Method for filling substrate recesses using pressure and heat treatment
Номер патента: US5932289A
Опубликовано: 03-08-1999
Автор(ы): Arthur John McGeown, Christopher David Dobson
Принадлежит: Trikon Technologies Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-08-1999
Автор(ы): Arthur John McGeown, Christopher David Dobson
Принадлежит: Trikon Technologies Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for producing bonded wafer
Номер патента: US8691665B2. Автор: Hiroji Aga,Nobuhiko Noto,Masahiro Kato,Satoshi Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-08.