СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР EuO/Ge

Изобретение относится к способам формирования эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge, которые могут быть использованы в устройствах спинтроники. Способ формирования эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge включает осаждение на германиевую подложку атомов металла в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, при этом поверхность подложки Ge(001) предварительно очищают от слоя естественного оксида, или очищают от слоя естественного оксида и формируют на ней поверхностные фазы Еu, представляющие собой субмонослойные покрытия из атомов европия, после чего при температуре подложки TS=20÷150°C производят осаждение европия при давлении PEu=(0,1÷100)⋅10-8 Торр потока атомов европия (ФEu) в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2≤ФEu/ФO2≤2,2 до формирования пленки ЕuО толщиной менее 10 нм. Техническим результатом заявляемого изобретения является формирование эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge с атомно-резким интерфейсом без использования буферных слоев. 5 ил., 3 пр ...

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ДВУМЕРНОГО ФЕРРОМАГНИТНОГО МАТЕРИАЛА ДИСИЛИЦИДА ГАДОЛИНИЯ СО СТРУКТУРОЙ ИНТЕРКАЛИРОВАННЫХ СЛОЕВ СИЛИЦЕНА

Изобретение относится к технологии создания двумерных магнитных материалов для сверхкомпактных спинтронных устройств. Способ получения дисилицида гадолиния GdSiсо структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением P(от 0,1 до менее 1)⋅10Торр или P(от более 1 до 10)⋅10Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до T=350 ÷ менее 400°С или T=более 400 ÷ 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм. Технический результат заключается в формировании эпитаксиальных пленок двумерного магнитного материала GdSiкристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного гадолинием многослойного силицена на подложках кремния. Такие структуры являются однородными по толщине, не содержат посторонних фаз, являются ферромагнитными. 5 ил., 4 пр.

ИСТОЧНИК ДЛЯ МЕТОДОВ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОНТАЖА ЭТОГО ИСТОЧНИКА И СПОСОБ МОНТАЖА И ИЗВЛЕЧЕНИЯ ЭТОГО ИСТОЧНИКА

... 1. Источник для методов осаждения из газовой фазы, выполненный с возможностью установки по меньшей мере частично в фитинге источника, имеющемся в реакторе для осаждения из газовой фазы, где источник содержит камеру (1) для твердого или жидкого материала (3) источника, имеющую по меньшей мере одну по меньшей мере частично открытую стенку, и изолирующие средства в виде кожуха, выполненные с возможностью установки на стенке камеры (1) для изоляции камеры от окружающей среды, причем изолирующие средства в виде кожуха и камера (1) выполнены с возможностью скольжения друг относительно друга для открытия и/или закрытия камеры (1) после установки источника в фитинге источника, отличающийся тем, что содержит стержень (5), имеющий первый конец (11) и второй конец (9) и камеру (1), расположенную у второго конца (9) или рядом с ним. ! 2. Источник по п.1, отличающийся тем, что содержит средства управления, выполненные с возможностью перемещения изолирующих средств в виде кожуха относительно камеры ( ...

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ДВУМЕРНЫХ ФЕРРОМАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ EuGeИ GdGeНА ОСНОВЕ ГЕРМАНЕНА

Изобретение относится к технологии получения двумерных ферромагнитных материалов EuGeили GdGe, которые могут быть использованы при создании компактных спинтронных устройств. Способ создания двумерных ферромагнитных материалов EuGeи GdGeна основе германена заключается в осаждении атомарного потока европия с давлением P=(0,1÷100)⋅10Торр или гадолиния с давлением P=(0,1÷10)⋅10Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до 290°С Подробнее

Verfahren zum Herstellen kristalliner Siliziumschichten fuer photoelektrische Zwecke

Tiegel aus pyrolytischem Bornitrid zur Verwendung in der Molekularstrahlepitaxie

Vapour phase growth appts.

An appts. for vapour phase growth on a heated and supported wafer (W) surface has a heater (16), under the wafer (W), and a reflector plate (14) for reflecting at least the downwardly radiated heat. The reflector plate (14) consists of vitreous carbon having 1.50-1.60 g/cm<3> density and at least 100 MPa bending strength. At least the reflector face, facing the heater, has a surface roughness of Ra 0.001 - 0.05 mu m.

Phosphorous effusion cell for molecular beam epitaxy

A phosphorus effusion cell for molecular beam epitaxy consists of a vessel in which, by sublimation of red phosphorus, the vapour of this element is produced, the vessel being closed by means of a vacuum-tight valve (3) which regulates its flow. In the vessel, there are two zones having different temperatures, one for (1) of red phosphorus and another (2) for condensation and re-evaporation of white phosphorus, both zones being thermally insulated by means of reflecting screens (6) which prevent the temperature of the heating resistance from having to reach temperatures above 350 DEG C. The valve, intermittent closing of which regulates the effusion of phosphorus vapour, is at a temperature slightly above that of the thermostated zone of condensation/reevaporation of white phosphorus. It finds application in the manufacture of semiconducting structures. ...

Phosphorous effusion apparatus and method for molecular beam epitaxy

PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A COARSELY CRYSTALLINE OR MONOCRYSTALLINE METAL LAYER ON A SUBSTRATE

For the preparation of coarsely crystalline or monocrystalline metal layers by vapour deposition or atomisation of a metal on a substrate, an amorphous layer of Ta, W, Cu, Co, Al or an aluminium alloy or a Ti-V alloy with a V content of >70 atom% is first deposited on a substrate cooled to a temperature below -90 DEG C. The amorphous layer is then recrystallized by heating the substrate with the deposited metal layer to not more than 300 DEG C.

Process for the manufacture of nuclear matters comprising a metal component, in particular ceramic nuclear fuels, and installation allowing the realization of this process.

MOLECULAR BEAM GENERATOR BY THERMAL DECOMPOSITION FOR THE SEMICONDUCTOR MANUFACTURE BY EPITAXY SEPARATION.

Unibody crucible

POWDER METALLURGY TUNGSTEN CRUCIBLE FOR ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GROWTH

SEMICONDUCTORS

Verfahren zum Aufdampfen einkristalliner Siliziumschichten auf aus einkristallinem Silizium bestehenden Trägerkörpern

Verfahren zur Herstellung von Einkristallen von Kernbrennstoffen mit metallischer Komponente, insbesondere von keramischen Kernbrennstoffen, und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens

Verfahren zum Zonensublimieren und anschliessenden Kondensieren eines festen Materials

Process for the preparation of coarsely crystalline and monocrystalline metal layers

МОНОКРИСТАЛИ КАРБІДУ КРЕМНІЮ АЛМАНІТ, СПОСІБ ЇХ ВИРОЩУВАННЯ ТА ПРИСТРІЙ ДЛЯ ЗДІЙСНЕННЯ СПОСОБУ

Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію Алманіт полягає у тому, що монокристали карбіду кремнію вирощують із кремнію і вуглецю, причому кремній використовують у вигляді розплаву, а вуглець - у вигляді графіту. При цьому для формування зародків в заданих місцях на внутрішній поверхні синтезатора механічним шляхом створюють голкоподібні піраміди. Пристрій для здійснення способу містить кристалізатор і затравку. При цьому кристалізатор виконано у вигляді багатогранної піраміди, що зібрана з однакових пластин, на вершинах пірамід, сформованих на зовнішній і внутрішній поверхнях кристалізатора, закріплено зародки, на яких потім нарощують монокристали, які вирощують в глибокому вакуумі.

Способ выращивания эпитаксиальных пленок селенида цинка на пористом кремнии

Способ выращивания эпитаксиальных плёнок селенида цинка на пористом кремнии путём термического испарения селенида цинка в вакууме из ячейки Кнудсена и напыления на кремниевые подложки со сформированным на рабочей поверхности слоем пористого кремния, отличающийся тем, что перед напылением подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 °С.

SiC-MONOCRYSTAL GROWTH CRUCIBLE

Process and device allowing to deposit single-crystal thin layers of silicon on an unspecified substrate by electronic bombardment

PROCESS AND DEVICE IMPROVE FOR THE PRODUCTION OF MONOCRYSTALS

EQUIPMENT Of EPITAXY BY MOLECULAR JET

Équipement d'épitaxie comprenant une enceinte d'épitaxie sous vide contenant un support du substrat, et à au moins une cellule d'évaporation sous vide du matériau d'épitaxie fermée par un diaphragme présentant au moins une lumière et communiquant avec l'enceinte d'épitaxie par une bride de liaison. Il comprend en outre une plaque mobile dont la section correspond à la section du diaphragme, placée en regard dudit diaphragme perforé.

CELLULE POUR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES ET PROCEDE ASSOCIE

CELLULE POUR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. ELLE COMPORTE UNE CHAMBRE DE VAPORISATION 21 CONTENANT LE MATERIAU 23 A VAPORISER, MUNIE D'AU MOINS UNE OUVERTURE DE SECTION DETERMINEE POUR MAINTENIR LE MATERIAU A VAPORISER 23 A L'ETAT LIQUIDE A L'INTERIEUR DE LADITE CHAMBRE 21 ET POUR EMETTRE DES JETS MOLECULAIRES A FLUX CONTROLE, UN MANCHON 35 SOLIDAIRE DE LA CHAMBRE DE VAPORISATION 21, ENTOURANT LA (OU LES) OUVERTURES(S) 27 A SECTION DETERMINEE, DES MOYENS DE CHAUFFAGE 37 POUR MAINTENIR LA CHAMBRE DE VAPORISATION 21 ISOTHERME ET OBTENIR UNE TEMPERATURE SUFFISANTE DANS LE MANCHON 35 AFIN D'EVITER LA CONDENSATION DU MATERIAU VAPORISE DANS LEDIT MANCHON ET DANS LA (OU LES) OUVERTURES(S) A SECTION DETERMINEE.

ALN BULK SINGLE CRYSTAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROCESS FOR PRODUCING ALN SINGLE CRYSTAL BULK

Doped diamond semiconductor and method of manufacture

HIGH TEMPERATURE EVAPORATOR CELL HAVING PARALLEL-CONNECTED HEATING ZONES

An evaporator cell (100) which is equipped for evaporating, in particular, a high-melting evaporation material, comprises a crucible (10) for receiving the evaporation material, which crucible comprises a crucible base (11), a side wall (12) which extends in an axial direction of the crucible (10) and a crucible opening (13), and a heating device (20) having a heating resistor (21) which comprises a multiplicity of heating zones (21.1, 21.2) which are arranged on an outside of the crucible (10) and extend along the axial direction of the crucible (10), wherein the heating zones (21.1, 21.2) are equipped for multi-side resistance heating and/or electron beam heating of the crucible (10), and wherein the heating zones (21.1, 21.2) are constructed in such a manner that a heating current through the heating resistor (21) which is formed, for example by a resistance sleeve, flows in parallel and in the same sense through all heating zones (21.1, 21.2). A process for operation of the evaporator ...

EFFUSION CELLS, DEPOSITION SYSTEMS INCLUDING EFFUSION CELLS, AND RELATED METHODS

An effusion cell includes a crucible for containing material to be evaporated or sublimated, a delivery tube configured to deliver evaporated or sublimated material originating from the crucible into a chamber, a supply tube extending from the crucible, the supply tube located and configured to trap condensate originating from the evaporated or sublimated material and to deliver the condensate back to the crucible, and at least one heating element located and configured to heat material in the crucible so as to cause evaporation or sublimation of the material and flow of the evaporated or sublimated material through the delivery tube and out from the effusion cell. The effusion cell is configured such that the crucible can be filled with the material to be evaporated or sublimated without removing the effusion cell from the process vacuum chamber. Semiconductor substrate processing systems may include such effusion cells.

VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS ANS VAPOR PHASE GROWTH METHOD

A vapor phase growth apparatus and a vapor phase growth method capable of improving the yield rate of wafers by stopping infiltration of metal contaminants generated below a horizontal disk-like susceptor is provided. The vapor phase growth apparatus according to embodiments of the present invention includes a holder having an annular shape and on which a wafer can be placed, a disk-shaped susceptor on which the holder can be placed and provided on an upper surface thereof with circumferential steps inscribed in inner circumferential edge of the holder when the holder is placed, a rotation driving mechanism for rotating the susceptor and the holder at a predetermined rotational speed, a heating mechanism for heating the wafer placed on the holder, and a wafer push-up mechanism to push up an undersurface of the holder outside the rotation driving mechanism.

Molecular beam epitaxy effusion cell

A temperature controlled source cell for use in the practice of thin film depositions by molecular beam epitaxy is described which includes an optical sensor for monitoring source temperature, the sensor including a light pipe having one end near the source and the other end coupled to a fiber optic probe which carries light from the light pipe to a remote optical detector.

IMPURITY CONTROL DURING FORMATION OF ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS AND THERMAL TREATMENT OF ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS

In various embodiments, single-crystal aluminum nitride boules and substrates are formed from the vapor phase with controlled levels of impurities such as carbon. Single-crystal aluminum nitride may be heat treated via quasi-isothermal annealing and controlled cooling to improve its ultraviolet absorption coefficient and/or Urbach energy.

Crystal producing method and apparatus therefor

A method and apparatus of producing a crystal by using of vapor growth process, wherein: a high-frequency coil or conductor having a coil or conductor surface to generate a plane-like induction electric field is arranged so that at least one gas blowout port is connected to the coil or conductor surface so as to face a solid substrate; and a component element or a chemical compound is continuously precipitated and grown on a surface of the solid substrate at a temperature of not higher than the melting point of the solid substrate while the solid substrate is inductively heated by the high-frequency coil or conductor and a raw gas is supplied onto the surface of the solid substrate through the gas blowout port, to thereby produce a polycrystal or monocrystal thin film.

Pyrolytic boron nitride crucible and method for producing the same

A pyrolytic boron nitride crucible is provided. The crucible contains at least five wall layers consisting of first and second wall layers. The thickness of each of the first wall layers is 5 to 100 microns and the thickness of each of the second wall layers is 1/50 to 1/1 of that of the first wall layer. The total thickness of the entire wall layers is 0.5 to 3 mm. The first wall layer is bonded to and laminated alternately with the second wall layer.

VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS

A vapor phase growth apparatus of an embodiment includes: a reactor; a first gas chamber provided above the reactor, a first process gas being introduced into the first gas chamber; a plurality of first gas conduits for supplying the first process gas from the first gas chamber to the reactor, each of the first gas conduits having a predetermined length; and a first adjustment conduit inserted to an upper side of one of the plurality of first gas conduits. The first adjustment conduit has as annular protrusion provided on an outer periphery of an upper end portion and is removable from the first gas conduit.

GROWTH OF GERMANIUM EPITAXIAL THIN FILM WITH NEGATIVE PHOTOCONDUCTANCE CHARACTERISTICS AND PHOTODIODE USING THE SAME

A method of growing a germanium (Ge) epitaxial thin film having negative photoconductance characteristics and a photodiode using the same are provided. The method of growing the germanium (Ge) epitaxial thin film includes growing a germanium (Ge) thin film on a silicon substrate at a low temperature, raising the temperature to grow the germanium (Ge) thin film, and growing the germanium (Ge) thin film at a high temperature, wherein each stage of growth is performed using reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD). The three-stage growth method enables formation of a germanium (Ge) epitaxial thin film characterized by alleviated stress on a substrate, a lowered penetrating dislocation density, and reduced surface roughness.

SUPERCONDUCTOR-SEMICONDUCTOR FABRICATION

A mixed semiconductor-superconductor platform is fabricated in phases. In a masking phase, a dielectric mask is formed on a substrate, such that the dielectric mask leaves one or more regions of the substrate exposed. In a selective area growth phase, a semiconductor material is selectively grown on the substrate in the one or more exposed regions. In a superconductor growth phase, a layer of superconducting material is formed, at least part of which is in direct contact with the selectively grown semiconductor material. The mixed semiconductor-superconductor platform comprises the selectively grown semiconductor material and the superconducting material in direct contact with the selectively grown semiconductor material.

MOLECULAR BEAM EPITAXY EQUIPMENT

Epithaxy equipment comprising an epitaxy vacuum chamber containing a substrate support and at least one cell for vacuum evaporation of epitaxy material closed by a diaphragm having at least one opening and communicating with the epitaxy chamber by a connecting brace element. The inventive equipment also comprises a moveable plate whose cross-section corresponds to the cross-section of the diaphragm and which is placed opposite said perforated diaphragm.

Cell for epitaxial growth by molecular jets, and associated process

It comprises a vaporization chamber containing the material to be vaporized and provided with at least one opening with a given cross-section for maintaining the material to be vaporized in the liquid state within said chamber and for emitting controlled flow molecular beams, a sleeve integral with the vaporization chamber surrounding the opening or openings having a given cross-section, heating means for maintaining the vaporization chamber isothermal and for obtaining an adequate temperature in the sleeve to prevent condensation of the vaporized material in said sleeve and in the opening or openings having a given cross-section.

Method and apparatus for conducting heat to or from an article being treated under vacuum

A method and apparatus are disclosed for providing heat conduction between a semiconductor wafer (24) being treated in a vacuum chamber under vacuum, and a support member (36) via a gas under pressure of about 0.5 to 2.0 Torr injected between the wafer and the support member. The wafer is clamped to the support member by a clamp (43) and the support member which is cooled to cool the wafer which in the particular example is subjected to ion implantation. A seal (47) is provided between the wafer and the support member adjacent the periphery of the wafer although this is not essential. By heating the support member the wafer may be heated by thermal conduction through the gas in other suitable vacuum treatments.

Transparent heating apparatus having at least two zones at different temperatures

METHOD FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for growing a bulk single crystal which has no twin defects on a seed crystal and has good quality by a sublimation method. SOLUTION: The circumference of a reaction tube 1 and more particularly the places on the surface of the grown crystal where the twin defects arise are locally heated at the section perpendicular to the direction where the compd. semiconductor single crystal 5 grows in the method of arranging the seed crystal 3 at one end of this reaction tube 1 and crystal raw materials 2 at the other end and growing the crystal 5 by the sublimation method on the seed crystal 3. COPYRIGHT: (C)1997,JPO ...

CELL SHUTTER AND ITS USE METHOD

PURPOSE: To prevent fall of deposited metal in opening and closing operation of a cell shutter by energizing the heater of this cell shutter to raise the temp. of the cell shutter and to evaporate the deposited metal at the time of opening the shutter. CONSTITUTION: This cell shutter 29 is used for passing and shielding of molecular beams of a molecular beam crystal growth apparatus and consists of the cell shutter 29 including the heater 34 which does not heat the cell shutter 29 in the closing state of the cell shutter 29 automatically and heats the cell shutter 29 at the time of opening the cell shutter. As a result, the decrease in the reflection effect of the heat reflection plate of the cell shutter is prevented and the contamination of the metal in a crucible is prevented. In addition, the evaporated metal at the time of closing the shutter is deposited on the cell shutter, by which the contamination of the evaporated metal in the crucible by reflection is prevented. COPYRIGHT: ( ...

НАГРЕВАТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА, СОДЕРЖАЩАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИСТОЧНИКИ СВЕТА

Изобретение относится к области нагревательных устройств и может быть использовано для регулирования температуры обработки полупроводниковой пластины в процессе выращивания полупроводникового слоя. Данное изобретение описывает нагревательную систему (100) и соответствующий способ нагревания нагреваемой поверхности (180) объекта (150, 950) до температуры обработки, составляющей по меньшей мере 100°C. Причем нагревательная система (100) содержит полупроводниковые источники (115) света и выполнена с возможностью нагревания элемента площади нагреваемой поверхности (180) с помощью по меньшей мере 50-ти полупроводниковых источников (115) света одновременно. Нагревательная система (100) может быть частью реактора для обработки полупроводниковых структур. Свет, излучаемый посредством полупроводниковых источников (115) света, перекрывается на нагреваемой поверхности (180). Отличия характеристики одного отдельного полупроводникового источника (115) света могут быть размыты на нагреваемой поверхности ...

Способ получения оптического поликристаллического селенида цинка

Изобретение относится к конструкционным изделиям ИК-оптики, обеспечивающим, наряду с основной функцией пропускания излучения в требуемом спектральном диапазоне, защитные функции приборов и устройств от воздействий внешней среды. Способ включает выращивание заготовок селенида цинка путем испарения исходного порошкообразного или компактированного сырья, конденсацию паров на нагретую подложку, для чего в контейнере для выращивания заготовок селенида цинка дополнительно осуществляют промежуточную конденсацию паров, обеспечивая пропускание паров через лабиринт, образованный в рабочем пространстве контейнера, в виде пластины с выступами, с помощью чего прохождение пара к подложке происходит по непрямолинейной извилистой траектории, способствующей очистке конденсата от твердых примесей, и далее через фильтр из углеграфитовой ткани, закрепленный между графитовыми кольцами, с последующим реиспарением и переносом пара на подложку, причем конденсация паров происходит на подложку, нагретую до 1030- ...

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ МНОГОСЛОЙНОГО СИЛИЦЕНА, ИНТЕРКАЛИРОВАННОГО ЕВРОПИЕМ

Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно EuSiкристаллической модификации hP3 (пространственная группа N164,) со структурой интеркалированных европием слоев силицена, которые могут быть использованы для проведения экспериментов по исследованию силиценовой решетки. Способ основан на стабилизации требуемой фазы EuSiпутем ее эпитаксиального роста на предварительно сформированном на Si(001) или Si(111) буферном слое SrSi. Способ заключается в осаждении методом молекулярно-лучевой эпитаксии атомарного потока стронция с давлением P=(0,5÷3)⋅10торр на предварительно очищенную и нагретую до T=500±20°С поверхность подложки кремния до формирования пленки дисилицида стронция, а затем в осаждении атомарного потока европия с давлением P=(0,5÷10)⋅10торр на подложку при температуре T=430÷550°С до формирования пленки дисилицида европия толщиной не более 8 нм. При этом слои силицидов образуются за счет диффузии атомов. Изобретение позволяет получать однородные ...

Способ получения тонких пленок тугоплавких, или среднеплавких металлов, или их соединений тепловой энергией самораспространяющегося высокотемпературного синтеза

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в области получения тонких пленок тугоплавких, или среднеплавких металлов, или их соединений. Способ включает предварительную подготовку подложки 6, герметизацию установки для термовакуумного испарения, нагрев испаряемых материалов с обеспечением генерации направленного потока частиц и их конденсацию на подложку в вакууме, при этом нагрев тугоплавких, или среднеплавких металлов, или их соединений до температуры испарения осуществляют тепловой энергией твердофазной экзотермической реакции самораспространяющегося высокотемпературного синтеза шихты 2, состоящей из смеси порошков тугоплавких металлов и углерода, размещённой в тигле 1, над которым расположена лодочка 3 с испаряемыми металлами или их соединениями 4. В качестве шихты для протекания реакции самораспространяющегося высокотемпературного синтеза могут быть использованы смеси порошков титана или тантала с углеродом. Изобретение позволяет получать пленки из тугоплавких ...

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ включает сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на пластину затравочного монокристалла SiC, размещенную на держателе в форме плоского кольца, при этом на пластину затравочного монокристалла SiC со стороны, не предназначенной для роста монокристаллического слитка SiC, наносят один или несколько слоев, обеспечивающих термохимическую стабильность и заданные температурные условия на поверхностях пластины затравочного монокристалла SiC, а держатель с пластиной затравочного монокристалла SiC устанавливают в тигле таким образом, чтобы поверхность пластины, предназначенная для роста слитка монокристаллического SiC, была обращена внутрь тигля и контактировала при проведении сублимации с газовой средой внутри тигля. По окружности внутренней цилиндрической поверхности плоского кольца держателя ...

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК Bi-СОДЕРЖАЩИХ ФЕРРИТОВ-ГРАНАТОВ

Изобретение относится к технологии получения пленок ферритов-гранатов и может быть использовано в прикладной магнитооптике для получения магнитооптических дисков, модуляторов, дефлекторов. Способ включает изготовление мишени заданного состава, обработку монокристаллической подложки галлиевого граната ионами аргона, распыление мишени на подложку с дальнейшим отжигом полученной пленки, при этом используют подложку сложнозамещенного галлиевого граната, процесс распыления осуществляют на подогретую до температуры 800-850°C подложку, в процессе распыления осуществляют подачу в область подложки контролируемого потока ионов кислорода, а полученные пленки отжигают в атмосфере кислорода в течение 0,5-1,0 час при температуре 700-750°C и нормальном атмосферном давлении. Изобретение позволяет повысить качество получаемых наноразмерных пленок Bi-содержащих ферритов-гранатов, а также величину удельного фарадеевского вращения. 1 табл., 1 пр.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ включает размещение в камере роста 1 тигля 6 с источником SiC 12 и закрепленной на крышке 7 тигля 6 затравочной пластиной SiC 11, создание в камере роста 1, путем ее нагрева нагревателем 4, с учетом теплоизолирующей способности теплового экрана 3, необходимого осевого распределения температуры, обеспеченного высокими градиентами температуры в верхней и нижней зонах камеры роста и низкими градиентами температуры в зоне максимального нагрева, находящейся между верхней и нижней зонами камеры роста, в которой при температуре, обеспечивающей сублимацию, расположен рабочий объем тигля, при этом сублимацию проводят в тигле 6, крышка 7 которого закреплена с сохранением рабочего объема тигля на уступе, выполненном на внутренней поверхности боковых стенок тигля, высота Н которых превышает продольный размер ...

УСТАНОВКА, ПЕЧЬ И НАГРЕВАТЕЛЬ ПЕЧИ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО ОПТИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА СЕЛЕНИД ЦИНКА/СУЛЬФИД ЦИНКА

... 1. Установка для изготовления композиционного оптического материала селенид цинка/сульфид цинка, включающая печь, соединенную с пультом управления, вакуумной системой, системой водяного охлаждения и силовым трансформатором, где пульт управления в свою очередь соединен через силовой трансформатор с системой водяного охлаждения, которая также подключена к вакуумной системе. !2. Печь для изготовления композиционного оптического материала селенид цинка/сульфид цинка включает корпус, в котором размещен нагреватель, внутри которого расположен реакционный контейнер, корпус печи закрыт сверху и снизу крышками, а внутри корпуса размещены теплоизоляционные экраны, представленные как теплоизоляционный экран корпуса печи, расположенный между внутренней поверхностью корпуса и нагревателем, теплоизоляционный верхний экран, расположенный под верхней крышкой корпуса печи, и теплоизоляционный нижний экран, расположенный над нижней крышкой печи, в боковых стенках корпуса расположены средства для подсоединения ...

ИСТОЧНИК МОЛЕКУЛЯРНОГО ПОТОКА

Источник молекулярного потока относится к оборудованию для получения материалов и многослойных структур полупроводниковых соединений. Источник молекулярного потока рабочего вещества содержит испаритель вещества с нагревателем, формирователь потока с нагревателем, управляющий элемент и привод управляющего элемента. Управляющий элемент выполнен в виде заслонки и расположен внутри канала, соединяющего испаритель и формирователь потока, поверхность перекрытия канала заслонкой выполнена под острым углом к оси канала, а конфигурация внешней поверхности заслонки согласована с формой внутренней поверхности канала в месте расположения заслонки. Кроме того, внутри источника и в вакуумной полости все кинематические пары выполнены гибкими связями. Использование изобретения позволяет регулировать интенсивность и перекрывать молекулярный поток вне зависимости от конфигурации используемого формирователя потока при различных расходах и режимах течения молекул паров рабочего вещества без переналадки источника ...

Устройство для получения пленок многокомпонентных сплавов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для получения полупроводниковых пленок из многокомпонентных селективно испаряющихся материалов. Цель изобретения - повышение качества пленок и соответствия их состава исходному материалу. В вакуумной камере размещен испаритель. На его боковой поверхности выполнено окно. В испарителе размещен тигель. Тигель соединен с механизмом его вертикального перемещения. Над испарителем расположена подложка, напротив окна средство периодической подачи исходного материала в тигель. Механизм перемещения тигля и средство периодической подачи исходного материала синхронно связаны. Над тиглем в испарителе установлен сепаратор. Получены пленки соединений BI-SB-TE толщиной до 10 мкм , состав которых соответствует исходному материалу. 1 з.п.ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Behälter aus pyrolytischem Bornitrid und seine Herstellung

Vorrichtung zum Herstellen von SiC-Einkristallen

METHOD AND APPARATUS FOR CONDUCTING HEAT TO OR FROM AN ARTICLE BEING TREATED UNDER VACUUM

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG GROBKRISTALLINER ODER EINKRISTALLINER METALLSCHICHTEN

Kristallzüchtungsvorrichtung, Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbid-Einkristalls, Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat und Siliziumkarbid-Epitaxiesubstrat

Eine Kristallzüchtungsvorrichtung (50) umfasst: eine Kammer (20) mit einem Gaseinlass (21), einem Gasauslass (22), einem Schweißabschnitt und einem Wasserkühlungsabschnitt, der zum Kühlen eines Abschnitts mit Wasser ausgebildet ist, der wenigstens den Schweißabschnitt umfasst; eine Absaugpumpe (30), die mit dem Gasauslass (22) verbunden ist; ein Taupunktinstrument (40), das zwischen dem Gasauslass (22) und der Absaugpumpe (30) angeordnet ist, wobei das Taupunktinstrument (40) ausgebildet ist, um einen Taupunkt von Gas zu messen, das durch den Gasauslass (22) hindurchtritt.

Epitaxialfilmbildungsverfahren, Vakuumprozessierungsapparat, Herstellungsverfahren eines halbleitertechnischen Licht emittierenden Elements, halbleitertechnisches Licht emittierendes Element und Beleuchtungsvorrichtung

Die vorliegende Erfindung stellt bereit: ein Epitaxialfilmbildungsverfahren, das in der Lage ist, einen +c-Polarität epitaxialen Film, der aus einem Gruppe III Nitrid Halbleiter angefertigt ist, durch Sputtern zu bilden; und einen Vakuumprozessierungsapparat, der für dieses Epitaxialfilmbildungsverfahren geeignet ist. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Gruppe III Nitrid Halbleiterdünnfilm epitaxial durch Sputtern auf ein -Al2O3 Substrat (107), das auf eine gewünschte Temperatur unter Verwendung eines Heizers (103) erwärmt ist, epitaxial aufgewachsen. Als Erstes wird das -Al2O3 Substrat (107) auf einen Substrathalter (99), der den Heizer (103) beinhaltet, in solch einer Weise angeordnet, dass das -Al2O3 Substrat (107) eine vorbestimmte Entfernung d2 von dem Heizer (103) entfernt angeordnet ist. Dann wird ein epitaxialer Film eines Gruppe III Nitrid Halbleiterdünnfilms auf dem -Al2O3 Substrat (107) in dem Zustand gebildet, in dem das -Al2O3 Substrat (107) die vorbestimmte ...

Improvements in or relating to methods of treating solid materials

... 962,166. Crystallizing. PHILIPS ELECTRICAL INDUSTRIES Ltd. Oct. 10, 1960 [Oct. 13, 1959], No. 34621/60. Heading BIG. A crystalline powder 3 is placed in boat 2 in the furnace tube 1. The furnace 4, which may heat by convection, radiation or high frequency induction, maintains a local heated zone of high temperature which can be shifted longitudinally by motor 5. The powder in the area of broken lines passes into the vapour phase and is deposited in the cooler area as crystals 10. A slow inert gas current from inlet 8 helps to convey the vapour. Because of the movement of the furnace the distribution of impurities in the product will ideally be the same as that of the starting material. The powder in a boat may be replaced by a rod of material. Crystal growth may be stimulated by a seed crystal or a 'cold finger'.

VAPORIZATION MECHANISM TO MOLECULAR BEAM VAPORIZATION AND MOLECULAR BEAM EPITAXY

PROCEDURE AND EFFUSION CELL FOR THE PRODUCTION OF MOLECULAR BEAMS.

PROCEDURE FOR DONATING OF CESIUM AND YOUR USE FOR the PRODUCTION OF SCREENS OF TYPE ßOLEDß

ONE-PIECE CRUCIBLE

LARGE AREA DEPOSITION IN HIGH VACUUM WITH HIGH THICKNESS UNIFORMITY

SUBSTRATE HEATING APPARATUS FOR MOLECULAR BEAM EPITAXY

A substrate heating arrangement suitable for use in ultra-high vacuum MBE includes a filament responsive to a DC current for generating thermal energy, a metallic enclosure surrounding the filament and having an aperture at one end thereof, an intermediate semiconductor substrate parallel to and separated from a semiconductor growth substrate, and a substrate support mounted to the enclosure capable of holding the substrates in the prescribed relationship. The intermediate semiconductor substrate regulates the temperature on the surface of the semiconductor growth substrate to be less than or equal to a fixed temperature (approximately 1100.degree.C for silicon) regardless of the DC current applied to the filament.

MOLECULAR BEAM EPITAXY ELECTROLYTIC DOPANT SOURCE

SUBSTRATE HEATING APPARATUS FOR MOLECULAR BEAM EPITAXY

HIGH TEMPERATURE EVAPORATOR CELL HAVING PARALLEL-CONNECTED HEATING ZONES

An evaporator cell (100) which is equipped for evaporating, in particular, a high-melting evaporation material, comprises a crucible (10) for receiving the evaporation material, which crucible comprises a crucible base (11), a side wall (12) which extends in an axial direction of the crucible (10) and a crucible opening (13), and a heating device (20) having a heating resistor (21) which comprises a multiplicity of heating zones (21.1, 21.2) which are arranged on an outside of the crucible (10) and extend along the axial direction of the crucible (10), wherein the heating zones (21.1, 21.2) are equipped for multi-side resistance heating and/or electron beam heating of the crucible (10), and wherein the heating zones (21.1, 21.2) are constructed in such a manner that a heating current through the heating resistor (21) which is formed, for example by a resistance sleeve, flows in parallel and in the same sense through all heating zones (21.1, 21.2). A process for operation of the evaporator ...

VAPOUR EFFUSION SOURCE FOR EPITAXIAL DEPOSITION PLANTS

An effusion source, for use in epitaxial deposition plants in which molecular vapour beams are directed towards a substrate to be grown in an ultrahigh vacuum environment, has a first tube, which is closed in an airtight manner at one end by flanges permitting passage of vapour inlet tubes and which is provided at its other end with baffle plates and a nozzle for mixing vapours and shaping the molecular beam. A second tube, surrounding and coaxially connected to the first tube at its other end, provides a chamber at ambient pressure and temperature around a vapour mixing and molecular beam shaping zone within the first tube. A heating device can be located within the chamber.

Способ получения наноразмерных пленок BaxSr1-XTiO3

Способ получения наноразмерной пленки BaxSr1-xTiO3, включающий нанесение на подложку, подогретую до 65-70 °С, высокочастотным ионно-плазменным напылением в атмосфере смеси газов азота и кислорода буферного слоя диоксида титана, затем нанесение BaxSr1-xTiO3 на этот слой при температуре 620-640 °С, отличающийся тем, что используют кремниевую подложку, буферный слой аморфного диоксида титана наносят толщиной 4-6 нм при частоте 13,56 МГц в течение 2-3 минут, а BaxSr1-xTiO3 наносят ионно-лучевым распылением.

Способ получения гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов

Способ получения гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов, включающий наращивание пленок на подложку, отличающийся тем, что пленки наращивают из мишени, состоящей из изопериодного твердого раствора (Zn1-xCdx)3(P1-yAsy)2, где x составляет от 0,71 до 0,94, а y - от 0,2 до 1,0, и мишени, состоящей из фосфида кадмия, при этом мишень испаряют путем воздействия неодимового лазера при плотности потока излучения (1,4-1,7)·105 Вт/см2 и температуре подложки 480-530 K.

A METHOD FOR APPLICATION OF COATING OF SEMICONDUCTOR COMPOUNDS

MONOCRYSTALS OF ALMANIT, SILICON CARBIDE, A METHOR FOR GROWING THEREOF AND A MECHANISM FOR REALIZING THE METHOD

СПОСІБ НАНЕСЕННЯ ПОКРИТТІВ ІЗ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК

Винахід відноситься до технології виготовлення напівпровідникових матеріалів, зокрема способу нанесення на вироби покриттів із напівпровідникових сполук, які складаються з рідкофазного компонента і компонента, що не має рідкої фази. В способі нанесення покриттів із напівпровідникових сполук шляхом розміщення випаровуваного компонента і виробу, що покривається, у вакуумній камері, їх нагрівання в умовах вакууму і наступного підвищення тиску, випаровуваний компонент напівпровідникової сполуки, який має рідку фазу, нагрівають в присутності компонента напівпровідникової сполуки, який має тверду фазу, при тискові 10-4-10-6 мм Hg до температури синтезу рідкофазного і твердофазного компонентів, регулюють розбризкування випаровуваного компонента, який має рідку фазу, плавним підвищенням тиску, і, крім того, зміною температури і/або тиску підтримують градієнт температур по висоті вакуумної камери, визначуваний умовою: Тс > Тк > Тв, де: Тс - температура синтезу рідкофазного і твердофазного компонентів ...

Способ получения слоев фуллеренов

Изобретение относится к технологиям получения полупроводниковых слоев, особенно для получения слоев фуллеренов С60, С70 и высшего порядка, высокой чистоты и легированные, в аморфном, поликристаллическом и монокристаллическом состоянии, с толщиной в больших пределах, предназначенные для изготовления элементов памяти с большой плотностью информации, защитных экранов, источников энергии, электронных и оптоэлектронных элементов. Способ, согласно изобретению, состоит в том, что включает возгонку фуллеренов обогревом зоны испарения до температур выше температуры кристаллизации и созданием положительных градиентов температуры и конденсации паров на подложке. Получение слоев фуллеренов осуществляется в закрытом объеме, разделенный на зоны равномерный температуры. Возгонка фуллеренов, и выборочно веществ (составов) для легирования, осуществляется до насыщенных паров и стабильном парциальном давлении. Прохождение паров с зон сублимации в зону конденсации проходит через направительную секцию. Градиенты ...

Способ получения слоев фуллеренов

Изобретение относится к технологиям получения полупроводниковых слоев, особенно для получения слоев фуллеренов С60, С70 и высшего порядка, высокой чистоты и легированные, в аморфном, поликристаллическом и монокристаллическом состоянии, с толщиной в больших пределах, предназначенные для изготовления элементов памяти с большой плотностью информации, защитных экранов, источников энергии, электронных и оптоэлектронных элементов. Способ, согласно изобретению, состоит в том, что включает возгонку фуллеренов обогревом зоны испарения до температур выше температуры кристаллизации и созданием положительных градиентов температуры и конденсации паров на подложке. Получение слоев фуллеренов осуществляется в закрытом объеме, разделенный на зоны равномерный температуры. Возгонка фуллеренов, и выборочно веществ (составов) для легирования, осуществляется до насыщенных паров и стабильном парциальном давлении. Прохождение паров с зон сублимации в зону конденсации проходит через направительную секцию. Градиенты ...

МОНОКРИСТАЛИ КАРБІДУ КРЕМНІЮ АЛМАНІТ, СПОСІБ ЇХ ВИРОЩУВАННЯ І ПРИСТРІЙ ДЛЯ ЗДІЙСНЕННЯ СПОСОБУ

Монокристали карбіду кремнію АЛМАНІТ містять кількість неконтрольованих домішок, що не перевищує 1015-1016см-3 , і мають форму шестигранника з великою кількістю дзеркальних граней під різними кутами до осі вирощування монокристалів. Спосіб його одержання передбачає одночасний синтез карбіду кремнію й осадження парів карбіду кремнію з розплаву кремнію, нагрітого до температури його випаровування під тиском не нижче 10-4мм.рт.ст. Осадження парів карбіду кремнію здійснюють при температурі . Вирощування кристалів карбіду кремнію здійснюють за умови Тс>Тк>Тр, де: Тс - температура синтезатора карбіду кремнію; Тк - температура кристалізатора; Тр - температура розплаву кремнію, при цьому Тр повинна бути не нижче температури випаровування кремнію. Вирощування кристалів здійснюють до припинення випаровування кремнію. Пропонується пристрій для вирощування монокристалів по запропонованому способу.

Apparatus for producing nitride semiconductor crystal, method for producing nitride semiconductor crystal, and nitride semiconductor crystal

Disclosed is an apparatus for producing a nitride semiconductor crystal, which has adequate durability and is suppressed in the entrance of impurities from the outside of a crucible. Also disclosed are a method for producing a nitride semiconductor crystal, and a nitride semiconductor crystal. Specifically disclosed is an apparatus (100) for producing a nitride semiconductor crystal, which comprises a crucible (101), a heating unit (125) and a covering unit (110). A starting material (17) is placed within the crucible (101). The heating unit (125) is arranged on the outer periphery of the crucible (101), and heats the inside of the crucible (101). The covering unit (110) is arranged between the crucible (101) and the heating unit (125). The covering unit (110) comprises a first layer (111) which is arranged on the side facing the crucible (101) and formed from a metal that has a higher melting point than the starting material (17), and a second layer (112) which is arranged on the outer ...

Method for preparing CdZnTe epitaxial film on GaAs single crystal substrate

The present invention discloses a method for preparing a CdZnTe epitaxial film on a GaAs single crystal substrate. A purpose of the present invention is to solve the technical problem of poor quality of the CdZnTe epitaxial film prepared through the CdZnTe epitaxial film preparation method. The technical scheme comprises: before growing, carrying out chemical etching and pre-heating treatment on the GaAs substrate, placing the prepared CdZnTe growth source and the GaAs substrate into a growing chamber, adjusting the distance between the source and the substrate, pumping vacuum, introducing Ar to achieve the target pressure, turning on a heating system to heat, and stopping the heating after completing deposition. According to the present invention, the continuous mass transfer from the source to the substrate is inhibited by introducing the baffle during the cooling process after the growing ends so as to improve the density of the film and reduce the roughness, the thicker CdZnTe film ...

Preparation method of (103) oriented yttrium-barium-copper-oxide (YBa2Cu3O7-delta, YBCO) high-temperature superconductive film

EQUIPMENT Of EPITAXY BY MOLECULAR JET

CELL FOR EPITAXY BY MOLECULAR JETS AND PROCESS ASSOCIATES

APPARATUS FOR EPITAXIAL GROWTH OF SEMICONDUCTOR USING MOLECULAR BEAM

DEVICE Of EVAPORATION OF VACUUM MERCURY HAS a CONSTANT LEVEL FOR CELL INTENDED FOR the EPITAXIAL GROWTH OF SEMICONDUCTORS

DISPOSITIF D'OBTENTION DE DEPOTS EPITAXIAUX PAR JET MOLECULAIRE

UN DISPOSITIF DE DEPOT EPITAXIAL PAR JET MOLECULAIRE COMBINE LA ROTATION DU SUBSTRAT ET DES CREUSETS DE FORME CONIQUE CONTENANT LA MATIERE SOURCE. LE PROLONGEMENT CONIQUE DES PAROIS DU CREUSET 11 COUPE LE PLAN DU SUBSTRAT 10 DE MANIERE A ENTOURER COMPLETEMENT CE SUBSTRAT. L'UTILISATION DE CREUSETS CONIQUES PERMET DE FAIRE EN SORTE QUE LE DIAMETRE DU CREUSET SOIT INFERIEUR A CELUI DU SUBSTRAT. LA ROTATION NECESSAIRE DU SUBSTRAT POUR OBTENIR L'UNIFORMITE DE CROISSANCE EPITAXIALE DESIREE EST COMPATIBLE AVEC LE POSITIONNEMENT DE PLUSIEURS SOURCES DECALEES PAR RAPPORT A L'AXE DE ROTATION DU SUBSTRAT. APPLICATION A L'INDUSTRIE DES SEMI-CONDUCTEURS.

METHOD AND DEVICE OF PREPARATION OF MONOCRYSTALS FROM THE GAS PHASE

Method of preparation of monocrystals by sublimation

METHOD FOR THE VAPOUR-PHASE GROWTH OF SINGLE CRYSTALS

PROCESS AND DEVICE Of EVAPORATION BY CELL HIGH TEMPERATURE HAS ELECTRONIC BOMBARDMENT

DISPOSITIF CHAUFFANT TRANSPARENT COMPRENANT AU MOINS DEUX ZONES A TEMPERATURES DIFFERENTES

L'INVENTION SE RAPPORTE AUX FOURS A PLUSIEURS ZONES. ELLE CONCERNE UN DISPOSITIF CHAUFFANT TRANSPARENT AYANT AU MOINS DEUX ZONES DE TRAVAIL POUVANT ETRE CHAUFFEES A DES TEMPERATURES DIFFERENTES, QUI COMPREND UNE ENCEINTE TRANSPARENTE OUVRABLE, FORMEE D'AU MOINS DEUX PARTIES 20, 21 AMOVIBLES ET ACCOUPLABLES DE FACON ETANCHE, CETTE ENCEINTE ETANT POURVUE D'UN ORIFICE 22 POUVANT ETRE RELIE A UNE SOURCE DE VIDE POUSSE OU A DES MOYENS D'INTRODUCTION D'UNE ATMOSPHERE, CARACTERISE EN CE QU'IL COMPREND, EN OUTRE, DES MOYENS DE CHAUFFAGE CONSTITUES PAR AU MOINS UNE COUCHE ELECTROCONDUCTRICE RESISTANTE TRANSPARENTE 24, 25, 26 EN CONTACT D'ECHANGE THERMIQUE AVEC UNE PORTION AU MOINS DE LADITE ENCEINTE, ET DES MOYENS D'APPLICATION D'UN COURANT ELECTRIQUE EN AU MOINS DEUX POINTS ESPACES DE LADITE COUCHE, DE FACON A PERMETTRE LE CHAUFFAGE DE L'ENCEINTE PAR EFFET JOULE. UTILISATION NOTAMMENT POUR LA PRODUCTION DE MONOCRISTAUX D'HGI.

PROCESS Of EVAPORATION AND CAST IRON OF SILICON AND DEVICE FOR SA IMPLEMENTED

METHOD FOR FABRICATING SINGLE CRYSTAL USING VPE GROWTH METHOD

PURPOSE: A method for fabricating a single crystal using a VPE(Vapor Phase Epitaxy) growth method is provided to minimize the generation of defects in a growing process by injecting gas into an inner part of a growth ampoule to form the flowing gas atmosphere. CONSTITUTION: A state of vacuum is formed in an inner part of a growth ampoule(202). The predetermined gas is injected into the inner part of the growth ampoule in order to form the predetermined pressure. The flowing gas atmosphere is maintained in the inner part of the growth ampoule. A surface of a seed is etched by performing a heat etching process under the flowing gas atmosphere. The growth ampoule is heated under the flowing gas atmosphere. The temperature of an upper side including a raw material vessel(204) is higher than the temperature of a lower side including the seed crystal by performing the heating process. © KIPO 2004 ...

벌크 탄화규소를 제조하기 위한 방법

... 탄화규소의 제조방법이 개시되어 있다. 이 방법은 로 쉘, 상기 로 쉘의 외부에 위치한 적어도 하나의 가열요소, 및 단열재로 둘러싸인 상기 로 쉘 내부에 위치한 고온 영역을 포함하는 승화로를 제공하는 단계를 포함한다. 상기 고온 영역은 하부영역에 위치한 탄화규소 전구체 및 상부영역에 위치한 탄화규소 시드를 갖는 도가니를 포함한다. 고온 영역은 탄화규소 전구체를 승화시키도록 가열되어 탄화규소 시드의 바닥면 상에 탄화규소를 형성한다. 결과로서 생긴 탄화규소 재료 뿐만아니라 탄화규소를 제조하기 위한 승화로가 또한 개시되어 있다.

FORFARANDE OCH ANORDNING FOR SMELTNING OCH FORANGNING AV KISEL

METHODS FOR METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION USING SOLUTIONS OF INDIUM-ALKYL COMPOUNDS IN HYDROCARBONS

The invention relates to methods for producing an indium-containing layer by metal-organic chemical vapour deposition, wherein the indium-containing layer is created in a reaction chamber on a substrate, wherein the indium is fed to the process in the form of an indium-containing precursor compound, which has the formula InR3, where the radicals R are selected independently of one another from alkyl radicals with up to 6 carbon atoms, characterized in that the feeding of the indium-containing precursor compound takes place in a solution which contains a solvent and the indium-containing precursor compound dissolved therein, wherein the solvent comprises at least one hydrocarbon with 1 to 8 carbon atoms. The invention also relates to solutions, consisting of a compound of the formula InR3, where R are selected independently of one another from alkyl radicals with 1 to 6 C atoms, and at least one hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms, uses of the solution for producing an indium-containing ...