Diode-tunnel destinée en particulier à redresser de faibles tensions alternatives et procédé de fabrication de ladite diode-tunnel
Номер патента: FR1281107A
Опубликовано: 08-01-1962
Автор(ы):
Принадлежит: SIEMENS AG, Siemens Schuckertwerke AG
Опубликовано: 08-01-1962
Автор(ы):
Принадлежит: SIEMENS AG, Siemens Schuckertwerke AG
Procédé de fabrication d'un nanogenerateur piezo-electrique, nanogenerateur piezo-electrique obtenu par ce procédé et dispositif comportant un tel nanogenerateur piezo-electrique
Номер патента: WO2016185399A1. Автор: Travis Wade,Emmanuel Balanzat,Jean-Eric Wegrowe,Melilli Giuseppe,Eric Giglio,Marie-Claude Clochard. Владелец: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Дата публикации: 2016-11-24.