Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 1. Отображено 1.
14-11-1995 дата публикации

REFRACTORY METAL SILICIDE DEPOSIT PROCESS FOR THE PRODUCTIONOF INTEGRATED CIRCUITS

Номер: CA0001337547C
Автор: HIRASE IKUO, RUFIN DENIS, SHACK MICHAEL, SUMIYA TOORU, MATSUURA MASAMICHI, UKISHIMA SADAYUKI, HIRASE, IKUO, RUFIN, DENIS, SHACK, MICHAEL, SUMIYA, TOORU, MATSUURA, MASAMICHI, UKISHIMA, SADAYUKI
Принадлежит: AIR LIQUIDE, L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE

Procédé de dépôt de siliciure de métal réfractaire par la technique de dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseur de métal et du précurseur de silicium pour la fabrication de circuits intégrés, caractérisé en ce que le précurseur de métal réfractaire est mélangé sous forme gazeuse à des sous-fluorures de silicium juste avant le dépôt.

Подробнее
Номер записи: 1