Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год

Применить Всего найдено 38732. Отображено 100.
05-01-2012 дата публикации

Semiconductor optical amplifier

Номер: US20120002271A1
Принадлежит: Sony Corp, Tohoku University NUC

A semiconductor optical amplifier includes: a laminated structure sequentially including a first compound semiconductor layer composed of GaN compound semiconductor and having a first conductivity type, a third compound semiconductor layer having a light amplification region composed of GaN compound semiconductor, and a second compound semiconductor layer composed of GaN compound semiconductor and having a second conductivity type; a second electrode formed on the second compound semiconductor layer; and a first electrode electrically connected to the first compound semiconductor layer. The laminated structure has a ridge stripe structure. When widths of the ridge stripe structure in a light output end face and the ridge stripe structure in a light incident end face are respectively W out , and W in , W out >W in is satisfied. A carrier non-injection region is provided in an internal region of the laminated structure from the light output end face along an axis line of the semiconductor optical amplifier.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Non-focal optical power limiting polymeric materials

Номер: US20120002312A1
Принадлежит: Oxazogen Inc

This invention concerns a solid polymer matrix for use as non-focal optical power limiting polymeric materials. This matrix contains: (1) a hyperbranched polymer family, especially HB-PCS OR HB-PU, HB-PUSOX or PC; (2) one or more of RSA dye, MPA dye, azo dye or DMNPAA; 3) CNT and 4) a self-focusing component. This solid polymer matrix provides efficient protection from laser beam damage along with its self-focusing mechanism.

Подробнее
05-01-2012 дата публикации

Nano-imprint mold

Номер: US20120003348A1
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd

A nano-imprint mold includes a mold base; mold body having a first surface and a second surface opposite the first surface; and an elastic body disposed between a surface of the mold base and the first surface of the mold body, the elastic body being composed of resin. The second surface of the mold body is provided with a nano-imprint pattern. In addition, the elastic body has a bulk modulus lower than a bulk modulus of the mold body.

Подробнее
20-07-2015 дата публикации

МАЛОГАБАРИТНЫЙ ИНТЕГРИРОВАННЫЙ ДАТЧИК ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер: RU0000153471U1

1. Малогабаритный интегрированный датчик терагерцового диапазона, включающий в себя фокусирующий элемент, расположенный на диэлектрической, преимущественно полупроводниковой подложке, и интегрированный с ним чувствительный элемент, расположенный на тыльной стороне этой подложки в фокусе фокусирующего элемента, отличающийся тем, что фокусирующий элемент выполнен в виде спектрально-селективной диэлектрической частицы, формирующей фотонную тераструю при падении на нее излучения заданного спектрального диапазона. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что диэлектрическая частица выполнена в виде кубоида с размерами, определяемыми из соотношения: где: k - коэффициент, равный 1.84, Н - высота кубоида, L - длина стороны кубоида, λ - длина волны падающего волнового фронта, n/n - относительное значение показателя преломления материала кубоида и окружающей среды. И 1 153471 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ 7 ВУ’” 153 4717 91 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 24.10.2019 Дата внесения записи в Государственный реестр: 26.08.2020 Дата публикации и номер бюллетеня: 26.08.2020 Бюл. №24 Стр.: 1 па УЗО | ЕП

Подробнее
27-07-2015 дата публикации

МАЛОГАБАРИТНЫЙ СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер: RU0000153680U1

1. Малогабаритный спектрометрический датчик излучения, включающий массив дисперсионных элементов, каждый из которых обеспечивает селективность на определенной частоте, массив приемников излучения, расположенных в соответствующих фокусах дисперсионного элемента и регистрирующее устройство, отличающийся тем, что каждый дисперсионный элемент выполнен в виде диэлектрической микрочастицы, формирующей фотонную струю. 2. Малогабаритный спектрометрический датчик излучения по п. 1, отличающийся тем, что диэлектрические микрочастицы выполнены в виде кубоидов с размерами, определяемыми из соотношения: где k - коэффициент, равный 1,84; H - высота кубоида; L - длина стороны кубоида; λ - длина волны падающего волнового фронта; n/n - относительное значение показателя преломления материала кубоида и среды. И 1 153680 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 153 680” 4 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 17.12.2019 Дата внесения записи в Государственный реестр: 22.09.2020 Дата публикации и номер бюллетеня: 22.09.2020 Бюл. №27 Стр.: 1 па ОЗ9$< р ЕП

Подробнее
27-07-2015 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОННОЙ СТРУИ С УВЕЛИЧЕННОЙ ГЛУБИНОЙ ФОКУСА

Номер: RU0000153686U1

1. Устройство для формирования фотонной струи с увеличенной глубиной фокуса, состоящего из источника излучения и диэлектрической частицы с характерным размером, сравнимым с длиной волны падающего излучения, отличающееся тем, что на поверхности диэлектрической частицы, обращенной к падающему волновому фронту, нанесен слой материала, не пропускающего падающее на частицу излучение, при этом поперечные размеры этого материала составляют 0,1-0,8 от максимального поперечного размера частицы. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что диэлектрическая частица в продольном направлении со стороны, противоположной направлению падения излучения, выполнена усеченной формы. И 1 153686 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 153 686” 4 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 31.12.2019 Дата внесения записи в Государственный реестр: 07.10.2020 Дата публикации и номер бюллетеня: 07.10.2020 Бюл. №28 Стр.: 1 па ЭзЗ9$Ха р ЕП

Подробнее
10-09-2015 дата публикации

МАГНИТОПЛАЗМОННЫЙ КРИСТАЛЛ

Номер: RU0000154720U1

Магнитоплазмонный кристалл, содержащий нанесенную на подложку из плавленого кварца пленку висмут-замещенного железо-иттриевого граната с наночастицами золота, отличающийся тем, что дополнительно содержит оптический резонатор в виде двух зеркал Брэгга с резонансной длиной волны λ, причем пленка висмут-замещенного железо-иттриевого граната BiYFeO с наночастицами золота помещена между зеркалами Брэгга, а ее оптическая толщина кратна половине резонансной длины волны λ/2. Ц 154720 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 154 720” 44 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 20.11.2018 Дата внесения записи в Государственный реестр: 13.08.2019 Дата публикации и номер бюллетеня: 13.08.2019 Бюл. №23 Стр.: 1 па ОСДУ<ч ЕП

Подробнее
10-09-2015 дата публикации

ПЛАЗМОННЫЙ МАГНИТОФОТОННЫЙ КРИСТАЛЛ

Номер: RU0000154764U1

Плазмонный магнитофотонный кристалл, содержащий слои висмут-замещенного железо-иттриевого граната BiYFeO и нанесенного на него железо-висмутового граната BiFeO, размещенные в оптическом резонаторе из двух брэгговских зеркал с резонансной длиной волны λ=655 нм и имеющие суммарную оптическую толщину, кратную λ/2, дополнительно содержит между слоями BiYFeO и BiFeO наночастицы золота. Ц 154764 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВО“ 154 764 91 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 20.11.2018 Дата внесения записи в Государственный реестр: 13.08.2019 Дата публикации и номер бюллетеня: 13.08.2019 Бюл. №23 Стр.: 1 па У9ДУЯЬ ЕП

Подробнее
20-01-2016 дата публикации

ПЛАЗМОННЫЙ МАГНИТОФОТОННЫЙ КРИСТАЛЛ

Номер: RU0000158802U1

Плазмонный магнитофотонный кристалл, содержащий диэлектрическое зеркало Брэгга, нанесенное на подложку из плавленого кварца, состоящее из N пар чередующихся диэлектрических слоев с большим и малым показателями преломления, двухслойную пленку висмут-замещенного железо-иттриевого граната, помещенную на диэлектрическое зеркало Брэгга, отличающийся тем, что дополнительно содержит наночастицы золота размером от 20 до 80 нм, расположенные между слоями висмут-замещенного железо-иттриевого граната, зеркало, выполненное в виде пленки золота толщиной от 40 до 100 нм, расположенное на поверхности двухслойной пленки висмут-замещенного железо-иттриевого граната. И 1 158802 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВО” 158 802°° Ц4 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 21.08.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 20.05.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 20.05.2021 Бюл. №14 Стр.: 1 па С0389< | ЕП

Подробнее
27-02-2016 дата публикации

УПРАВЛЯЕМЫЕ ФИЛЬТРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛЯРИЗАТОРОВ ИЗ ЛЕНТ ГРАФЕНА ДЛЯ ЗАЩИТЫ ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ РАЗВЕДКИ ОТ ЛАЗЕРНОГО ОРУЖИЯ

Номер: RU0000159967U1

Управляемый фильтр для защиты военных оптико-электронных приборов (ОЭП) разведки от лазерного оружия, отличающийся тем, что основой фильтра служат поляризаторы из лент графена со смещенными углами поворота поляризаций при химическом потенциале µ = 0,0 эВ, управляемый фильтр на основе поляризаторов пропускает излучения СО лазера с ослаблением в 2-4,5 дБ в зависимости от количества листов графена, при этом при подаче электрического поля смещения, которому соответствует химический потенциал µ = 1,0 эВ, управляемый фильтр на основе поляризаторов из лент графена имеет ослабление лазерного излучения от 20-40 дБ. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК G02B 5/22 B82Y 20/00 G02F 1/01 G02B 27/48 (13) 159 967 U1 (2006.01) (2011.01) (2006.01) (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2015127052/28, 06.07.2015 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 06.07.2015 (45) Опубликовано: 27.02.2016 Бюл. № 6 1 5 9 9 6 7 R U Формула полезной модели Управляемый фильтр для защиты военных оптико-электронных приборов (ОЭП) разведки от лазерного оружия, отличающийся тем, что основой фильтра служат поляризаторы из лент графена со смещенными углами поворота поляризаций при химическом потенциале µc = 0,0 эВ, управляемый фильтр на основе поляризаторов пропускает излучения СО2 лазера с ослаблением в 2-4,5 дБ в зависимости от количества листов графена, при этом при подаче электрического поля смещения, которому соответствует химический потенциал µc = 1,0 эВ, управляемый фильтр на основе поляризаторов из лент графена имеет ослабление лазерного излучения от 20-40 дБ. Стр.: 1 U 1 U 1 (54) УПРАВЛЯЕМЫЕ ФИЛЬТРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛЯРИЗАТОРОВ ИЗ ЛЕНТ ГРАФЕНА ДЛЯ ЗАЩИТЫ ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ РАЗВЕДКИ ОТ ЛАЗЕРНОГО ОРУЖИЯ 1 5 9 9 6 7 Адрес для переписки: 440005, г. Пенза-5, ПАИИ, отдел организации научной работы и Подготовки научнопедагогических кадров, Устинов Евгений Михайлович (73) Патентообладатель(и): Федеральное ...

Подробнее
10-04-2016 дата публикации

СУБВОЛНОВОЙ ДАТЧИК ВОЛНОВОГО ФРОНТА

Номер: RU0000160810U1

1. Субволновой датчик волнового фронта, состоящий из делителя волнового фронта, представляющего собой растр субапертур, матричного приемника и регистрирующего устройства, отличающийся тем, что субапертуры выполнены в виде мезоразмерных диэлектрических частиц, формирующих фотонные струи и расположенных в шахматном порядке, а регистрирующее устройство расположено в области максимальной концентрации энергии фотонной струи вдоль направления ее распространения. 2. Субволновой датчик волнового фронта по п. 1, отличающийся тем, что мезоразмерная диэлектрическая частица (субапертура) выполняется в виде квадратного кубического элемента из диэлектрического материала с относительным показателем преломления от 1.2 до 1.78 и размером грани Nλ, где λ - соответственно длина волны анализируемого излучения, N - целое число, равное 1, 2, 3, …. 160810 И 1 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 160 810” 94 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 16.10.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 22.09.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 22.09.2021 Бюл. №27 Стр.: 1 0138091 па ЕП

Подробнее
10-04-2016 дата публикации

СУБВОЛНОВАЯ ОПТИЧЕСКАЯ ЛОВУШКА В ПОЛЕ СТОЯЧЕЙ ВОЛНЫ

Номер: RU0000160834U1

Субволновая оптическая ловушка в поле стоячей волны, содержащая лазерный источник излучения, фокусирующее устройство, микрочастицу, расположенную в области фокуса сфокусированного падающего на нее излучения, а позади микрочастицы расположен плоский экран, отражающий падающее на него излучение, отличающаяся тем, что на поверхности плоского отражающего экрана со стороны падения излучения расположена диэлектрическая пластина, обеспечивающая формирование фотонной струи в режиме на отражение, с сечением прямоугольной пластины не менее диаметра падающего пучка излучения, толщиной прямоугольной пластины по нормали к отражающему экрану (0,3-1,5)λN, оптический контраст материала диэлектрика пластины составляет (1,2-1,95), где N - целое число, λ - длина волны излучения в среде, а микрочастица располагается в области фотонной струи, при этом фокусирующее падающее излучение устройство обеспечивает формирование плоского или слабосходящегося волнового фронта, облучающего микрочастицу. И 1 160834 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ )ВО“” 160 834°° ц4 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 17.10.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 22.09.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 22.09.2021 Бюл. №27 Стр.: 1 па ОЭ ЕП

Подробнее
10-04-2016 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ ЛОВУШКИ В ФОРМЕ ФОТОННОГО КРЮКА

Номер: RU0000161207U1

Устройство для формирования оптической ловушки в форме фотонного крюка, содержащее один или несколько источников когерентного излучения, фокусирующее устройство с малым фокусным расстоянием и микрочастицу, расположенную в области сфокусированного излучения, отличающееся тем, что фокусирующее устройство выполнено в виде диэлектрической частицы из материала, обеспечивающего оптический контраст по отношению к окружающей среде, равный 1,2-1,75 и имеющий форму кубоида, одно ребро которого совмещено с одной боковой гранью прямой треугольной призмы, выполненной из того же материала и с размером ребра, совпадающего с величиной ребра кубоида, равного (0,9-1,3)Nλ, где N целое число, λ длина волны используемого излучения в среде, при этом излучение падает на гипотенузу призмы. И 1 161207 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ“ 161 207 91 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 28.10.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 22.09.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 22.09.2021 Бюл. №27 Стр.: 1 па Д0Си9 ЕП

Подробнее
10-04-2016 дата публикации

КОМПАКТНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ ОДИНОЧНЫХ ФОТОНОВ

Номер: RU0000161214U1

1. Устройство для генерации фотонов, включающее волновод, алмазную структуру, содержащую центр окраски и сопряженную с системой накачки, отличающееся тем, что на участке внешней поверхности волновода нанесен слой метаматериала, обладающего гиперболической дисперсией, и алмазная структура расположена над слоем метаматериала. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что алмазная структура представляет собой алмазную пленку или алмазные наночастицы размерами до 200 нм. 3. Устройство по п. 2, отличающееся тем, что волновод представляет собой нить оптического волокна. 4. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что нить оптического волокна имеет перетяжку в месте нанесения метаматериала менее 2 мкм. 5. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что метаматериал представляет собой, по крайней мере, 1 слой металла и 1 слой диэлектрика. 6. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что метаматериал представляет собой, по крайней мере, 1 слой металла. 7. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что для создания центра окраски в кристалле наноалмаза используется примесь азота или кремния. 8. Устройство по пп. 1-7, отличающееся тем, что расстояние между центром окраски и поверхностью метаматериала составляет менее 1000 нм. 9. Устройство по пп. 1-7, отличающееся тем, что метаматериал состоит из нитрида титана и нитрида алюминий скандия. 10. Устройство по пп. 1-7, отличающееся тем, что выходное излучение фотонов находится в широком спектральном диапазоне 600-800 нм. 11. Устройство по пп. 1-7, отличающееся тем, что функционирует при температурах не выше 450°C. 12. Устройство по пп. 1-7, отличающееся тем, что метаматериал имеет оптическую анизотропию. 13. Устройство по пп. 1-7, отличающееся тем, что метаматериал содержит слои из плазмонных и диэлектрических материалов, причем, по крайней мере, один из слоев тоньше 100 нм. 14. Устройство по п. 13, отличающееся тем, что слой плазмонного материала содержит, по крайней мере, один слой серебра или слой проводящего прозрачного оксида, например, оксида ...

Подробнее
20-11-2016 дата публикации

Устройство для регистрации субволновых частиц

Номер: RU0000166253U1

Устройство для регистрации субволновых частиц, состоящее из последовательно расположенных источника излучения преимущественно плоской волны, устройства субволновой фокусировки излучения, регистрируемой субволновой частицы, расположенной в области фокуса устройства субволновой фокусировки излучения и устройства регистрации рассеянного поля регистрируемой частицы, отличающееся тем, что устройство субволновой фокусировки излучения выполнено в виде фотонного кристалла, имеющего прямоугольную входную и выходную апертуры, при этом вдоль оптической оси фотонного кристалла выполнено субволновое отверстие с длиной не более длины фотонного кристалла и доходящей до его фокусной плоскости, а градиент эффективного показателя преломления фотонного кристалла в поперечном направлении выполнен спадающим к его краям. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 166 253 U1 (51) МПК G01N 21/49 (2006.01) G01N 15/10 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ТИТУЛЬНЫЙ (21)(22) Заявка: ЛИСТ ОПИСАНИЯ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2016122837/28, 08.06.2016 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 08.06.2016 (45) Опубликовано: 20.11.2016 Бюл. № 32 1 6 6 2 5 3 R U (57) Формула полезной модели Устройство для регистрации субволновых частиц, состоящее из последовательно расположенных источника излучения преимущественно плоской волны, устройства субволновой фокусировки излучения, регистрируемой субволновой частицы, расположенной в области фокуса устройства субволновой фокусировки излучения и устройства регистрации рассеянного поля регистрируемой частицы, отличающееся тем, что устройство субволновой фокусировки излучения выполнено в виде фотонного кристалла, имеющего прямоугольную входную и выходную апертуры, при этом вдоль оптической оси фотонного кристалла выполнено субволновое отверстие с длиной не более длины фотонного кристалла и доходящей до его фокусной плоскости, а градиент эффективного показателя преломления фотонного кристалла в поперечном ...

Подробнее
16-03-2017 дата публикации

Магнитоплазмонный сенсор

Номер: RU0000169415U1

Техническое решение относится к области приборостроения и может быть использовано при создании сенсоров (датчиков) технического и медико-биологического применения. Магнитоплазмонный сенсор, содержащий диэлектрическое зеркало Брэгга, нанесенное на подложку из плавленого кварца и состоящее из N пар чередующихся диэлектрических слоев с большим и малым показателями преломления, буферный слой с малым показателем преломления с нанесенным на него зеркалом, выполненным в виде пленки золота, призму для ввода излучения со стороны подложки, дополнительно содержит двухслойную пленку висмут-содержащего железо-иттриевого граната толщиной, кратной половине длины волны зондирующего излучения, и буферный слой из диэлектрика с малым показателем преломления, расположенные между диэлектрическим зеркалом Брэгга и зеркалом, выполненным в виде пленки из золота или серебра толщиной от 10 до 100 нм. Магнитоплазмонный сенсор обеспечивает повышенные значения коэффициента усиления МО эффекта, оптической и магнитооптической добротности и, следовательно, чувствительности сенсора. И 1 169415 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ 7 ВУ‘’” 169 415? 91 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 06.05.2020 Дата внесения записи в Государственный реестр: 10.02.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 10.02.2021 Бюл. №4 Стр.: 1 па чтУбЭ9 р ЕП

Подробнее
15-01-2018 дата публикации

Устройство для фокусировки излучения с субдифракционным разрешением

Номер: RU0000176266U1

Полезная модель относится к фокусировке когерентного оптического, террагерцового и сверхвысокочастотного излучения для получения фокусного пятна с заданной шириной меньше дифракционного предела в 3D случае и может быть использована в изображающих устройствах, устройствах интегральной оптики, для соединения оптических волноводов, для ввода излучения в фотонно-кристаллические волноводы, в системах видения и дефектоскопии, в микроскопах, для фокусировки электромагнитного излучения в локальную область с субдифракционными размерами. Заявленное устройство для фокусировки излучения с субдифракционным разрешением выполнено в форме куба с длиной каждого ребра куба L≈kλN, N=1, 2, 3 …, где λ- длина волны излучения, освещающего куб, k - эмпирический коэффициент k=0,98…1,2. Причем куб выполнен из материала с эффективным относительным показателем преломления, по отношению к показателю преломления окружающей среды и лежащего в диапазоне от 1,9 до 2,1. Вдоль оси симметрии куба, проходящей через центр противолежащих граней и параллельно падающему излучению, с обратной стороны куба по отношению к падающему излучению выполнено отверстие, при этом длина отверстия меньше или равна длине ребра куба, а характерный поперечный размер отверстия не превышает 0,25 λ. Поперечное сечение отверстия имеет форму квадрата или форму круга. Технический результат - обеспечение фокусировки когерентного электромагнитного излучения в пятно шириной менее дифракционного предела, менее 0,25λ. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 176 266 U1 (51) МПК G02B 27/58 (2006.01) G02F 1/21 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК G02B 27/58 (2017.08); G02F 1/21 (2017.08); B82Y 20/00 (2017.08) (21)(22) Заявка: 2017120161, 07.06.2017 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 15.01.2018 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 07.06.2017 (45) Опубликовано: 15.01.2018 Бюл. № 2 1 7 6 2 6 6 R U (56) Список ...

Подробнее
06-02-2018 дата публикации

ОПТИЧЕСКИЙ ДИОД

Номер: RU0000177027U1

Использование: для создания оптического диода. Сущность полезной модели заключается в том, что оптический диод состоит из подложки, фотонного кристалла, металлической пленки толщиной от 100 до 250 нм с массивом наноотверстий диаметром от 100 до 300 нм, фотонный кристалл изготовлен из чередующихся диэлектрических слоев из материала SiO и материала TaO, при этом количество пар слоев фотонного кристалла составляет от 50 до 150, а толщины слоев, соответственно, составляют 12±3 и 254±60 нанометров. Технический результат: обеспечение возможности повышения эффективности оптического диода. 3 илл. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 177 027 U1 (51) МПК G01N 21/00 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК G01N 21/00 (2006.01); B82Y 20/00 (2006.01) (21)(22) Заявка: 2017117499, 19.05.2017 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 06.02.2018 (45) Опубликовано: 06.02.2018 Бюл. № 4 Адрес для переписки: 142190, Московская обл., г. Троицк, ул. Пушковых, 7а, кв. 21, Юсупов Владимир Исаакович (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: Vasily V. Klimov, Ilya V. Treshin, U 1 1 7 7 0 2 7 R U (54) ОПТИЧЕСКИЙ ДИОД (57) Реферат: Использование: для создания оптического диода. Сущность полезной модели заключается в том, что оптический диод состоит из подложки, фотонного кристалла, металлической пленки толщиной от 100 до 250 нм с массивом наноотверстий диаметром от 100 до 300 нм, фотонный кристалл изготовлен из чередующихся Стр.: 1 диэлектрических слоев из материала SiO2 и материала Ta2O5, при этом количество пар слоев фотонного кристалла составляет от 50 до 150, а толщины слоев, соответственно, составляют 12±3 и 254±60 нанометров. Технический результат: обеспечение возможности повышения эффективности оптического диода. 3 илл. U 1 Alexander S. Shalin, Pavel N. Melentiev, Artur A. Kuzin, Anton E. Afanasiev, Victor I. Balykin, Optical Tamm state and giant asymmetry ...

Подробнее
04-07-2018 дата публикации

ЛИНЗА

Номер: RU0000181086U1

Полезная модель может использоваться для фокусировки в локальную область с субдифракционными размерами, например, в ближнепольных микроскопах, в фотоприемниках. Линза состоит из прозрачного для падающего излучения диэлектрического слоя, в котором размещена одна или несколько мезоразмерных диэлектрических частиц, оптический фокус каждой из которых находится вне диэлектрического слоя. Частицы выполнены из материала с относительным показателем преломления по отношению к показателю преломления среды, окружающей частицу, примерно от 1.2 до 2 и с характерным размером не менее λ, где λ - длина волны падающего излучения. Частицы формируют непосредственно на своей теневой границе фотонную струю с пространственным разрешением, превышающим дифракционный предел. Технический результат - упрощение устройства линзы. 10 з.п. ф-лы, 4 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 181 086 U1 (51) МПК G02B 3/00 (2006.01) G02B 27/58 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК G02B 3/00 (2006.01); G02B 27/58 (2006.01); B82Y 20/00 (2006.01) (21)(22) Заявка: 2017138150, 01.11.2017 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 04.07.2018 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 01.11.2017 (45) Опубликовано: 04.07.2018 Бюл. № 19 1 8 1 0 8 6 R U (54) ЛИНЗА (57) Реферат: Полезная модель может использоваться для фокусировки в локальную область с субдифракционными размерами, например, в ближнепольных микроскопах, в фотоприемниках. Линза состоит из прозрачного для падающего излучения диэлектрического слоя, в котором размещена одна или несколько мезоразмерных диэлектрических частиц, оптический фокус каждой из которых находится вне диэлектрического слоя. Частицы выполнены из Стр.: 1 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: WO 2015025174 A1, 26.02.2015. WO 2016020831 A1, 11.02.2016. RU 2631006 C1, 15.09.2017. RU 160810 U1, 10.04.2016. WO 2017007431 A1, 12.01.2017. материала с относительным ...

Подробнее
22-08-2018 дата публикации

Субволновая оптическая ловушка в поле стоячей волны на основе фотонной струи

Номер: RU0000182549U1

Полезная модель относится к области изучения свойств частиц биологической ткани и предназначена для удерживания частиц или манипулирования ими путем создания оптической ловушки (лазерного пинцета). Она может быть использована при изучении структурных, биофизических, морфологических и оптических свойств частиц биологической ткани в условиях in vivo и их взаимодействия с окружающей средой для удерживания частиц в определенном месте биоткани или манипулирования ими. Заявленная субволновая оптическая ловушка в поле стоячей волны на основе фотонной струи содержит лазерный источник излучения, фокусирующее устройство, облучающее устройство формирования фотонной струи, расположенное на плоском экране, отражающем падающее на него излучение и микрочастицу, расположенную в области сформированной фотонной струи. Устройство формирования фотонной струи выполнено в форме диэлектрического шарика с показателем преломления материала, лежащего в диапазоне примерно от 1.05 до 1.36 и с диаметром не менее λ, где λ - длина волны освещающего шарик излучения. Кроме того, отражающий экран выполнен из диэлектрика с показателем преломления не менее 2.7. Технический результат - упрощение изготовления оптической ловушки на основе фотонных струй при уменьшении величины показателя преломления устройства формирования фотонной струи в режиме на «отражение». 1 з.п. ф-лы, 2 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 182 549 U1 (51) МПК G02B 21/32 (2006.01) G01N 1/28 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК G02B 21/32 (2006.01); G01N 1/28 (2006.01); B82Y 20/00 (2006.01) (21)(22) Заявка: 2018116729, 04.05.2018 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 22.08.2018 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 04.05.2018 (45) Опубликовано: 22.08.2018 Бюл. № 24 1 8 2 5 4 9 R U (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 160834 U1, 10.04.2016. RU 161207 U1, 10.04.2016. Antonio Alvaro Ranha Neves "; ...

Подробнее
24-08-2018 дата публикации

УСТРОЙСТВО РЕЗОНАНСНОГО ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ РАСПРОСТРАНЕНИЕМ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер: RU0000182626U1

Полезная модель относится к устройствам в области фотоники и оптоэлектроники. Устройство резонансного фотонного кристалла для управления распространением электромагнитного излучения представляет собой пространственно-периодическую структуру чередующихся полупроводниковых слоев двух типов. Слои характеризуются разными толщинами и показателями преломления, причем в центре каждого слоя одного типа встроена полупроводниковая квантовая яма с возможностью взаимодействия электромагнитного излучения с экситонами в квантовых ямах. Технический результат заключается в повышении эффективности работы с электромагнитным излучением оптического диапазона. 4 ил. И 1 182626 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ 7 ВУ‘’” 182 626” 91 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата прекращения действия патента: 31.05.2018 Дата внесения записи в Государственный реестр: 13.08.2019 Дата публикации и номер бюллетеня: 13.08.2019 Бюл. №23 Стр.: 1 па 998 ЕП

Подробнее
28-09-2018 дата публикации

Инжекционный лазер с переключаемым спектром генерации

Номер: RU0000183644U1

Полезная модель относится к квантовой электронике. Инжекционный лазер с переключаемым спектром генерации включает подложку, на одной стороне которой сформирован сплошной омический контакт, а на другой стороне подложки выращена полупроводниковая гетероструктура, ограниченная сколотыми гранями, содержащая оптический резонатор, при этом гетероструктура содержит последовательно нанесенные на подложку слой эмиттера n-типа проводимости, первый волноводный слой, активную область, содержащую по меньшей мере один квантово-размерный активный слой в виде квантовой ямы, второй волноводный слой, слой эмиттера p-типа проводимости, на внешний поверхности которого нанесены первый и второй омические контакты, разделенные диэлектрической областью шириной не менее 2 мкм и образующие секцию управления и секцию накачки лазера. Длина L резонатора, длина L p секции накачки и толщина d слоя квантовой ямы, обеспечивающая наличие как минимум двух уровней размерного квантования в активной области, удовлетворяют определенным соотношениям. Технический результат полезной модели заключается в расширении спектра лазерной генерации до 100 нм. 5 з.п. ф-лы, 3 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 183 644 U1 (51) МПК H01S 5/34 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01S 5/0607 (2018.05); H01S 5/3412 (2018.05); H01S 5/125 (2018.05) (21)(22) Заявка: 2018107623, 01.03.2018 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 01.03.2018 (45) Опубликовано: 28.09.2018 Бюл. № 28 2548034 C2, 10.04.2015. WO 2009019507 A1, 12.02.2009. RU 2230410 C1, 10.06.2004. (54) ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР С ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫМ СПЕКТРОМ ГЕНЕРАЦИИ (57) Реферат: Полезная модель относится к квантовой второй волноводный слой, слой эмиттера p-типа электронике. Инжекционный лазер с проводимости, на внешний поверхности которого переключаемым спектром генерации включает нанесены первый и второй омические контакты, ...

Подробнее
24-12-2018 дата публикации

УЗКОСПЕКТРАЛЬНЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ ФИЛЬТР

Номер: RU0000185920U1

Оптический фильтр может быть использован для выделения узкого спектрального диапазона оптического излучения в оптических вычислителях, взаимосвязанных маршрутизаторах и при мультиплексировании / демультиплексировании с разделением по длине волны. Оптический фильтр состоит из подложки и субволновой резонансной решетки, выполненной в виде слоя с оптическим резонансом, спектральная ширина которого меняется в пространстве периодически как Δv(x)=Δv(x+L), где Δv - спектральная ширина оптического резонанса, L - период изменения спектральной ширины, х - координата по оси, направленной вдоль слоя с оптическим резонансом. Технический результат - увеличение спектральной селективности узкоспектрального оптического фильтра и уменьшение размера. 4 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 185 920 U1 (51) МПК G02B 5/20 (2006.01) G02B 5/18 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК G02B 5/203 (2018.08); G02B 5/1861 (2018.08); B82Y 20/00 (2018.08) (21)(22) Заявка: 2018129704, 13.08.2018 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 24.12.2018 (45) Опубликовано: 24.12.2018 Бюл. № 36 Адрес для переписки: 199034, Санкт-Петербург, Университетская наб., 7/9, Университет, Главное Управление защиты и использования интеллектуальной собственности, Матвееву А.А., Матвеевой Т.И. 6212312 B1, 03.04.2001. US 2007071061 A1, 29.03.2007. US 7729573 B2, 01.06.2010. US 7218817 B2, 15.05.2007. U 1 1 8 5 9 2 0 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: US 6035089 A, 07.03.2000. US (54) УЗКОСПЕКТРАЛЬНЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ ФИЛЬТР (57) Реферат: Оптический фильтр может быть использован меняется в пространстве периодически как Δv(x) для выделения узкого спектрального диапазона =Δv(x+L), где Δv - спектральная ширина оптического излучения в оптических оптического резонанса, L - период изменения вычислителях, взаимосвязанных спектральной ширины, х - координата по оси, маршрутизаторах и при ...

Подробнее
25-04-2019 дата публикации

Гетероструктура с разреженным массивом КТ в системе CdSe/ZnMgSSe, изготовленная методом МПЭ, как базовый элемент источника однофотонного излучения

Номер: RU0000188881U1

Эпитаксиальная гетероструктура, являющаяся базовым элементом источника однофотонного излучения видимого спектрального диапазона, работающего при температуре выше 80°К, выращиваемая на полупроводниковой подложке GaAs (1) ориентации (001), содержит следующие слои (последовательно в направлении от подложки): буферный слой CaAs (2), буферный слой ZnSe (3), нижнюю переменно-напряженную сверхрешетку (CP) ZnSSe/ZnSe (4), барьерный слой широкозонного твердого раствора ZnMgSSe (5), слой матрицы Zn(S)Se (6), слой квантовых точек (КТ) CdSe (7), прикрывающий слой Zn(S)Se (8), барьерный слой широкозонного твердого раствора ZnMgSSe (9), верхнюю переменно-напряженную сверхрешетку ZnSSe/ZnSe (10) и верхний слой ZnSe (11). Активный слой формируется в виде истинных нульмерных объектов - КТ с поверхностной плотностью ~5×10 см и менее посредством использования режима термической активации при молекулярно-пучковой эпитаксии. Техническим результатом, обеспечиваемым при осуществлении заявленной полезной модели, является достижение однофотонной генерации при температуре не ниже 80°К. 1 з.п. ф-лы, 5 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 188 881 U1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ QB9K Государственная регистрация предоставления права использования по договору Вид договора: лицензионный Лицо(а), которому(ым) предоставлено право использования: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук (RU) Дата и номер государственной регистрации предоставления права использования по договору: 01.04.2021 РД0359406 Дата внесения записи в Государственный реестр: 01.04.2021 Дата публикации и номер бюллетеня: 01.04.2021 Бюл. №10 1 8 8 8 8 1 Условия договора: неисключительная лицензия на срок до 31.08.2021 на территории РФ. R U Лицо(а), предоставляющее(ие) право использования: Российская Федерация, от имени которой выступает Фонд перспективных исследований (RU) R U ...

Подробнее
22-05-2019 дата публикации

Источник однофотонного излучения на основе светодиодной излучающей гетероструктуры с эпитаксиальными полупроводниковыми КТ в системе InAs/AlGaAs, изготовленной методом МПЭ

Номер: RU0000189453U1

Полезная модель может быть использована для создания источников однофотонного излучения, являющихся ключевыми элементами устройств квантовой криптографии. Источник однофотонного излучения на основе светодиодной излучающей гетероструктуры с эпитаксиальными полупроводниковыми квантовыми точками (КТ) в системе InAs/AlGaAs, изготовленной методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), представляет собой структуру, ключевыми особенностями которой являются использование внутрирезонаторных электрических контактов и градиентных сверхрешеток, которые позволяют уменьшить внутренние оптические потери, сопротивление и рабочее напряжение источника излучения, а также увеличить его быстродействие; использование в качестве верхнего распределенного брэгговского отражателя последовательности диэлектрических слоев, а также наличие двух оксидных апертур сверху и снизу от слоя КТ InAs. Эпитаксиальная гетероструктура выращивается на полупроводниковой подложке GaAs (1) ориентации (001) и содержит следующие слои (последовательно в направлении от подложки): буферный слой GaAs (2), нижний распределенный брэгговский отражатель (РБО) GaAs/AlGaAs, содержащий 30 периодов (3), контактный слой GaAs:Si n-типа проводимости, легированный Si (4), градиентную сверхрешетку (CP) n-типа проводимости GaAs:Si/AlGaAs:Si (5), слои окисляемой апертуры n-типа проводимости AlGaiAs:Si/AlAs:Si/AlGaiAs:Si (6), обратную градиентную CP n-типа проводимости с GaAs:Si/AlGaAs:Si (7), нелегированную CP GaAs/AlGaAs с постоянным периодом (8), нижний барьерный слой GaAs (9), разреженный массив КТ InAs (10), верхний барьерный слой GaAs (11), нелегированную CP AlGaAs/GaAs (12), градиентную CP р-типа проводимости AlGaAs:Be/GaAs:Be (13), слои окисляемой апертуры р-типа проводимости AlGaAs:Be/AlAs:Be/AlGaAs:Be (14), обратную градиентную CP р-типа проводимости GaAs:Be/AlGaAs:Be (15), легированный Be слой GaAs р-типа проводимости (16), стоп-слой р-типа проводимости AlGaAs:Be (17), контактный слой GaAs р-типа проводимости, сильно ...

Подробнее
21-08-2019 дата публикации

ОПТИЧЕСКИЙ ТРАНЗИСТОР

Номер: RU0000191753U1

Полезная модель относится к области оптической вычислительной техники. Оптический транзистор содержит три фотонных кристалла, планарно и соосно расположенных на одной подложке; в первом внешнем фотонном кристалле выполняется ввод излучения в транзистор, второй внешний фотонный - кристалл обеспечивает многократное прохождение сигнала через третий внутренний фотонный кристалл, а также вывод излучения из транзистора, фотонные кристаллы содержат интерференционные системы со слоями из материалов с кубической нелинейностью показателя преломления, его изменения при прохождении через эти слои сигнала приводят к изменению положения запрещенных энергетических зон фотонных кристаллов и тем самым к прохождению или к непрохождению сигнала через транзистор. Внутренний фотонный кристалл содержит функциональные интерференционные системы, в том числе: поляризующую, энергофильтрующую, фазомодулирующую, со слоями из метаматериалов с 3D наноструктурированными поверхностями. Технический результат заключается в обеспечении возможности увеличения скорости обработки сигналов оптическим транзистором, увеличении частоты его модуляции в би/мультистабильном режиме, а также в обеспечении возможности параллельной обработки пространственно-разделенных частей сигнала при уменьшении размеров транзистора и энергетических затрат в нем. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 191 753 U1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ QB9K Государственная регистрация предоставления права использования по договору Вид договора: лицензионный Лицо(а), которому(ым) предоставлено право использования: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственный комплекс Фотрон-Авто" (RU) Дата и номер государственной регистрации предоставления права использования по договору: 05.03.2020 РД0327332 Дата внесения записи в Государственный реестр: 05.03.2020 Дата публикации и номер бюллетеня: 05.03.2020 Бюл. №7 1 9 1 7 5 3 Условия договора: неисключительная ...

Подробнее
01-10-2019 дата публикации

Одночастотный квантово-каскадный лазер среднего инфракрасного диапазона

Номер: RU0000192784U1

Квантовый каскадный лазер на основе соединений А3В5 содержит подложку (2) из InP n-типа проводимости, на которой последовательно сформированы буферный слой (3) InP n-типа проводимости, слой (4) нижней волноводной обкладки, на котором выполнен полосок (5). Полосок (5) включает последовательно сформированные квантово-каскадную активную область (6), дифракционную решетку (7) распределенной обратной связи, слой (8) верхней волноводной обкладки и верхний контактный слой (9) n-типа проводимости. На тыльной стороне подложки (2) и на верхнем контактном слое нанесены соответственно металлические контакты (1) и (10). Штрихи (11) решетки (7) распределенной обратной связи выполнены в форме эквидистантных дуг концентрических окружностей, при этом радиус Rпервой от центра окружности равен не менее 20⋅λ, а полосок (5) выполнен в форме прямоугольной трапеции, основания которой являются передней и задней выходными гранями (12) и (13) лазера, а боковые стороны представляют собой отрезки прямых, проведенных из центра концентрических окружностей, дугами которых являются штрихи (11) дифракционной решетки (7) распределенной обратной связи. В квантово-каскадном лазере исключен срыв одночастотной генерации из-за отражения от плоских выходных граней лазера. 1 з.п. ф-лы, 3 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 192 784 U1 (51) МПК H01S 5/12 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01S 5/12 (2019.05); H01S 5/3438 (2019.05) (21)(22) Заявка: 2019122072, 10.07.2019 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 01.10.2019 Адрес для переписки: 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26, ФТИ им. А.Ф. Иоффе, пат.-лицензионная служба, Белову В.И. (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: JP 2018046128 A, 22.03.2018. US 20150311665 A1, 29.10.2015. US 20170033536 A1, 02.02.2017. RU 181198 U1, 05.07.2018. U 1 1 9 2 7 8 4 R U (3) InP n-типа проводимости, слой (4) ...

Подробнее
01-10-2019 дата публикации

ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ПЕРЕМЕЩЕНИЙ

Номер: RU0000192790U1

Заявленное устройство относится к измерительной технике, а именно к волоконно-оптическим датчикам перемещений, деформаций, и может быть использовано, например, в системах мониторинга несущих конструкций строительных сооружений. В данном устройстве для измерения перемещений, деформаций используется тот факт, что интерференция когерентного излучения в сегменте многомодового ступенчатого волоконного световода, возбуждаемого излучением одномодового волоконного световода, при определенных размерах сегмента приводит к достаточно простой структуре «спекл» - картины, которая имеет вид тонкого кольца в плоскости выходного торца световода, при этом смещение (деформация) световода приводит к смещению (деформации) указанного кольца, определяемых по изменению интенсивностей световых потоков, поступающих в неподвижный волоконно-оптический жгут с приемными световодами. Использование сегмента многомодового волоконного световода с квантовыми точками в сердцевине, обладающими свойством фотолюминесценции, позволяет определить путем анализа характеристик излучения люминесценции степень влияния внешних дестабилизирующих факторов и внести соответствующие поправки при определении смещений (деформаций). Волоконно-оптический датчик перемещений содержит источник когерентного излучения - лазер, оптический модулятор, передающий одномодовый оптический кабель, оптоволоконный преобразователь перемещения с чувствительным элементом на основе многомодового ступенчатого световода с квантовыми точками, волоконно-оптический жгут с приемными световодами, спектрально селективные фотоприемники. Технический результат: повышение точности измерений с одновременным упрощением конструкции ВОД перемещений и алгоритма обработки сигналов. Ц 192790 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ВУ” 192 790” 44 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ИЗВЕЩЕНИЯ К ПАТЕНТУ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ ММ9К Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе Дата ...

Подробнее
31-01-2020 дата публикации

Динамически управляемая оптическая ловушка

Номер: RU0000195550U1

Настоящая полезная модель относится к области изучения свойств частиц биологической ткани и предназначена для удерживания частиц или манипулирования ими путем создания управляемой оптической ловушки (лазерного пинцета). Она может быть использована при изучении структурных, биофизических, морфологических и оптических свойств частиц биологической ткани в условиях in vivo и их взаимодействия с окружающей средой для удерживания частиц в определенном месте биоткани или манипулирования ими. Задачей полезной модели является создание устройства динамически управляемой оптической ловушки, позволяющей изменять форму области фокусировки излучения и ее положение в пространстве для оперативного манипулирования микро- и наночастицами. Указанная задача достигается тем, что динамически управляемая оптическая ловушка содержит жидкокристаллический слой, обладающий эффектом двулучепреломления и расположенный между электродами, согласно полезной модели жидкокристаллический слой имеет форму кубоида, обеспечивающего оптический контраст по отношению к окружающей среде, равный 1,2-1,75 с величиной ребра, равного (0,9-1,3)nλ, где n - целое число, λ - длина волны используемого излучения в среде и составлен из двух однородных треугольных призм, соединенных вдоль диагонали кубоида, c относительным показателем преломления = , находящимся в диапазоне примерно от 0,8 до 1,2, где показатель преломления материала однородной треугольной призмы на входе устройства и показатель преломления материала однородной треугольной призмы на выходе устройства. 2 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 195 550 U1 (51) МПК G02F 1/13 (2006.01) G02B 21/32 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК G02F 1/13 (2019.08); G02B 21/32 (2019.08); B82Y 20/00 (2019.08) (21)(22) Заявка: 2019133030, 16.10.2019 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 31.01.2020 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 16.10.2019 (45) ...

Подробнее
03-02-2020 дата публикации

Устройство для формирования оптической ловушки в форме фотонного крюка

Номер: RU0000195603U1

Настоящая полезная модель относится к области изучения свойств частиц биологической ткани и предназначена для удерживания частиц или манипулирования ими путем создания оптической ловушки (лазерного пинцета) сложной пространственной формы - фотонного крюка. Она может быть использована при изучении структурных, биофизических, морфологических и оптических свойств частиц биологической ткани в условиях in vivo и их взаимодействия с окружающей средой для удерживания частиц в определенном месте биоткани или манипулирования ими. Технической задачей полезной модели является упрощение и уменьшение продольных габаритов устройства субволновой фокусировки излучения в криволинейную область в форме фотонного крюка. Поставленная задача достигается тем, что устройство для формирования оптической ловушки в форме фотонного крюка содержит один или несколько источников когерентного излучения, фокусирующее устройство с малым фокусным расстоянием, выполненное в виде диэлектрической частицы из материала, обеспечивающего оптический контраст по отношению к окружающей среде, и микрочастицы, расположенной в области сфокусированного излучения, новым является то, что фокусирующее устройство выполнено в форме кубоида, состоящего из двух частей в форме правильных треугольных призм, сопряженных по диагонали и выполненных из материалов с различными показателями преломления, с оптическим контрастом по отношению к окружающей среде первой правильной треугольной призмы, на боковую поверхность которой падает излучение, равным примерно 1,4-1,75, и показателем преломления материала второй правильной треугольной призмы меньше показателя преломления материала первой правильной треугольной призмы в 0,8-1,2 раза. 2 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 195 603 U1 (51) МПК G02B 21/32 (2006.01) G01N 1/28 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК G02B 21/32 (2019.08); G01N 1/28 (2019.08); B82Y 20/00 (2019.08) (21)(22) ...

Подробнее
30-04-2020 дата публикации

Функциональный трехмерный компонент оптоэлектронного прибора

Номер: RU0000197477U1

Полезная модель относится к полупроводниковым приборам и может найти применение в промышленном производстве светоизлучающих устройств и фоточувствительных элементов. Функциональный трехмерный компонент оптоэлектронного прибора представляет собой бесподложечный массив однонаправленных нитевидных нанокристаллов нитрида индий-галлия, имеющих переменное по высоте поперечное сечение с утонениями на обоих концах и частично сросшихся в серединной по высоте зоне. Достигаемый технический результат - обеспечение конструктивной прочности (целостности) ФТК, сформированного в виде массива ННК нитрида индий-галлия, достаточной для его функционирования после отделения от подложки при высоком оптическом качестве материала ННК. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК C30B 29/62 (2006.01) C30B 29/38 (2006.01) C30B 29/40 (2006.01) C30B 23/08 (2006.01) C30B 33/06 (2006.01) C30B 33/10 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА B82B 3/00 (2006.01) ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ B82Y 20/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) G02B 1/02 (2006.01) (12) (13) 197 477 U1 H01L 21/02 (2006.01) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК (21)(22) Заявка: 2019140444, 09.12.2019 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 30.04.2020 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 09.12.2019 (45) Опубликовано: 30.04.2020 Бюл. № 13 U 1 1 9 7 4 7 7 R U (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: CN 109795982 A, 24.05.2019. EP 1796180 В1, 07.06.2017. WO 2005017962 A2, 24.02.2005. KEVIN D. GOODMAN et al., Green luminescence of InGaN nanowires grown on silicon substratesby molecular beam epitaxy, "Journal of Applied Physics", 2011,109, 084336. (54) Функциональный трехмерный компонент оптоэлектронного прибора (57) Реферат: Полезная модель относится к галлия, имеющих переменное по высоте полупроводниковым приборам и может найти поперечное сечение с утонениями на обоих концах применение в промышленном производстве и частично сросшихся в серединной по высоте светоизлучающих устройств и зоне. ...

Подробнее
08-02-2021 дата публикации

Субволновая оптическая ловушка в поле стоячей волны на основе фотонной струи

Номер: RU0000202241U1

Полезная модель относится к области изучения свойств частиц биологической ткани и предназначена для удерживания частиц или манипулирования ими путем создания оптической ловушки (лазерного пинцета) сложной пространственной формы - фотонного крюка. Она может быть использована при изучении структурных, биофизических, морфологических и оптических свойств частиц биологической ткани в условиях in vivo и их взаимодействия с окружающей средой для удерживания частиц в определенном месте биоткани или манипулирования ими. Субволновая оптическая ловушка содержит лазерный источник излучения, фокусирующее устройство, отражающий экран, облучающее устройство формирования фотонной струи, выполненное в виде диэлектрической пластины, толщиной прямоугольной пластины по нормали к отражающему экрану, равной (0,3-1,5)*λ, с показателем преломления материала пластины, равным 1,2÷1,95, где λ - длина волны излучения в среде. Отражающий экран выполнен в виде вогнутого цилиндрического зеркала, состоящего из двух равных частей, смещенных одна относительно другой вдоль оптической оси. Диэлектрическая пластина выполнена вогнутой и расположена непосредственно на одной из половин цилиндрического зеркала и заполняет впадину цилиндрического зеркала, образуя общую цилиндрическую поверхность из двух половин. Технический результат: обеспечение возможности субволновой фокусировки излучения в криволинейную область в форме фотонного крюка в режиме работы на отражение излучения. 2 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 202 241 U1 (51) МПК G01N 1/28 (2006.01) G02B 21/32 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК G02B 21/00 (2020.08); G02B 21/32 (2020.08); G01N 1/28 (2020.08); G02B 27/00 (2020.08); B82Y 20/00 (2020.08) (21)(22) Заявка: 2020133152, 08.10.2020 08.10.2020 08.02.2021 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 08.10.2020 (45) Опубликовано: 08.02.2021 Бюл. № 4 2 0 2 2 4 1 R U (56) Список документов, ...

Подробнее
08-06-2021 дата публикации

Источник одиночных фотонов на основе двумерного полупроводника с излучением в нанофотонный волновод

Номер: RU0000204747U1

Полезная модель относится к области квантовой оптики, в частности к источникам квантового излучения, и может быть использована для генерации одиночных фотонов в компактных системах квантовой коммуникации, например системах квантового распределения ключей. Источник одиночных фотонов на основе двумерного полупроводника с излучением в нанофотонный волновод состоит из монослоя WSe на подложке из полимера ПММА толщиной 100-400 нм с локально деформированной областью в виде углубления с поперечными размерами 200-500 нм и глубиной 50-300 нм, при этом используют монослой WSe с низкой плотностью дефектов, непосредственно под слоем полимера ПММА находится диэлектрический нанофотонный волновод с высоким показателем преломления, расположенный таким образом, чтобы наиболее глубокая точка локально деформированного участка монослоя WSe находилась строго над центром волновода на высоте не более 20 нм, а под волноводом расположен слой диэлектрика с низким показателем преломления толщиной не менее 1 мкм на подложке из кремния. Технический результат достигается за счет точного позиционирования источника одиночных фотонов по трем пространственным координатам относительно нанофотонного волновода, что приводит к эффективному излучению одиночных фотонов в оптическую моду волновода. 8 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 204 747 U1 (51) МПК H01L 33/02 (2010.01) H01S 5/10 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 33/02 (2021.02); H01S 5/10 (2021.02); B82Y 20/00 (2021.02) (21)(22) Заявка: 2020143412, 25.12.2020 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 25.12.2020 (45) Опубликовано: 08.06.2021 Бюл. № 16 2 0 4 7 4 7 R U (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: Matthew R Rosenberger et al, Quantum Calligraphy: Writing Single-Photon Emitters in a Two-Dimensional Materials Platform, ACS Nano, 2019 Jan 22;13(1):904-912. ...

Подробнее
18-11-2021 дата публикации

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ ЛОВУШКИ В ФОРМЕ ФОТОННОГО КРЮКА

Номер: RU0000207824U1

Настоящая полезная модель относится к области изучения свойств частиц биологической ткани и предназначена для удерживания частиц или манипулирования ими путем создания оптической ловушки (лазерного пинцета) сложной пространственной формы - фотонного крюка. В заявляемой полезной модели достигается технический эффект, заключающийся в осуществлении возможности субволновой фокусировки излучения в криволинейную область в форме фотонного крюка устройства с каналом для микрофлюидных устройств. Устройство для формирования оптической ловушки в форме фотонного крюка содержит один или несколько источников когерентного излучения, фокусирующее устройство с малым фокусным расстоянием, выполненное в виде диэлектрической частицы из материала, обеспечивающего оптический контраст по отношению к окружающей среде и выполненное в форме прямоугольного параллелепипеда и микрочастицы, расположенной в области сфокусированного излучения. Фокусирующее устройство состоит из двух диэлектрических прямоугольных параллелепипедов, каждый из которых выполнен из материалов, обеспечивающих разный оптический контраст по отношению к окружающей среде и друг другу, расположенных параллельно друг другу большими боковыми поверхностями, разнесенными между собой на расстояние D и облучаемых по нормали со стороны их меньшей боковой поверхности электромагнитной волной с плоским фронтом, причем величина ребра меньшей стороны параллелепипеда выбирается не менее λ/2, величина ребра большей стороны каждого прямоугольного параллелепипеда выбирается в диапазоне примерно равного от 0,5λ до 5λ и расстояние D выбирается в диапазоне примерно равного от 0,1λ до 5λ, где λ - длина волны излучения в свободном пространстве. 1 з.п. ф-лы; 4 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 207 824 U1 (51) МПК G02B 21/32 (2006.01) G01N 1/28 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК B82Y 20/00 (2021.08) (21)(22) Заявка: 2021122163, 27.07.2021 (24) ...

Подробнее
18-03-2022 дата публикации

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА С ПОНИЖЕННОЙ ПОВЕРХНОСТНОЙ ПЛОТНОСТЬЮ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК

Номер: RU0000209708U1

Полезная модель относится к квантовой электронной технике, а точнее к источникам одиночных фотонов с PN-переходами телекоммуникационного диапазона. Полупроводниковой гетероструктура излучателя одиночных фотонов содержит подложку из GaAs, буферный слой из GaAs толщиной 100 нм, активную область в виде слоя квантовых точек InGaP(As) с пониженной поверхностной плотностью толщиной 3 нм и покровный слой из GaAs, после буферного слоя последовательно сформированы распределенный брэгговский отражатель (РБО), состоящий из 35 пар слоев GaAs/AlGaAs толщиной 95 нм и 111 нм соответственно, нижний покровный слой GaAs толщиной 370 нм, второй буферный слой, выполненный из слоя квантовых точек InGaP(As) с пониженной поверхностной плотностью толщиной 3 нм, и расположенного на нем среднего покровного слоя GaAs толщиной 4 нм, а активная область расположена на среднем покровном слое и образована слоем с излучающими квантовыми точками из InAs толщиной 2.5 монослоя со сформированным на нем слоем с квантовыми ямами из InGaAs толщиной 4 нм, при этом верхний покровный слой из GaAs толщиной 370 нм выполнен поверх активной области, а каждая излучающая квантовая точка из InAs выполнена строго над квантовой точкой из InGaP(As). Технический результат заключается в оптимизации гетероструктуры с обеспечением резонанаса в области 1300 нм. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 209 708 U1 (51) МПК H01L 33/04 (2010.01) H01L 33/30 (2010.01) B82Y 20/00 (2011.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 33/04 (2022.02); H01L 33/30 (2022.02); B82Y 20/00 (2022.02) (21)(22) Заявка: 2021137550, 17.12.2021 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 18.03.2022 (45) Опубликовано: 18.03.2022 Бюл. № 8 2 0 9 7 0 8 R U (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: Н.В. Крыжановская и др. "Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы", журнал "Оптика и ...

Подробнее
12-01-2012 дата публикации

Single Mode Photonic Circuit Architecture and a New Optical Splitter Design Based on Parallel Waveguide Mode Conversion

Номер: US20120008897A1
Автор: Bing Li
Принадлежит: Individual

The new single mode circuit (SMC) architecture is invented for photonic integrated circuits (PIC). This architecture allows using multimode waveguides or structures to construct a single mode operated PIC. The multimode sections used in such SMC based PIC possess strong lateral confinement so that the PIC can have high circuit density and high optical performance at the same time. A parallel mode converter structure is also invented here. Based on this parallel mode converter, a low loss optical splitter can be constructed for high index contrast waveguide system.

Подробнее
19-01-2012 дата публикации

Holographic mirror for optical interconnect signal routing

Номер: US20120014643A1
Принадлежит: Hewlett Packard Development Co LP

A holographic mirror 10 for re-directing an optical signal that includes a base 14 having an outer surface 16, and a plurality of discrete nano-structures 12 formed into the outer surface of the base. Each nano-structure has an out-of-plane dimension 20 that is within an order of magnitude of one or both in-plane dimensions 22. The plurality of nano-structures are configured in a repeating pattern with a predetermined spacing 18 between nano-structures for re-directing an optical signal.

Подробнее
26-01-2012 дата публикации

Surface emitting laser, light source, and optical module

Номер: US20120020383A1
Принадлежит: Furukawa Electric Co Ltd

A surface emitting laser includes lower and upper multilayer mirrors, first-conductivity-type and second-conductivity-type contact layers formed between the lower and the upper multilayer mirrors, an active layer formed between the first-conductivity-type and the second-conductivity-type contact layers, a current confinement layer formed between the second-conductivity-type contact layer and the active layer, and first and second composition gradient layers formed facing each other across the current confinement layer. The first composition gradient layer and the second composition gradient layer are formed such that bandgap energy of each of the layers is monotonically decreased from the current confinement layer to an adjacent layer and approach bandgap energy of the adjacent layer in a growth direction.

Подробнее
26-01-2012 дата публикации

Optics collection and detection system and method

Номер: US20120021525A1
Принадлежит: Pacific Biosciences of California Inc

Optics collection and detection systems are provided for measuring optical signals from an array of optical sources over time. Methods of using the optics collection and detection systems are also described.

Подробнее
02-02-2012 дата публикации

Optical Apparatus for Forming a Tunable Cavity

Номер: US20120027348A1
Принадлежит: Hewlett Packard Development Co LP

An optical apparatus includes an optical fiber formed of a core surrounded by cladding, in which the optical fiber includes an end portion. In addition, an optical layer composed of a material having a relatively high refractive index is positioned on the end portion, in which the optical layer includes a non-periodic sub-wavelength grating positioned in optical communication with the core.

Подробнее
09-02-2012 дата публикации

Compositions Comprising QD Sol-Gel Composites and Methods for Producing and Using the Same

Номер: US20120032141A1
Принадлежит: HCF Partners LLP

The present invention provides OLEDs comprising cross-linked quantum dots and methods for producing and using the same.

Подробнее
09-02-2012 дата публикации

Optical force based biomolecular analysis in slot waveguides

Номер: US20120033915A1
Принадлежит: CORNELL UNIVERSITY

An architecture for the handling and transport of nanoscopic matter in lab on a chip devices using optical forces. A slot waveguide is used to focus and harness optical energy to trap and transport nanoscale objects. The slot waveguide is a unique structure that has several advantageous features, such as high optical confinement, and enables nanoparticles to interact fully with a propagating optical mode.

Подробнее
16-02-2012 дата публикации

Illumination system comprising beam shaping element

Номер: US20120037943A1
Принадлежит: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV

The invention relates to an illumination system ( 10 ) comprising a light emitting device ( 20 ) and a beam shaping element ( 30 ) for generating an angular distribution (φ) of the light emitted from the illumination system. The beam shaping element is configured for recycling at least a part of the light emitted from a light emitting surface ( 26 ) of the light emitting device via reflection back towards the light emitting surface. The illumination system further comprises a diffuser ( 40, 42 ) arranged substantially parallel to the light emitting surface for diffusing at least part of the recycled light. The diffuser is constituted of a translucent diffuser ( 40 ) and/or a diffusely reflective electrode layer ( 42 ) of the light emitting device. Limiting the angular distribution by recycling light, using the beam shaping element for recycling light via reflection, reduces glare when the illumination system is used in general lighting applications. The diffuser avoids that the recycled light is confined between the beam shaping element and the light emitting surface of the light emitting element. The recycling is preferably done via total internal reflection at the beam shaping element. The presence of the diffuser improves the efficiency of the illumination system.

Подробнее
16-02-2012 дата публикации

Dynamic nano-inscribing for continuous and seamless metal and polymer nanogratings

Номер: US20120038085A1
Принадлежит: University of Michigan

Nanoscale grating structure can be utilized in many practical applications in optics, flat-panel displays and bio-sensors. A Dynamic Nano-Inscribing (Dynamic Nano-Inscribing) technique is disclosed for directly creating large-area, truly continuous nano-grating patterns in a variety of metal or polymer materials with feature size down to sub-50 nm and at very high speed (10 cm/sec). Dynamic Nano-Inscribing is carried out under either ambient temperature or with a brief heating time on the order of ten microseconds, which minimizes damage on UV or thermo-sensitive functional materials.

Подробнее
23-02-2012 дата публикации

Semiconductor light emitting element, driving method of semiconductor light emitting element, light emitting device, and optical pulse tester using light emitting device

Номер: US20120044481A1
Принадлежит: Anritsu Corp

[Task] To provide a semiconductor light emitting element capable of emitting light beams with wavelengths in a plurality of wavelength ranges with a high optical output, a driving method of a semiconductor light emitting element capable of making a semiconductor light emitting element that can emit light beams with wavelengths in a plurality of wavelength ranges operate with a high optical output, a light emitting device, and a small and high-performance optical pulse tester using the light emitting device. [Means for Resolution] In a driving method of a semiconductor light emitting element with a configuration in which an active layer 13 a with a gain wavelength λ 1 of about 1.55 μm and an active layer 13 b with a gain wavelength λ 2 of about 1.3 μm are optically coupled along the guiding direction of light and are disposed in series in order of the length of the gain wavelengths λ 1 and λ 2 and a diffraction grating 20 with a Bragg wavelength of the short gain wavelength λ 2 is formed near the active layer 13 b with the short gain wavelength λ 2 and near a butt-joint coupling portion 19 between the active layers 13 a and 13 b, an upper electrode provided above the active layer 13 b is short-circuited to a lower electrode provided on a bottom surface of a semiconductor substrate so that a leakage current does not flow into the active layer 13 b when a driving current is applied to the active layer 13 a.

Подробнее
01-03-2012 дата публикации

Edge-emitting semiconductor laser

Номер: US20120051380A1
Принадлежит: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser comprising a semiconductor body ( 10 ), which comprises a waveguide region ( 4 ), wherein the waveguide region ( 4 ) comprises a first waveguide layer ( 2 A), a second waveguide layer ( 2 B) and an active layer ( 3 ) arranged between the first waveguide layer ( 2 A) and the second waveguide layer ( 2 B) and serving for generating laser radiation ( 5 ), and the waveguide region ( 4 ) is arranged between a first cladding layer ( 1 A) and a second cladding layer ( 1 B) disposed downstream of the waveguide region ( 4 ) in the growth direction of the semiconductor body ( 10 ). The waveguide region ( 4 ) has a thickness d of 400 nm or less, and an emission angle of the laser radiation ( 5 ) emerging from the semiconductor body ( 10 ) in a direction parallel to the layer plane of the active layer ( 3 ) and the emission angle of the laser radiation ( 5 ) emerging from the semiconductor body ( 10 ) in a direction perpendicular to the layer plane of the active layer ( 3 ) differ from one another by less than a factor of 3.

Подробнее
08-03-2012 дата публикации

Semiconductor device

Номер: US20120056153A1
Принадлежит: Toshiba Corp

A semiconductor device of an embodiment includes: a semiconductor layer made of p-type nitride semiconductor; an oxide layer formed on the semiconductor layer, the oxide layer being made of a polycrystalline nickel oxide, and the oxide layer having a thickness of 3 nm or less; and a metal layer formed on the oxide layer.

Подробнее
08-03-2012 дата публикации

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер: US20120056232A1
Принадлежит: Toshiba Corp

A semiconductor light emitting device includes a structural body, a first electrode layer, an intermediate layer and a second electrode layer. The structural body includes a first semiconductor layer of first conductivity type, a second semiconductor layer of second conductivity type, and a light emitting layer between the first and second semiconductor layers. The first electrode layer is on a side of the second semiconductor layer opposite to the first semiconductor layer; the first electrode layer includes a metal portion and plural opening portions piercing the metal portion along a direction from the first semiconductor layer toward the second semiconductor layer, having an equivalent circular diameter not less than 10 nanometers and not more than 5 micrometers. The intermediate layer is between the first and second semiconductor layers in ohmic contact with the second semiconductor layer. The second electrode layer is electrically connected to the first semiconductor layer.

Подробнее
08-03-2012 дата публикации

Semiconductor optical element

Номер: US20120056293A1
Автор: Kazuhisa Takagi
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp

A semiconductor optical element has an active layer including quantum dots. The density of quantum dots in the resonator direction in a portion of the active layer in which the density of photons is relatively high is increased relative to the density of quantum dots in a portion of the active layer in which the density of photons is relatively low.

Подробнее
15-03-2012 дата публикации

Optoelectronic device based on non-polar and semi-polar aluminum indium nitride and aluminum indium gallium nitride alloys

Номер: US20120061645A1
Принадлежит: UNIVERSITY OF CALIFORNIA

A high-power and high-efficiency light emitting device with emission wavelength (λ peak ) ranging from 280 nm to 360 nm is fabricated. The new device structure uses non-polar or semi-polar AlInN and AlInGaN alloys grown on a non-polar or semi-polar bulk GaN substrate.

Подробнее
22-03-2012 дата публикации

Metamaterial Integrated Solar Concentrator

Номер: US20120067419A1
Автор: Sanjeet Das
Принадлежит: US Department of Navy

An optical device including a metamaterial layer having a negative index of refraction for at least one wavelength in the visible range of 400-700 nm, a photovoltaic cell, and an optical waveguide arranged between the metamaterial layer and the photovoltaic cell. The optical waveguide has a first face and second face arranged opposite the first face, the first face having a larger area than the second face, the metamaterial layer positioned at the first face of the optical waveguide and the photovoltaic cell positioned at the second face of the optical waveguide. The optical device can be a solar collector. The optical waveguide can have a trapezoidal cross section, with the side faces of the waveguide having an angle of tilt sufficient to ensure total internal reflection for all incidence angles within the metamaterial's acceptance cone.

Подробнее
22-03-2012 дата публикации

Multi-wavelength high output laser source assembly with precision output beam

Номер: US20120068001A1
Принадлежит: Individual

A laser source assembly ( 210 ) for generating an assembly output beam ( 212 ) includes a first laser source ( 218 A), a second laser source ( 218 B), and a dispersive beam combiner ( 222 ). The first laser source ( 218 A) emits a first beam ( 220 A) having a first center wavelength, and the second laser source ( 218 B) emits a second beam ( 220 B) having a second center wavelength that is different than the first center wavelength. The dispersive beam combiner ( 222 ) includes a common area 224 that combines the first beam ( 220 A) and the second beam ( 220 B) to provide the assembly output beam ( 212 ). The first beam ( 220 A) impinges on the common area ( 224 ) at a first beam angle ( 226 A), and the second beam ( 220 B) impinges on the common area ( 224 ) at a second beam angle ( 226 B) that is different than the first beam angle ( 226 A). Further, the beams ( 220 A) ( 220 B) that exit from the dispersive beam combiner ( 222 ) are substantially coaxial, are fully overlapping, and are co-propagating.

Подробнее
29-03-2012 дата публикации

Alternating Bias Hot Carrier Solar Cells

Номер: US20120073657A1
Принадлежит: Ostendo Technologies Inc

Extremely high efficiency solar cells are described. Novel alternating bias schemes enhance the photovoltaic power extraction capability above the cell band-gap by enabling the extraction of hot carriers. In conventional solar cells, this alternating bias scheme has the potential of more than doubling their yielded net efficiency. In solar cells incorporating quantum wells (QWs) or quantum dots (QDs), the alternating bias scheme has the potential of extending such solar cell power extraction coverage, possibly across the entire solar spectrum, thus enabling unprecedented solar power extraction efficiency. Within such cells, a novel alternating bias scheme extends the cell energy conversion capability above the cell material band-gap while the quantum confinement structures are used to extend the cell energy conversion capability below the cell band-gap. Light confinement cavities are incorporated into the cell structure to allow the absorption of the cell internal photo emission, thus further enhancing the cell efficiency.

Подробнее
29-03-2012 дата публикации

Low loss broadband fiber coupler to optical waveguide

Номер: US20120076465A1
Принадлежит: Alcatel Lucent USA Inc

An apparatus that comprises an optical-mode-converter. The optical-mode-converter includes a optical waveguide including a segment directly located on a substrate and a cantilevered segment located over said substrate and separated from said substrate by a cavity, and, said cantilevered segment includes a core surrounded by a cladding. The optical-mode-converter also includes a dielectric material filling said cavity and contacting said cantilevered segment over said cavity, wherein said dielectric material has a refractive index that is less than a refractive index of said cladding and that is no more than about 20 percent less than said refractive index of said cladding.

Подробнее
29-03-2012 дата публикации

Hierarchical chromonic structures

Номер: US20120077022A1
Принадлежит: 3M Innovative Properties Co

A method of making a chromonic structure comprises (a) preparing a first aqueous mixture comprising (i) a continuous water-soluble polymer phase and (ii) a discontinuous chromonic phase comprising a chromonic material, to form chromonic nanoparticles; (b) non-covalently crosslinking the resulting chromonic nanoparticles with a multivalent cation salt; (c) dispersing the resulting crosslinked chromonic nanoparticles in a water-soluble polymer phase to form a chromonic nanoparticle dispersion; and (d) preparing a second aqueous mixture comprising (i) the chromonic nanoparticle dispersion and (ii) a continuous chromonic phase comprising a chromonic material.

Подробнее
12-04-2012 дата публикации

Polymer layer on x-ray window

Номер: US20120087476A1
Принадлежит: Moxtek Inc

An x-ray window comprising a plurality of thin film layers stacked together, including a thin film layer and a polymer layer. The thin film layer can be diamond, graphene, diamond-like carbon, beryllium, and combinations thereof. The polymer layer can be a polyimide. A boron hydride layer may also be included.

Подробнее
19-04-2012 дата публикации

Methods and systems for optical focusing using negative index metamaterial

Номер: US20120091345A1
Принадлежит: Raytheon Co

In an embodiment of methods and systems for optical focusing For laser guided seekers using negative index metamaterial, the methods and systems comprise a light focusing system comprising: a lens comprising a negative index metamaterial to focus at least one selected wavelength while defocusing other wavelengths, and a sensor upon which the lens focuses the selected wavelength.

Подробнее
19-04-2012 дата публикации

Surface emitting laser, surface emitting laser array, and optical apparatus having surface emitting laser array

Номер: US20120093188A1
Автор: Mitsuhiro Ikuta
Принадлежит: Canon Inc

There is provided a surface emitting laser allowing a direction of a far-field pattern (FFP) centroid to be inclined from a normal direction of a substrate providing the surface emitting laser, comprising: a substrate; a lower reflecting mirror, an active layer, an upper reflecting mirror stacked on the substrate; and a surface relief structure located in an upper portion of a light emitting surface of the upper reflecting mirror, the surface relief structure being made of a material allowing at least some beams emitted from the surface emitting laser to be transmitted therethrough, a plurality of regions having a predetermined optical thickness in a normal direction of the substrate being formed in contact with other region in an in-plane direction of the substrate, and a distribution of the optical thickness in the in-plane direction of the substrate is asymmetric to a central axis of the light emitting regions.

Подробнее
19-04-2012 дата публикации

Multimode vertical-cavity surface-emitting laser arrays

Номер: US20120093189A1
Принадлежит: Hewlett Packard Development Co LP

Various embodiments of the present invention are directed to monolithic VCSEL arrays where each VCSEL can be configured to lase at a different wavelength. In one embodiment, a monolithic surface-emitting laser array includes a reflective layer, a light-emitting layer ( 102 ), and a grating layer ( 112 ) configured with two or more non-periodic, sub-wavelength gratings. Each grating is configured to form a resonant cavity with the reflector, and each grating is configured with a grating pattern that shapes one or more internal cavity modes and shapes one or more external transverse modes emitted through the grating.

Подробнее
19-04-2012 дата публикации

Method and system for near-field optical imaging

Номер: US20120096601A1
Принадлежит: University of Pennsylvania Penn

A system and method for optically imaging a sample. The method and system uses a controlled scatterer of light positioned in the near field of a sample. The extinguished power from an incident field, which illuminates both the sample and the controlled scatterer, is then measured as a function of the controlled scatterer position and is used to mathematically reconstruct an image of the sample.

Подробнее
26-04-2012 дата публикации

Solar cell

Номер: US20120097228A1
Принадлежит: Sharp Corp

A solar cell of the present invention comprises a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and a superlattice semiconductor layer interposed between the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer, wherein the superlattice semiconductor layer has a superlattice structure in which barrier layers and quantum dot layers comprising quantum dots are stacked alternately and repeatedly, and is formed so that the bandgaps of the quantum dots are gradually widened with increasing distance from a side of the p-type semiconductor layer and decreasing distance to a side of the n-type semiconductor layer.

Подробнее
26-04-2012 дата публикации

Limiting strain relaxation in iii-nitride hetero-structures by substrate and epitaxial layer patterning

Номер: US20120097919A1
Принадлежит: UNIVERSITY OF CALIFORNIA

A method of fabricating a substrate for a semipolar III-nitride device, comprising patterning and forming one or more mesas on a surface of a semipolar III-nitride substrate or epilayer, thereby forming a patterned surface of the semipolar III-nitride substrate or epilayer including each of the mesas with a dimension/along a direction of a threading dislocation glide, wherein the threading dislocation glide results from a III-nitride layer deposited heteroepitaxially and coherently on a non-patterned surface of the substrate or epilayer.

Подробнее
26-04-2012 дата публикации

Long semiconductor laser cavity in a compact chip

Номер: US20120099613A1
Принадлежит: Individual

Long semiconductor laser cavities are placed in relative short length chips through the use of total internal reflection (TIR) surfaces formed through etched facets. In one embodiment, a laser cavity is formed along the perimeter edges of a rectangular semiconductor chip by using three 45° angled TIR facets to connect four legs of a ridge or buried heterostructure (BH) waveguide that defines the laser cavity. In other embodiments, even more TIR facets and waveguide legs or sections are employed to make even longer laser cavities in the shape of rectangular or quadrilateral spirals. These structures are limited in the spacing of adjacent waveguide sections, which if too small, can cause undesirable coupling between the sections. However, use of notches etched between the adjacent sections have been shown to decrease this coupling effect.

Подробнее
03-05-2012 дата публикации

Group iii nitride semiconductor element and epitaxial wafer

Номер: US20120104433A1
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd

A primary surface 23 a of a supporting base 23 of a light-emitting diode 21 a tilts by an off-angle of 10 degrees or more and less than 80 degrees from the c-plane. A semiconductor stack 25 a includes an active layer having an emission peak in a wavelength range from 400 nm to 550 nm. The tilt angle “A” between the (0001) plane (the reference plane S R3 shown in FIG. 5 ) of the GaN supporting base and the (0001) plane of a buffer layer 33 a is 0.05 degree or more and 2 degrees or less. The tilt angle “B” between the (0001) plane of the GaN supporting base (the reference plane S R4 shown in FIG. 5 ) and the (0001) plane of a well layer 37 a is 0.05 degree or more and 2 degrees or less. The tilt angles “A” and “B” are formed in respective directions opposite to each other with reference to the c-plane of the GaN supporting base.

Подробнее
03-05-2012 дата публикации

High sensitivity localized surface plasmon resonance sensor and sensor system using same

Номер: US20120105857A1

The present invention relates to a high sensitivity localized surface plasmon resonance sensor and to a sensor system using same, the sensor comprising: a first metal layer including a first metal; a second metal layer arranged parallel to the first metal layer and including a second metal; and a conductive cross-linking layer disposed between the first metal layer and the second metal layer, and made of a third metal with a corrosion response that is different than that of the first metal and of the second metal.

Подробнее
10-05-2012 дата публикации

Group-iii nitride semiconductor device, method for fabricating group-iii nitride semiconductor device, and epitaxial substrate

Номер: US20120112203A1
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd

Provided is a Group III nitride semiconductor device, which comprises an electrically conductive substrate including a primary surface comprised of a first gallium nitride based semiconductor, and a Group III nitride semiconductor region including a first p-type gallium nitride based semiconductor layer and provided on the primary surface. The primary surface of the substrate is inclined at an angle in the range of not less than 50 degrees, and less than 130 degrees from a plane perpendicular to a reference axis extending along the c-axis of the first gallium nitride based semiconductor, an oxygen concentration Noxg of the first p-type gallium nitride based semiconductor layer is not more than 5×10 17 cm −3 , and a ratio (Noxg/Npd) of the oxygen concentration Noxg to a p-type dopant concentration Npd of the first p-type gallium nitride based semiconductor layer is not more than 1/10.

Подробнее
17-05-2012 дата публикации

Quantum Cascade Lasers with Electrically Tunable Emission Wavelengths

Номер: US20120120972A1
Принадлежит: Individual

The present invention provides a QCL device with an electrically controlled refractive index through the Stark effect. By changing the electric field in the active area, the energy spacing between the lasing energy levels may be changed and, hence, the effective refractive index in the spectral region near the laser wavelength may be controlled.

Подробнее
31-05-2012 дата публикации

Organic Optoelectronic Component and Method for Producing an Organic Optoelectronic Component

Номер: US20120132894A1
Автор: Andrew Ingle
Принадлежит: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

In at least one embodiment of the organic optoelectronic component ( 1 ), the latter comprises a carrier ( 2 ) and a first electrode ( 11 ), which is mounted on the carrier ( 2 ). Furthermore, the component ( 1 ) contains at least one organic layer sequence ( 3 ) with at least one organic active layer ( 33 ). Furthermore, the component ( 1 ) comprises a second electrode ( 22 ), such that the organic layer sequence ( 3 ) is located between the first electrode ( 11 ) and the second electrode ( 22 ). At least one dark region ( 4 ) and at least one bright region ( 5 ) are formed in a lateral direction. In both the dark region ( 4 ) and the bright region ( 5 ), both the first electrode ( 11 ) and the second electrode ( 22 ) and also the organic layer sequence ( 3 ) are applied to the carrier ( 2 ) in places or over the entire surface. A first reflectivity of the dark region ( 4 ) differs from a second reflectivity of the bright region ( 5 ) by at most 15 percentage points.

Подробнее
07-06-2012 дата публикации

Reflection type display device

Номер: US20120140305A1
Принадлежит: Sharp Corp

A reflection type display device ( 10 ) includes: a plasmon resonance layer ( 32 ) in which metal nanoparticles ( 80 ) are dispersed; a band-pass filter ( 40 ); a light shutter ( 20 ); and a silicon solar cell layer ( 50 a ) being provided close to the plasmon resonance layer ( 32 ). The band-pass filter ( 40 ) and the light shutter ( 20 ) are provided so as to overlap the plasmon resonance layer ( 32 ) in planar view. The reflection type display device ( 10 ) performs display in such a manner that: the metal nanoparticles ( 80 ) allow light having a specific wavelength to pass through; the light is then reflected by the band-pass filter ( 40 ); and the light shutter ( 20 ) adjusts an intensity of the light thus reflected.

Подробнее
21-06-2012 дата публикации

Brownian Microbarcodes for Bioassays

Номер: US20120157350A1
Принадлежит: Affymetrix Inc

Presented are encoded microparticles, methods of use in biological assays, and flexible, modular instrument systems for conducting a variety of biological assays using the encoded microparticles. The systems include various instrumentation components which are exchangeable and offer a single flexible platform on which a large number of different types of experiments and assays may be conducted including, for example, microarray analysis, encoded microparticle single and multiplex detection, tissue dissection and isolation, and other genetic analysis techniques.

Подробнее
28-06-2012 дата публикации

Lens, optoelectronic component comprising a lens and method for producing a lens

Номер: US20120162783A1
Принадлежит: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

A lens includes a main body and a potting material. The main body includes a first major face, a second major face and at least one cavity arranged on the first major face. The potting material is arranged in the cavity and includes at least one diffuser which scatters radiation of at least one wavelength range.

Подробнее
28-06-2012 дата публикации

Transparent display backlight assembly

Номер: US20120163021A1
Принадлежит: Microsoft Corp

In embodiments of a transparent display backlight assembly, a backlight panel is operable as a transparent panel, and a light source generates light that the backlight panel directs from the light source to illuminate a display panel of a display device. Light refraction features refract and scatter the light, where the light refraction features are spaced for approximate transparency of the backlight panel and to illuminate the display panel. An active diffuser can be implemented as an additional transparent panel and operable for activation to diffuse the light from the backlight panel that illuminates the display panel.

Подробнее
26-07-2012 дата публикации

Optical materials, optical components, and methods

Номер: US20120187367A1
Принадлежит: QD Vision Inc

An optical component including an optical material comprising quantum confined semiconductor nanoparticles, wherein at least a portion of the nanoparticles are in a charge neutral state. Further disclosed is an optical component including an optical material comprising quantum confined semiconductor nanoparticles, wherein at least a portion of the nanoparticles are in a charge neutral state, and wherein the optical material is at least partially encapsulated. Methods, optical materials, and devices are also disclosed.

Подробнее
02-08-2012 дата публикации

Thermally excited near-field source

Номер: US20120193536A1
Принадлежит: International Business Machines Corp

A high resolution material observation system includes an object having at least one spatial dimension sufficient to support production of near-field infrared emissions, a holder adapted to receive a sample to be observed, the holder further adapted to position the sample in the near-field infrared emissions, and a thermal excitation unit, adapted to be thermally coupled to at least one of the object and the sample. The thermal excitation unit is further adapted to causing black body radiation in either the object or the sample within the infrared spectrum.

Подробнее
02-08-2012 дата публикации

Frequency selective imaging system

Номер: US20120194713A1
Автор: Jeffrey H. Hunt
Принадлежит: Boeing Co

An apparatus, system, and method are disclosed for a frequency selective imager. In particular, the frequency selective imager includes an array of pixels arranged in a focal plane array. Each pixel includes at least one nanoparticle-sized diameter thermoelectric junction that is formed between nanowires of different compositions. When a nanoparticle-sized diameter thermoelectric junction senses a photon, the nanoparticle-sized diameter thermoelectric junction emits an electrical pulse voltage that is proportional to an energy level of the sensed photon. In one or more embodiments, the frequency selective imager is a frequency selective optical imager that is used to sense photons having optical frequencies. In at least one embodiment, at least one of the nanowires in the frequency selective imager is manufactured from a compound material including Bismuth (Bi) and Tellurium (Te).

Подробнее
02-08-2012 дата публикации

Polymeric dye for optical power limiting

Номер: US20120194932A1
Принадлежит: Oxazogen Inc

This invention concerns a polymer coating composition for use as non-focal optical power limiting dye containing polymeric materials. This composition contains: (1) one or more Modified Polymers comprising a Polymer, such as a hyperbranched polymer family, especially HB—PCS, HB—PU, HB—PUSOX or PC with one or more of: a) reverse saturable dye (RSA), b) multi-photon absorption dye (MPA), c) an azo dye, or d) absorption dye, which dye is chemically bonded to the pendant groups of the Polymer (along its chain and/or termini) or which forms a part of the backbone of the Polymer; (2) carbon nanotubes (CNT) as optical power limiters (OPL); and (3) a self-focusing component. This Modified Polymer composition contains the dye incorporated into the polymer chain backbone or chemically bonded to the terminal groups at the ends or along the chain of the polymer, which provides efficient protection from laser beam damage along with its self-focusing mechanism.

Подробнее
09-08-2012 дата публикации

Display device using quantum-dot and fabrication method thereof

Номер: US20120200219A1
Автор: Jin Won Song
Принадлежит: QD SOLUTION

Provided are a display device in which a shape is not limited, the mounting and wiring of elements are not required, visibility, luminance, and the representation of a color are excellent, brightness is adjustable, production cost is low, and fabrication is easy, and a fabrication method thereof. Specifically, the display device includes: a substrate; a light emitting layer formed on the top of the substrate in a predetermined pattern and containing quantum-dots that receives external light to emit light; and a light emitting element providing the external light to the light emitting layer.

Подробнее
09-08-2012 дата публикации

Iii-nitride semiconductor laser device, and method of fabricating the iii- nitride semiconductor laser device

Номер: US20120202304A1
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd

A method of fabricating a III-nitride semiconductor laser device includes: preparing a substrate with a semipolar primary surface, the semipolar primary surface including a hexagonal III-nitride semiconductor; forming a substrate product having a laser structure, an anode electrode, and a cathode electrode, the laser structure including a substrate and a semiconductor region, and the semiconductor region being formed on the semipolar primary surface; after forming the substrate product, forming first and second end faces; and forming first and second dielectric multilayer films for an optical cavity of the nitride semiconductor laser device on the first and second end faces, respectively.

Подробнее
16-08-2012 дата публикации

Light emitting diode comprising semiconductor nanocrystal complexes

Номер: US20120205621A1
Автор: Kwang-Ohk Cheon
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

A light emitting diode (LED) formed by depositing an LED chip and coupling a stability layer to the LED chip. Semiconductor nanocrystals are placed in a first matrix material to form a nanocrystal complex layer. The nanocrystal complex layer is deposited on top of the stability layer. A thickness of the stability layer is chosen to maximizes a power of a light output by the nanocrystal complex layer. The matrix material and the stability layer can be of the same type of material. Additional layers of matrix material can be deposited on top of the nanocrystal complex layer. These additional layers can comprise matrix material only or can comprise matrix material and semiconductor nanocrystals to form another nanocrystal complex layer.

Подробнее
16-08-2012 дата публикации

Semiconductor light emitting device, optical pickup unit and information recording/reproduction apparatus

Номер: US20120205680A1
Принадлежит: Sony Corp

A semiconductor light emitting device downsized by devising arrangement of connection pads is provided. A second light emitting device is layered on a first light emitting device. The second light emitting device has a stripe-shaped semiconductor layer formed on a second substrate on the side facing to a first substrate, a stripe-shaped p-side electrode supplying a current to the semiconductor layer, stripe-shaped opposed electrodes that are respectively arranged oppositely to respective p-side electrodes of the first light emitting device and electrically connected to the p-side electrodes of the first light emitting device, connection pads respectively and electrically connected to the respective opposed electrodes, and a connection pad electrically connected to the p-side electrode. The connection pads are arranged in parallel with the opposed electrodes.

Подробнее
30-08-2012 дата публикации

Nitride based light emitting device with excellent crystallinity and brightness and method of manufacturing the same

Номер: US20120217470A1
Автор: JOO Jin, Kun Park
Принадлежит: Semimaterials Co Ltd

Disclosed is a nitride-based light emitting device having an inverse p-n structure in which a p-type nitride layer is first formed on a growth substrate. The light emitting device includes a growth substrate, a powder type seed layer for nitride growth formed on the growth substrate, a p-type nitride layer formed on the seed layer for nitride growth, a light emitting active layer formed on the p-type nitride layer, and an n-type ZnO layer formed on the light emitting active layer. The p-type nitride layer is first formed on the growth layer and the n-type ZnO layer having a relatively low growth temperature is then formed thereon instead of an n-type nitride layer, thereby providing excellent crystallinity and high brightness. A method of manufacturing the same is also disclosed.

Подробнее
30-08-2012 дата публикации

Nitride based light emitting device with excellent crystallinity and brightness and method of manufacturing the same

Номер: US20120217536A1
Автор: JOO Jin, Kun Park
Принадлежит: Semimaterials Co Ltd

Disclosed is a nitride-based light emitting device capable of improving crystallinity and brightness. The nitride-based light emitting device includes a growth substrate, a lattice buffer layer formed on the growth substrate, a p-type nitride layer formed on the lattice buffer layer, a light emitting active layer formed on the p-type nitride layer, and an n-type ZnO layer formed on the light emitting active layer. The lattice buffer layer is formed of powders of a material having a Wurtzite lattice structure. The lattice buffer layer is formed of ZnO powders, thereby minimizing generation of dislocations during nitride growth. A method of manufacturing the same is also disclosed.

Подробнее
06-09-2012 дата публикации

Optical coupler between planar multimode waveguides

Номер: US20120224813A1
Принадлежит: Alcatel Lucent USA Inc

Various exemplary embodiments relate to an optical waveguide coupler including: a first optical waveguide including a first area and a tapered area having a tapered width; a second optical waveguide including a first area and a tapered area having a tapered width; wherein the first area of the of the second optical waveguide overlaps the tapered area of the first optical wave guide, and wherein the tapered area of the second optical waveguide overlaps the first area of the first optical waveguide.

Подробнее
06-09-2012 дата публикации

Sol-gel based antireflective (ar) coatings with controllable pore size using organic nanocrystals and dendrimers

Номер: US20120225215A1
Автор: Nikhil D. Kalyankar
Принадлежит: Intermolecular Inc

Embodiments of the invention relate generally to methods and compositions for forming porous low refractive index coatings on substrates. In one embodiment, a method for forming a porous coating on a substrate is provided. The method comprises coating a substrate with a sol-gel composition, comprising at least one porosity forming agent, wherein the porosity forming agent is selected from at least one of dendrimers and organic nanocrystals and removing the at least one porosity forming agent to form the porous coating. Use of at least one of the dendrimers and organic nanocrystals leads to the formation of stable pores with larger volume fraction in the film. Further, the size and interconnectivity of the pores may be controlled via selection of the organic nanocrystal or dendrimer structure, the total organic nanocrystal or dendrimer molecule fraction, polarity of the organic nanocrystal or dendrimer molecule and solvent, and other physiochemical properties of the gel phase.

Подробнее
13-09-2012 дата публикации

Anti-Reflection Optical Element and Method for Manufacturing Anti-Reflection Optical Element

Номер: US20120229906A1
Принадлежит: Tamron Co Ltd

An object of the present invention is to provide an anti-reflection optical element excellent in durability in the environment high-temperature and high-humidity and scratch resistance while maintaining the anti-reflection performance of a concave-convex nanostructure. To achieve the object, an anti-reflection optical element 1 comprising a concave-convex nanostructure 20 that reduces reflection of incident light on an optical surface 11 of a base optical element 1 comprising a cover layer 30 made of a light-transmitting material that covers an outer surface of the concave-convex nanostructure 20 , wherein a peak of convex portion 21 of the concave-convex nanostructure 20 is covered with the cover layer 30 in the state where a space 40 is provided between the cover layer 30 and concave portions 22 of the concave-convex nanostructure 20 is employed.

Подробнее
20-09-2012 дата публикации

Light emitting element and method for manufacturing same

Номер: US20120235117A1
Принадлежит: Hokkaido University NUC

Disclosed is a light emitting element, which emits light with small power consumption and high luminance. The light emitting element has: a IV semiconductor substrate; two or more core multi-shell nanowires disposed on the IV semiconductor substrate; a first electrode connected to the IV semiconductor substrate; and a second electrode, which covers the side surfaces of the core multi-shell nanowires, and which is connected to the side surfaces of the core multi-shell nanowires. Each of the core multi-shell nanowires has: a center nanowire composed of a first conductivity type III-V compound semiconductor; a first barrier layer composed of the first conductivity type III-V compound semiconductor; a quantum well layer composed of a III-V compound semiconductor; a second barrier layer composed of a second conductivity type III-V compound semiconductor; and a capping layer composed of a second conductivity type III-V compound semiconductor.

Подробнее
20-09-2012 дата публикации

Light emitting device including semiconductor nanocrystals

Номер: US20120238047A1
Принадлежит: Massachusetts Institute of Technology

A light emitting device includes a semiconductor nanocrystal and a charge transporting layer that includes an inorganic material. The charge transporting layer can be a hole or electron transporting layer. The inorganic material can be an inorganic semiconductor.

Подробнее
27-09-2012 дата публикации

Gain-clamped semiconductor optical amplifiers

Номер: US20120243075A1
Принадлежит: Individual

A gain-clamped semiconductor optical amplifier comprises: at least one first surface; at least one second surface, each second surface facing and electrically isolated from a respective first surface; a plurality of nanowires connecting each opposing pair of the first and second surfaces in a bridging configuration; and a signal waveguide overlapping the nanowires such that an optical signal traveling along the signal waveguide is amplified by energy provided by electrical excitation of the nanowires.

Подробнее
04-10-2012 дата публикации

Group iii nitride semiconductor multilayer structure and production method thereof

Номер: US20120248457A1
Принадлежит: Showa Denko KK

According to the present invention, an AlN crystal film seed layer having high crystallinity is combined with selective/lateral growth, whereby a Group III nitride semiconductor multilayer structure more enhanced in crystallinity can be obtained. The Group III nitride semiconductor multilayer structure of the present invention is a Group III nitride semiconductor multilayer structure where an AlN crystal film having a crystal grain boundary interval of 200 nm or more is formed as a seed layer on a C-plane sapphire substrate surface by a sputtering method and an underlying layer, an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer and a p-type semiconductor layer, each composed of a Group III nitride semiconductor, are further stacked, wherein regions in which the seed layer is present and is absent are formed on the C-plane sapphire substrate surface and/or regions capable of epitaxial growth and incapable of epitaxial growth are formed in the underlying layer.

Подробнее
11-10-2012 дата публикации

Al(x)Ga(1-x)N-CLADDING-FREE NONPOLAR III-NITRIDE BASED LASER DIODES AND LIGHT EMITTING DIODES

Номер: US20120256158A1
Принадлежит: UNIVERSITY OF CALIFORNIA

A method for fabricating Al x Ga 1-x N-cladding-free nonpolar III-nitride based laser diodes or light emitting diodes. Due to the absence of polarization fields in the nonpolar crystal planes, these nonpolar devices have thick quantum wells that function as an optical waveguide to effectively confine the optical mode to the active region and eliminate the need for Al-containing waveguide cladding layers.

Подробнее
11-10-2012 дата публикации

Method of manufacturing a semiconductor laser

Номер: US20120258558A1
Принадлежит: Renesas Electronics Corp

Provided is a semiconductor laser, wherein (λa−λw) >15 (nm) and Lt<25 (μm), where λw is the wavelength of light corresponding to the band gap of the active layer disposed at a position within a distance of 2 μm from one end surface in a resonator direction, λa is the wavelength of light corresponding to the band gap of the active layer disposed at a position that is spaced a distance of equal to or more than ( 3/10)L and ≦( 7/10)L from the one end surface in a resonator direction, “L” is the resonator length, and “Lt” is the length of a transition region provided between the position of the active layer with a band gap corresponding to a light wavelength of λw+2 (nm) and the position of the active layer with a band gap corresponding to a light wavelength of λa−2 (nm) in the resonator direction.

Подробнее
18-10-2012 дата публикации

Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Номер: US20120261846A1
Принадлежит: Sharp Corp

A polymerizable compound in a liquid crystal composition is polymerized in a state that liquid crystal molecules present in a gap between a pixel electrode and at least either one of signal electrodes and scanning electrodes are tilted in a direction from the at least either one of the signal electrodes and the scanning electrodes toward the pixel electrode. Preferably, the amount of the polymerizable compound remaining in the liquid crystal phase after the polymerization is not more than 0.05 parts by weight per 100 parts by weight of the liquid crystal. In a seal section surrounding the liquid crystal layer, a second seal wall is preferably provided at a position opposite to the liquid crystal injection inlet in the non-display section.

Подробнее
25-10-2012 дата публикации

Laser characterization system and process

Номер: US20120268743A1
Принадлежит: Corning Inc, PRINCETON UNIVERSITY

A system and process for automatically characterizing a plurality of external cavity semiconductor laser chips on a semiconductor laser bar separated from a semiconductor wafer. The system includes a diffraction grating and a steering mirror mounted on a rotary stage for rotating the diffraction grating through a range of diffraction angles. A laser bar positioning stage for automatically aligning each laser chip in a laser bar with the diffraction grating. Reflecting a laser beam emitted from a laser chip in a laser bar with diffraction grating and steering mirror to the laser analyzer. Automatically rotating the diffraction grating through a range of diffraction angles relative to the laser beam and automatically characterizing the laser optical properties such as spectra, power, or spatial modes with the laser analyzer at each diffraction angle.

Подробнее
25-10-2012 дата публикации

Asymmetric dbr pairs combined with periodic and modulation doping to maximize conduction and reflectivity, and minimize absorption

Номер: US20120270346A1
Принадлежит: Finisar Corp

Methods for fabricating an optical device that exhibits improved conduction and reflectivity, and minimized absorption. Steps include forming a plurality of mirror periods designed to reflect an optical field having peaks and nulls. The formation of a portion of the plurality of minor periods includes forming a first layer having a thickness of less than one-quarter wavelength of the optical field; forming a first compositional ramp on the first layer; and forming a second layer on the compositional ramp, the second layer having a different index of refraction than the first layer and having a thickness such that the nulls of the optical field occur within the second layer and not within the compositional ramp, and wherein forming the second layer further comprises heavily doping the second layer at a location of the nulls of the optical field.

Подробнее
01-11-2012 дата публикации

Lighting apparatus and display device including the same

Номер: US20120274882A1
Автор: Muntae Jung
Принадлежит: LG ELECTRONICS INC

A lighting apparatus and a display device including the same are disclosed. The present invention relates to a lighting apparatus, which can enhance resistance against gas or humidity and which can present a stable optical property and which can enhance light-emitting efficiency, and a display device including the lighting apparatus.

Подробнее
01-11-2012 дата публикации

Light projection unit and light projection apparatus

Номер: US20120275134A1
Принадлежит: Sharp Corp

A light projection unit capable of improving light use efficiency is provided. This light projection unit includes: a fluorescent member that includes an illuminated surface to which laser light is directed, converts at least part of the laser light into fluorescent light and outputs the fluorescent light from chiefly the illuminated surface; and a reflection member that includes a first reflection surface which reflects the fluorescent light output from the fluorescent member. The illuminated surface of the fluorescent member is inclined with respect to a predetermined direction in such a way that the illuminated surface faces in a direction opposite to a light projection direction.

Подробнее
01-11-2012 дата публикации

Light projection unit and light projection device

Номер: US20120275174A1
Принадлежит: Sharp Corp

A light projection unit is provided that can reduce the production of a portion where the light density is excessively increased on a fluorescent member. This light projection unit includes: a light collection member that includes a light entrance surface and a light emission surface which has an area smaller than that of the light entrance surface; a fluorescent member that includes an application surface to which the laser light emitted from the light collection member is applied and that mainly emits fluorescent light from the application surface; and a light projection member that projects the fluorescent light. The light emission surface of the light collection member is arranged a predetermined distance from the application surface of the fluorescent member.

Подробнее
08-11-2012 дата публикации

Bi-section semiconductor laser device, method for manufacturing the same, and method for driving the same

Номер: US20120281726A1
Принадлежит: Sony Corp, Tohoku University NUC

A method for manufacturing a bi-section semiconductor laser device includes the steps of (A) forming a stacked structure obtained by stacking, on a substrate in sequence, a first compound semiconductor layer of a first conductivity type, a compound semiconductor layer that constitutes a light-emitting region and a saturable absorption region, and a second compound semiconductor layer of a second conductivity type; (B) forming a belt-shaped second electrode on the second compound semiconductor layer; (C) forming a ridge structure by etching at least part of the second compound semiconductor layer using the second electrode as an etching mask; and (D) forming a resist layer for forming a separating groove in the second electrode and then forming the separating groove in the second electrode by wet etching so that the separating groove separates the second electrode into a first portion and a second portion.

Подробнее
06-12-2012 дата публикации

Semiconductor laser manufacturing method and semiconductor laser

Номер: US20120307854A1
Автор: Shunsuke NOZU
Принадлежит: Renesas Electronics Corp

Provided are a semiconductor laser manufacturing method and a semiconductor laser with a low device resistance. First, an active layer is deposited above a GaN substrate of a first conductivity type. A first guide layer made of GaN of a second conductivity type is deposited above the active layer. An AlN layer is deposited on the first guide layer. An opening is formed in the AlN layer. A first cladding layer made of a group-III nitride semiconductor of the second conductivity type is formed on the AlN layer and the first guide layer exposed through the opening such that a first growth rate at a start of growth on the first guide layer exposed through the opening becomes greater than a second growth rate at a start of growth on the AlN layer. A contact layer of the second conductivity type is formed on the first cladding layer.

Подробнее
06-12-2012 дата публикации

Planar Lightwave Circuit, Design Method for Wave Propagation Circuit, and Computer Program

Номер: US20120311516A1
Принадлежит: Nippon Telegraph and Telephone Corp

A planar lightwave circuit is provided which can be easily fabricated by an existing planar-lightwave-circuit fabrication process, which can lower the propagation loss of signal light and which can convert inputted signal light so as to derive desired signal light. A planar lightwave circuit having a core and a clad which are formed on a substrate, has input optical waveguide(s) ( 111 ) which inputs signal light, mode coupling part ( 112 ) for coupling a fundamental mode of the inputted signal light to a higher-order mode and/or a radiation mode, or mode re-coupling part ( 113 ) for re-coupling the higher-order mode and/or the radiation mode to the fundamental mode, and output optical waveguide(s) ( 114 ) which outputs signal light. The mode coupling part or the mode re-coupling part is an optical waveguide which has core width and/or height varied continuously.

Подробнее