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18-09-2015 дата публикации

AVALANCHE PHOTODIODE

Номер: KR101554290B1
Автор: PARK, CHAN YONG
Принадлежит: WOORIRO OPTICAL TELECOM CO., LTD.

The present invention relates to an avalanche photodiode. The avalanche photodiode includes: a substrate; an n-type ohmic contact layer formed on the substrate; a light absorbing layer which is made of InGaAs and has a mesh structure on the n-type ohmic contact layer; a grading layer made of InGaAsP on top of the light absorbing layer; an n-type electric field control layer made of InP on top of the grading layer; a p-type guard ring layer made of InP to have a first doping density on top of the n-type electric field control layer; a p-type window layer which is locally formed on top of the p-type guard ring layer to be spaced apart from the n-type electric field control layer from a point spaced apart from the upper edge and side surfaces of the p-type guard ring while having a second doping density higher than the first doping density; a p-type ohmic contact layer formed to be electrically connected to a part of the p-type window layer; an n-type electrode formed to be connected to the ...

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06-12-2017 дата публикации

단일광자 애벌란치 다이오드와 그 제조 방법

Номер: KR0101805385B1
Автор: 전보라, 정건, 박찬용
Принадлежит: 주식회사 우리로

... 본 발명은 단일광자 애벌란치 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, n형 InP 기판상에 n형 InP버퍼층, 도핑하지 않은 InGaAs흡수층, InGaAsP그래이딩층, n형 InP 전기장 조절층, n형 InP윈도우층이 순차적으로 적층되어 있고, n형 InP윈도우층의 중앙에 국소적으로 형성된 p형 InP윈도우층과 상기 p형 InP윈도우층 주위에 링 형태로 형성된 p형 InP가드링을 갖으며, p형 InP 윈도우층상에 링 형상으로 돌출되게 형성된 p형 InGaAs옴접촉층과, p형 InGaAs옴접촉층을 중심으로 p형 InGaAs옴접촉층의 내주영역과 외주영역의 노출된 부분에 형성된 내주 및 외주 표면보호층과, p형 InGaAs옴접촉층의 상면과 p형 InGaAs옴접촉층의 내주영역에 형성된 내주 표면보호층 상부에 광을 반사하며 도전성을 갖는 소재로 형성된 원형의 p-전극층을 구비한다. 이러한 단일광자 애벌란치 다이오드 및 그 제조방법에 의하면, 광 응답도를 향상시킬 수 있어 높은 광자 검출 효율을 얻을 수 있으며, 작은 옴 접촉 저항을 갖게 하여 고속동작을 가능하게 한다.

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27-12-2017 дата публикации

PHOTODETECTOR

Номер: KR101812488B1
Принадлежит: WOORIRO CO., LTD.

An embodiment of the present invention relates to a photodetector. The photodetector includes a substrate, a first barrier layer formed on the substrate, a well layer formed on the first barrier layer, and a second barrier layer formed on an active layer. The substrate is AlN. The well layer comprises boron. The crystallinity of a semiconductor layer at a transition wavelength is excellent and absorption efficiency is high. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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02-05-2016 дата публикации

method of manufacturing multi channel optical attenuator

Номер: KR0101617159B1
Принадлежит: 주식회사 우리로

... 본 발명은 다채널 가변 광감쇠기 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판에 하부 클래드층, 다수의 코어층 및 상부 클래드층을 갖는 다채널 광도파 구조체를 형성하는 단계와, 코어층을 벗어난 채널별 홈 형성영역에 대해 상부 클래드층으로부터 기판의 일부까지 하방으로 식각하여 코어층 영역에 대응되는 하부의 하부 클래드층 영역이 기판으로부터 적어도 일부가 분리되게 하여 채널별 홈을 형성하는 단계와, 상부 클래드층에서부터 채널별 홈 내까지 1차로 포토레지스터를 충진시키고, 충진된 포토레지스터 내의 기포를 제거하기 위해 챔버 내에 다채널 도파로 구조체를 넣고 진공화하는 배기과정을 수행하는 단계와, 상부 클래드층 위까지 2차로 포토레지스터를 코팅하고, 형성하고자 하는 전극 패턴에 대응되게 현상하여 보호층을 형성하고, 보호층에 대해 노출된 상부 클래드층 위에 전극층을 형성하는 단계를 포함한다. 이러한 다채널 가변 광감쇠기 제조방법에 의하면, 채널별 홈 내에 충진된 포토레지스터의 기포를 제거한 후 전극층을 형성하는 과정을 수행함으로써 전극층 형성 에러를 억제할 수 있는 장점을 제공한다.

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01-10-2015 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING AVALANCHE PHOTODIODE

Номер: KR101553817B1
Автор: PARK, CHAN YONG
Принадлежит: WOORIRO OPTICAL TELECOM CO., LTD.

The present invention relates to a method for manufacturing an avalanche photodiode. An n-type ohm contact layer, a light adsorption layer made of InGaAs, a grading layer made of InGaAsP, an n-type electric field control layer made of InP, a p-type guard ring layer made of InP to have a first doping concentration, a p-type ohm contact layer, and a first mask layer made of InP are stacked on a substrate in order. The method includes the following steps: forming a second mask layer on the first mask layer to have a first exposed region exposed from the central part of the mask layer to a first separated distance set from the central part after etching the first mask layer to have the central part thinner than peripheral parts outside of the central part; forming a first device for the formation of the p-type window layer to be formed within the p-type guard ring layer in the first exposed region; forming a volatilization control layer covering the first device to control the volatilization ...

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15-09-2015 дата публикации

LIGHT RECEIVING APPARATUS

Номер: KR0101552687B1
Автор: 김충환, 박찬용
Принадлежит: 주식회사 우리로

... 본 발명은 광 수신 장치에 관한 기술이다. 본 발명은 표적으로부터 반사되어 입력되는 광을 감지하여 입력 전류 신호로 변환하는 광 감지부, 입력 전류 신호를 출력 전압 신호로 변환하는 전치 증폭부, 및 제1 및 제2 기준전압을 이용하여 출력 전압 신호의 출력 시작 시점을 산출하고, 산출된 출력 시작 시점부터 미리 설정된 고정 지연시간만큼 지연시켜 디지털 검출 신호를 출력하는 판별부를 포함한다.

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02-03-2016 дата публикации

METHOD FOR FROMING REFLECTOR OF PLANAR LIGHTWAVE CIRCUIT DEVICE

Номер: KR0101598805B1
Принадлежит: 주식회사 우리로

... 본 발명은 기판 위에 하부 클래드층, 코어층 및 상부 클래드층이 순차적으로 형성된 평면 광도파로 소자에 반사면을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 상부 클래드층에 제1금속층과, 포토레지스트층을 순차적 적층하고, 제1방향을 따라 기준위치에서 제1방향을 따라 멀어지는 방향으로 진행할 수록 투광영역과 비투과영역이 반복되게 형성되되 기준위치로부터 제1방향을 따라 멀어질 수록 비투광영역 사이의 투광영역의 제1폭이 점진적으로 줄어들고, 제1방향과 직교하는 제2방향을 따라서도 투광영역과 비투광영역이 반복되게 형성된 마스터 패턴이 형성된 마스크를 포토레지스트층 위에 정렬하고, 마스터 패턴을 통해 포토레지스트층으로 부터 제1금속층까지 마스터 패턴과 대응되는 슬레이브 패턴을 형성 한 후 슬레이브 패턴을 통해 노출된 부분에 상부 클래드층으로 식각가스를 분사하여 상부 클래드층으로부터 하부 클래드층까지 식각하여 경사진 반사면을 형성하는 단계 및 반사면을 코팅하는 단계를 포함한다. 이러한 평면 광도파로 소자의 반사면 형성 방법에 의하면, 식각되는 부분의 폭에 비례하여 식각되는 부분의 깊이가 깊어지는 특성을 이용한 식각을 통해 반사면을 형성함으로써, 간단하게 경사면을 형성할 수 있고, 공정 시간과 제조 원가를 절감할 수 있는 장점이 있다.

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08-06-2017 дата публикации

광도파로 내부에 광경로 전환용 마이크로 거울을 내장한 광집적회로 및 그 제조방법

Номер: KR0101744281B1
Автор: 이상환, 박찬용, 김영혜
Принадлежит: 주식회사 우리로, 김영혜

... 본 발명은 광집적회로에 관한 것으로서, 기판과, 기판의 표면에 하부 클래딩층, 코어층 및 코어층을 감싸게 상부 클래드층을 순차적으로 적층하여 형성된 광도파로와, 광도파로의 코어층을 통해 전송된 광을 절취하거나 코어층으로 광을 입력시키기 위해 광도파로의 종단면 근처에 상부 클래딩층으로부터 코어층을 거쳐 하부 클래딩층의 일부 또는 전부까지 하방으로 식각하여 형성된 수용홈과, 광도파로 상면의 수용홈 주변에 상호 이격되게 형성된 복수개의 접합패드와, 수용홈 내에 삽입되어 접합되며 코어층으로부터 수용홈을 통해 방출된 광을 반사하여 수용홈 상부로 광로를 변환하거나 수용홈 상부에서 하방으로 진행되는 광을 반사하여 코어층으로 입사되게 광로를 변환할 수 있도록 기판의 표면에 대해 30 내지 60°로 기울어진 경사면을 갖는 마이크로 거울과, 접합패드를 통해 접합되며 마이크로 거울의 경사면을 향해 광을 출사하거나, 마이크로거울로부터 반사되어 입사된 광을 수신하는 능동 광소자를 구비한다. 이러한 광집적회로 및 그 제조방법에 의하면, 마이크로 거울을 별도의 독립된 구조체로서 제작하여 장착함으로써, 제조를 보다 용이하게 할 수 있고, 양질의 거울면을 제공하여 거울면의 결함으로 인한 광손실을 줄일 수 있으며, 다양한 소재로 마이크로거울의 제작이 가능케 하여 광집적회로의 제조비용을 낮출 수 있는 장점을 제공한다.

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27-12-2016 дата публикации

PLL 회로 및 그 구동방법

Номер: KR0101690032B1
Автор: 김충환
Принадлежит: 주식회사 우리로

... 본 발명의 PLL 회로는, 기준 주파수 신호 및 제1 전압 제어 발진기의 출력인 제1 주파수 신호를 입력받고, 상기 제1 전압 제어 발진기를 제어하는 제1 제어 전압을 출력하는 제1 PLL 유닛; 및 상기 기준 주파수 신호 및 제2 전압 제어 발진기의 출력인 제2 주파수 신호를 입력받고, 상기 제2 전압 제어 발진기를 제어하는 제2 제어 전압을 출력하는 제2 PLL 유닛을 포함한다.

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