Method of manufacturing memory device having word lines with reduced leakage

28-11-2023 дата публикации

Номер:

US11832432B2

Автор: Chuan-Lin HSIAO

Принадлежит: Nanya Technology Corp

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

H H1 H10 H10B H10B1 H10B12 H10B12/H10B12/0 H10B12/05 H10B12/053 H10B12/3 H10B12/34 H10B12/4 H10B12/48 H10B12/488

Получить PDF