High-temperature heterostructure conductor and method of making the same
Номер патента: EP4227962A1
Опубликовано: 16-08-2023
Автор(ы): Bahram Jadidian, Eric Passman, Mahdi Mohajeri
Принадлежит: Honeywell International Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-08-2023
Автор(ы): Bahram Jadidian, Eric Passman, Mahdi Mohajeri
Принадлежит: Honeywell International Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
High-temperature heterostructure conductor and method of making the same
Номер патента: US20230261059A1. Автор: Bahram Jadidian,Mahdi Mohajeri,Eric Passman. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-08-17.