一种具有high-k/low-k复合介质结构的AlGaN/GaN HEMT及制备方法
Номер патента: CN117747657A
Опубликовано: 22-03-2024
Автор(ы): 古佳茜
Принадлежит: Shenzhen Sirius Semiconductor Co ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-03-2024
Автор(ы): 古佳茜
Принадлежит: Shenzhen Sirius Semiconductor Co ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
一种具有high-k/low-k复合介质结构的AlGaN/GaN HEMT及制备方法
Номер патента: CN117747657. Автор: 古佳茜. Владелец: Shenzhen Sirius Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-03-22.