Verfahren zur abrasiven Bearbeitung von Oberflächen, insbesondere von Halbleiter-Wafern

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur chemisch-mechanischen Bearbeitung von Halbleiter-Wafern und/oder auf diesen aufgebrachten Strukturen, insbesondere bei der Herstellung elektronischer Speicherelemente nach der Fixed-Abrasive-Methode. Dabei werden mehrere zu bearbeitende Oberflächen nacheinander einem Polierschritt unterzogen, bei welchem sie jeweils mit einem flächigen Poliermittel, umfassend einen Polierkornträger und darin fixierte Polierkörnern, in Kontakt gebracht und relativ zu diesem bewegt. Dadurch wird vermittels der im Polierkornträger fixierten Polierkörner, welche sich teilweise während des Poliervorgangs aus dem Trägermaterial lösen können, ein Abtrag der jeweils zu bearbeitenden Oberfläche erzeugt. Unterstützend werden oft flüssige Chemikalien, die ätzende Wirkung haben können, zugefügt. Erfindungsgemäß geht je einem oder mehreren Polierschritten ein Konditionierschritt zur Regenerierung des Poliermittels voran. Bei diesem Konditionierschritt werden das Poliermittel ...

HYDROPHOBIERTER ZEOLITH FÜR DIE ANWENDUNG IN SILIKATISCHEN BINDEMITTELSYSTEMEN

Use of a hydrophobic natural zeolite comprising a mixture of water glass, and silica sol or silicic acid esters, based on water glass, for siliceous binder systems, is claimed. The hydrophobic zeolite is natural zeolite hydrophobized by silanization. The hydrophobization of zeolite is carried out by mixing the hydrophobic zeolite with water glass, silica or silicic acid esters, such that the absorption capacity of the zeolite for odorants, gaseous pollutants and water vapor are maintained, and the processing ability and stability of the silicate binder system is not impaired. Use of a hydrophobic natural zeolite for siliceous binder systems comprising a mixture of water glass, and silica sol or silicic acid esters, based on water glass, is claimed. The hydrophobic zeolite is a natural zeolite hydrophobized by silanization. The hydrophobization of the zeolite takes place by mixing the hydrophobic zeolite with water glass, silica or silicic acid esters, such that the absorption capacity of ...

FÜLLSTOFF

PHOTOKATALYTISCH AKTIVER NATÜRLICHER ZEOLITH IN ALKALISCHEN BAUSTOFFSYSTEMEN

Die Erfindung betrifft den Einsatz von hydrophobierten, photokatalytisch aktiven natürlichen Zeolith für die Anwendung in alkalischen Bindemittelsystemen auf Basis von Zement, Silikaten oder Kalkhydrat, wobei als hydrophobierter photokatalytisch aktiver natürlicher Zeolith ein natürlicher Zeolith genommen wird, der zunächst gemeinsam mit Nanopartikeln einer photokatalytisch aktiven Substanz gemahlen wird und nachfolgend durch Silanisierung hydrophobiert wird, und wobei die Hydrophobierung des Zeoliths soweit erfolgt,dass nach der Vermischung des hydrophobierten photokatalytisch aktiven Zeoliths mit alkalischen Bindemittelsystemen einerseits seine Absorptionsfähigkeiten für organische Schadstoffe und die photokatalytische Reaktivität erhalten bleiben, und andererseits die Verarbeitungsfähigkeit und Stabilität des alkalischen Bindemittelsystems durch die Zugabe des photokatalytisch aktiven und hydrophobierten Zeoliths nicht beeinträchtigt wird.

PHOTOKATALYTISCH AKTIVER NATÜRLICHER ZEOLITH IN ALKALISCHEN BAUSTOFFSYSTEMEN

Die Erfindung betrifft den Einsatz von hydrophobierten, photokatalytisch aktiven natürlichen Zeolith für die Anwendung in alkalischen Bindemittelsystemen auf Basis von Zement, Silikaten oder Kalkhydrat, wobei als hydrophobierter photokatalytisch aktiver natürlicher Zeolith ein natürlicher Zeolith genommen wird, der zunächst gemeinsam mit Nanopartikeln einer photokatalytisch aktiven Substanz gemahlen wird und nachfolgend durch Silanisierung hydrophobiert wird, und wobei die Hydrophobierung des Zeoliths soweit erfolgt, dass nach der Vermischung des hydrophobierten photokatalytisch aktiven Zeoliths mit alkalischen Bindemittelsystemen einerseits seine Absorptionsfähigkeiten für organische Schadstoffe und die photokatalytische Reaktivität erhalten bleiben, und andererseits die Verarbeitungsfähigkeit und Stabilität des alkalischen Bindemittelsystems durch die Zugabe des photokatalytisch aktiven und hydrophobierten Zeoliths nicht beeinträchtigt wird. The invention relates to the use of hydrophobized, photocatalytically active natural zeolite for use in alkaline binder systems based on cement, silicates or hydrated lime, wherein as a hydrophobized photocatalytically active natural zeolite, a natural zeolite is taken, which is first ground together with nanoparticles of a photocatalytically active substance is hydrophobized and subsequently by silanization, and wherein the hydrophobization of the zeolite is carried out to the extent that after the mixing of the hydrophobized photocatalytically active zeolite with alkaline binder systems on the one hand retain its absorption capacity for organic pollutants and the photocatalytic reactivity, and on the other hand, the processability and stability of the alkaline Binder system is not affected by the addition of the photocatalytically active and hydrophobized zeolite.

Weißpigmentkomposit

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines auf Titandioxidteilchen basierenden Weißpigmentkomposits wonach dem Titandioxid Talkum als Pigmentersatzstoffteilchen zugesetzt werden, wobei die Titandioxidteilchen mit den Pigmentersatzstoffteilchen physisorptiv und dauerhaft durch mechanische Befestigung der Titandioxidteilchen mit den Pigmentersatzstoffteilchen verbunden werden. The invention relates to a process for the preparation of a titanium dioxide particle-based white pigment composite, after which talcum is added as pigment replacement particles to the titanium dioxide, wherein the titanium dioxide particles are physisorptively and permanently bonded to the pigment replacement particles by mechanical attachment of the titanium dioxide particles to the pigment replacement particles.

Head lamp for vehicle, has two fasteners to fasten housing to car body through screw connection, in which two hook-shaped locking units are formed at one fastener for pre-contacting housing on car body

The light has housing (2) including light measurement components and is fastened by two fasteners (5) to a car body of a vehicle through a screw connection. Two hook-shaped locking units are formed at one fastener for pre-contacting the housing on the car body, and another fastener stays in thread engagement with the former fastener. The latter fastener is supported partially on the hook-shaped locking unit in a fastening position. An independent claim is also included for a method for fastening a head lamp to a vehicle.

Verfahren zum Bestimmen des Endprodukts eines Planarisierungsprozesses

Es wird ein Verfahren zum Bestimmen des Endpunkts eines Planarisierungsprozesses offenbart. Ein Signal zur Endpunktdetektion wird an mindestens einer vorher festgelegten Stelle in einem auf einem Planarisierungsgewebe festgelegten Planarisierungsgebiet selektiv abgetastet. Die Planarisierung wird gestoppt, wenn ein Kriterium für den Endpunkt auf der Basis des Signals zur Endpunktdetektion detektiert wird.

Verfahren und Vorrichtung zur abrasiven Bearbeitung von Oberflächen, insbesondere von Halbleiter-Wafern

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur abrasiven Bearbeitung von Oberflächen (11, 12) auf Halbleiter-Wafern (10), insbesondere bei der Herstellung elektronischer Speicherelemente. Dabei wird in einem zeitlich frühen Verfahrensschritt (A) auf einer Mehrzahl von Wafern (10) eine Topographie der zu bearbeitenden Oberflächen (11, 12) auf wenigstens (11, 12) auf wenigstens teilweise mechanische Weise planarisiert. In einem zeitlich späteren Verfahrensschritt (C) erfolgt durch Einwirkung einer flüssigen, chemischen Zusammensetzung (28) ein weiterer Abtrag von den planarisierten Oberflächen (14) (Rückätzung). Nach dem Planarisierungsschritt (A) und vor dem Rückätzungsschritt (C) erfolgt eine Schichtdickenmessung (B) der planarisierten Schicht für jeden einzelnen Wafer (10). Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass die Messergebnisse der Schichtdickenmessung (B) der automatischen Auswahl oder Komposition einer von mehreren chemischen Zusammensetzungen und/oder der Einwirkzeit einer ...

Semiconductor wafer polishing device,

A polishing device has first and second holding devices (C1-C40 for receiving first and second semiconductor wafers (W1-W4), in which the first wafer is pushed by the first holding device and the second wafer by the second holding device against one polishing surface (P) of a polishing plate (T) and are polished by relative movements to the polishing surface (P). A control device (R) individually adjusts the polishing process parameter for the first and/or second semiconductor wafer (C1-C4) so as to compensate the differences between the first and second semiconductor wafers (W1-W4) as conditioned by the difference in the polishing performance of the two semiconductor wafers (W1-W4). An Independent claim is included for a polishing method.

Rasierhobel

Mund- und Zahnpflegemittel

Verfahren zum Planarisieren von Substraten

Es wird ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Planarisieren von Substraten offenbart. Ein Medium mit einem Planarisierungsgewebe wird zum Planarisieren von Substraten zum Reduzieren der Erzeugung von Defekten vorbehandelt. Das Planarisierungsgewebe weist ein Planarisierungsgebiet und ein Vorbehandlungsgebiet auf, die darauf vorgegeben sind, wobei sich mindestens ein Teil des Vorbehandlungsgebiets außerhalb des Planarisierungsgebiets befindet. Das Medium mit dem Gewebe wird voranbewegt, um einen Teil des Gewebes aus dem Planarisierungsgebiet heraus und einen anderen Teil in das Planarisierungsgebiet hinein zu bewegen.

Method of planarizing substrates

A method and apparatus of planarizing substrates is disclosed. A planarizing web medium is prepared for planarizing substrates to reduce defect generation. The planarizing web has a planarizing region and preparing region defined thereon, wherein at least one portion of the preparing region is outside the planarizing region. The web medium is advanced to move one portion of the web out of the planarizing region and another portion into the planarizing region.

Lighting unit e.g. elongated auxiliary brake light, for vehicle, has lighting element positioned on carrier module, and attaching unit provided such that attachment module is connected with conducting element, module and/or side wall

The unit (1) has a lighting element positioned on a carrier module (6), and light conducting elements (8), which posses a side turned to the lighting element over a light coupling surface for coupling light emitted from the lighting element and a side lying in front in a light propagation direction for uncoupling the coupled light. An attachment module (9) is arranged between the carrier module and a light disk surface. An attaching unit is provided such that the attachment module is connected with the conducting element, the carrier module and/or a side wall (4).

Verfahren und Vorrichtung zur abrasiven Bearbeitung von Oberflächen auf Halbleiter-Wafern

Verfahren zur abrasiven Bearbeitung von Oberflächen (11, 12) auf Halbleiter-Wafern (10), mit einer Vorrichtung, wobei - in einem zeitlich frühen Verfahrensschritt (A) in einem ersten Vorrichtungsbereich auf einer Mehrzahl von Wafern (A) eine Topographie der zu bearbeitenden Oberflächen (11, 12) auf wenigstens teilweise mechanische Weise planarisiert wird, - in einem zeitlich späteren Verfahrensschritt (C) in einem Rückätzbehälter (27) eines zweiten Vorrichtungsbereichs von den planarisierten Oberflächen (14) durch Einwirkung einer flüssigen, chemischen Zusammensetzung (28) ein weiterer Abtrag durch eine rein chemische Rückätzung erfolgt, - nach dem Planarisierungsschritt (A) und vor dem Rückätzungsschritt (C) eine Schichtdickenmessung (B) der planarisierten Schicht vorgenommen wird, und - die Messergebnisse der Schichtdickenmessung (B) der automatischen Auswahl oder Komposition einer von mehreren chemischen Zusammensetzungen und/oder der Einwirkungszeit einer ausgewählten oder komponierten ...

Verfahren zur abrasiven Bearbeitung von Oberflächen, auf Halbleiter-Wafern

Verfahren zur abrasiven Bearbeitung von Oberflächen (11, 12) auf Halbleiter-Wafern (10), bei dem mehrere zu bearbeitende Oberflächen (11, 12) nacheinander einem Polierschritt (B) unterzogen werden, wobei sie jeweils mit einem flächigen Poliermittel (20), umfassend einen Polierkornträger (21) und darin fixierte Polierkörner (22), in Kontakt gebracht und relativ zu diesem bewegt werden, sodass durch Interaktion zwischen im Polierkornträger (21) fixierten Polierkörnern (22), welche sich wenigstens teilweise während des Poliervorgangs (B) aus dem Trägermaterial (21) lösen, mit der jeweils zu bearbeitenden Oberfläche (11, 12) ein Abtrag dieser Oberfläche (11, 12) erzeugt wird, wobei je einem oder mehreren Polierschritten (B) ein Konditionierschritt (A) zur Regenerierung des Poliermittels (20) vorangeht, bei dem das Poliermittel (20) und eine strukturstarke Konditionieroberfläche (40) miteinander in Kontakt gebracht und relativ zueinander bewegt werden, wodurch die Anfangszustände der Poliermittel-Oberfläche ...

Depositing a layer in a reactor comprises feeding a sputtering gas into the reactor, igniting a plasma, growing a layer on a deposition surface

Process for depositing a layer in a reactor (1) comprises feeding layer-forming gas, especially a sputtering gas, into the reactor; igniting a plasma (13) in the reactor; growing a layer on a deposition surface (14) by the plasma; partially removing the layer deposited on the deposition surface during a deposition process with simultaneous pure sputtering; removing non-horizontal surface regions of the deposited layer; and subjecting to pure sputtering. Preferred Features: The sputtering gas is a mixture of oxygen and argon. Silicon dioxide is deposited from silane gas. During the combined deposition and sputtering process and during the pure sputtering process, a pressure of 0.26-1.33 Pa prevails in the reactor.

Verfahren zum Bestimmen des Endpunkts eines Planarisierungsprozesses und Vorrichtung zum Planarisieren eines Substrats

Verfahren zum Bestimmen eines Endpunkts eines Planarisierungsprozesses, umfassend: Bereitstellen eines Planarisierungsgewebes (202) mit einem darauf festgelegten Planarisierungsgebiet (214), wobei das Planarisierungsgewebe (202) bewegt werden kann, um einen Teil des Planarisierungsgewebes (202) aus dem Planarisierungsgebiet (214) heraus und einen anderen Teil des Planarisierungsgewebes (202) in das Planarisierungsgebiet (214) hinein zu bewegen, selektives Abtasten eines Signals zur Endpunktdetektion an mindestens einer vorher festgelegten Stelle (X; X1) auf dem Planarisierungsgewebe (202) im Planarisierungsgebiet (214) und Stoppen der Planarisierung eines Substrats (213), falls ein Kriteriumdpunktdetektion detektiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Signal zur Endpunktdetektion an spezifischen Teilen auf dem Planarisierungsgewebe (202) gemessen wird und dass das selektive Abtasten des Signals zur Endpunktdetektion das selektive Aktivieren des Abtastens unter Verwendung eines Positionssensors umfaßt, wobei der Positionssensor das Abtasten selektiv aktiviert, wenn das Substrat (213) die vorher festgelegte Stelle (X; X1)... A method of determining an endpoint of a planarization process, comprising: providing a planarization fabric (202) having a planarization region (214) thereon, wherein the planarization fabric (202) is movable to move a portion of the planarization fabric (202) out of the planarization region (214) and move another portion of the planarizing tissue (202) into the planarization region (214), selectively sampling an endpoint detection signal at at least one predetermined location (X; X1) on the planarizing tissue (202) in the planarization region (214) and stopping the planarization region Planarizing a substrate (213) if a criterion dotting detection is detected, characterized in that the endpoint detection signal is measured at specific parts on the planarizing web (202), and selectively sensing the endpoint detection signal selectively ...

Process for the abrasive machining of surfaces, in particular of semiconductor wafers

A process is described for the chemical mechanical machining of semiconductor wafers. A plurality of surfaces are successively subjected to a polishing step, in which they are brought into contact with a polishing device. The polishing device contains a polishing-grain carrier with polishing grains, and the surfaces are moved relative to the polishing device. Material is removed from the surface by the polishing grains, which are fixed in the polishing-grain carrier and may become partially detached from the carrier material during the polishing operation. In each case one or more polishing steps is preceded by a conditioning step for regeneration of the polishing device. The polishing device and a conditioning surface of strong structure are brought into contact with one another and moved relative to one another, with the result that starting states of the polishing-device surface at a beginning of the individual polishing steps are comparable with one another.

Process and device for the abrasive machining of surfaces, in particular semiconductor wafers

A process for abrasive machining of surfaces of semiconductor wafers, in particular during the production of electronic memory elements, is described. In the process, a topography of the surfaces of a plurality of wafers is planarized by an at least partially mechanical route. In a further process step which takes place at a later stage, further material is removed from the planarization surfaces by the action of a liquid, chemical composition (etchback). After the planarization step and before the etchback step, a layer thickness measurement of the planarized layer is carried. The method is distinguished by the fact that the measurement results of the layer thickness measurement are used as the basis for the automatic selection or formulation of one of a plurality of chemical compositions and/or the time of action of a selected or formulated chemical composition for carrying out the etchback step.

Method of determining the endpoint of a planarization process

A method of determining the endpoint of a planarizing process is disclosed. An endpoint detection signal is selectively sampled from at least one predetermined location within a planarizing region defined on a planarizing web. Planarization is stopped when the endpoint criterion based on the endpoint detection signal is detected.

Process and device for the abrasive machining of surfaces, in particular semiconductor wafers

A process for abrasive machining of surfaces of semiconductor wafers, in particular during the production of electronic memory elements, is described. In the process, a topography of the surfaces of a plurality of wafers is planarized by an at least partially mechanical route. In a further process step which takes place at a later stage, further material is removed from the planarization surfaces by the action of a liquid, chemical composition (etchback). After the planarization step and before the etchback step, a layer thickness measurement of the planarized layer is carried. The method is distinguished by the fact that the measurement results of the layer thickness measurement are used as the basis for the automatic selection or formulation of one of a plurality of chemical compositions and/or the time of action of a selected or formulated chemical composition for carrying out the etchback step.