Tungsten feature fill.

Tungsten feature fill

Номер патента: US09653353B2
Опубликовано: 16-05-2017
Автор(ы): Anand Chandrashekar, Deqi Wang, Esther Jeng, Juwen Gao, Michal Danek, Raashina Humayun
Принадлежит: Novellus Systems Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Tungsten feature fill with nucleation inhibition

Номер патента: US20220359280A1. Автор: Anand Chandrashekar,Tsung-Han Yang,Jasmine Lin. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Processing system and methods for forming void-free and seam-free tungsten features

Номер патента: US20240209500A1. Автор: Kai Wu,Kazuya DAITO,Harpreet Singh,Michael C. Kutney,Peiqi Wang,Wei Min Chan,Xi CEN,Mingrui ZHAO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Feature fill with nucleation inhibition

Номер патента: US09997405B2. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Anand Chandrashekar,Juwen Gao,Esther Jeng,Deqi Wang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Feature fill with nucleation inhibition

Номер патента: US20180277431A1. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Anand Chandrashekar,Juwen Gao,Esther Jeng,Deqi Wang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Feature fill with nucleation inhibition

Номер патента: US11901227B2. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Anand Chandrashekar,Juwen Gao,Esther Jeng,Deqi Wang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Tungsten feature fill with nucleation inhibition

Номер патента: US20160071764A9. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Anand Chandrashekar,Juwen Gao,Esther Jeng,Deqi Wang. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Tungsten nucleation process to enable low resistivity tungsten feature fill

Номер патента: KR102361226B1. Автор: 라쉬나 후마윤,수다 마난다르,마이클 다넥. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-02-09.

Tungsten feature fill

Номер патента: US20190019725A1. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Anand Chandrashekar,Juwen Gao,Esther Jeng,Deqi Wang. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

TUNGSTEN FEATURE FILL

Номер патента: US20170278749A1. Автор: Gao Juwen,Humayun Raashina,Wang Deqi,Chandrashekar Anand,Danek Michal,Jeng Esther. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

TUNGSTEN FEATURE FILL WITH NUCLEATION INHIBITION

Номер патента: US20190326168A1. Автор: Liu Gang,Yang Tsung-Han,Wang Deqi,Chandrashekar Anand,Danek Michal,Neo Siew,Lin Jasmine. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Tungsten feature fill

Номер патента: KR20200006620A. Автор: 라쉬나 후마윤,마이클 다넥,주웬 가오,아난드 찬드라쉐카,에스터 젱,드어치 왕. Владелец: 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-01-20.

Tungsten feature fill

Номер патента: KR102064627B1. Автор: 라쉬나 후마윤,마이클 다넥,주웬 가오,아난드 찬드라쉐카,에스터 젱,드어치 왕. Владелец: 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-01-09.

Tungsten feature fill with nucleation inhibition

Номер патента: WO2013148444A1. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Anand Chandrashekar,Juwen Gao,Esther Jeng,Deqi Wang. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2013-10-03.

Tungsten feature fill with nucleation inhibition

Номер патента: US20190206731A1. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Anand Chandrashekar,Juwen Gao,Esther Jeng,Deqi Wang. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Tungsten feature fill

Номер патента: US10103058B2. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Anand Chandrashekar,Juwen Gao,Esther Jeng,Deqi Wang. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Multi-layer feature fill

Номер патента: US20240282580A1. Автор: Lawrence Schloss,Sanjay Gopinath,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Multi-layer feature fill

Номер патента: US12014928B2. Автор: Lawrence Schloss,Sanjay Gopinath,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Feature fill with nucleation inhibition

Номер патента: WO2021194768A1. Автор: Gang Liu,Leonard Wai Fung Kho,Anand Chandrashekar,Rohit Khare,Krishna BIRRU. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-layer feature fill

Номер патента: WO2020028587A1. Автор: Lawrence Schloss,Sanjay Gopinath,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-02-06.

The feature filling inhibited with coring

Номер патента: CN105470194B. Автор: 阿南德·查德拉什卡,高举文,迈克尔·达内克,爱思特·杰恩,拉什纳·胡马雍,王徳齐. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-09-06.

FEATURE FILL WITH NUCLEATION INHIBITION

Номер патента: US20220102208A1. Автор: Gao Juwen,Humayun Raashina,Wang Deqi,Chandrashekar Anand,Danek Michal,Jeng Esther. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

FEATURE FILL WITH MULTI-STAGE NUCLEATION INHIBITION

Номер патента: US20200185225A1. Автор: Humayun Raashina,Wang Deqi,Chandrashekar Anand,Danek Michal. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

FEATURE FILL WITH NUCLEATION INHIBITION

Номер патента: US20200185273A1. Автор: Gao Juwen,Humayun Raashina,Wang Deqi,Chandrashekar Anand,Danek Michal,Jeng Esther. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

FEATURE FILL WITH NUCLEATION INHIBITION

Номер патента: US20180277431A1. Автор: Gao Juwen,Humayun Raashina,Wang Deqi,Chandrashekar Anand,Danek Michal,Jeng Esther. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Multi-layer feature filling

Номер патента: CN112514052A. Автор: 桑杰·戈皮纳特,巴晓兰,邓若鹏,高举文,劳伦斯·施洛斯. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Feature filling with tungsten

Номер патента: JP6273257B2. Автор: チャンドラシェカー・アナンド,ジェン・エスター,フマユン・ラシーナ,ダネク・ミハル,ガオ・ジュウェン,ワン・ドーチィ. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2018-01-31.

Methods for forming multi-tier tungsten features

Номер патента: US20230369113A1. Автор: Kai Wu,Peiqi Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of forming multi-tier tungsten features

Номер патента: WO2023219745A1. Автор: Kai Wu,Peiqi Wang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-16.

Feature fill with multi-stage nucleation inhibition

Номер патента: US20200185225A1. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Anand Chandrashekar,Deqi Wang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Feature fill with multi-stage nucleation inhibition

Номер патента: US20190080914A1. Автор: Raashina Humayun,Michal Danek,Anand Chandrashekar,Deqi Wang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Atomic layer etching for enhanced bottom-up feature fill

Номер патента: US09837312B1. Автор: Praveen Nalla,Samantha Tan,Artur Kolics,Jengyi Yu,Keren Jacobs Kanarik,Novy Tjokro,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Ruthenium metal feature fill for interconnects

Номер патента: US09711449B2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Gerrit J. Leusink,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Takahiro Hakamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Feature fill with multi-stage nucleation inhibition

Ruthenium metal feature fill for interconnects

Номер патента: US20160358815A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Gerrit J. Leusink,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Takahiro Hakamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

RUTHENIUM METAL FEATURE FILL FOR INTERCONNECTS

Номер патента: US20190103363A1. Автор: "OMeara David L.",Leusink Gerrit J.,Wajda Cory,Igeta Masanobu,Yu Kai-Hung,Joy Nicholas,Liu Eric Chih Fang,Rosenthal David. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

COMPOSITION FOR METAL PLATING COMPRISING SUPPRESSING AGENT FOR VOID FREE SUBMICRON FEATURE FILLING

Номер патента: US20200173029A1. Автор: Raether Roman Benedikt,Roeger-Goepfert Cornelia,Emnet Charlotte,Mayer Dieter,Haag Alexandra. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2020-06-04.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: US09617647B2. Автор: Roman Benedikt Raether,Charlotte Emnet,Alexandra Haag,Dieter Mayer,Cornelia Roeger-Goepfert. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2017-04-11.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: KR101738708B1. Автор: 디터 마이어,로만 베네딕트 레테르,코르넬리아 뢰거-괴페르트,알렉산드라 하크,샤를로테 엠네트. Владелец: 바스프 에스이. Дата публикации: 2017-05-22.

COMPOSITION FOR COBALT PLATING COMPRISING ADDITIVE FOR VOID-FREE SUBMICRON FEATURE FILLING

Номер патента: US20190226107A1. Автор: Arnold Marco,Emnet Charlotte,Mayer Dieter,Fluegel Alexander,KIENLE Marcel Patrik. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-07-25.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: KR101752018B1. Автор: 디터 마이어,코넬리아 뢰거-괴퍼트,로만 베네딕트 라에터,알렉산드라 하그,샤를롯 엠넷. Владелец: 바스프 에스이. Дата публикации: 2017-06-28.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: CN102597329A. Автор: D·迈耶,C·勒格尔-格普费特,A·哈格,R·B·雷特尔,C·埃姆内特. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-07-18.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: US9869029B2. Автор: Roman Benedikt Raether,Charlotte Emnet,Alexandra Haag,Dieter Mayer,Cornelia Roeger-Goepfert. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-01-16.

Composition for cobalt plating comprising additive for void-free submicron feature filling

Номер патента: EP3485069B1. Автор: Marco Arnold,Charlotte Emnet,Dieter Mayer,Marcel Patrik KIENLE,Alexander Fluegel. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2021-04-28.

Composition for cobalt plating comprising additive for void-free submicron feature filling

Номер патента: WO2018015168A1. Автор: Marco Arnold,Charlotte Emnet,Dieter Mayer,Marcel Patrik KIENLE,Alexander Fluegel. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-01-25.

Methods for forming low resistivity tungsten features

Номер патента: US12037682B2. Автор: Cheng Cheng,Kai Wu,Sang Jin Lee,Peiqi Wang,Insu HA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09966299B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09425078B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US20160329238A1. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Micro-feature fill process and apparatus using hexachlorodisilane or other chlorine-containing silicon precursor

Номер патента: WO2006078354A2. Автор: Anthony Dip,Allen Leith,Seungho Oh. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2006-07-27.

Micro-feature fill process and apparatus using hexachlorodisilane or other chlorine-containing silicon precursor

Номер патента: CN101111931B. Автор: 安东尼·迪朴,吴昇昊,艾伦·利思. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-05-12.

Tungsten nucleation process to enable low resistivity tungsten feature fill

Номер патента: TWI672737B. Автор: 米歇爾丹納克,拉許納胡瑪雲,蘇哈馬南哈爾. Владелец: 美商蘭姆研究公司. Дата публикации: 2019-09-21.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: MY158203A. Автор: Roman Benedikt Raether,Charlotte Emnet,Alexandra Haag,Dieter Mayer,Cornelia RÖGER-GÖPFERT. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-09-15.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: WO2010115796A1. Автор: Roman Benedikt Raether,Cornelia RÖGER,Charlotte Emnet,Alexandra Haag,Dieter Mayer. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2010-10-14.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: WO2010115717A1. Автор: Roman Benedikt Raether,Cornelia RÖGER,Charlotte Emnet,Alexandra Haag,Dieter Mayer. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2010-10-14.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: WO2010115757A1. Автор: Roman Benedikt Raether,Cornelia RÖGER,Charlotte Emnet,Alexandra Haag,Dieter Mayer. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2010-10-14.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: WO2010115756A1. Автор: Roman Benedikt Raether,Cornelia RÖGER,Charlotte Emnet,Alexandra Haag,Dieter Mayer. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2010-10-14.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: CN102369315A. Автор: D·迈耶,C·勒格尔-格普费特,A·哈格,R·B·雷特尔,C·埃姆内特. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-03-07.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: US20210317582A1. Автор: Roman Benedikt Raether,Charlotte Emnet,Alexandra Haag,Dieter Mayer,Cornelia RÖGER-GÖPFERT. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2021-10-14.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: KR101759352B1. Автор: 디터 마이어,코넬리아 뢰거-괴퍼트,로만 베네딕트 라에터,알렉산드라 하그,샤를롯 엠넷. Владелец: 바스프 에스이. Дата публикации: 2017-07-18.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: US20120024711A1. Автор: Roman Benedikt Raether,Charlotte Emnet,Alexandra Haag,Dieter Mayer,Cornelia Roeger-Goepfert. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-02-02.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: US20120027948A1. Автор: Roman Benedikt Raether,Charlotte Emnet,Alexandra Haag,Dieter Mayer,Cornelia Roeger-Goepfert. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-02-02.

INHIBITOR PLASMA MEDIATED ATOMIC LAYER DEPOSITION FOR SEAMLESS FEATURE FILL

Номер патента: US20150243545A1. Автор: Smith David C.,VAN SCHRAVENDIJK Bart,Tang Wei,Qian Jun,Padhi Deenesh,Kang Hu,LaVoie Adrien. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: KR101720365B1. Автор: 코르넬리아 뢰거-괴퍼트,로만 베네딕트 래터,샤를롯테 엠네트,알렉산드라 하아크,디터 마이어. Владелец: 바스프 에스이. Дата публикации: 2017-03-27.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: EP2417285A1. Автор: Roman Benedikt Raether,Charlotte Emnet,Alexandra Haag,Dieter Mayer,Cornelia RÖGER-GÖPFERT. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-02-15.

Tungsten feature fill with inhibition control

Номер патента: US20220172987A1. Автор: Gang Liu,Anand Chandrashekar,Tsung-Han Yang,Michael Bowes. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Tungsten feature fill with inhibition control

Номер патента: SG11202108725XA. Автор: Gang Liu,Anand Chandrashekar,Tsung-Han Yang,Michael Bowes. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

TUNGSTEN NUCLEATION PROCESS TO ENABLE LOW RESISTIVITY TUNGSTEN FEATURE FILL

Номер патента: US20140154883A1. Автор: Humayun Raashina,Danek Michal,Manandhar Sudha. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

TUNGSTEN FEATURE FILL WITH NUCLEATION INHIBITION

Номер патента: US20170365513A1. Автор: Liu Gang,Yang Tsung-Han,Wang Deqi,Chandrashekar Anand,Danek Michal,Neo Siew,Lin Jasmine. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Methods for forming multi-tier tungsten features

Номер патента: US20240047268A1. Автор: Yang Li,Kai Wu,Peiqi Wang,Xi CEN,Dixiong WANG,Mingrui ZHAO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods for forming multi-tier tungsten features

Номер патента: WO2024030248A1. Автор: Yang Li,Kai Wu,Peiqi Wang,Xi CEN,Dixiong WANG,Mingrui ZHAO. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-08.

FEATURE FILL WITH NUCLEATION INHIBITION

Номер патента: US20160093528A1. Автор: Gao Juwen,Humayun Raashina,Wang Deqi,Chandrashekar Anand,Danek Michal,Jeng Esther. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

RUTHENIUM METAL FEATURE FILL FOR INTERCONNECTS

Номер патента: US20170317022A1. Автор: Leusink Gerrit J.,Wajda Cory,ISHIZAKA Tadahiro,Yu Kai-Hung,Hakamata Takahiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

FEATURE FILL WITH MULTI-STAGE NUCLEATION INHIBITION

Номер патента: US20160343612A1. Автор: Humayun Raashina,Wang Deqi,Chandrashekar Anand,Danek Michal. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Process gas ramp during semiconductor processing

Номер патента: US20240376598A1. Автор: Gang Liu,Xing Zhang,Anand Chandrashekar,Kaihan Abidi Ashtiani,Jasmine Lin. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Reducing line bending during metal fill process

Номер патента: US20240158913A1. Автор: Lei Guo,Sanjay Gopinath,Anand Chandrashekar,Gang L. Liu. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Integrated pvd tungsten liner and seamless cvd tungsten fill

Номер патента: WO2024054441A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Wei Lei,Jallepally Ravi,Shirish Pethe,Xianmin Tang,Dien-Yeh Wu,Rongjun Wang,Chao DU,Tsung-Han Yang,Xingyao Gao,Wenting Hou,Chen-Han Lin,Aixi ZHANG,Xianyuan ZHAO,Zhimin QI,Geraldine Vasquez,Kyoung-Ho Bu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated pvd tungsten liner and seamless cvd tungsten fill

Номер патента: US20240087955A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Wei Lei,Jallepally Ravi,Shirish Pethe,Xianmin Tang,Dien-Yeh Wu,Rongjun Wang,Chao DU,Tsung-Han Yang,Xingyao Gao,Wenting Hou,Chen-Han Lin,Aixi ZHANG,Xianyuan ZHAO,Zhimin QI,Geraldine Vasquez,Kyoung-Ho Bu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods to improve productivity of advanced cvd w gapfill process

Номер патента: US20240222128A1. Автор: Kai Wu,Harpreet Singh,Michael C. Kutney,Peiqi Wang,Mingrui ZHAO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Depositing ruthenium layers in interconnect metallization

Номер патента: WO2018226754A1. Автор: Raashina Humayun,Do Young Kim,Michal Danek,Chiukin Steven Lai,Jeong-Seok Na. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-13.

TUNGSTEN FEATURE FILL WITH NUCLEATION INHIBITION

Номер патента: US20130171822A1. Автор: Gao Juwen,Humayun Raashina,Wang Deqi,Chandrashekar Anand,Danek Michal,Jeng Esther. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

TUNGSTEN FEATURE FILL

Номер патента: US20130302980A1. Автор: Gao Juwen,Humayun Raashina,Wang Deqi,Chandrashekar Anand,Danek Michal,Jeng Esther. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

TUNGSTEN FEATURE FILL

Номер патента: US20150056803A1. Автор: Gao Juwen,Humayun Raashina,Wang Deqi,Chandrashekar Anand,Danek Michal,Jeng Esther. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

TUNGSTEN FEATURE FILL WITH NUCLEATION INHIBITION

Номер патента: US20160071764A9. Автор: Gao Juwen,Humayun Raashina,Wang Deqi,Chandrashekar Anand,Danek Michal,Jeng Esther. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

TUNGSTEN FEATURE FILL WITH INHIBITION CONTROL

Номер патента: US20220172987A1. Автор: Liu Gang,Yang Tsung-Han,Chandrashekar Anand,Bowes Michael. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

TUNGSTEN FEATURE FILL

Номер патента: US20160190008A1. Автор: Gao Juwen,Humayun Raashina,Wang Deqi,Chandrashekar Anand,Danek Michal,Jeng Esther. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

SEMICONDUCTOR REFLOW PROCESSING FOR FEATURE FILL

Номер патента: US20140008812A1. Автор: Emesh Ismail T.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-09.

SELECTIVE BOTTOM-UP METAL FEATURE FILLING FOR INTERCONNECTS

Номер патента: US20170110368A1. Автор: Leusink Gerrit J.,Clark Robert D.,Tapily Kandabara N.,Yu Kai-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor reflow processing for feature fill

Номер патента: US10665503B2. Автор: Ismail T. Emesh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-26.

Process for optimizing cobalt electrofill using sacrificial oxidants

Номер патента: US11078591B2. Автор: Lee J. Brogan,Jonathan David Reid,Natalia V. Doubina,Matthew A. Rigsby. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Superconformal recessed feature fill sol-gels

Номер патента: US12085744B1. Автор: Keren Zhang,Anthony PHAN,Alejo Lifschitz Arribio,Jonathan Onorato,Vincent Overney. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Interconnect structures and methods of formation

Номер патента: US09984976B2. Автор: Deenesh Padhi,Yong Cao,Yana Cheng,Xianmin Tang,Srinivas Guggilla,Sree Rangasai KESAPRAGADA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Molybdenum integration and void-free fill

Номер патента: WO2023205184A1. Автор: Chih-Min Lin,Shuogang Huang,Sivananda Krishnan Kanakasabapathy,Chiukin Steven Lai,Jeong-Seok Na,Yao-Tsung Hsieh,David Joseph Mandia,Matthew Bertram Edward GRIFFITHS,Arya SHAFIEFARHOOD. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-10-26.

Recessed gate strcutre with protection layer

Номер патента: US12080773B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Recessed gate strcutre with protection layer

Номер патента: US20230261072A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for forming low resistivity tungsten features

Номер патента: WO2023059381A1. Автор: Cheng Cheng,Kai Wu,Sang Jin Lee,Peiqi Wang,Insu HA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-04-13.

Composition for cobalt plating comprising additive for void-free submicron feature filling

Номер патента: US12098473B2. Автор: Marco Arnold,Charlotte Emnet,Dieter Mayer,Alexander Fluegel,Nadine ENGELHARDT,Lucas Benjamin HENDERSON,Sathana Kitayaporn. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-09-24.

Microstructure control of sol-gel with feature fill capabilities

Номер патента: US20230235179A1. Автор: Anthony PHAN,Alejo Lifschitz Arribio. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Номер патента: WO2018073011A1. Автор: Marco Arnold,Charlotte Emnet,Alexandra Haag,Dieter Mayer,Marcel Patrik KIENLE,Alexander Fluegel. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-04-26.

Fill process optimization using feature scale modeling

Номер патента: US20200242209A1. Автор: Atashi Basu,David M. Fried,Michal Danek,Anand Chandrashekar,Kapil Sawlani,Michael Bowes,Dongyao Li. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20230290677A1. Автор: Jeffrey Smith,Robert D. Clark,Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: WO2023172892A1. Автор: Robert Clark,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Processing system and methods to co-strike plasma to enhance tungsten growth incubation delay

Номер патента: WO2024172880A1. Автор: Kelvin Chan,Kai Wu,David Peterson,Peiqi Wang,Mingrui ZHAO,Ping-Hwa HSIEH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Processing system and methods to co-strike plasma to enhance tungsten growth incubation delay

Номер патента: US20240274407A1. Автор: Kelvin Chan,Kai Wu,David Peterson,Peiqi Wang,Mingrui ZHAO,Ping-Hwa HSIEH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Planarizing etch hardmask to increase pattern density and aspect ratio

Номер патента: WO2011149616A2. Автор: Sudha Rathi,Kwangduk Douglas Lee,Chiu Chan,Martin Jay Seamons,Patrick Reilly. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-12-01.

Triangle two dimensional complementary patterning of pillars

Номер патента: WO2010002682A1. Автор: Chun-Ming Wang,Roy E. Scheuerlein,Yung-Tin Chen. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-01-07.

Conformal amorphous carbon for spacer and spacer protection applications

Номер патента: US09570303B2. Автор: Deenesh Padhi,Derek R. Witty,Bok Hoen Kim,Sungjin Kim,Sung Hyun Hong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Triangle two dimensional complementary patterning of pillars

Номер патента: EP2297775A1. Автор: Chun-Ming Wang,Roy E. Scheuerlein,Yung-Tin Chen. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-03-23.

Methods for increased array feature density

Номер патента: US20130183829A1. Автор: Steven J. Radigan,Huiwen Xu,Yung-Tin Chen. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-07-18.

Epitaxial Features Confined by Dielectric Fins and Spacers

Номер патента: US20200091312A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230386940A1. Автор: Yen-Ming Chen,Dian-Hau Chen,Chih-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Pin based method of precision diamond turning to make prismatic mold and sheeting

Номер патента: GB2472333A. Автор: Xiao-Jing Lu. Владелец: Reflexite Corp. Дата публикации: 2011-02-02.

Mixed valence sol-gels for high refractive index, transparent optical coatings

Номер патента: US20230257279A1. Автор: Anthony PHAN,Alejo Lifschitz Arribio. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Mixed valence sol-gels for high refractive index, transparent optical coatings

Номер патента: WO2023141309A1. Автор: Anthony PHAN,Alejo Lifschitz Arribio. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Knit formwork casting

Номер патента: US20230399777A1. Автор: Sean Ahlquist,Evgueni T. FILIPOV,Tsz Yan NG,Tracey Weisman. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-12-14.

Knit formwork casting

Номер патента: EP4232251A1. Автор: Sean Ahlquist,Evgueni T. FILIPOV,Tsz Yan NG,Tracey Weisman. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-08-30.

Feature fill using inhibition

Номер патента: WO2024129781A1. Автор: Anand Chandrashekar,Son Vo Nam TRAN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-06-20.

COMPOSITION FOR METAL PLATING COMPRISING SUPPRESSING AGENT FOR VOID FREE SUBMICRON FEATURE FILLING

Номер патента: US20120118750A1. Автор: Raether Roman Benedikt,Roeger-Goepfert Cornelia,Emnet Charlotte,Mayer Dieter,Haag Alexandra. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-05-17.

COMPOSITION FOR METAL PLATING COMPRISING SUPPRESSING AGENT FOR VOID FREE SUBMICRON FEATURE FILLING

Номер патента: US20120018310A1. Автор: Raether Roman Benedikt,Roeger-Goepfert Cornelia,Emnet Charlotte,Mayer Dieter,Haag Alexandra. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-01-26.

COMPOSITION FOR METAL PLATING COMPRISING SUPPRESSING AGENT FOR VOID FREE SUBMICRON FEATURE FILLING

Номер патента: US20120128888A1. Автор: . Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-05-24.

Objective eevaluation method, device and medium for online subjective test questions

Номер патента: ZA202305060B. Автор: HAIYANG Zhang,Junhua Chen,Lianglin Xiong. Владелец: Univ Yunnan Minzu. Дата публикации: 2023-11-29.

Tungsten feature fill

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты