放電ガス中へ電子を供給可能な電子源１０と、電子源１０から放出される電子の少なくとも一部について電子の初期エネルギと当該電子が上記電界により得るエネルギとの和が放電ガスの電離エネルギを超えるように電子源１０を制御する制御手段２０とを備える。 【選択図】図１

電子放出素子およびそれを用いた画像形成装置

上部電極（１６）と下部電極（１３）との間に半導体層（１４）が形成されている電子放出素子（１１）であって、前記半導体層（１４）の半導体表面に有機化合物を吸着させて有機化合物吸着層（１５）を形成させることを特徴とする電子放出素子（１１）である。ここで、前記半導体層（１４）は、シリコンまたはポリシリコンからなり、その一部または全部を多孔質とすることができる。また、吸着させる前記有機化合物は、非環式炭化水素、非環式炭化水素に少なくともアルデヒド基が結合した化合物または不飽和結合を有する非環式炭化水素とすることができる。この結果、大気圧中もしくは低真空中で電子放出素子を動作させても安定して動作することができる電子放出素子およびそれを用いた画像形成装置を提供することができる。

[UNK]

太陽電池

【課題】紫外光領域の光電変換効率が高く、太陽光に対する光電変換効率に優れる太陽電池を提供する。【解決手段】第１電極２と、第２電極９と、第１電極２と第２電極９との間に配置された光電変換層５を有する太陽電池１０であって、光電変換層５が、有機系光電変換材料と半導体量子ドットとを含み、半導体量子ドットは、有機系光電変換材料が電気エネルギーに変換可能な光の波長よりも短い波長の光によって励起され、有機系光電変換材料が電気エネルギーに変換可能な波長の光を発光する発光体であることを特徴とする太陽電池１０。【選択図】図１

Feldemissionselektronenquelle, verfahren zu deren herstellung und verwendung derselben

Feldemissions-elektronenquelle, verfahren zu deren herstellung und anzeigevorrichtung mit einer solchen elektronenquelle

電子ビーム発生装置、電子ビーム露光装置、および製造方法

【課題】複数の電子ビームを精度よく簡便に出力できる電子ビーム発生源。【解決手段】第１面から電子を放出する電子放出部と、電子放出部の第１面側に設けられ、電子放出部から放出された電子を通過させるグラフェン層とを備える電子ビーム発生装置および電子ビーム発生装置の製造方法を提供する。グラフェン層は、電子放出部から放出された電子の回折波を出力してよい。グラフェン層は、単原子層のグラフェンを１または複数重ねて形成されてよい。【選択図】図１

Method of generating ballistic electrons and ballistic electron solid semiconductor element and light emitting element and display device

A method of generating ballistic electrons with a high controllability by applying an electric field to a nano-structure micro-crystal layer or a semi-insulating layer of a semiconductor to generate ballistic electrons or quasiballistic electrons by a multiple-tunnel effect; and a semiconductor device used in this method and provided with a practical material constitution.

ナノクリスタルシリコン電子エミッタアレイ電子源の構造及びその製造方法

【課題】制御駆動用LSI回路との集積化に適したnc-Si電子エミッタアレイ構造及びその製造方法を提供する。 【解決手段】活性層を有するSOI基板上に設けたドットアレイ状に加工した多結晶シリコン膜の全面に保護層を堆積させた後、特定領域の保護層をエッチング開口させて多結晶シリコン表面部分を露出させ、当該露出した多結晶シリコン表面部分を選択的に陽極酸化させ、複数の電子エミッタを備えたナノクリスタル電子エミッタアレイを形成する。また、個々の電子エミッタに電気的に接続するように、前記SOI基板を貫通する基板貫通配線を埋設し、その端部に接続電極を設ける。そして、この接続電極を介して、前記ナノクリスタルシリコン電子エミッタアレイとそれを制御駆動するためのLSIとを接合させる。 【選択図】なし

電子源電極とそれを用いた液中電子放出装置および水素発生方法

【課題】従来の電子源ではなしえなかった液体または液相物質中において動作する新しい電子源電極とそれを用いた液中電子放出装置および水素発生方法を提供する。 【解決手段】液体または液相物質中で単独で動作しうる電子源電極であって、背面電極２を有する基板１と、その基板１上または基板１の表面側部分に形成された電子ドリフト層、電子トンネル層、またはそれらを組み合わせた層４と、さらにその電子ドリフト層、電子トンネル層、またはそれらを組み合わせた層４上に形成された表面電極３を備え、少なくとも表面電極３の電子放出面が露出するように被覆材５により被覆され、液体または液相物質と接する表面電極３の電子放出面より電子を液体または液相物質中に放出することを特徴とする。 【選択図】図２

Silicon emitter with low porosity heavily doped contact layer

A high emission electron emitter and a method of fabricating a high emission electron emitter are disclosed. A high emission electron emitter includes an electron injection layer, an active layer of high porosity porous silicon material in contact with the electron injection layer, a contact layer of low porosity porous silicon material in contact with the active layer and including an interface surface with a heavily doped region, and an optional top electrode in contact with the contact layer. The contact layer reduces contact resistance between the active layer and the top electrode and the heavily doped region reduces resistivity of the contact layer thereby increasing electron emission efficiency and stable electron emission from the top electrode. The electron injection layer is made from an electrically conductive material such as n+ semiconductor, n+ single crystal silicon, a metal, a silicide, or a nitride. The active layer and the contact layer are formed in a layer of silicon material that is deposited on the electron injection layer and then electrochemically anodized in a hydrofluoric acid solution. Prior to the anodization, the interface surface can be doped to form the heavily doped region. The layer of silicon material can be porous epitaxial silicon, porous polysilicon, porous amorphous silicon, and porous silicon carbide.

Silicon emitter with low porosity heavily doped contact layer

A high emission electron emitter and a method of fabricating a high emission electron emitter are disclosed. A high emission electron emitter includes an electron injection layer, an active layer of high porosity porous silicon material in contact with the electron injection layer, a contact layer of low porosity porous silicon material in contact with the active layer and including an interface surface with a heavily doped region, and an optional top electrode in contact with the contact layer. The contact layer reduces contact resistance between the active layer and the top electrode and the heavily doped region reduces resistivity of the contact layer thereby increasing electron emission efficiency and stable electron emission from the top electrode. The electron injection layer is made from an electrically conductive material such as n+ semiconductor, n+ single crystal silicon, a metal, a silicide, or a nitride. The active layer and the contact layer are formed in a layer of silicon material that is deposited on the electron injection layer and then electrochemically anodized in a hydrofluoric acid solution. Prior to the anodization, the interface surface can be doped to form the heavily doped region. The layer of silicon material can be porous epitaxial silicon, porous polysilicon, porous amorphous silicon, and porous silicon carbide.

シリコン量子ドットの製造方法

【課題】ポーラスシリコンを原料としたレーザー照射法によるシリコンナノ粒子作製手法における、(1)高性能化（サイズ制御性・発光効率の改善）、(2)大量生産性の向上（作製収量の改善）、(3)低コスト化（レーザー照射原料作製コストの削減）を図る。【解決手段】結晶シリコンウエハーをフッ酸水溶液中に浸漬し、電気化学エッチング法を用いて、シリコン原子を局所的に溶出し、次々と表面から内部に向かってエッチングを行い、シリコンウエハー表面及び内部にナノメートルオーダーの微細孔形成によりシリコン量子ドットを高密度に含むポーラスシリコン層を作製し、シリコンウエハーからポーラスシリコンを分離してポーラスシリコンフレークを得て、得られたポーラスシリコンフレークを原料として有機溶媒中でレーザー照射又は、加熱を行い、量子ドットコロイド分散溶液を得る。【選択図】図３

Method of generating ballistic electrons and ballistic electron solid semiconductor element and light emitting element and display device

A method of generating ballistic electrons with a high controllability by applying an electric field to a nano-structure micro-crystal layer or a semi-insulating layer of a semiconductor to generate ballistic electrons or quasiballistic electrons by a multiple-tunnel effect; and a semiconductor device used in this method and provided with a practical material constitution. <IMAGE>

Information memory element method of manufacturing same and memory array

Luminescence stabilization of anodically oxidized porous silicon layers

A porous silicon structure is stabilized by anodically oxidizing the structure and then subjecting it to chemical functionalization to protect non-oxidized surface regions, preferably in the presence of 1-decene under thermal conditions. This process creates a protective organic monolayer on the surface of the structure, rendering it highly stable.

[UNK]

光電子放出面とこれを利用した光検出器

(57)【要約】 【課題】 ＰＳ領域を有したＳｉ基板を用いた低ノイズ で実用的な光電子放出面および光検出器を提供する。 【解決手段】 光検出器１００は、ｐ型Ｓｉ基板１１ と、ｐ型Ｓｉ基板上に形成されたポーラスシリコン領域 １２と、ポーラスシリコン領域１２上に形成されたＡｕ 電極１３と、ｐ型Ｓｉ基板上に形成されたポーラスシリ コン領域と反対側のｐ型Ｓｉ基板上に形成されたオーミ ック電極１４とを有する光電子放出面と、陽極１５とを 備える。このようにして、新しい材料および構造である ポーラスシリコン領域を有したｐ型Ｓｉ基板によって光 電子放出面および光検出器を構成することができる。ま た、ｐ型のＳｉ基板を用いることにより、冷電子放出が 生じないため、低ノイズの光電子放出面を得ることがで きる。

圧力波発生装置及びその温度調整方法

　圧力波発生装置（１）は、熱伝導性の基板（２）と、基板（２）の一方の主面に形成された断熱層（３）と、断熱層（３）の上に形成された絶縁体層（５）と、絶縁体層（５）の上に形成され、交流成分を含む電流が印加されて発熱する発熱体（４）と、を備える。断熱層（３）は、ナノ結晶シリコンである。絶縁体層（５）は、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）、２酸化珪素（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、ダイヤモンド結晶炭素（Ｃ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は炭化珪素（ＳｉＣ）のいずれか１つを含んで形成される。発熱体４は、例えば、金（Ａｕ）又はタングステン（Ｗ）を含んで形成される。

Fuente de electrones por emision por efecto de campo.

Se facilita una fuente de electrones en emisión de campo a bajo coste en la que los electrones se pueden emitir con alta estabilidad y alta eficiencia, y un procedimiento para producir la misma. En la fuente de emisión de electrones en campo, se forma una parte de deriva de campo eléctrico fuerte 106 en el sustrato de silicio de tipo n sobre la superficie principal del mismo y se forma un electrodo de superficie 107 hecho de una película delgada de oro sobre la parte de deriva de campo eléctrico fuerte 106. Y el electrodo óhmico 2 se forma sobre la superficie posterior del sustrato de silicio de tipo n 101. En esta fuente de electrones de emisión de campo 110, cuando el electrodo de superficie 107 está colocado en el vacío y se aplica una tensión continua al electrodo de superficie 107 que tiene una polaridad positiva con respecto al sustrato de silicio de tipo n 101 (electrodo óhmico 2) los electrones inyectados desde el sustrato de silicio de tipo n se conducen en la parte de deriva de campo eléctrico fuerte 106 y se emiten a través del electrodo superficial 107. La parte de deriva de campo eléctrico fuerte 106 comprende una región de deriva 161 que tiene una sección de cruce en la estructura de malla en ángulos rectos respecto a la dirección de grosor del sustrato de silicio de tipo n 1, que es un sustrato eléctricamente conductor, y una región de radiación de calor 162 que se rellena en los huecos de la malla y que tiene una conducción de calor más alta que la región de deriva 161.

熱誘起型音波放射素子の駆動方法

【課題】熱誘起型音波放射素子から放射される音波が、熱誘起型音波放射素子に流される電流の交流成分の基本周波数と同じ周波数をもつ音波成分を含むような、熱誘起型音波放射素子の駆動方法を提供すること。 【解決手段】シリコン単結晶基板１の１つの面に形成された多孔質シリコン層２の上に、タングステン層３と１対の金属電極４とが形成されてなる熱誘起型音波放射素子の駆動方法において、金属電極４を経由して、タングステン層３に、交流電流と直流電流を重ねて流すことによって、前記交流電流の基本周波数と同じ周波数の音波成分を有する音波を放射させることを特徴とする熱誘起型音波放射素子の駆動方法を構成する。 【選択図】 図１

キュアリング方法およびキュアリング装置

【課題】 電子源加熱用電源、高電圧電源および放射線防御対策を必要とせず、しかも硬化性組成物の種類を選ばずに低コストでキュアリングを行うことが可能となるキュアリング方法およびキュアリング装置を提供する。 【解決手段】 常温下１００Ｖ以下の電圧によって常圧の気体中に電子を放射する面電子源（６）を用い、その面電子源（６）から放射された電子、その電子が気体分子と衝突して生成される正イオン、およびその電子が気体分子に付着して生成される負イオンの３種類の荷電粒子のうちの少なくとも１種類の荷電粒子によって硬化性組成物被膜（１２）を硬化させる。 【選択図】図１

電子放出装置、帯電装置および帯電方法

Electrode for gas discharge tube

Photoemissive surface and photodetector using photoemissive surface

↓ｐ―ｎホモ接合素子の製造方法

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた め要約のデータは記録されません。

↓ｐ―ｎホモ接合素子の製造方法

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた め要約のデータは記録されません。