Россия, г. Королев.
eburdiyg@gmail.com
8 (903) 781-84-63
© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.
Self-adjusting gate bias network for field effect transistors
Номер патента: WO2010029186A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,M. Ibrahim Khalil. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2010-03-18.