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07-09-2017 дата публикации

Door locking device, assembly and method of constructing

Номер: US20170254126A1
Автор: Christopher M. Schultz, SCHULTZ CHRISTOPHER M, Schultz Christopher M.
Принадлежит: Schultz Enterprises, LLC

A new and useful door locking device, door locking assembly, and method of constructing a door locking assembly is provided. The door locking device includes first and second subassemblies configured to connect to a door jamb and door, respectively, a first locking member connected to one of the subassemblies and a second locking member connected to the other subassembly. The first and second locking members are selectively engaged to lock the door with the jamb and selectively disengaged to unlock the door from the jamb. The connection of the second subassembly to the door being is designed to allow adjustment of the one of the locking components in a plurality of directions, to enable the door locking device to be adjusted provide a predetermined locking orientation of the first and second locking members. The connection of the first subassembly to the door jamb is designed to provide minimal, easily repaired, intrusion to the structure of the doorjamb; and the connection of the second subassembly to the door is of a type that connects to the door surface without damage to the door while providing a secure connection of the locking components when they are selectively engaged. 1. A door locking device that includes first and second subassemblies configured to connect to a door jamb and door , respectively , a first locking member forming part of one of the subassemblies and a second locking member forming part of the other subassembly; the first and second locking members being selectively engaged to lock the door with the jamb and selectively disengaged to unlock the door from the jamb; the connection of the second subassembly to the door being designed to allow adjustment of the one of the locking components in a plurality of directions , to enable the door locking device to be adjusted provide a predetermined locking orientation of the first and second locking members , the connection of the first subassembly to the door jamb being designed to provide minimal , ...

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Номер записи: 1
23-05-2013 дата публикации

Diode laser and method for manufacturing a high-efficiency diode laser

Номер: US20130128911A1
Автор: Andre Maassdorf, Christoph M. Schultz, Frank Bugge, Goetz Erbert, Hans Wenzel, Markus Weyers, Olaf Brox, Paul Crump
Принадлежит: Forschungsverbund Berlin FVB eV

A diode laser having aluminum-containing layers and a Bragg grating for stabilizing the emission wavelength achieves an improved output/efficiency. The growth process is divided into two steps for introducing the Bragg grating, wherein a continuous aluminum-free layer and an aluminum-free mask layer are continuously deposited after the first growth process such that the aluminum-containing layer is completely covered by the continuous aluminum-free layer. Structuring is performed outside the reactor without unwanted oxidation of the aluminum-containing semiconductor layer. Subsequently, the pre-structured semiconductor surface is further etched inside the reactor and the structuring is impressed into the aluminum-containing layer. In this process, so little oxygen is inserted into the semiconductor crystal of the aluminum-containing layers in the environment of the grating that output and efficiency of a diode laser are not reduced as compared to a diode laser without grating layers that was produced in an epitaxy step.

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Номер записи: 2
17-08-2016 дата публикации

Diodenlaser und Verfahren zur Herstellung eines Diodenlasers mit hoher Effizienz

Номер: EP2595259A3
Автор: Andre Maassdorf, Christoph M. Schultz, Frank Bugge, Götz Erbert, Hans Wenzel, Markus Weyers, Olaf Brox, Paul Crump
Принадлежит: Forschungsverbund Berlin FVB eV

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Diodenlaser mit hoher Effizienz und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Diodenlaser mit aluminiumhaltigen Schichten und einem zur Stabilisierung der Emissionswellenlänge implementierten Bragg-Gitter zu beschreiben, der im Vergleich zu herkömmlichen Laserdioden eine höhere Leistung und/oder einen höheren Wirkungsgrad aufweist. Die Idee der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass zur Einbringung des Bragg-Gitters eine Aufteilung des Wachstumsprozesses in zwei Teilschritte vorgesehen wird, wobei eine kontinuierliche aluminiumfreie Schicht und eine aluminiumfreie Maskenschicht nach dem ersten Wachstumsprozess kontinuierlich derart aufgebracht werden, dass die aluminiumhaltige Schicht vollständig von der kontinuierlichen aluminiumfreien Schicht überdeckt wird. Daher kann eine Strukturierung außerhalb eines Reaktors erfolgen, ohne dass es zu einer ungewollten Oxidation der aluminiumhaltigen Halbleiterschicht kommt. Anschließend kann die vorstrukturierte Halbleiteroberfläche innerhalb des Reaktors weiter geätzt werden, sodass die Strukturierung bis in die aluminiumhaltige Schicht hinein abgeformt wird. Dabei wird so wenig Sauerstoff in das Halbleiterkristall der aluminiumhaltigen Schichten in der Umgebung des Gitters eingebaut, dass die Leistung und Effizienz eines erfindungsgemäßen Diodenlasers gegenüber einem Diodenlaser ohne die Gitterschichten, der in einem Epitaxieschritt hergestellt worden ist, nicht verringert ist.

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Номер записи: 3