Method for regulating and controlling crystal face area of layered positive electrode material precursor (010) through anions
附图说明 图1为本发明实施例1中制备的晶种SEM图。 图2为本发明实施例1中制备的前驱体SEM图。 图3为本发明对比例1中制备的晶种SEM图。 图4为本发明对比例1中制备的前驱体SEM图。 技术领域 本发明属于镍基层状三元正极材料改性技术领域，具体涉及一种通过阴离子调控层状正极材料前驱体（010）晶面面积的方法。 具体实施方式 以下通过实施例对本发明的上述内容做进一步详细说明，但不应该将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本发明上述内容实现的技术均属于本发明的范围。 实施例1 1）氢氧化物晶种制备阶段：将1.5mol/L的MSO4（M=Ni、Co、Mn，其中Ni︰Co︰Mn摩尔比为0.83:0.07:0.1）溶液、5.0mol/L的NaOH溶液、10.0mol/L的氨水溶液、5.0mol/L的Na2SO4溶液加入以含有浓度为0.3mol/L氨水和0.8mol/L硫酸钠作为底水的反应釜中，其中MSO4溶液的加料速度为40mL/min，NaOH溶液的加料速度约为24mL/min，控制共沉淀反应pH值为11.8，控制共沉淀反应温度为60℃，控制共沉淀反应釜中氨水浓度约为0.3mol/L，反应釜中Na2SO4溶液浓度为0.8mol/L，持续加料，反应1.5小时后获得Ni0.83Co0.07Mn0.1(OH)2晶种，如图1所示，该晶种为类球形，由片状一次颗粒组成，片状一次颗粒直径约为0.3μm，片状一次颗粒较厚，厚度约为0.1μm，片状一次颗粒之间的间距约为0.15μm。 2）三元正极材料前驱体生长阶段：以步骤1）制备的Ni0.83Co0.07Mn0.1(OH)2晶种为底料，将1.5mol/L的MSO4（M=Ni、Co、Mn，其中Ni︰Co︰Mn摩尔比为0.83:0.07:0.1）溶液、5.0mol/L的NaOH溶液、10.0mol/L的氨水溶液、5.0mol/L的Na2SO4溶液加入以含有浓度为0.3mol/L氨水和0.8mol/L硫酸钠作为底水的反应釜中，其中MSO4溶液的加料速度为120mL/min，NaOH溶液的加料速度约为72mL/min，控制共沉淀反应pH值为11.0，控制共沉淀反应温度为60℃，控制共沉淀反应釜中氨水浓度约为0.3mol/L，反应釜中Na2SO4溶液浓度为0.8mol/L，持续加料，反应80小时后获得Ni0.83Co0.07Mn0.1(OH)2浆料，将浆料进行洗涤和干燥，获得一次颗粒（010）晶面面积大的Ni0.83Co0.07Mn0.1(OH)2前驱体，如图2所示，一次颗粒片厚，（010）晶面面积大。 实施例2 1）氢氧化物晶种制备阶段：将1.5mol/L的MSO4（M=Ni、Co、Mn，其中Ni︰Co︰Mn摩尔比为0.75:0.10:0.15）溶液、6.0mol/L的NaOH溶液、12.0mol/L的氨水溶液、7.0mol/L的NaNO3溶液加入以含有浓度为0.2mol/L氨水和0.3mol/L NaNO3溶液作为底水的反应釜中，其中MSO4溶液的加料速度为50mL/min，NaOH溶液的加料速度约为25mL/min，控制共沉淀反应pH值为11.9，控制共沉淀反应温度为52℃，控制共沉淀反应釜中氨水浓度约为0.2mol/L，反应釜中NaNO3溶液浓度为0.3mol/L，持续加料，反应0.5小时后获得Ni0.75Co0.10Mn0.15(OH)2晶种。 2）前驱体生长阶段：以步骤1）制备的Ni0.75Co0.10Mn0.15(OH)2晶种为底料，将1.5mol/L的MSO4（M=Ni、Co、Mn，其中Ni︰Co︰Mn摩尔比为0.75:0.10:0.15）溶液、6.0mol/L的NaOH溶液、12.0mol/L的氨水溶液、7.0mol/L的NaNO3溶液加入以含有浓度为0.2mol/L氨水和0.3mol/L NaNO3溶液作为底水的反应釜中，其中MSO4溶液的加料速度为100mL/min，NaOH溶液的加料速度约为50mL/min，控制共沉淀反应pH值为10.9，控制共沉淀反应温度为52℃，控制共沉淀反应釜中氨水浓度约为0.2mol/L，反应釜中NaNO3溶液浓度为0.3mol/L，持续加料，反应65小时后获得Ni0.75Co0.10Mn0.15(OH)2浆料，将浆料进行洗涤和干燥，获得一次颗粒（010）晶面面积大的Ni0.75Co0.10Mn0.15(OH)2前驱体。 实施例3 1）氢氧化物晶种制备阶段：将2.0mol/L的MSO4（M=Ni、Co、Mn、Al，其中Ni︰Co︰Mn︰Al摩尔比为0.88:0.06:0.05:0.03）溶液、6.0mol/L的NaOH溶液、12.0mol/L的氨水溶液、6.0mol/L的NaCl溶液加入以含有浓度为0.3mol/L氨水和0.5mol/L NaCl溶液作为底水的反应釜中，其中MSO4溶液的加料速度为30mL/min，NaOH溶液的加料速度约为20mL/min，控制共沉淀反应pH值为12.1，控制共沉淀反应温度为56℃，控制共沉淀反应釜中氨水浓度约为0.3mol/L，反应釜中NaCl溶液浓度为0.5mol/L，持续加料，反应1.0小时后获得Ni0.88Co0.06Mn0.05Al0.03(OH)2晶种。 2）前驱体生长阶段：以步骤1）制备的Ni0.88Co0.06Mn0.05Al0.03(OH)2晶种为底料，将2.0mol/L的MSO4（M=Ni、Co、Mn、Al，其中Ni︰Co︰Mn︰Al摩尔比为0.88:0.06:0.05:0.03）溶液、6.0mol/L的NaOH溶液、12.0mol/L的氨水溶液、6.0mol/L的NaCl溶液加入以含有浓度为0.3mol/L氨水和0.5mol/L NaCl溶液作为底水的反应釜中，其中MSO4溶液的加料速度为90mL/min，NaOH溶液的加料速度约为60mL/min，控制共沉淀反应pH值为11.2，控制共沉淀反应温度为56℃，控制共沉淀反应釜中氨水浓度约为0.3mol/L，反应釜中NaCl溶液浓度为0.5mol/L，持续加料，反应85小时后获得Ni0.88Co0.06Mn0.05Al0.03(OH)2浆料，将浆料进行洗涤和干燥，获得一次颗粒（010）晶面面积大的Ni0.88Co0.06Mn0.05Al0.03(OH)2前驱体。 实施例4 1）氢氧化物晶种制备阶段：将2.0mol/L的MSO4（M=Ni、Co、Mn，其中Ni︰Co︰Mn摩尔比为0.80:0.10:0.10）溶液、6.0mol/L的NaOH溶液、12.0mol/L的氨水溶液、6.0mol/L的NaNO3溶液、5.0mol/L的Na2SO4溶液加入以含有浓度为0.3mol/L氨水、0.2mol/LNaNO3溶液和0.3mol/LNa2SO4溶液作为底水的反应釜中，其中MSO4溶液的加料速度为30mL/min，NaOH溶液的加料速度约为20mL/min，控制共沉淀反应pH值为12.0，控制共沉淀反应温度为63℃，控制共沉淀反应釜中氨水浓度约为0.3mol/L，反应釜中NaNO3溶液浓度为0.2mol/L，Na2SO4溶液浓度为0.3mol/L，持续加料，反应0.8小时后获得Ni0.80Co0.10Mn0.10(OH)2晶种。 2）前驱体生长阶段：以步骤1）制备的Ni0.80Co0.10Mn0.10(OH)2晶种为底料，将2.0mol/L的MSO4（M=Ni、Co、Mn，其中Ni︰Co︰Mn摩尔比为0.80:0.10:0.10）溶液、6.0mol/L的NaOH溶液、12.0mol/L的氨水溶液、6.0mol/L的NaNO3溶液、5.0mol/L的Na2SO4溶液加入以含有浓度为0.3mol/L氨水、0.2mol/LNaNO3溶液和0.3mol/LNa2SO4溶液作为底水的反应釜中，其中MSO4溶液的加料速度为120mL/min，NaOH溶液的加料速度约为80mL/min，控制共沉淀反应pH值为12.0，控制共沉淀反应温度为63℃，控制共沉淀反应釜中氨水浓度约为0.3mol/L，反应釜中NaNO3溶液浓度为0.2mol/L，Na2SO4溶液浓度为0.3mol/L，持续加料，反应70小时后获得Ni0.80Co0.10Mn0.10(OH)2浆料，将浆料进行洗涤和干燥，获得一次颗粒（010）晶面面积大的Ni0.80Co0.10Mn0.10(OH)2前驱体。 对比例1 1）氢氧化物晶种制备阶段：将1.5mol/L的MSO4（M=Ni、Co、Mn，其中Ni︰Co︰Mn摩尔比为0.83:0.07:0.1）溶液、5.0mol/L的NaOH溶液、10.0mol/L的氨水溶液加入以含有浓度为0.3mol/L氨水作为底水的反应釜中，其中MSO4溶液的加料速度为40mL/min，NaOH溶液的加料速度约为24mL/min，控制共沉淀反应pH值为11.8，控制共沉淀反应温度为60℃，控制共沉淀反应釜中氨水浓度为大约0.3mol/L，持续加料，反应1.5小时，获得Ni0.83Co0.07Mn0.1(OH)2晶种，如图3所示，该晶种为类球形，由片状一次颗粒组成，片状一次颗粒直径约为0.3μm，片状一次颗粒较薄，厚度为0.05μm，片状一次颗粒之间的间距约为0.05μm。 2）前驱体生长阶段：以步骤1）制备的Ni0.83Co0.07Mn0.1(OH)2晶种为底料，将1.5mol/L的MSO4（M=Ni、Co、Mn，其中Ni︰Co︰Mn摩尔比为0.83:0.07:0.1）溶液、5.0mol/L的NaOH溶液、10.0mol/L的氨水溶液加入以含有浓度为0.3mol/L氨水作为底水的反应釜中，其中MSO4溶液的加料速度为120mL/min，NaOH溶液的加料速度约为72mL/min，控制共沉淀反应pH值为11.0，控制共沉淀反应温度为60℃，控制共沉淀反应釜中氨水浓度为大约0.3mol/L，持续加料，反应80小时后获得Ni0.83Co0.07Mn0.1(OH)2浆料，将浆料进行洗涤和干燥，获得一次颗粒（010）晶面面积较小的Ni0.83Co0.07Mn0.1(OH)2前驱体，如图4所示，一次颗粒片厚，(010)晶面面积大。 对比实施例1和对比例1，实施例1中增加了SO42-无机阴离子浓度，高浓度的SO42-无机阴离子可以起到晶面生长诱导剂作用，降低氢氧化物(010)晶面的表面能，增大片状氢氧化物(010)晶面生长速率，减少片状氢氧化物(003)晶面生长速率，从而形成厚片状的一次颗粒，即(010)晶面面积相对较大。 以上实施例描述了本发明的基本原理、主要特征及优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明原理的范围下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进均落入本发明保护的范围内。 背景技术 随着新能源汽车的快速发展，锂离子二次电池需求量急剧增加，促使正极材料的需求量大幅度增加。由于镍钴锰或镍钴铝或镍钴锰铝层状正极材料具有相对较高的能量密度、较好的安全性能及相对较低的成本，镍钴锰或镍钴铝或镍钴锰铝层状正极材料成为目前市场上需求量最大的正极材料。由于层状正极材料Li+嵌入和嵌出通道与其（010）晶面垂直，增加（010）晶面面积可以有效提高Li+嵌入和嵌出概率，从而能够提高层状三元正极材料Li+电导率，进而提升镍钴锰或镍钴铝或镍钴锰铝层状正极材料的电化学性能。现有研究表明：镍钴锰或镍钴铝或镍钴锰铝层状正极材料（010）晶面面积与其前驱体（010）晶面面积之间存在一定的继承性，提高镍钴锰或镍钴铝或镍钴锰铝层状正极材料前驱体（010）晶面面积有利于提升镍钴锰或镍钴铝或镍钴锰铝层状正极材料（010）晶面面积。因此，制备出（010）晶面面积大的镍钴锰或镍钴铝或镍钴锰铝层状正极材料前驱体成为提升镍钴锰或镍钴铝或镍钴锰铝层状正极材料（010）晶面面积的有效手段。 专利文献CN113023791A报道：采用富锂锰正极材料的前驱体作为晶面诱导模板，在富锂锰前驱体模板上合成（010）晶面面积较大的高镍三元正极材料前驱体。专利文件CN111293305A报道：在前驱体晶种制备阶段与生长过程中均采用晶面生长调控剂，比如聚丙烯酰胺，聚乙烯醇，聚氧化乙烯，聚丙烯酸钠，海藻酸钠，聚乙烯吡咯烷酮等，合成（010）晶面面积较大的三元正极材料前驱体。专利文献CN106892464A在前驱体晶种制备阶段与生长过程中均采用晶面生长调控剂，比如十二烷基苯磺酸钠与硫代甜菜碱，合成（010）晶面面积较大的三元正极材料前驱体。专利文献CN109742337A在前驱体晶种制备阶段与生长过程中均采用晶面生长调控剂，比如十六烷基三甲基溴化铵合成（010）晶面面积较大的三元正极材料前驱体。专利文献CN108269995A在前驱体晶种制备阶段与生长过程中均采用晶面生长调控剂，比如CTMAB、三乙醇胺、土耳其红油合成（010）晶面面积较大的三元正极材料前驱体。专利文献CN112151790A采用控制晶种制备阶段和前驱体生长过程中的反应动力学，从而调控三元前驱体的各晶面面积；专利文献CN113387399A在晶种制备阶段和前驱体生长过程中，通过对关键工艺参数pH以及络合剂用量的调控，从而控制高镍三元正极材料前驱体的各晶面面积；专利文献CN113329975A通过在前驱体生长过程中，连续加入晶种的方法，制备得到的三元正极材料前驱体材料中的晶面参数001峰低于晶面参数101峰。专利文献CN112919553A在晶种制备阶段和前驱体生长过程中，通过调节共沉淀反应过程中过渡金属离子、络合剂的浓度，获得具有{010}晶面族活性晶面占比高，活性晶面占比高达80%，粒度分布集中的前驱体。专利文献CN112086616A在晶种制备阶段，通过提高反应溶液中的氨水浓度并降低pH值，以减缓氢氧化物形核速度，从而制备出有利于生长成大(010)晶面前驱体的、分散性良好的片状晶种；在次晶种上生长成一次颗粒为微米级且具有大(010)晶面面积的三元正极材料前驱体。上述公开报道所涉及的提升镍钴锰或镍钴铝或镍钴锰铝层状正极材料前驱体（010）晶面面积的方法，存在以下不足之处：采用上述专利（CN111293305A、CN106892464A、CN109742337A、CN108269995A）中采用晶面生长调控剂来调控三元前驱体的（010）晶面面积，虽然有较好的效果，但是所采用的晶面生长调控剂含有机分子链，晶面生长调控剂本身成本较高且后续该晶面生长调控剂的废水处理成本较高；采用专利（CN112151790A、CN113387399A、CN113329975A、CN112919553A）所报道的方法能够调控三元正极材料前驱体的（010）晶面面积，但是其调控效果有限；采用专利（CN112086616A）所报道的方法能够制备出具有大（010）晶面面积的三元正极材料前驱体，但是三元正极材料前驱体二次颗粒的球形度差，影响其后续加工性能；采用专利（CN106745331A）所报道的一种低硫小粒径镍钴锰氢氧化物的制备方法，虽然所使用的添加剂有硫酸钠或者硫酸铵，但是其加入添加剂的作用仅仅辅助晶核快速分散，起到降硫的效果，并没有起到调控（010）晶面的作用；并且添加剂是在晶核结束后添加，并没有全程添加。 发明内容 本发明针对现有调控层状三元正极材料前驱体（010）晶面面积方法的不足，而提供了一种通过阴离子调控层状正极材料前驱体（010）晶面面积的方法。 本发明为解决上述技术问题采用如下技术方案，一种通过阴离子调控层状正极材料前驱体（010）晶面面积的方法，其特征在于具体步骤为： 步骤S1，晶种制备阶段：以镍基无机盐或镍基有机盐为原料，同时采用含氮络合剂和无机阴离子晶面生长诱导剂进行反应制备出有利于生长成大(010)晶面面积前驱体的片状一次颗粒较大且疏松的类球形氢氧化物晶种； 步骤S2，前驱体生长阶段：以步骤S1得到的氢氧化物晶种为底料进行共沉淀反应，以镍基无机盐或镍基有机盐为原料，同时采用含氮络合剂和无机阴离子晶面生长诱导剂进行反应制备出一次颗粒（010）晶面面积大且二次颗粒为类球形的镍基层状三元正极材料前驱体； 所述含氮络合剂为氨水、亚硫酸铵、亚硫酸氢铵、硫酸铵、硫酸氢铵、硫化铵、硫氢化铵、硫代硫酸铵、氯化铵或碳酸氨中的一种或几种的组合，所述无机阴离子晶面生长诱导剂为硫酸钠、硝酸钠、氯化钠、硫酸钾、硝酸钾、氯化钾、硫酸铵、硝酸铵或氯化铵中的一种或几种组合。 进一步限定，步骤S1和步骤S2中的镍基无机盐或镍基有机盐相同，该镍基无机盐为镍基硫酸盐、镍基硝酸盐或镍基氯化物，镍基有机盐为镍基乙酸盐，镍基无机盐或镍基有机盐中的镍基为镍钴锰、镍钴铝或镍钴锰铝。 进一步限定，步骤S1的具体过程为：在惰性气体气氛下，将镍基无机盐或镍基有机盐溶液、NaOH溶液、含氮络合剂和无机阴离子晶面生长诱导剂分别加入到以含有含氮络合剂和无机阴离子晶面生长诱导剂作为底水的反应釜中，控制反应釜中的pH值为10.0-12.0，同时控制反应釜中含氮络合剂的浓度为0.01-1.0mol/L以及无机阴离子晶面生长诱导剂的浓度为0.01-2.0mol/L，于30-80℃反应0.1-5.0小时得到氢氧化物晶种。 进一步限定，步骤S1中所述的镍基无机盐或镍基有机盐溶液的摩尔浓度为1.0-3.0mol/L，NaOH溶液的摩尔浓度2.0-7.0mol/L，含氮络合剂的摩尔浓度5.0-15.0mol/L，无机阴离子晶面生长诱导剂的摩尔浓度为5.0-10.0mol/L，镍基无机盐或镍基有机盐溶液与NaOH溶液的加料质量比为1.5-3:1，控制反应釜中pH值为11.6-11.9，控制反应釜中含氮络合剂的浓度为0.3-0.5mol/L以及无机阴离子晶面生长诱导剂的浓度为0.5-1.0mol/L。 进一步限定，步骤S2的具体过程为：向步骤S1中制备好氢氧化物晶种的反应釜中分别滴加镍基无机盐或镍基有机盐溶液、NaOH溶液、含氮络合剂和无机阴离子晶面生长诱导剂，控制反应釜中的pH值为10.0-12.5，同时控制反应釜中氨水的浓度为0.1-1.0mol/L以及无机阴离子晶面生长诱导剂的浓度为0.01-2.0mol/L，于30-80℃反应40-100小时得到浆料，将浆料进行洗涤和干燥得到镍基层状三元正极材料前驱体。 进一步限定，步骤S2中所述的镍基无机盐或镍基有机盐溶液的摩尔浓度为1.0-3.0mol/L，NaOH溶液的摩尔浓度2.0-7.0mol/L，含氮络合剂的摩尔浓度5.0-15.0mol/L，无机阴离子晶面生长诱导剂的摩尔浓度为5.0-10.0mol/L，镍基无机盐或镍基有机盐溶液与NaOH溶液的加料质量比为1.5-3:1，控制反应釜中pH值为11.0-11.4，控制反应釜中含氮络合剂的浓度为0.3-0.5mol/L以及无机阴离子晶面生长诱导剂的浓度为0.5-1.0mol/L。 本发明在氢氧化物晶种制备及生长过程中同时采用含氮络合剂和无机阴离子晶面生长诱导剂，利用含氮络合剂中的铵根与镍基无机盐或镍基有机盐汇总的镍、钴、锰离子形成相对较为稳定络合物，可以减缓氢氧化物形核速度，同时利用无机阴离子晶面生长诱导剂降低氢氧化物(010)晶面的表面能，增大片状氢氧化物(010)晶面生长速率，减少片状氢氧化物(003)晶面生长速率，从而制备出有利于生长成大(010)晶面面积前驱体的片状一次颗粒较大且疏松的类球形晶种；再采用该晶种进一步生长成一次颗粒（010）晶面面积大且二次颗粒为类球形的层状三元正极材料前驱体。 本发明与现有技术相比具有以下优点和有益效果： 1、相比采用富锂锰正极材料的前驱体作为高镍三元正极材料前驱体（010）晶面诱导模板制备出（010）晶面面积较大的高镍三元正极材料前驱体，本发明采用与前驱体成分相同的晶种，解决富锂锰基正极材料的煅烧温度与高镍型镍钴锰/铝或镍钴锰铝正极材料严重不匹配的问题，避免了富锂锰正极材料的前驱体作为高镍三元正极材料前驱体（010）晶面诱导模板所引起的降低了高镍三元正极材料循环容量的问题。 2、相比晶种制备阶段和前驱体生长阶段均采用不含氮络合剂制备出一次颗粒（010）晶面面积大且二次颗粒为类球形的氢氧化物前驱体的方法，本发明在晶种制备和前驱体生长阶段均采用含氮络合剂，后续仅需要处理含氮络合剂废水，相比需要处理不含氮络合剂废水，处理工艺高度成熟，处理工艺成本低。 3、相比晶种制备阶段和生长阶段均采用含有机分子链晶面生长调控剂制备出一次颗粒（010）晶面面积大且二次颗粒为类球形的氢氧化物前驱体的方法，本发明不需要采用价格相对较高的含有机分子链的晶面生长调控剂，后续仅需要处理含氮络合剂废水和无机阴离子晶面生长诱导剂废水，后续不需要处理含有机分子链的晶面生长调控剂的废水，废水处理工艺成本大大降低。 4、本发明制备出的三元正极材料前驱体品质较好，该三元正极材料前驱体的一次颗粒（010）晶面面积大占比大，二次颗粒球形度较好。 The invention discloses a method for regulating and controlling the crystal face area of a layered positive electrode material precursor (010) through anions, which comprises the following steps: by taking nickel-based inorganic salt or nickel-based organic salt as a raw material, reacting by adopting a nitrogen-containing complexing agent and an inorganic anion crystal face growth inducer to prepare a hydroxide seed crystal; the preparation method comprises the following steps: carrying out a coprecipitation reaction by taking hydroxide seed crystal as a base material, taking nickel-based inorganic salt or nickel-based organic salt as a raw material, and reacting by adopting a nitrogen-containing complexing agent and an inorganic anion crystal face growth inducer to prepare a nickel-based layered ternary positive electrode material precursor; the ternary positive electrode material precursor prepared by the method is relatively good in quality, the primary particle (010) crystal face of the ternary positive electrode material precursor is large in area and proportion, and the secondary particle sphericity is relatively good. 1.一种通过阴离子调控层状正极材料前驱体（010）晶面面积的方法，其特征在于具体步骤为： 步骤S1，晶种制备阶段：以镍基无机盐或镍基有机盐为原料，同时采用含氮络合剂和无机阴离子晶面生长诱导剂进行反应制备出有利于生长成大(010)晶面面积前驱体的片状一次颗粒较大且疏松的类球形氢氧化物晶种； 步骤S2，前驱体生长阶段：以步骤S1得到的氢氧化物晶种为底料进行共沉淀反应，以镍基无机盐或镍基有机盐为原料，同时采用含氮络合剂和无机阴离子晶面生长诱导剂进行反应制备出一次颗粒（010）晶面面积大且二次颗粒为类球形的镍基层状三元正极材料前驱体； 所述含氮络合剂为氨水、亚硫酸铵、亚硫酸氢铵、硫酸铵、硫酸氢铵、硫化铵、硫氢化铵、硫代硫酸铵、氯化铵或碳酸氨中的一种或几种的组合，所述无机阴离子晶面生长诱导剂为硫酸钠、硝酸钠、氯化钠、硫酸钾、硝酸钾、氯化钾、硫酸铵、硝酸铵或氯化铵中的一种或几种组合。 2.根据权利要求1所述的通过阴离子调控层状正极材料前驱体（010）晶面面积的方法，其特征在于：步骤S1和步骤S2中的镍基无机盐或镍基有机盐相同，该镍基无机盐为镍基硫酸盐、镍基硝酸盐或镍基氯化物，镍基有机盐为镍基乙酸盐，镍基无机盐或镍基有机盐中的镍基为镍钴锰、镍钴铝或镍钴锰铝。 3.根据权利要求1所述的通过阴离子调控层状正极材料前驱体（010）晶面面积的方法，其特征在于：步骤S1的具体过程为：在惰性气体气氛下，将镍基无机盐或镍基有机盐溶液、NaOH溶液、含氮络合剂和无机阴离子晶面生长诱导剂分别加入到以含有含氮络合剂和无机阴离子晶面生长诱导剂作为底水的反应釜中，控制反应釜中的pH值为10.0-12.0，同时控制反应釜中含氮络合剂的浓度为0.01-1.0mol/L以及无机阴离子晶面生长诱导剂的浓度为0.01-2.0mol/L，于30-80℃反应0.1-5.0小时得到氢氧化物晶种。 4.根据权利要求3所述的通过阴离子调控层状正极材料前驱体（010）晶面面积的方法，其特征在于：步骤S1中所述的镍基无机盐或镍基有机盐溶液的摩尔浓度为1.0-3.0mol/L，NaOH溶液的摩尔浓度2.0-7.0mol/L，含氮络合剂的摩尔浓度5.0-15.0mol/L，无机阴离子晶面生长诱导剂的摩尔浓度为5.0-10.0mol/L，镍基无机盐或镍基有机盐溶液与NaOH溶液的加料质量比为1.5-3:1，控制反应釜中pH值为11.6-11.9，控制反应釜中含氮络合剂的浓度为0.3-0.5mol/L以及无机阴离子晶面生长诱导剂的浓度为0.5-1.0mol/L。 5.根据权利要求1所述的通过阴离子调控层状正极材料前驱体（010）晶面面积的方法，其特征在于：步骤S2的具体过程为：向步骤S1中制备好氢氧化物晶种的反应釜中分别滴加镍基无机盐或镍基有机盐溶液、NaOH溶液、含氮络合剂和无机阴离子晶面生长诱导剂，控制反应釜中的pH值为10.0-12.5，同时控制反应釜中氨水的浓度为0.1-1.0mol/L以及无机阴离子晶面生长诱导剂的浓度为0.01-2.0mol/L，于30-80℃反应40-100小时得到浆料，将浆料进行洗涤和干燥得到镍基层状三元正极材料前驱体。 6.根据权利要求5所述的通过阴离子调控层状正极材料前驱体（010）晶面面积的方法，其特征在于：步骤S2中所述的镍基无机盐或镍基有机盐溶液的摩尔浓度为1.0-3.0mol/L，NaOH溶液的摩尔浓度2.0-7.0mol/L，含氮络合剂的摩尔浓度5.0-15.0mol/L，无机阴离子晶面生长诱导剂的摩尔浓度为5.0-10.0mol/L，镍基无机盐或镍基有机盐溶液与NaOH溶液的加料质量比为1.5-3:1，控制反应釜中pH值为11.0-11.4，控制反应釜中含氮络合剂的浓度为0.3-0.5mol/L以及无机阴离子晶面生长诱导剂的浓度为0.5-1.0mol/L。