OPTICAL ARRANGEMENT FOR EUV RADIATION WITH A SHIELD FOR PROTECTION AGAINST THE ETCHING EFFECT OF A PLASMA

Optische Anordnung für EUV-Strahlung mit einer Abschirmung zum Schutz vor der Ätzwirkung eines Plasmas

Bezugnahme auf verwandte Anmeldungen

Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2017 213 181.0 vom 31.07.2017, deren gesamter Offenbarungsgehalt durch Bezugnahme zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird.

Hintergrund der Erfindung

Die Erfindung betrifft eine optische Anordnung für EUV-Strahlung, umfassend: mindestens ein reflektierendes optisches Element, das einen Grundkörper mit einer EUV-Strahlung reflektierenden Beschichtung aufweist.

Bei der optischen Anordnung für die EUV-Strahlung kann es sich um eine EUV- Lithographieanlage zur Belichtung eines Wafers oder um eine andere optische Anordnung handeln, die EUV-Strahlung verwendet, beispielsweise um ein EUV-lnspektionssystem, z.B. um eine Anordnung zur Vermessung bzw. zur Inspektion von in der EUV-Lithographie verwendeten Masken, Wafem oder dergleichen.

Aufgrund der geringen Transmission praktisch aller bekannten Materialien für Strahlung im EUV-Wellenlängenbereich sind in einer EUV-Lithographieanlage sowohl in deren Beleuchtungssystem als auch in deren Projektionsoptik typischerweise ausschließlich reflektierende optische Elemente, insbesondere in Form von Spiegeln, enthalten. Die dort verwendeten Spiegel weisen einen Grundkörper auf, der auch als Substrat bezeichnet wird. Auf den Grundkörper ist eine Beschichtung aufgebracht, um die EUV-Strahlung zu reflektieren. Die reflektierende Beschichtung kann unmittelbar auf das Material des

Grundkörpers aufgebracht sein, es ist aber auch möglich, dass zwischen der reflektierenden Beschichtung und dem Material des Grundkörpers eine oder mehrere funktionelle Schichten angeordnet sind, die beispielsweise zum Schutz des Substrats oder als Haftvermittler verwendet werden.

Im Betrieb erwärmt sich das reflektierende optische Element durch die auftreffende und zum Teil absorbierte EUV-Strahlung ggf. stark, der optisch wirksame Bereich der reflektierenden Beschichtung, d.h. derjenige Bereich, auf den die EUV-Strahlung auftrifft, soll aber in seiner Form nicht verändert werden. Das Material des Grundkörpers eines reflektierenden optischen Elements für die EUV-Lithographie wird daher typischerweise so gewählt, dass dieses einen geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten und/oder eine gute

Wärmeleitfähigkeit besitzt.

Typische Materialien, die für den Grundkörper verwendet werden, sind

Quarzglas, insbesondere titandotiertes Quarzglas, welches z.B. unter dem Handelsnamen ULE® angeboten wird, sowie (Rein-)Silizium oder Aluminium, ggf. mit einer (amorphen) Siliziumbeschichtung. Auf den Grundkörper (bzw. ggf. auf funktionelle Schichten wie die amorphe Siliziumbeschichtung) ist die EUV-Strahlung reflektierende Beschichtung aufgebracht, die den optisch wirksamen Bereich enthält.

Das in der Umgebung der reflektierenden optischen Elemente vorhandene Rest-Gas absorbiert ebenfalls die EUV-Strahlung und reduziert dadurch die Transmission der EUV-Strahlung beim Durchlaufen der optischen Anordnung. Aus diesem Grund werden optische Anordnungen für die EUV-Lithographie typischerweise unter Vakuum-Bedingungen betrieben. Dem in der Vakuum- Umgebung einer solchen optischen Anordnung vorhandenen Rest-Gas können geringe Mengen an Wasserstoff und/oder anderen reaktiven Gasen

beigemischt sein, die eine Schutzwirkung für die reflektierenden optischen Elemente erzielen können und die nur eine geringe Absorption für die EUV- Strahlung aufweisen.

Im Betrieb der EUV-Lithographieanlage bildet sich in einer solchen Vakuum- Umgebung unter dem Einfluss der EUV-Strahlung typischerweise ein

Wasserstoff-Plasma aus, d.h. es wird aktivierter Wasserstoff in Form von Wasserstoff-Ionen und Wasserstoff-Radikalen gebildet. Aufgrund des durch den aktivierten Wasserstoff verursachten Ätzangriffs auf freiliegende, in der Regel unbeschichtete Oberflächen von Materialien bzw. von Komponenten in optischen Anordnungen für die EUV-Lithographie können sich Ätzprodukte bilden, die in die Gasphase übergehen und in die Vakuum-Umgebung freigesetzt werden. Derartige Ätzprodukte können sich an den Oberflächen der reflektierenden optischen Elemente, insbesondere in dem optisch genutzten Bereich, ablagern. Durch diese Ablagerungen verliert die optische Anordnung an Transmission für die EUV-Strahlung und somit an Performance und

Produktivität.

In der DE 10 2015 203 160 A1 ist eine optische Anordnung für die EUV- Lithographie beschrieben, welche einen Öffnungskanal zwischen einem

Vakuumkammer-Innenraum, in dem ein optisches Element angeordnet ist und in den eine Wasserstoffzuführungseinrichtung mündet, und einem

Einhausungs-Innenraum aufweist, in dem eine beim Kontakt mit aktiviertem Wasserstoff kontaminierende Stoffe ausgasenden Komponente angeordnet ist. Der Öffnungskanal weist eine Innenwand auf, an der eine Beschichtung gebildet ist, die zur Reduzierung der Eintrittsrate von aktiviertem Wasserstoff ein Material enthält, welches einen Wasserstoff-Rekombinationskoeffizienten von 0,08 oder darüber aufweist.

Aus der US 2007/0125964 A1 ist eine EUV-Lithographieanlage bekannt geworden, welche eine Reinigungseinrichtung aufweist, die konfiguriert ist, einen Fluss von Wasserstoff-Radikalen bereitzustellen. Zumindest ein Teil der Reinigungseinrichtung, der Wasserstoff-Radikalen ausgesetzt ist, weist in einem Ausführungsbeispiel ein Material mit einem Oberflächen- Rekombinationskoeffizienten für Wasserstoff-Radikale von kleiner gleich 0,02 auf.

In der WO 2008/034582 A1 ist eine optische Anordnung beschrieben, die mindestens ein Vakuum-Gehäuse aufweist, in dem mindestens ein optisches Element angeordnet ist. Dem Vakuum-Gehäuse ist eine Kontaminations- Reduzierungseinrichtung zugeordnet, die den Partialdruck von

kontaminierenden Stoffen in der Nähe des optischen Elements reduziert. Das Vakuum-Gehäuse kann als Kontaminations-Reduzierungseinrichtung dienen und an seiner Innenseite mindestens ein gasbindendes Material aufweisen, beispielsweise Ti, Ta, Nb, Zr, Th, Ba, Mg, AI, Yb, Ce.

In der DE 10 2015 215 014 A1 ist eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einem Gehäuse beschrieben, das einen Innenraum definiert. In dem

Innenraum können beim Betrieb Wasserstoff-Ionen und/oder Wasserstoff- Radikale entstehen. Die EUV-Projektionsbelichtungsanlage weist eine Vielzahl von Komponenten auf, die zumindest teilweise in dem Innenraum

aufgenommen sind und die zumindest teilweise eine Schicht aus einem

Edelmetall aufweisen, beispielsweise aus Rh, Ru, Ir, Pd, Pt. Die minimale Schichtdicke der Schicht ist so gewählt, dass die Schicht nicht von Wasserstoff- Ionen und/oder Wasserstoffradikalen durchdrungen werden kann.

Es ist bekannt, Schutzschichten bzw. Schutzbeschichtungen für reflektierende optische Elemente in Form von Deckschichten (engl,„capping layer") zu verwenden, die als oberste Lagen auf eine reflektierende Beschichtung aufgebracht werden, um darunter liegende Schicht(en) vor Kontaminationen zu schützen. In der US 6,664,554 B2 ist eine selbstreinigende reflektive Optik für die EUV- Lithographie beschrieben, die ein Metall aufweist, das auf der Oberfläche der Optik gebildet ist, das die Optik vor Oxidation schützt und das im Wesentlichen die gesamte einfallende Strahlung zur darunterliegenden optischen Oberfläche transmittiert. Das Metall kann eine Deckschicht bilden, welche mindestens ein Material aufweist, das ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Ru, Rh, Pd, Ir, Pt, Au und deren Zusammensetzungen.

Die DE 10 2011 076011 A1 beschreibt ein reflektives optisches Element mit einer reflektiven Fläche und einem Viellagensystem, bei dem die reflektive Fläche ein Schutzlagensystem mit einer obersten Lage aus Siliziumcarbid oder Ruthenium aufweist, wobei das Schutzlagensystem eine Dicke zwischen 5 nm und 25 nm aufweist. In der DE 10 2012 202 850 A1 ist ein optisches Element beschrieben, bei dem die oberste Lage eines Schutzlagensystems ein Material aufweist, welches ausgewählt ist aus einer Gruppe von chemischen

Verbindungen umfassend: Oxide, Karbide, Nitride, Silikate und Boride, insbesondere der folgenden chemischen Elemente: Y, Ce, Zr, Nb, Si, Ti, V, Mo, Mn, AI, W, Cr, La, Co, Ru, B, Hf, U, Be.

Schutzschichten bzw. Schutzbeschichtungen aus unterschiedlichen Materialien für reflektive optische Elemente für die EUV-Lithographie sind auch aus der US 2014/0098413 A1 bekannt geworden. Deren oberste Lage kann beispielsweise aus ZrN, Y2O3 oder AI2O3 gebildet sein. Aus der EP 1 801 658 B1 ist eine Deckschicht aus diamantartigem Kohlenstoff für einen Reflektor mit einer Mehrlagen-Beschichtung bekannt geworden. Auch in der EP 1 065 532 B1 ist eine Deckschicht für einen Reflektor bekannt geworden, deren Material aus einer Gruppe ausgewählt ist, die diamantartigen Kohlenstoff, BN, S13N4, SiC, B, Ru, Rh sowie Verbindungen und Legierungen hiervon umfasst.

Aus der US 2013/0038849 A1 ist eine optische Komponente zur Transmission von Strahlung bekannt geworden, die eine Strahlungs-Schutzschicht aus mindestens einem Oxidmaterial aufweist. Auf die Strahlungs-Schutzschicht kann eine Kleberschicht oder eine fluidabweisende Schicht, insbesondere eine hydrophobe Schicht, aufgebracht sein.

In der US 8,247,080 B2 ist eine Beschichtungsstruktur beschrieben, die eine äußere, Aluminium aufweisende Beschichtung sowie eine Zwischenlage zwischen einem Substrat und der äußeren Beschichtung umfasst. Die

Zwischenlage kann ein Seltenerdmetall, ein Übergangsmetall und/oder ein Edelmetall aufweisen. Das Substrat kann ein Metallnitrid, ein Metallcarbid, ein Metallborid und/oder ein Metalloxid aufweisen. Die Zwischenlage kann weniger reaktiv gegenüber Ätzen mit Halogenen sein als die äußere Beschichtung.

Aufgabe der Erfindung

Aufgabe der Erfindung ist es, eine optische Anordnung für EUV-Strahlung mit mindestens einem reflektierenden optischen Element bereitzustellen, welches vor der Ätzwirkung eines umgebenden Plasmas, insbesondere eines

Wasserstoff-Plasmas, geschützt wird.

Gegenstand der Erfindung

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine optische Anordnung der eingangs genannten Art, bei der an mindestens einem Oberflächenbereich des

Grundkörpers mindestens eine Abschirmung angebracht ist, die den

mindestens einen Oberflächenbereich vor einer Ätzwirkung eines das reflektierende optische Element im Betrieb der optischen Anordnung

umgebenden Plasmas schützt, wobei ein Abstand zwischen der Abschirmung und dem geschützten Oberflächenbereich des Grundkörpers kleiner ist als das Doppelte der Debye-Länge, bevorzugt kleiner als die Debye-Länge, besonders bevorzugt kleiner als ein Drittel der Debye-Länge des umgebenden Plasmas. Durch die Ätzwirkung des (Wasserstoff-)Plasmas, insbesondere in Form von aktiviertem Wasserstoff, d.h. von Wasserstoff-Ionen bzw. von Wasserstoff- Radikalen, kann das Material des Grundkörpers in den Oberflächenbereichen, an denen der Grundkörper dem umgebenden Plasma ausgesetzt ist, zumindest teilweise abgetragen werden. Hierbei gebildete Ätzprodukte können in die Vakuum-Umgebung gelangen und sich auf der reflektierenden Beschichtung ablagern, wodurch die Reflektivität des optischen Elements abnimmt.

Bei herkömmlichen optischen Elementen existiert kein dedizierter Schutz von freiliegenden, typischerweise unbeschichteten Oberflächen des Materials des Grundkörpers sowie von ggf. an dem Grundkörper außerhalb der

reflektierenden Beschichtung angebrachten funktionellen Beschichtungen vor einem Ätzangriff. Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, das Material des Grundkörpers (oder ggf. einer auf diesen aufgebrachten funktionellen

Beschichtung) in mindestens einem Oberflächenbereich, außerhalb des optisch genutzten Oberflächenbereichs, insbesondere außerhalb der reflektierenden Beschichtung, durch mindestens eine Abschirmung vor einem Ätzangriff und somit vor einem teilweisen Materialabtrag zu schützen.

Um einen wirksamen Schutz des freiliegenden bzw. zu schützenden

Oberflächenbereichs sicherzustellen, ist es vorteilhaft, wenn die Abschirmung in einem möglichst kleinen Abstand von dem geschützten Oberflächenbereich angeordnet ist. Je geringer der Abstand zwischen der Abschirmung und dem Oberflächenbereich, desto größer ist typischerweise die Schutzwirkung der Abschirmung. Es versteht sich, dass der Grundkörper in Oberflächenbereichen, an dem dieser nicht dem Plasma ausgesetzt ist, beispielsweise weil dieser z.B. an seiner Rückseite vollflächig mit einer Halterung oder dergleichen verbunden ist, nicht vor dem umgebenden Plasma geschützt werden muss.

Zwischen der Abschirmung und dem Grundkörper kann ein Spalt gebildet sein, es ist aber auch möglich, dass die Abschirmung mittelbar oder unmittelbar auf den Grundkörper aufgebracht ist, wie weiter unten näher beschrieben wird. Insbesondere kann eine Abschirmung in der Art einer Blende, die von dem Grundkörper beabstandet ist, mit einer (weiteren) Abschirmung kombiniert werden, die mittelbar oder unmittelbar auf den Grundkörper aufgebracht ist. In jedem Fall sollte für die Erzielung einer möglichst effektiven Schutzwirkung der Abstand der Abschirmung kleiner sein als die Debye-Länge des umgebenden Plasmas.

Bei einer Ausführungsform ist die Abschirmung durch eine von dem

Oberflächenbereich des Grundkörpers durch einen Spalt getrennte Blende gebildet. Bei dieser Ausführungsform ist die Abschirmung durch eine ein- oder mehrteilige mechanische Blende gebildet, d.h. es handelt sich bei der

Abschirmung um ein selbsttragendes Bauteil. Es versteht sich, dass zwei oder mehr voneinander beabstandete Abschirmungen in Form von Blenden an dem reflektierenden optischen Element vorgesehen sein können, um

unterschiedliche Oberflächenbereiche zu überdecken. Wie weiter oben beschrieben wurde, sollte die Breite des Spalts und somit der Abstand zwischen der Blende und dem geschützten Oberflächenbereich kleiner sein als die Debye-Länge des umgebenden Plasmas.

Bei einer Weiterbildung weist die Blende zumindest an einer dem Spalt zugewandten Seite eine Beschichtung aus einem Wasserstoff- Rekombinationsmaterial auf oder die Blende besteht aus einem Wasserstoff- Rekombinationsmaterial. Unter einem Wasserstoff-Rekombinationsmaterial wird im Sinne dieser Anmeldung ein Material verstanden, welches einen Wasserstoff-Rekombinationskoeffizienten von 0,08 oder darüber aufweist, d.h. welches eine hohe Rekombinationsrate H⁺ -> H^* und insbesondere H^* -> H2 besitzt. Der Wasserstoff-Rekombinationskoeffizient ist hierbei wie in der US 2007/0125964 A1 zitierten Literatur definiert, vgl. insbesondere auch Tabelle 1 der US 2007/0125964 A1 , welche den Oberflächen-Wasserstoff- Rekombinationskoeffizienten γ für verschiedene Materialien angibt. Die Blende selbst kann in diesem Fall aus einem mechanisch bevorzugten Material gebildet sein, beispielsweise aus bestimmten AI- oder Ti-Legierungen, auf das die Beschichtung aufgebracht ist. Auch das Material der Blende selbst kann ggf. aus einem Wasserstoff-Rekombinationsmaterial gebildet sein, das einen Wasserstoff-Rekombinationskoeffizienten von 0,08 oder darüber aufweist.

Bei einer vorteilhaften Weiterbildung bildet das Wasserstoff- Rekombinationsmaterial ein Kontaminations-Gettermaterial, das beispielsweise ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Ir, Ru, Pt, Pd. Insbesondere geeignet sind Materialien für die Blende bzw. für die Beschichtung, die zusätzlich zur einer hohen Wasserstoff-Rekombinationsrate als Getter-Fläche bzw. als Getter-Material, d.h. als Opferschicht, für eventuell noch entstehende Ätzprodukte fungieren können und so zusätzlich eine Kontamination des reflektierenden optischen Elements verringern. Beispiele für solche Materialien sind u.a. Ir, Ru, Pt, Pd.

Bei einer weiteren Ausführungsform ist der Spalt zumindest teilweise, insbesondere vollständig mit einem Füllmaterial gefüllt. Das Füllmaterial kann als Abstandshalter dienen, um die Blende in einem Abstand von dem

Oberflächenbereich zu halten, der kleiner ist als das Doppelte der Debye- Länge. Das Füllmaterial schützt zusätzlich den Raum bzw. den Spalt zwischen dem Oberflächenbereich und der Blende vor Kontaminationen. Das Füllmaterial kann den Spalt vollständig ausfüllen und beispielsweise in der Art eines

Plättchens bzw. eines plattenförmigen Bauteils, beispielsweise eines

ringförmig umlaufenden plattenförmigen Bauteils, ausgebildet sein. Es ist nicht aber nicht zwingend erforderlich, dass das Füllmaterial den Spalt vollständig ausfüllt. Das Füllmaterial kann beispielsweise strukturiert ausgebildet sein, d.h. nur Teilbereiche des Spalts ausfüllen. Für die Erfüllung der Funktion als

Abstandshalter ist es erforderlich, dass das Füllmaterial zumindest lokal den Spalt überbrückt, beispielsweise in Form von Stegen. Die Strukturierung des Füllmaterials kann durch eine lokale Deposition des Füllmaterials auf dem Oberflächenbereich, beispielsweise in Form einer Beschichtung, erreicht werden. Auch eine flächige Beschichtung des Oberflächenbereichs mit dem Füllmaterial ist möglich. In diesem Fall kann eine Strukturierung durch ein lokales Ätzen, d.h. einen gezielten lokalen Abtrag der Beschichtung, erzeugt werden.

Bei einer Ausführungsform ist das Füllmaterial ausgewählt aus der Gruppe umfassend: Aluminiumoxid, Zirkonnitrid, Yttriumoxid, Ceroxid, Zirkonoxid, Nioboxid, Titanoxid, Tantaloxid, Wolframoxid, Metalle, bevorzugt Edelmetalle, insbesondere Ru, Rh, Pd, Ir, Pt, Au und deren Zusammensetzungen. Als Füllmaterialien können insbesondere Materialien verwendet werden, die als Schutzschichten bzw. als Deckschichten auf die reflektierende Beschichtung des optischen Elements aufgebracht werden, um darunter liegende Lagen der reflektierenden Beschichtung vor Kontaminationen zu schützen.

Bei einer weiteren Ausführungsform weist die Blende mindestens einen

Blendenabschnitt auf, der die auf den Grundkörper aufgebrachte reflektierende Beschichtung außerhalb eines optisch genutzten Bereichs zumindest teilweise überkragt. Durch den überkragenden Blendenabschnitt kann die Schutzwirkung der Abschirmung bzw. der Blende vor der lonenätzung weiter erhöht werden, da die Ionen bzw. Radikale durch den überkragenden Blendenabschnitt davon abgehalten werden, in den Spalt zwischen der restlichen Blende und dem zu schützenden bzw. geschützten Oberflächenbereich einzudringen. Der geschützte Oberflächenbereich kann beispielsweise an einer Seitenfläche des Grundkörpers gebildet sein und der überkragende Blendenabschnitt kann den Grundkörper an seiner Vorderseite überkragen, an der die reflektierende Beschichtung gebildet ist. An den überkragenden Blendenabschnitt schließt sich in diesem Fall typischerweise ein Blendenabschnitt an, der sich entlang der Seitenfläche des Grundkörpers erstreckt. Insbesondere ist es günstig, wenn durch den überkragenden Blendenabschnitt verhindert wird, dass eine direkte Sichtlinie zwischen einer Umgebung, in der das Plasma vorhanden ist, und dem geschützten Oberflächenbereich, beispielsweise in Form der Seitenfläche, gebildet wird.

Bei einer Weiterbildung überkragt der Blendenabschnitt die reflektierende Beschichtung über eine Länge, die größer ist als der Spalt zwischen der Abschirmung und dem zu schützenden Oberflächenbereich des Grundkörpers. Typischerweise ist die Länge, den der überkragende Blendenabschnitt überdeckt, deutlich größer als der Spalt zwischen der Blende und dem

Oberflächenbereich des Grundkörpers, der vor dem Ätzangriff geschützt werden soll. Die Länge des überkragenden Blendenabschnitts kann

insbesondere mehr als das 0-Fache, mehr als das 20-Fache oder mehr als das 50-Fache der Breite des Spalts betragen. Auf diese Weise kann besonders effektiv das Eindringen von Ionen oder von Radikalen in den Spalt zwischen der Abschirmung und dem zu schützenden Oberflächenbereich verhindert werden.

Bei einer weiteren Ausführungsform ist die Abschirmung unmittelbar auf den Oberflächenbereich des Grundkörpers aufgebracht. In diesem Fall kann die Abschirmung als Beschichtung ausgebildet sein, die mindestens eine Schicht umfasst, die unmittelbar auf den Grundkörper aufgebracht ist. Die mindestens eine Schicht bzw. im Falle von mehreren Schichten die oberste Schicht der Beschichtung sollte aus einem gegenüber einem Ätzangriff unempfindlichen Material gebildet sein. Besonders geeignet sind hierbei Materialien, die zusätzlich zu ihrer Resistenz gegen Ätzen ein hohes Rekombinationsvermögen für Wasserstoff-Radikale aufweisen, so dass diese in doppelter Hinsicht Schutz bieten. Beispiele für solche Materialien stellen Ru, Rh, Ir, Pt, Au, Ni, Ti, Cu, AI2O3, Pd, Ag, W,... dar.

Neben der Wahl eines geeigneten Materials der Schicht(en) ist es erforderlich, dass die Abschirmung in Form der Beschichtung eine genügend hohe

Bedeckung der freiliegenden Oberfläche des Grundkörpers gewährleistet, so dass (annähernd) keine Wasserstoff-Ionen zu dem Material des Grundkörpers vordringen können. Die nötige Bedeckung ist stark von dem Schichtmaterial und der Oberflächenbeschaffenheit des zu schützenden Materials des

Grundkörpers abhängig. Um einen ausreichenden Schutz gegen einen

Ätzangriff zu bieten, sollte die Bedeckung mindestens 80 %, bevorzugt mindestens 97 %, idealerweise mindestens 99,99 % betragen, d.h. ein entsprechender Anteil von Wasserstoff-Ionen bzw. von Wasserstoff-Radikalen sollte durch die Beschichtung von dem geschützten Oberflächenbereich des Grundkörpers ferngehalten werden. Die erforderliche Bedeckung der

Substratoberfläche bestimmt, je nach angewandter Beschichtungstechnik, auch die minimal erforderliche Schichtdicke der Abschirmung, die auf den zu schützenden Oberflächenbereich aufgebracht werden sollte. Minimale

Schichtdicken liegen typischerweise im Bereich von ca. 50 nm oder weniger.

Bei einer Weiterbildung weist die Abschirmung in Form der Beschichtung mindestens zwei Lagen auf, deren Schichtspannungen sich zumindest teilweise kompensieren und/oder die Abschirmung in Form der Beschichtung weist eine periodische Abfolge von Lagen aus einem ersten Material und einem zweiten Material auf. Die Art der (intrinsischen) Schichtspannung, d.h. das Vorliegen einer Zugspannung oder einer Druckspannung, hängt nicht nur vom Material der jeweiligen Lage ab, sondern auch von der Art und Weise, wie die Lagen hergestellt werden, vgl. beispielsweise den Artikel„Intrinsic Stress in Sputter- Deposited Thin Films" von H. Windischmann, Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences, 17:6, 547-596 oder den Artikel„Achieving zero stress in iridium, chromium, and nickel thin films", D.M. Broadway et al., Proceedings of the SPIE, Volume 9510, id. 95100E 15 pp. (2015).

Es existieren aber auch Materialien, die aufgrund ihrer Eigenschaften, z.B. ihrer Dichte, mit intrinsischen Zugspannungen oder mit intrinsischen

Druckspannungen in Verbindung gebracht werden. Beispielsweise kommen für erste Lagen, die eine intrinsische Zugspannung aufweisen, Kupfer, Silber, Gold, Chrom oder eine Nickel-Chrom-Legierung in Frage, wobei das Verhältnis Chrom zu Nickel hierbei typischerweise zwischen 30:70 und 70:30 (Gew-%) liegt. Als Material für eine zweite Lage, die eine Druckspannung aufweist, kann beispielsweise Ruthenium oder Silizium verwendet werden. Die Beschichtung weist typischerweise mindestens eine erste Lage mit einer intrinsischen

Zugspannung und mindestens eine zweite Lage mit einer intrinsischen

Druckspannung auf. Die Beschichtung kann auch eine periodische Abfolge von ersten Lagen, die eine intrinsische Zugspannung aufweisen und von zweiten Lagen, die eine intrinsische Druckspannung aufweisen, umfassen. Der Betrag der Schichtspannung ändert sich mit der Dicke nicht linear und auch andere Faktoren beeinflussen die resultierende Schichtspannung. Eine periodische Abfolge von Lagen hat sich als günstig erwiesen, um die resultierende

Schichtspannung der Beschichtung präziser einzustellen. Außerdem sind gelegentlich separierende Barriereschichten aus einem zweiten Material von Vorteil, wenn (wie im Fall von Molybdän) die Schichtspannung ab einer gewissen Dicke das Vorzeichen wechselt.

Bei einer Weiterbildung weist die Abschirmung in Form der Beschichtung eine maximale Dicke von weniger als 500 nm, insbesondere von weniger als 200 nm auf. Die maximale Dicke der Abschirmung in Form der Beschichtung wird durch die Anforderungen an die Schichtspannung und die sich daraus ergebende Schichthaftung sowie durch die Oberflächenbeschaffenheit des zu

beschichtenden Oberflächenbereichs festgelegt. Eine maximale Dicke der Schicht bzw. der Abschirmung liegt beispielsweise bei Ruthenium als

Schichtmaterial auf einer geschliffenen Oberfläche eines geschützten

Oberflächenbereichs im Bereich mehrerer hundert Nanometer, vorzugsweise bei weniger als 200 nm.

Die Schichtspannung der die Abschirmung bildenden Beschichtung kann derart gewählt werden, dass die Beschichtung nicht die Passe, d.h. die

Oberflächenform des Grundkörpers (signifikant) verändert, so dass die Abbildungseigenschaften der optischen Anordnung (im Wesentlichen) unverändert bleiben. Dies kann beispielsweise erreicht werden durch: a) Vorhalten der sich erwartungsgemäß einstellenden Veränderung der Passe bei der Bearbeitung des Grundkörpers des reflektierenden optischen Elements vor dem Aufbringen der Beschichtung, b) Korrektur der sich tatsächlich

einstellenden Veränderung der Passe nach dem Aufbringen der Abschirmung in Form der Beschichtung beispielsweise durch eine so genannte integrierte Korrektur-Asphäre („integrated correction asphere", ICA), d.h. durch die

Veränderung der Passe bzw. der Oberflächenform eines (anderen)

reflektierenden optischen Elements in Form einer Korrektur-Asphäre, c)

Anpassen der Kombination aus Schichtspannung und Schichtdicke der

Beschichtung derart, dass die Passe des reflektierenden optischen Elements nicht signifikant geändert wird, d) geeignete Auswahl von zu beschichtenden Oberflächenbereichen hinsichtlich der Auswirkungen auf die Passe-Änderung und Aufbringen der Beschichtung nur auf gegenüber Beschichtungseffekten möglichst insensitiven Oberflächenbereichen. Es versteht sich, dass das Material der Beschichtung bzw. der Schichten über die Lebensdauer der optischen Anordnung stabil sein sollte.

Bei einer Weiterbildung weist die Abschirmung in Form der Beschichtung mindestens zwei Schichten auf, deren Schichtspannungen sich bevorzugt zumindest teilweise, idealerweise vollständig kompensieren. Zusätzlich zu einer äußeren Schicht, welche dem umgebenden Plasma ausgesetzt ist, kann die Abschirmung in Form der Beschichtung mindestens eine weitere, darunter liegende Schicht aufweisen, deren Schichtspannung die Schichtspannung der äußeren Schicht möglichst vollständig kompensiert. Beispiele für Materialien, die in der Regel eine Spannungskompensierende Wirkung aufweisen, sind Nickelsilizid (NiSi), Wolfram-Borcarbid (WB4C), etc. Durch die Möglichkeit, über mindestens eine Spannungskompensierende Schicht die Schichtspannung in der Abschirmung gezielt einzustellen, können auch größere Schichtdicken realisiert werden als dies weiter oben beschrieben ist. Die Abschirmung in Form der Beschichtung kann insbesondere eine periodische Abfolge von Schichten aus einem ersten Material und aus einem zweiten Material aufweisen. Dies vereinfacht die Kompensation der Schichtspannungen.

Neben der Schutzfunktion für den Oberflächenbereich des Grundkörpers vor dem Wasserstoff-Ätzen kann die Abschirmung in Form der Beschichtung auch weitere Funktionen erfüllen. Beispielsweise kann bei der Verwendung von Materialien, welche eine hohe Absorption für EUV-Strahlung aufweisen, gezielt unerwünschte EUV-Strahlung oder EUV-Streulicht absorbiert und somit aus dem Strahlengang herausgefiltert werden. Geeignete Schichtmaterialien mit einer hohen Absorption für EUV-Strahlung sind ebenfalls NiSi, WB4C, etc.

Zur Beschichtung eines Oberflächenbereichs mit einer Beschichtung, welche mindestens eine Schicht mit den oben genannten Eigenschaften aufweist, können unterschiedliche Dünnschicht-Beschichtungsverfahren eingesetzt werden. Bevorzugt werden gerichtete Beschichtungsverfahren wie

Elektronenstrahl-Verdampfen und/oder lonenstrahl-Sputtern zum Aufbringen der Schicht(en) der Abschirmung eingesetzt. Es sind aber auch ungerichtete Beschichtungsverfahren wie Magnetronsputtern oder Atomic Layer Deposition (ALD) möglich. Für das Aufbringen von vergleichsweise dicken Schichten sind auch eine galvanische Schichtabscheidung oder das so genannte„Spray Coating" möglich.

Der Beschichtungsprozess für die Aufbringung der Abschirmung in Form der Beschichtung auf den geschützten Oberflächenbereich sollte derart gestaltet werden, dass die Performance der reflektierenden Beschichtung durch das Aufbringen der Abschirmung nicht verschlechtert wird. Um dies zu erreichen, kann die Abschirmung beispielsweise in der Prozessabfolge vor der

reflektierenden Beschichtung und unter Schutz desjenigen

Oberflächenbereichs des Grundkörpers erfolgen, auf den die reflektierende Beschichtung aufgebracht wird. Dieser Schutz kann beispielsweise durch eine mechanische Blende, einen Schutzlack oder eine Schutzfolie gewährleistet werden. Möglich ist auch eine umgekehrte Prozessreihenfolge, bei der die reflektierende Beschichtung zuerst aufgebracht wird. In diesem Fall kann eine mechanische Blende die reflektierende Beschichtung während des Aufbringens der als Abschirmung vor dem umgebenden Plasma dienenden Beschichtung schützen. Die zu diesem Zweck verwendete mechanische Blende ist von dem Grundkörper beabstandet. Die erste Prozessreihenfolge ist hierbei bevorzugt, da in diesem Fall der Grundkörper bei der Aufbringung der als Abschirmung dienenden Beschichtung noch nicht die volle Wertschöpfung erfahren hat.

Bei einer weiteren, alternativen Ausführungsform bildet die Abschirmung einen Schutzfilm, der mittelbar mit dem geschützten Oberflächenbereich des

Grundkörpers verbunden ist. Bei dieser Ausführungsform ist die Abschirmung durch einen Schutzfilm, d.h. durch eine oder mehrere Schutzfolie(n), gebildet. Der Schutzfilm ist typischerweise aus einem gegen Ätzangriff unempfindlichen Material gebildet, das idealerweise undurchlässig für Wasserstoff-Ionen ist, so dass diese nicht zu dem durch den Schutzfilm geschützten Oberflächenbereich vordringen können. Der Schutzfilm bzw. die Schutzfolie steht durch eine dauerhaft stabile, mittelbare Verbindung mit dem geschützten

Oberflächenbereich in (flächiger) Verbindung, d.h. zwischen dem Schutzfilm und dem geschützten Oberflächenbereich ist kein Spalt gebildet.

Bei einer Weiterbildung ist zwischen dem Schutzfilm und dem geschützten Oberflächenbereich ein Verbindungsmaterial zur stoffschlüssigen Verbindung des Schutzfilms mit dem Grundkörper eingebracht. Der Schutzfilm ist in diesem Fall aus einem oder mehreren Bauteilen gebildet, die unter Verwendung eines geeigneten Verbindungsmaterials auf die geschützten Oberflächenbereiche aufgebracht werden. Durch die indirekte, mittelbare Befestigung wird bei geeigneter Auswahl des Materials des Schutzfilms und fehlstellenfreier

Kontaktierung des Grundkörpers eine hohe Schutzwirkung erreicht, da der Kontakt von Ionen bzw. eines (Wasserstoff-)Plasmas mit der geschützten Oberfläche verhindert wird. Beim Aufbringen des Schutzfilms ist darauf zu achten, dass zumindest der optisch genutzte Bereich, der an der

reflektierenden Beschichtung gebildet ist, nicht von dem Schutzfilm bedeckt wird.

Die mittelbare, stoffschlüssige Verbindung des Schutzfilms mit der bzw. den geschützten Oberflächen kann beispielsweise durch eine Klebeverbindung hergestellt werden, wobei auch andere Fügeverfahren möglich sind.

Um eine Übertragung von Spannungen auf das zu schützende optische

Element bzw. auf den Grundkörper im erforderlichen Umfang zu verhindern, sollte das Verbindungsmittel bzw. das Verbindungsmaterial sehr spannungsarm sein. Bei Klebeverbindungen kann dies beispielsweise durch die Verwendung eines doppelseitigen Klebebands erreicht werden, wobei die Schrumpfung (durch die Ausdiffusion von Wasser) üblicherweise bei weniger als 0,5% liegt. Die mittelbare, typischerweise stoffschlüssige Verbindung sollte überdies unempfindlich gegenüber den herrschenden Umgebungsbedingungen sein.

Bei einer weiteren Ausführungsform weist der Schutzfilm eine maximale Dicke von weniger als 50 μιη, bevorzugt von weniger als 20 pm auf. Die Abschirmung in Form des Schutzfilms sollte möglichst flexibel sein, um eine stabile, dauerhafte Verbindung mit dem Verbindungsmaterial bzw. mit dem

Grundkörper herzustellen sowie nur vernachlässigbar kleine Spannungen auf den Grundkörper zu übertragen. Eine derart geringe Dicke ist insbesondere bei metallischen Materialien vorteilhaft, da diese bei der Aufbringung mit einer größeren Dicke ggf. nicht flexibel genug sind. Der Schutzfilm bzw. dessen Material sollte überdies möglichst unempfindlich gegenüber den

Umgebungsbedingungen sein.

Bei einer Ausführungsform liegt die Debye-Länge des umgebenden Plasmas bei weniger als 5 mm, bevorzugt bei weniger als 0,5 mm, insbesondere bei weniger als 0, 1 mm. Die Debye-Länge, auch als Abschirmlänge bezeichnet, stellt diejenige charakteristische Länge AD dar, auf der das elektrische Potential einer lokalen Überschussladung auf das 1/e-fache abfällt. Die Debye-Länge AD setzt sich im Gleichgewicht aus der Elektronen-Debye-Länge ADe und der lonen-Debye-Länge gemäß folgender Formel zusammen: 1 / AD² = 1 / ADe² + 1 / ADI². Die beiden Anteile bzw. ADe hängen von der Teilchendichte der Elektronen sowie von der Temperatur der Elektronen bzw. von der Temperatur der Ionen ab, die wiederum von den lokalen Gegebenheiten des Plasmas in der Umgebung des optischen Elements abhängig sind.

Bei einer weiteren Ausführungsform ist das Material der Abschirmung

ausgewählt aus der Gruppe umfassend: metallische Werkstoffe, insbesondere Cu, Co, Pt, Ir, Pd, Ru, AI, W, Ta, Edelstahl, und keramische Werkstoffe, insbesondere AIOx, AI2O3. Für die Realisierung eines gegenüber dem

umgebenden Plasma möglichst unempfindlichen Schutzfilms hat sich die Verwendung von metallischen oder keramischen Materialien bzw. Werkstoffen als vorteilhaft erwiesen. Metallische oder keramische Materialien, insbesondere in Form der oben angegebenen Materialien, haben sich auch für die

Herstellung von Abschirmungen in Form einer mechanischen Blende bzw. in Form einer Beschichtung, insbesondere einer obersten Lage einer

Beschichtung, als günstig erwiesen.

Bei einer weiteren Ausführungsform weist der Grundkörper mindestens ein Material auf, das ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Quarzglas, titandotiertes Quarzglas, Glaskeramik, (Rein-)Silizium, Aluminium, Kupfer, siliziumhaltige, aluminiumhaltige und/oder kupferhaltige Legierungen,

Verbindungen oder Verbundstoffe, insbesondere Aluminium oder Kupfer mit einer (typischerweise amorphen) Siliziumbeschichtung. Wie weiter oben beschrieben wurde, werden insbesondere für reflektierende optische Elemente, die im Projektionsobjektiv angeordnet sind, Materialien mit einem niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, z.B. in Form von titandotiertem

Quarzglas verwendet.

Im Beleuchtungssystem einer EUV-Lithographieanlage sind die Anforderungen an die Stabilität der dort verwendeten Komponenten gegenüber einer thermischen Ausdehnung in der Regel geringer, so dass für die im

Beleuchtungssystem angeordneten reflektierenden optischen Elemente als Grundkörper Materialien wie z.B. Silizium, Kupfer oder Aluminium verwendet werden können, auf die ggf. eine (amorphe) Siliziumbeschichtung aufgebracht ist. Die amorphe Siliziumbeschichtung wird dabei idealerweise vollständig von der reflektierenden Beschichtung bedeckt.

Den weiter oben genannten Materialien des Grundkörpers ist gemeinsam, dass diese Silizium enthalten, das typischerweise durch das umgebende Plasma, insbesondere wenn dieses Wasserstoff-Ionen bzw. Wasserstoff-Radikale enthält, geätzt wird. Hierbei kann es zur Bildung von leicht flüchtigen Stoffen wie z.B. SiH , SiF kommen, wobei sich das darin enthaltene Si innerhalb des optisch genutzten Bereichs des reflektierenden optischen Elements ablagern kann und daher die Reflektivität des optischen Elements verringert. Das Problem des lonenätzens ist aber nicht auf Grundkörper aus den weiter oben beschriebenen Materialien beschränkt, sondern dieses kann auch bei frei liegenden Oberflächenbereichen von Grundkörpern aus anderen Materialien auftreten.

Die optische Anordnung kann eine EUV-Lichtquelle zur Erzeugung von EUV- Strahlung, ein Beleuchtungssystem zur Beleuchtung eines strukturierten Objekts mit der EUV-Strahlung der EUV-Lichtquelle, sowie ein

Projektionsobjektiv zur Abbildung des strukturierten Objekts auf ein Substrat aufweisen. In diesem Fall handelt es sich bei der optischen Anordnung um eine EUV-Lithographieanlage. Bei einer Weiterbildung handelt es sich bei dem reflektierenden optischen Element um einen Kollektor-Spiegel zur Bündelung der EUV-Strahlung der EUV-Lichtquelle oder um ein dem strukturierten Objekt benachbartes

reflektierendes optisches Element des Beleuchtungssystems.

Bei dem Kollektor-Spiegel handelt es sich um ein reflektierendes optisches Element, welches typischerweise unter normalem Einfall betrieben wird (engl.: „normal incidence mirror"), d.h. bei verhältnismäßig kleinen Einfallswinkeln gegenüber der Oberflächennormalen. Die reflektierende Beschichtung kann in diesem Fall als Mehrlagen-Beschichtung ausgebildet sein, welche für eine Betriebswellenlänge der EUV-Lithographieanlage als Interferenzschichtsystem wirkt. Beispielsweise kann die Mehrlagen-Beschichtung alternierende Schichten aus Molybdän und Silizium aufweisen.

Bei dem optischen Element, welches dem strukturierten Objekt benachbart angeordnet ist, kann es sich um ein für streifenden Einfall konfiguriertes reflektierendes optisches Element (engl.:„grazing incidence mirror") handeln. Ein derartiges reflektierendes optisches Element ist typischerweise für die Reflexion von Strahlung bei einem Einfallswinkel konfiguriert, welcher größer ist als 60 Grad, größer ist als 65 Grad oder größer ist als 70 Grad gegenüber der Oberflächennormalen. Es versteht sich, dass auch andere reflektierende optische Elemente der optischen Anordnung bzw. der EUV-Lithographieanlage, welche für normalen oder für streifenden Einfall ausgebildet sind, mit einer oder mit mehreren Abschirmungen versehen sein können, um deren frei liegende Oberflächenbereiche vor einer Ätzwirkung des umgebenden Plasmas zu schützen.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der

nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, anhand der Figuren der Zeichnung, die erfindungswesentliche Einzelheiten zeigen, und aus den Ansprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu mehreren in beliebiger Kombination bei einer Variante der Erfindung verwirklicht sein.

Zeichnung

Ausführungsbeispiele sind in der schematischen Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Es zeigt

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer optischen Anordnung in

Form einer EUV-Lithographieanlage,

Fig. 2a-c schematische Schnittdarstellungen eines reflektierenden

optischen Elements mit einer Abschirmung in Form einer Blende zum Schutz eines seitlichen Oberflächenbereichs des

Grundkörpers vor der Ätzwirkung eines umgebenden Plasmas,

Fig. 3a, b schematische Darstellungen eines optischen Elements mit zu schützenden Oberflächenbereichen ohne bzw. mit einer Blende zur Abschirmung der Oberflächenbereiche,

Fig. 4a, b eine Schnittdarstellung und eine Draufsicht auf ein optisches

Element, auf dessen Grundkörper unmittelbar eine als

Abschirmung dienende Schicht aufgebracht ist, sowie

Fig. 5a, b eine Schnittdarstellung und eine Draufsicht auf ein optisches

Element mit einer Abschirmung in Form eines Schutzfilms, der über eine Kleberschicht mit dem Grundkörper verbunden ist.

In der folgenden Beschreibung der Zeichnungen werden für gleiche bzw. funktionsgleiche Bauteile identische Bezugszeichen verwendet. Fig. 1 zeigt schematisch den Aufbau einer optischen Anordnung für die EUV- Lithographie in Form einer EUV-Lithographieanlage 1 , und zwar eines so genannten Wafer-Scanners. Die EUV-Lithographieanlage 1 weist eine EUV- Lichtquelle 2 zur Erzeugung von EUV-Strahlung auf, die im EUV- Wellenlängenbereich unter 50 Nanometer, insbesondere zwischen ca. 5 Nanometer und ca. 15 Nanometer, eine hohe Energiedichte aufweist. Die EUV- Lichtquelle 2 kann beispielsweise in Form eine Plasma-Lichtquelle zur

Erzeugung eines laserinduzierten Plasmas ausgebildet sein. Die in Fig. 1 gezeigte EUV-Lithographieanlage 1 ist für eine Arbeitswellenlänge der EUV- Strahlung von 13,5 nm ausgelegt. Es ist jedoch auch möglich, dass die EUV- Lithographieanlage 1 für eine andere Arbeitswellenlänge des EUV- Wellenlängenbereiches, wie beispielsweise 6,8 nm, konfiguriert ist.

Die EUV-Lithographieanlage 1 weist ferner einen Kollektor-Spiegel 3 auf, um die EUV-Strahlung der EUV-Lichtquelle 2 zu einem Beleuchtungsstrahl 4 zu bündeln und auf diese Weise die Energiedichte weiter zu erhöhen. Der

Beleuchtungsstrahl 4 dient zur Beleuchtung eines strukturierten Objekts M mittels eines Beleuchtungssystems 10, welches im vorliegenden Beispiel fünf reflektive optische Elemente 12 bis 16 (Spiegel) aufweist.

Bei dem strukturierten Objekt M kann es sich beispielsweise um eine reflektive Photomaske handeln, die reflektierende und nicht reflektierende oder zumindest weniger stark reflektierende Bereiche zur Erzeugung mindestens einer Struktur an dem Objekt M aufweist. Alternativ kann es sich bei dem strukturierten Objekt M um eine Mehrzahl von Mikrospiegeln handeln, welche in einer ein- oder mehrdimensionalen Anordnung angeordnet sind und welche gegebenenfalls um mindestens eine Achse bewegbar sind, um den

Einfallswinkel der EUV-Strahlung auf den jeweiligen Spiegel einzustellen.

Das strukturierte Objekt M reflektiert einen Teil des Beleuchtungsstrahls 4 und formt einen Projektionsstrahlengang 5, der die Information über die Struktur des strukturierten Objekts M trägt und der in ein Projektionsobjektiv 20 eingestrahlt wird, welches eine Abbildung des strukturierten Objekts M bzw. eines jeweiligen Teilbereichs davon auf einem Substrat W erzeugt. Das

Substrat W, beispielsweise ein Wafer, weist ein Halbleitermaterial, z.B.

Silizium, auf und ist auf einer Halterung angeordnet, welche auch als Wafer- Stage WS bezeichnet wird.

Im vorliegenden Beispiel weist das Projektionsobjektiv 20 sechs reflektive optische Elemente 21 bis 26 (Spiegel) auf, um ein Bild der an dem

strukturierten Objekt M vorhandenen Struktur auf dem Wafer W zu erzeugen. Typischerweise liegt die Zahl der Spiegel in einem Projektionsobjektiv 20 zwischen vier und acht, gegebenenfalls können aber auch nur zwei Spiegel verwendet werden.

Um eine hohe Abbildungsqualität bei der Abbildung eines jeweiligen

Objektpunktes OP des strukturierten Objekts M auf einen jeweiligen Bildpunkt IP auf dem Wafer W zu erreichen, sind höchste Anforderungen an die

Oberflächenform der Spiegel 21 bis 26 zu stellen und auch die Position bzw. die Ausrichtung der Spiegel 21 bis 26 zueinander bzw. relativ zum Objekt M und zum Substrat W erfordert eine Präzision im Nanometer-Bereich.

Fig. 2-c zeigen eine Schnittdarstellung des fünften optischen Elements 16 des Beleuchtungssystems 10, welches einen Grundkörper 30 aus Aluminium aufweist, der im gezeigten Beispiel einstückig ausgebildet ist. Der Grundkörper 30 kann auch aus Silizium, aus Kupfer oder aus einem siliziumhaltigen, aluminiumhaltigen oder kupferhaltigen Material gebildet sein. Der Grundkörper 30 dient als Substrat für eine reflektierende Beschichtung 31 , die auf eine plane Vorderseite 32a des Grundkörpers 30 aufgebracht ist. Der Grundkörper 30 ist an seiner ebenfalls planen Rückseite 32b flächig auf eine in Fig. 2a-c nicht bildlich dargestellte Halterung aufgebracht. Es versteht sich, dass das reflektierende optische Element 16 in Fig. 2a-c stark vereinfacht dargestellt ist und dass dieses in der Praxis eine komplexere Geometrie aufweist.

Die reflektierende Beschichtung 31 ist bei dem in Fig. 2a-c gezeigten Beispiel zur Reflexion von unter streifendem Einfall auf die Vorderseite 32a des

Grundkörpers 30 auftreffende EUV-Strahlung 33 ausgebildet, d.h. für EUV- Strahlung 33, die unter einem Einfallswinkel von mehr als ca. 60° auf die Vorderseite 32a des Grundkörpers 30 auftrifft. Die reflektierende Beschichtung 31 ist im gezeigten Beispiel durch eine einzige Lage gebildet, kann aber auch durch ein Mehrlagensystem gebildet sein.

Wie in Fig. 2a-c ebenfalls zu erkennen ist, ist das reflektierende optische Element 16 einem Wasserstoff-Plasma in Form von Wasserstoff-Ionen H⁺ und von Wasserstoff-Radikalen H^* ausgesetzt, das in einer Vakuum-Umgebung 34 erzeugt wird, in der die reflektierenden optischen Elemente 3, 12 bis 16 des Beleuchtungssystems 10 sowie die reflektierenden optischen Elemente 21 bis 26 des Projektionsobjektivs 20 angeordnet sind.

Während die Vorderseite 32a und die Rückseite 32b des Grundkörpers 30 durch die reflektierende Beschichtung 31 bzw. durch die nicht bildlich

dargestellte Halterung vor dem Wasserstoff-Plasma H⁺, H^* geschützt sind, ist dies bei der umlaufenden Seitenfläche des Grundkörpers 30 nicht der Fall, so dass diese einen seitlichen Oberflächenbereich 35 bildet, der dem Wasserstoff- Plasma H⁺, Ff in der Umgebung des reflektierenden optischen Elements 16 ausgesetzt ist.

Um den seitlichen Oberflächenbereich 35 vor einer Ätzwirkung des

Wasserstoff-Plasmas FT, H^* zu schützen, ist bei dem in Fig. 2a-c gezeigten Beispiel an dem reflektierenden optischen Element 16 eine Abschirmung in Form einer Blende 36 vorgesehen. Zu diesem Zweck überdeckt die Blende 36 den seitlichen Oberflächenbereich 35 des reflektierenden optischen Elements 16 in einem definierten Abstand A unter Ausbildung eines Spalts 37, dessen (im gezeigten Beispiel konstante) Spaltbreite dem Abstand A zwischen der Blende 36 und dem seitlichen Oberflächenbereich 35 entspricht.

Um eine möglichst gute Schutzwirkung für den seitlichen Oberflächenbereich 35 des reflektierenden optischen Elements 16 zu erzielen, sollte der Abstand A zwischen dem geschützten Oberflächenbereich 35 des reflektierenden optischen Elements 16 und der Abschirmung 36 möglichst klein sein.

Insbesondere sollte der Abstand A kleiner sein als das Doppelte der Debye- Länge AD, insbesondere kleiner sein als die Debye-Länge AD des umgebenden Plasmas H⁺, H\ die im gezeigten Beispiel bei weniger als 5 mm, bei weniger als 0,5 mm oder bei weniger als 0,1 mm liegt.

Die Abschirmung in Form der Blende 36 ist bei dem in Fig. 2a gezeigten Beispiel aus einem metallischen Werkstoff in Form von Edelstahl gebildet. Auch andere gegen einen Ätzangriff vergleichsweise unempfindliche

Materialien, insbesondere metallische oder keramische Materialien, können als Materialien für die Blende 36 verwendet werden. Beispielsweise kann die Blende 36 aus Kupfer (Cu), Kobalt (Co), Platin (Pt), Iridium (Ir), Palladium (Pd), Ruthenium (Ru), Aluminium (AI), Wolfram (W), Tantal (Ta) oder einem keramischen Werkstoff, insbesondere AlOx oder AI2O3, gebildet sein. Es versteht sich, dass das Material der Blende 36 typischerweise eine größere Resistenz gegenüber der Ätzwirkung eines (Wasserstoff-)Plasmas aufweist als das Material des Grundkörpers 30.

Bei dem in Fig. 2b gezeigten Beispiel weist die Blende 36 an einer dem Spalt 37 zugewandten Seite eine Beschichtung 38 auf, die aus einem Wasserstoff- Rekombinationsmaterial gebildet ist. Unter einem Wasserstoff- Rekombinationsmaterial wird ein Material verstanden, welches einen

Wasserstoff-Rekombinationskoeffizienten von 0,08 oder darüber aufweist. Im gezeigten Beispiel handelt es sich bei dem Wasserstoff- Rekombinationsmaterial, aus dem die Beschichtung 38 gebildet ist, um

Ruthenium. Ruthenium weist einerseits eine hohe Resistenz gegen

Wasserstoff-Ätzen und andererseits ein hohes Rekombinationsvermögen für Wasserstoff-Radikale H^* bzw. für Wasserstoff-Ionen H⁺ auf. Zudem wirkt eine Ru-Oberfläche der Blende als Getter-Fläche bzw. als Getter-Material, d.h. als Opferschicht für evtl. doch noch entstehende Ätzprodukte und verringert auf diese Weise zusätzlich die Kontamination des seitlichen Oberflächenbereichs. Die Verwendung von Ru oder von anderen Getter-Materialien, z.B. von Ir, Pt, Pd für die Beschichtung 38 bietet somit in mehrfacher Hinsicht Schutz für den seitlichen Oberflächenbereich 35 und für die reflektierende Beschichtung 31 .

Bei dem in Fig. 2b gezeigten Beispiel überdeckt die Blende 36 nicht nur den seitlichen Oberflächenbereich 35 des Grundkörpers 30, sondern diese weist zusätzlich einen überkragenden Blendenabschnitt 36a auf, der sich entlang der Vorderseite 32a des Grundkörpers 30 erstreckt, und zwar ebenfalls in einem Abstand A, der im gezeigten Beispiel kleiner ist als die Debye-Länge AD des umgebenden Plasmas H⁺, H^*. Der überkragende Blendenabschnitt 36a überkragt somit auch teilweise die vollflächig auf die Vorderseite 32a des Grundkörpers 30 aufgebrachte reflektierende Beschichtung 31 und überdeckt ebenfalls zumindest teilweise eine umlaufende Kante, die am Übergang zwischen der Vorderseite 32a des Grundkörpers 30 und dem seitlichen

Oberflächenbereich 35 gebildet ist.

Durch den überkragenden Blendenabschnitt 36a kann das Eindringen des Wasserstoff-Plasmas, genauer gesagt von Wasserstoff-Ionen H⁺ und von Wasserstoff-Radikalen H^*, in den Spalt 37 wirksam verhindert werden. Zu diesem Zweck ist es günstig, wenn der überkragende Blendenabschnitt 36a eine Länge L aufweist, die größer, insbesondere deutlich größer ist als der Abstand A zwischen dem seitlichen Oberflächenbereich 35 und einem seitlich verlaufenden Abschnitt 36b der Blende 36. Für die Länge L des überkragenden Blendenabschnitts 36a kann insbesondere gelten: L > 10 A, L > 20 A oder L > 50 A. Dabei ist es insbesondere günstig, wenn zudem auch der Abstand A zwischen dem überkragenden Blendenabschnitt 36a und der Vorderseite 32a des Grundkörpers 30 kleiner ist als die Debye-Länge bzw. das Doppelte der Debye-Länge AD. Wie in Fig. 2b ebenfalls zu erkennen ist, ist der überkragende Blendenabschnitt 36a außerhalb eines optisch genutzten Bereichs 39 der reflektierenden Beschichtung 31 angebracht. Innerhalb des optisch genutzten Bereichs 39 liegt der Strahlengang der EUV-Strahlung 33, der nicht von der Blende 36 abgeschirmt werden soll.

Bei dem in Fig. 2c gezeigten Beispiel weist die Blende 36 wie bei dem in Fig. 2a gezeigten Beispiel keinen überkragenden Blendenabschnitt 36a auf. Im dem Spalt 37 ist aber im Gegensatz zum in Fig. 2a gezeigten Beispiel ein

Füllmaterial 40 eingebracht, welches den Spalt 37 vollständig ausfüllt. Das Füllmaterial 40 dient als Abstandshalter, um die Blende 36 in dem Abstand A von dem seitlichen Oberflächenbereich 35 zu halten. Das Füllmaterial 40 kann beispielsweise als plattenförmiges, ringförmig um den seitlichen

Oberflächenbereich 35 umlaufendes Bauteil ausgebildet sein. Das Füllmaterial 40 kann ggf. mit dem seitlichen Oberflächenbereich 35 und/oder mit der Blende 36 dauerhaft verbunden sein. Beispielsweise kann das Füllmaterial 40 auf dem seitlichen Oberflächenbereich 35 deponiert bzw. abgeschieden werden. Eine solche dauerhafte Verbindung des Füllmaterials 40 mit dem seitlichen

Oberflächenbereich 35 und/oder mit der Blende 36 ist aber nicht zwingend erforderlich.

Alternativ zu dem in Fig. 2c gezeigten Beispiel kann der Spalt 37 nur teilweise mit dem Füllmaterial 40 gefüllt werden. Beispielsweise kann das Füllmaterial 40 in diesem Fall strukturiert in den Spalt 37 eingebracht sein und z.B. nur lokal, d.h. nur an bestimmten Stellen, auf dem seitlichen Oberflächenbereich 35 abgeschieden werden. Auf diese Weise können beispielsweise stegförmige Strukturen gebildet werden, welche den Spalt 37 überbrücken. Für den Fall, dass die Blende 36 wie in Fig. 2b dargestellt ausgebildet ist, d.h. einen überkragenden Blendenabschnitt 36a aufweist, kann das Füllmaterial 40 beispielsweise nur zwischen dem seitlichen Oberflächenbereich 35 und dem seitlich verlaufenden Abschnitt 36b der Blende 36, aber nicht zwischen der Vorderseite 32a und dem überkragenden Abschnitt 36a der Blende 36 eingebracht werden.

Als Füllmaterial 40 wird ein Material gewählt, welches geeignet ist, den Spalt 37 zwischen dem seitlichen Oberflächenbereich 35 und der Blende 36 vor

Kontaminationen zu schützen. Das Füllmaterial kann beispielsweise

ausgewählt sein aus der Gruppe umfassend: Aluminiumoxid, Zirkonnitrid, Yttriumoxid, Ceroxid, Zirkonoxid, Nioboxid, Titanoxid, Tantaloxid, Wolframoxid, Metalle, bevorzugt Edelmetalle, insbesondere Ru, Rh, Pd, Ir, Pt, Au und deren Zusammensetzungen.

Fig. 3a, b zeigen das fünfte reflektierende optische Element 16 des

Beleuchtungssystems 10 in einer Darstellung ohne eine Abschirmung (vgl. Fig. 3a) und mit einer Abschirmung in Form einer Blende 36 (vgl. Fig. 3b). Wie in Fig. 3a zu erkennen ist, weist der Grundkörper 30 des reflektierenden optischen Elements 16 einen seitlichen Oberflächenbereich 35 mit einem zungenförmig zulaufenden, in Fig. 3b unteren Abschnitt 35a auf. Der zungenförmige Abschnitt 35a des seitlichen Oberflächenbereichs 35 wird von einem in Fig. 3b gezeigten seitlichen Blendenabschnitt 36b einer zweiteilig ausgebildeten Blende 36 auf die in Zusammenhang mit Fig. 2a dargestellte Weise seitlich abgedeckt. Ein im Wesentlichen rechteckig verlaufender, in Fig. 3b oberer Abschnitt 35b des seitlich umlaufenden Oberflächenbereichs 35 wird von einem Teil der Blende 36 abgedeckt, der wie in Fig. 2b dargestellt ausgebildet ist. Von dem Teil der Blende 36, welche den oberen Abschnitt 35b des Grundkörpers 30 überdeckt, ist in Fig. 3b nur der überkragende Blendenabschnitt 36a erkennbar.

Die Blende 36, genauer gesagt der überkragende Blendenabschnitt 36a, überdeckt die reflektierende Beschichtung 31 teilweise außerhalb des in Fig. 3a gestrichelt dargestellten optisch genutzten Bereichs 39. Wie in Fig. 3b zu erkennen ist, endet der überkragende Blendenabschnitt 36a an dem in Fig. 3b oberen Ende des reflektierenden optischen Elements 16, d.h. dort schützt die Blende 36 nur den seitlich umlaufenden Oberflächenbereich 35 des

Grundkörpers 30, wie dies in Fig. 2a dargestellt ist.

Anders als in Fig. 3b dargestellt ist, kann der überkragende Bereich 36a der Blende 36 nicht nur in dem oberen Abschnitt 35b des seitlichen

Oberflächenbereichs 35 gebildet sein, sondern sich entlang des seitlichen Umfangs der gesamten reflektierenden Oberfläche 31 erstrecken.

Insbesondere kann der überkragende Blendenabschnitt 36a ggf. dazu dienen, die reflektierende Beschichtung 31 selbst an der (scharfen) Kante, die diese bzw. die Vorderseite 32a des Grundkörpers 30 mit dem seitlichen

Oberflächenbereich 35 einschließt, vor einem Ätzangriff zu schützen.

Fig. 4a, b zeigen beispielhaft den Kollektor-Spiegel 3 des Beleuchtungssystems 10 in einer Schnittdarstellung und in einer Draufsicht. Der Kollektor-Spiegel 3 weist an seiner Vorderseite 32a eine reflektierende Beschichtung 31 auf, bei der es sich im gezeigten Beispiel um eine Mehrlagen-Beschichtung zur

Reflexion von EUV-Strahlung 33 handelt, die unter normalem Einfall auf den Kollektor-Spiegel 3 auftrifft. Die reflektierende Mehrlagen-Beschichtung 31 weist zu diesem Zweck eine Mehrzahl von Schichten mit abwechselnd hohem und niedrigem Realteil des Brechungsindexes auf. Auch der Kollektor-Spiegel 3 ist im Betrieb der EUV-Lithographieanlage 1 einem Wasserstoff-Plasma H⁺, H^* ausgesetzt. Um zu vermeiden, dass das Material des Grundkörpers 30, bei dem es sich im gezeigten Beispiel um Si, SiC oder S1O2 handeln kann, dem umgebenden Wasserstoff-Plasma FT, H^* ausgesetzt wird, ist auf einen umlaufenden seitlichen Oberflächenbereich 35 des Grundkörpers 30 eine Abschirmung in Form einer Beschichtung 41 aufgebracht. Die als Abschirmung dienende Beschichtung 41 ist unmittelbar, d.h. ohne die Ausbildung eines Spalts, auf den seitlichen Oberflächenbereich 35 aufgebracht, so dass der Abstand A zwischen dem seitlichen Oberflächenbereich 35 und der

Abschirmung in Form der Beschichtung 41 gleich Null ist.

Als Materialien für die als Abschirmung dienende Beschichtung 41 können beispielsweise die weiter oben im Zusammenhang mit Fig. 2a, b beschriebenen metallischen oder keramischen Materialien verwendet werden, die gegenüber einem Ätzangriff des Wasserstoff-Plasmas H⁺, H^* weitestgehend unempfindlich sind, da diese Materialien keine Reaktionen mit dem Wasserstoff-Plasma H⁺, Ff eingehen, bei denen leicht flüchtige Ätzprodukte entstehen. Im gezeigten Beispiel ist die Abschirmung in Form der Beschichtung 41 aus Ruthenium gebildet, das zusätzlich ein hohes Rekombinationsvermögen für Wasserstoff- Radikale FT, Ff aufweist, so dass dieses Material in doppelter Hinsicht einen Schutz des Grundkörpers 30 vor dem umgebenden Wasserstoff-Plasma FT, H^* bietet (s.o.).

Das Material der als Abschirmung dienenden Beschichtung 41 sollte eine möglichst große Bedeckung des seitlichen Oberflächenbereichs 35

sicherstellen, um zu gewährleisten, dass möglichst wenige Wasserstoff-Ionen FT oder Wasserstoff-Radikale H^* zu dem seitlichen Oberflächenbereich 35 vordringen können. Unter der Bedeckung wird im Sinne dieser Anmeldung der Anteil der Oberfläche verstanden, der mit einem schützenden

Beschichtungsmaterial bedeckt ist und somit nicht mehr zur Kontamination aufgrund des Ätzprozesses beiträgt. Die Bedeckung durch die als Abschirmung dienende Beschichtung 41 sollte möglichst groß sein und idealerweise bei mehr als 97 % liegen. Die Bedeckung hängt neben der Oberflächenbeschaffenheit des Grundkörpers 30 und dem Material der als Abschirmung dienenden

Beschichtung 41 auch von der Dicke D der Beschichtung 41 ab. Diese Dicke D sollte typischerweise nicht kleiner als ca. 50 nm sein und nicht größer als mehrere hundert Nanometer, beispielsweise weniger als ca. 500 nm oder weniger als ca. 200 nm. Die Dicke D der als Abschirmung dienenden Beschichtung 41 , die bei dem in Fig. 4a, b gezeigten Beispiel aus einer einzigen Schicht aus Ruthenium gebildet ist, kann ggf. ortsabhängig variieren, ist aber in der Regel konstant. Die maximale Dicke D der als Abschirmung dienenden Beschichtung 41 wird u.a. durch die Schichtspannung limitiert. Die Schichtspannungen in der

Beschichtung 41 sollten nicht so groß ausfallen, dass diese eine signifikante Veränderung der Oberflächengeometrie der Vorderseite 32a des Grundkörpers 30 (Passe) zur Folge haben.

Um dies zu verhindern, kann die als Abschirmung dienende Beschichtung 41 zwei oder mehr Schichten aufweisen, deren Schichtspannungen sich

zumindest teilweise, insbesondere vollständig kompensieren. Bei einer solchen Beschichtung 41 , die mehrere Schichten aufweist, ist die äußerste Schicht, die dem umgebenden Wasserstoff-Plasma H⁺, H* ausgesetzt ist, aus einem für einen Ätzangriff möglichst unempfindlichen Material gebildet, während für die Materialien der darunter liegenden Schichten diese Eigenschaft ggf. nicht zwingend erforderlich ist. Insbesondere kann die Beschichtung 41 eine periodische Abfolge von Schichten bzw. von Lagen aus einem ersten Material und einem zweiten Material aufweisen, um die Kompensation der

Schichtspannungen zu vereinfachen. Bei dem ersten Material, welche eine intrinsische Zugspannung aufweist, kann es sich beispielsweise um Kupfer, Silber, Gold, Chrom oder um eine Nickel-Chrom-Legierung handeln, bei der das Verhältnis Chrom: Nickel zwischen 30:70 (Gew-%) und 70:30 (Gew-%) liegt. Bei dem zweiten Material, welches eine intrinsische Druckspannung aufweist, kann es sich beispielsweise um Ruthenium oder um Silizium handeln. Es versteht sich, dass auch andere als die genannten Materialien für die Kompensation von Schichtspannungen verwendet werden können.

Bei den Materialien der Schicht(en) der als Abschirmung dienenden

Beschichtung 41 , die unter der äußersten Schicht aufgebracht werden, um eine Spannungskompensation zu bewirken, kann es sich beispielsweise um NiSi oder um WB4C handeln. Durch die Verwendung mindestens einer

Spannungskompensierenden Schicht kann die Schichtspannung der als Abschirmung dienenden Beschichtung 41 gezielt eingestellt werden. Auf diese Weise kann die Dicke D der den Schutz vor dem umgebenden Wasserstoff- Plasma H⁺, H^* bewirkenden äußersten Schicht bzw. der gesamten als

Abschirmung dienenden Beschichtung 41 größer ausfallen als weiter oben angegeben wurde. Die als Abschirmung dienende Beschichtung 41 kann mittels eines herkömmlichen gerichteten oder ungerichteten

Beschichtungsverfahrens auf den Grundkörper 30 aufgebracht werden. Die Vorderseite 32a des Grundkörpers 30 bzw. die reflektierende Beschichtung 31 sollte beim Aufbringen der als Abschirmung dienenden Beschichtung 41 geeignet geschützt werden, beispielsweise durch die Verwendung einer Blende.

Fig. 5a, b zeigen beispielhaft das zweite reflektierende optische Element 22 des Projektionsobjektivs 20 in einer Schnittdarstellung und in einer Draufsicht. Die reflektierende Beschichtung 31 ist auch in diesem Fall für die Reflexion von EUV-Strahlung 33 unter normalem Einfall ausgebildet. Bei dem Material des Grundkörpers 30 handelt es sich im gezeigten Beispiel um ULE®, d.h. um titandotiertes Quarzglas.

Beim dem in Fig. 5a, b dargestellten reflektierenden optischen Element 22, welches ebenfalls einem in der Vakuum-Umgebung 34 vorhandenen

Wasserstoff-Plasma H⁺, H^* ausgesetzt ist, ist an dem seitlichen

Oberflächenbereich 35 eine Abschirmung vorgesehen, die als Schutzfilm 42 bzw. als Schutzfolie ausgebildet ist. Der Schutzfilm 42 ist für Wasserstoff-Ionen H⁺ weitestgehend undurchlässig und gegenüber einem Ätzangriff

unempfindlich. Der Schutzfilm 42 schützt daher den seitlichen

Oberflächenbereich 35 vor lonenätzen durch Wasserstoff-Ionen H⁺. Der Schutzfilm 42 ist durch eine mittelbare, typischerweise stoffschlüssige

Verbindung mit dem Grundkörper 30, genauer gesagt mit dem seitlichen Oberflächenbereich 35, verbunden. Zur Herstellung der stoffschlüssigen

Verbindung kann ein Verbindungsmaterial 43 beispielsweise in Form einer Kleberschicht zwischen den Grundkörper 30 und den Schutzfilm 42 eingebracht werden. Auch die Verwendung eines Verbindungsmaterials 43 in Form eines doppelseitigen Klebebandes oder anderer geeigneter Materialien, z.B. eines Lots, ist möglich.

Die Verbindung bzw. das Verbindungsmaterial 43 sollte derart gewählt werden, dass die Übertragung von mechanischen Spannungen auf den Grundkörper 30 möglichst vermieden wird. Dies kann typischerweise durch die Verwendung eines Klebers bzw. eines Klebebandes sichergestellt werden, welches während und nach dem Herstellen der Klebeverbindung eine geringe (Volumen- )Schrumpfung von z.B. weniger als ca. 0,5 % aufweist. Es können ggf. andere Fügeverfahren, beispielsweise Löten, ... verwendet werden, um den Schutzfilm 42 auf den Grundkörper 30 aufzubringen. Die Verbindung bzw. das

Verbindungsmaterial 43 sollte auch möglichst unempfindlich gegenüber den in der EUV-Lithographieanlage 1 herrschenden Umgebungsbedingungen sein, insbesondere wenn das Verbindungsmaterial 43 nicht vollständig von dem Schutzfilm 42 überdeckt wird.

Der Schutzfilm 42 selbst ist aus einem typischerweise metallischen oder keramischen Material gebildet, welches resistent gegen eine Ätzwirkung des Wasserstoff-Plasmas H⁺, H^* ist bzw. welches zumindest eine größere

Resistenz gegen die Ätzwirkung des Plasmas H⁺, H^* aufweist als das darunter liegende Material des Grundkörpers 30. Insbesondere kann der Schutzfilm 42 eines oder mehrere der weiter oben im Zusammenhang mit der als Blende 36 ausgebildeten Abschirmung beschriebenen Materialien aufweisen. Bei metallischen Materialien sollte der Schutzfilm 42 eine maximale Dicke D aufweisen, die bei weniger als ca. 50 pm, bevorzugt bei weniger als ca. 20 pm liegt. Der (maximale) Abstand A zwischen dem Schutzfilm 43 und dem seitlichen Oberflächenbereich 35 ist kleiner als das Doppelte der Debye-Länge ÄD, bevorzugt kleiner als die Debye-Länge ÄD. Die Debye-Länge AD beträgt typischerweise weniger als 5 mm, weniger als 0,5 mm oder weniger als 0,1 mm.

Zur Erhöhung der Schutzwirkung vor der Ätzwirkung des umgebenden Wasserstoff-Plasmas H⁺, H^* können die in Fig. 2a, b bzw. in Fig. 3a, b dargestellten Maßnahmen auch mit den in Fig. 4a, b oder in Fig. 5a, b dargestellten Maßnahmen kombiniert werden: An ein- und demselben reflektierenden optischen Element 16 kann daher sowohl eine Abschirmung in Form einer Blende 36 als auch die in Fig. 4a, b gezeigte, als Abschirmung dienende Beschichtung 41 oder der in Fig. 5a, b gezeigte Schutzfilm 42 verwendet werden. Es versteht sich, dass die als Abschirmung dienende Beschichtung 41 und der Schutzfilm 42 auch an unterschiedlichen

Oberflächenbereichen ein- und desselben reflektierenden optischen Elements eingesetzt werden können. Auch ist es nicht zwingend erforderlich, dass die Abschirmung 36, 41 , 42 einteilig ausgebildet ist, diese kann vielmehr aus mehreren Bauteilen zusammengesetzt werden.

Die Materialien, welche für die Abschirmung 36, 41 , 42 verwendet werden, können ggf. zusätzlich zur Resistenz gegenüber der Ätzwirkung des Plasmas auch andere Funktionen erfüllen, beispielsweise können diese eine

absorbierende Wirkung für die EUV-Strahlung 33 aufweisen, wie dies z.B. bei NiSi oder WB4C der Fall ist.