Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 6. Отображено 6.
28-09-2001 дата публикации

Semiconductor device for the prevention of the destruction during an off-condition.

Номер: CH0000691751A5
Автор: TOMOMATSU YOSHIFUMI, TAKEDA MITSUYOSHI, SOEJIMA NORIYUKI
Принадлежит: MITSUBISHI ELECTRIC CORP, MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA

Подробнее
Номер записи: 1
28-09-2000 дата публикации

Diode und Verfahren zur Herstellung

Номер: DE0069609903D1
Автор: SOEJIMA NORIYUKI, SOEJIMA, NORIYUKI
Принадлежит: MITSUBISHI ELECTRIC CORP, MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO

Подробнее
Номер записи: 2
12-05-1999 дата публикации

Halbleiterdiode und Verfahren zur Herstellung

Номер: DE0069508885D1
Автор: SOEJIMA NORIYUKI, SOEJIMA, NORIYUKI, C/O FUKURYO SEMICONDUCTOR, NISHI-KU, FUKUOKA-SHI, FUKUOKA 819-01, JP
Принадлежит: MITSUBISHI ELECTRIC CORP, MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP

Подробнее
Номер записи: 3
29-03-2001 дата публикации

Diode und Verfahren zur Herstellung

Номер: DE0069609903T2
Автор: SOEJIMA NORIYUKI, SOEJIMA, NORIYUKI
Принадлежит: MITSUBISHI ELECTRIC CORP, MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO

Подробнее
Номер записи: 4
23-01-1997 дата публикации

Semiconductor component, e.g. power diode

Номер: DE0019611689A1
Автор: TOMOMATSU YOSHIFUMI, TAKEDA MITSUYOSHI, SOEJIMA NORIYUKI, TOMOMATSU, YOSHIFUMI, FUKUOKA, JP, TAKEDA, MITSUYOSHI, TOKIO/TOKYO, JP, SOEJIMA, NORIYUKI, FUKUOKA, JP
Принадлежит:

The component (110) includes a semiconductor body provided with an n-type surface layer (1) and a p-type diffusion layer (2). The n-type surface layer is laid over a main surface over a heavily doped n-type layer (4) and the p-type layer is selectively provided on parts of the laid layer. Respective anode (5) and cathode (6) electrodes are connected to the exposed surface of the p-type surface layer and to the other main surface of the heavily doped n-type layer. The cathode surface is partially connected to the upper main surface.

Подробнее
Номер записи: 5
09-12-1999 дата публикации

Halbleiterdiode und Verfahren zur Herstellung

Номер: DE0069508885T2
Автор: SOEJIMA NORIYUKI, SOEJIMA, NORIYUKI
Принадлежит: MITSUBISHI ELECTRIC CORP, MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO

Подробнее
Номер записи: 6