Method for the preparation of doped garnet structure single crystals with diameters of up to 500 mm
Номер патента: US09499923B2
Опубликовано: 22-11-2016
Автор(ы): Jind{hacek over (r)}ich Hou{hacek over (z)}vi{hacek over (c)}ka, Karel Barto{hacek over (s)}
Принадлежит: Crytur sro
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-11-2016
Автор(ы): Jind{hacek over (r)}ich Hou{hacek over (z)}vi{hacek over (c)}ka, Karel Barto{hacek over (s)}
Принадлежит: Crytur sro
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Preparation of doped garnet structure single crystals with diameters of up to 500 mm
Номер патента: EP2675944A1. Автор: Jindrich Houzvicka,Karel Bartos. Владелец: Crytur sro. Дата публикации: 2013-12-25.