ЗАЩИТНЫЙ КОРПУС ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ МИКРОСИСТЕМЫ, СОДЕРЖАЩИЙ ПРОМЕЖУТОЧНЫЙ ТРАНСЛЯТОР ПРОВОДКИ

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано, например, в микрогирометрах, микроакселерометрах, микродатчиках давления. Изобретение направлено на повышение надежности, что обеспечивается за счет использования в защитном корпусе электромеханической микросистемы промежуточного транслятора проводки. Причем, защитный корпус образован стенкой, изготовленной из электроизоляционного материала и формирующей закрытую камеру. Упомянутая стенка имеет внутреннюю поверхность, ориентированную внутрь камеры, и наружную поверхность, находящуюся в контакте с внешней средой. Внутренние электрические контакты, располагающиеся на внутренних поверхностях, и наружные электрические контакты, располагающиеся на наружных поверхностях, попарно электрически связаны между собой. Первая поверхность плоской электромеханической микросистемы закреплена на внутренней стенке корпуса, а вторая содержит электрические контакты этой микросистемы. Первый конец проволочного соединения, изготовленного ...

КОМПОЗИЦИОННЫЙ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ КОМПОНЕНТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Использование: для композиционного микромеханического компонента. Сущность изобретения заключается в том, что изготовление композиционного микромеханического компонента включает стадию обеспечения подложкой, стадию вытравливания на верхнем слое по меньшей мере одного рисунка до промежуточного слоя, стадию нанесения на верхнюю часть указанной подложки электроизоляционного покрытия, стадию направленного травления указанного покрытия и указанного промежуточного слоя, стадию выполнения электроосаждения при подсоединении электрода к электропроводному нижнему слою подложки, отделение композиционного компонента от подложки. Технический результат: улучшение трибологических свойств кремния, упрощение способа изготовления, обеспечение возможности использования способа для микромеханических компонентов с высоким коэффициентом гибкости. 14 ил.

ЦЕЛЬНАЯ ПОЛАЯ МИКРОМЕХАНИЧЕСКАЯ ДЕТАЛЬ С НЕСКОЛЬКИМИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫМИ УРОВНЯМИ, ОБРАЗОВАННАЯ ИЗ МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ АЛЛОТРОПА СИНТЕТИЧЕСКОГО УГЛЕРОДА

Изобретение относится к способу изготовления микромеханической детали, изготавливаемой из цельного материала на основе аллотропа синтетического углерода, при этом способ содержит этап образования подложки с негативной полостью для микромеханической детали, подлежащей изготовлению, этап нанесения покрытия на негативную полость подложки в виде слоя материала на основе аллотропа синтетического углерода, толщина которого меньше глубины негативной полости, и этап удаления подложки для освобождения цельной микромеханической детали, образованной в вышеуказанной негативной полости. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 27 ил.

МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ ПЛАСТИЧЕСКИХ КОМПОЗИЦИЙ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕДИЦИНСКИХ ИЗДЕЛИЙ С ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ

Группа изобретений относится к области медицинских изделий. Первое изобретение представляет собой способ изготовления имплантата с по меньшей мере одной функциональной поверхностью, отличающийся тем, что способ включает следующие стадии a) подготовку керамической порошковой смеси; b) смешивание этой керамической порошковой смеси с пластической связующей системой с образованием первого сырьевого материала; с1) разделение первого сырьевого материала и смешивание его части с наполнителями для образования второго сырьевого материала или с2) получение второго сырьевого материала в соответствии со стадиями а) и b); d) проведение процесса формования, при котором основную часть и поверхность, имеющую сродство к костям, формуют из первого и второго сырьевого материала; e) удаление связующего вещества из сырца; f) спекание сформованной и подвергнутой удалению связующего вещества заготовки имплантата с получением готового имплантата с поверхностью, имеющей сродство к костям. Второе изобретение представляет ...

ФОРМА ДЛЯ ГАЛЬВАНОПЛАСТИКИ И СПОСОБЫ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к способу изготовлению формы для изготовления микромеханических деталей с помощью гальванопластики. Способ включает осаждение токопроводящего слоя на верхней (20) и нижней (22) поверхностях подложки (21), изготовленной из материала на основе кремния, прикрепление указанной пластины к подложке (23) с помощью липкого слоя, удаление одной части (26) проводящего слоя с верхней поверхности пластины (21), травление пластины до удаления проводящего слоя (22) на ее нижней поверхности в форме (26) части, удаленной с проводящего слоя (22) на ее верхней поверхности для получения в форме по меньшей мере одной полости (25). Предложенный способ позволяет обеспечить высокую точность изготовления микромеханических деталей, имеющих несколько уровней и/или обладающих высоким коэффициентом гибкости. 3 н и 16 з.п. ф-лы, 13 ил.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОМЕХАНИЧЕСКОГО КОМПОНЕНТА

Изобретение относится к области часовой промышленности и направлено на повышение точности изготовления микромеханического компонента, который включает, по меньшей мере три детали, что обеспечивается за счет того, что согласно изобретению способ изготовления микромеханического компонента включает этап формирования, по меньшей мере, одной пластины, которая имеет рамку, соединенную, по меньшей мере, одной перемычкой с деталью указанного компонента, имеющей отверстие, а также этап установки указанной пластины на опору, этап закрепления штифта в отверстии детали для формирования компонента, этап отделения сформированного компонента каждой пластины. 13 з.п. ф-лы, 8 ил.

ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ УПРАВЛЯЮЩИХ ПАРАМЕТРОВ ДИСПЛЕЯ НА ОСНОВЕ МЭМС И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРЕНИЯ ТАКИХ ПАРАМЕТРОВ

Заявленная группа изобретений относится к измерительной технике, в частности к способу и устройству для измерения пороговых напряжений в устройствах МЭМС. Способ измерения порогового напряжения устройства на основе микроэлектромеханических систем, согласно которому к устройству прикладывают перепады напряжения и измеряют количество заряда, переданного на устройство при приложении по меньшей мере одного из указанных перепадов напряжения, на основании измеренного заряда определяют, изменяет ли каждый из указанных перепадов напряжения состояние устройства и определяют пороговое напряжение на основе перепада напряжения, вызывающего изменение состояния. Устройство на основе микроэлектромеханических систем, выполненное с возможностью перехода в активированное состояние под действием активирующего напряжения, возможностью перехода в выключенное состояние под действием выключающего напряжения и возможностью сохранения текущего состояния под действием напряжением удержания содержит первые и вторые ...

Устройство и способ для прецизионного переноса слоев атомарно тонких материалов любой площади на планарные подложки

Изобретение относится к области прецизионного манипулирования и может быть использовано для переноса слоев атомарно тонких материалов, таких как графен, на планарные подложки любого типа с достаточной адгезией, в том числе для создания Ван-дер-Ваальсовых гетероструктур и гибридных устройств на их основе. Устройство для переноса слоев 22 атомарно тонких материалов на планарные подложки 21, содержащее трехосный манипулятор 6 с держателем 8 и подвижный столик 4, которые установлены с возможностью перемещения друг относительно друга и интегрированы с оптическим инвертированным микроскопом 3 с апертурой объектива не менее 0,9, при этом манипулятор 6 и объектив 12 микроскопа 3 расположены по разные стороны от столика 4, манипулятор 6 обладает тремя поступательными и тремя вращательными степенями свободы с центром вращения, находящимся в центре держателя 8, держатель 8 снабжен нагревательным элементом, и его диаметр составляет не менее 3 см, а микроскоп 3 снабжен высокоточной системой для измерения ...

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ МЭМС-ДАТЧИКОВ

Данное изобретение относится к способам изготовления чувствительных элементов МЭМС-датчиков, в частности к способам изготовления, сочетающим объемное травление КНИ-структуры с микромеханической обработкой. Способ изготовления чувствительных элементов МЭМС-датчиков на КНИ-структуре включает нанесение защитных покрытий на лицевую сторону пластины, фотолитографию по защитному слою с лицевой стороны, глубокое высокопрецизионное травление кремния с лицевой стороны до изолирующего слоя диэлектрика с заданным профилем и шероховатостью, удаление остатков маскирующего покрытия с лицевой стороны, при этом перед травлением изолирующего слоя диэлектрика производится операция скрайбирования до изолирующего слоя диэлектрика с обратной стороны КНИ-структуры. Изобретение позволяет сократить и упростить технологический процесс изготовления чувствительных элементов МЭМС-датчиков на КНИ-структуре за счет уменьшения количества технологических операций. 4 ил.

СПОСОБ ПЕРЕНОСА НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ НА ПОДЛОЖКУ

Изобретение относится к технологии формирования наноструктурированных покрытий и может быть использовано для создания сенсоров, электронных устройств, катализаторов. Техническая проблема заявляемого изобретения заключается в разработке эффективного способа переноса нитевидных нанокристаллов на подложку без потерь и загрязнений. Техническим результатом является повышение коэффициента переноса по массе (уменьшение потерь) нанообъектов при переносе их на контактную систему и снижение степени их загрязнения. Технический результат достигается тем, что в способе переноса нитевидных нанокристаллов с исходной подложки на целевую подложку при помощи капли жидкости поверхность исходной подложки предварительно охлаждают ниже температуры замерзания жидкости, после чего наносят каплю жидкости, переносят замороженную каплю на целевую подложку и нагревают до полного испарения жидкости. Целевая подложка может быть выполнена из диэлектрического материала и снабжена проводящими контактами. Для эффективной ...

Способ изготовления термомеханического актюатора для защиты электронного блока космического аппарата от перегрева и термомеханический актюатор, изготовленный по данному способу

Изобретение относится к микроробототехнике и может быть использовано при создании устройств терморегулирования узлов и блоков бортовой аппаратуры космических аппаратов. Термомеханический актюатор изготовлен в виде пластины из слоистого композиционного материала, представляющей собой подложку из деформируемого алюминиевого сплава, упрочненного закалкой с последующим старением, с черным и белым покрытиями. Способ изготовления включает обработку подложки в двух электролитах методом микродугового оксидирования в анодно-катодном режиме. На одну сторону подложки наносят защитную полиимидную пленку, а на обратной стороне подложки формируют черное покрытие в первом электролите, затем полиимидную пленку с первой стороны подложки удаляют, наносят полиимидную пленку на сформированное черное покрытие, на освобожденной от полиимидной пленки стороне подложки формируют белое покрытие во втором электролите. Технический результат - создание актюатора, функционирующего в широком диапазоне температур, а также ...

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОФЛЮИДНЫХ УСТРОЙСТВ

... 1. Способ формирования стеклосодержащего микрофлюидного устройства, имеющего по меньшей мере один флюидный проход через него, причем способ включает в себя: ! обеспечение первой детали из жесткого, антипригарного материала, имеющего профилированную оформляющую поверхность; ! обеспечение первого количества стеклосодержащей композиции; ! осуществление контакта первого количества стеклосодержащей композиции с профилированной оформляющей поверхностью; ! прессование первого количества стеклосодержащей композиции между профилированной оформляющей поверхностью и второй поверхностью; ! нагревание детали из жесткого, антипригарного материала и первого количества стеклосодержащей композиции вместе в достаточной мере, чтобы размягчить количество стеклосодержащей композиции так, что профилированная оформляющая поверхность копируется в первом количестве стеклосодержащей композиции, причем первое количество стеклосодержащей композиции образует первое сформованное стеклосодержащее изделие; и ! герметизацию ...

СПОСОБ И СИСТЕМА ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ ДИФТОРИДОМ КСЕНОНАС ПОВЫШЕННОЙ ЭФФЕКТИВНОСТЬЮ

... 1. Устройство для травления, содержащее камеру травления и блок травителя, в котором блок травителя выполнен с возможностью перемещения между отведенным положением и выдвинутым положением, в отведенном положении блок травителя, по существу, находится снаружи камеры травления и в выдвинутом положении блок травителя, по существу, находится внутри камеры травления. 2. Устройство по п.1, в котором камера травления содержит нержавеющую сталь. 3. Устройство по п.1, дополнительно содержащее опору основания. 4. Устройство по п.3, дополнительно содержащее оптический датчик, выполненный с возможностью определения коэффициента отражения основания на опоре основания. 5. Устройство по п.1, дополнительно содержащее лицевую панель, в котором лицевая панель изолирует камеру травления от блока травителя, когда блок травителя находится в отведенном положении. 6. Устройство по п.1, дополнительно содержащее систему продувки. 7. Устройство по п.1, в котором перемещение блока между выдвинутым и отведенным положением ...

СИСТЕМА И СПОСОБ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНОГО ПОКРЫТИЯ В УСТРОЙСТВЕ МЭМС

... 1. Электронное устройство, содержащее прозрачную подложку; матрицу интерферометрического модулятора, размещенную на упомянутой прозрачной подложке, причем упомянутая матрица содержит пропускающий слой и отражающий слой; защитное покрытие, размещенное между по меньшей мере частью упомянутого пропускающего слоя и упомянутым отражающим слоем; и нагреватель, выполненный для увеличения температуры упомянутого защитного покрытия. 2. Устройство по п.1, в котором упомянутая прозрачная подложка герметизируется к задней пластине для формирования сборки, и в котором матрица интерферометрического модулятора располагается в упомянутой сборке. 3. Устройство по п.2, в котором упомянутое защитное покрытие содержит самовыравнивающийся монослой. 4. Устройство по п.3, в котором самовыравнивающийся монослой содержит одно из следующего: политетрафторэтилен (ПТФЭ) (PTFE), перфтордекановую карбоновую кислоту, октадецилтрихлорсилан (ОТС) (OTS) или дихлордиметилсилан. 5. Устройство по п.3, далее содержащее по меньшей ...

СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ИНТЕРФЕРОМЕТРИЧЕСКИХ МОДУЛЯТОРОВ ПРИ ПОМОЩИ СЕЛЕКТИВНОГО УДАЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА

... 1. Способ изготовления устройства MEMS содержит этапы, на которых осаждают материал поверх первого электродного слоя; формируют второй электродный слой поверх материала и селективно удаляют жертвенную часть материала для формирования, таким образом, полости и поддерживающей структуры устройства MEMS, причем поддерживающая структура содержит оставшуюся часть материала, при этом второй электродный слой содержит подвижный слой, поддерживаемый поддерживающей структурой. 2. Способ по п.1, в котором устройство MEMS содержит интерферометрический модулятор. 3. Способ по п.2, в котором, по меньшей мере, один из первого электродного слоя или второго электродного слоя содержит зеркало. 4. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап, на котором селективно изменяют часть материала для определения жертвенной части материала и оставшейся части материала. 5. Способ по п.4, в котором материал представляет собой светочувствительный полимер. 6. Способ по п.5, в котором этап селективного изменения части материала ...

СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ, ГЕРМЕТИЧНАЯ КОНСТРУКЦИЯ, ИЗГОТОВЛЕННАЯ ДАННЫМ СПОСОБОМ, И СИСТЕМА ГЕРМЕТИЧНЫХ КОНСТРУКЦИЙ

... 1. Способ соединения с применением взаимной диффузии металлов для формирования, на уровне пластин, герметичных корпусов для устройств на базе микроэлектромеханических систем (МЭМС), включающий следующие этапы:формирование на поверхности как первой пластины, так и второй пластины стопы из первого металла, подверженного окислению на воздухе;формирование на верхней поверхности каждой стопы из первого металла слоя второго металла, температура плавления у которого ниже, чем у первого металла, причем толщину слоя второго металла выбирают достаточной для предотвращения окисления верхней поверхности первого металла;приведение слоя второго металла на первой пластине в контакт со слоем второго металла на второй пластине, чтобы образовать зону соединения, иприложение к первой и второй пластинам давления соединения при температуре зоны соединения, которая ниже температуры плавления второго металла, чтобы инициировать соединение, причем давление соединения выбирают достаточным для деформирования слоев ...

КОМПОЗИТ С РАЗДЕЛЕННЫМИ ФАЗАМИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ С МИКРОСТРУЯМИ

... 1. Полимерный композит с разделенными фазами, содержащий, по меньшей мере, одну область, образующую каналоподобную структуру, в котором, указанная область содержит, по меньшей мере, один наружный слой, снабженный каналом и в котором толщина t наружного слоя составляет между >50% и <90% высоты канала. ! 2. Композит по п.1, в котором модуль Е упругости наружного слоя после окончания процесса разделения фаз составляет E>100 МПа. ! 3. Композит по п.1 или 2, в котором ширина канала и/или ширина между двумя поддерживающими элементами в канале составляет <300μm. !4. Композит по любому из пп.1 и 2, в котором среда разделения содержит поли(мет)акриловый материал. ! 5. Композит по любому из пп.1 и 2, в котором плотность сшивки поли(мет)акрилового материала составлет ≥0,001 и <0,5. ! 6. Композит по любому из пп.1 и 2, в котором композит дополнительно содержит, по меньшей мере, одну область в которой нанопористый и/или гелевый материал создается в и/или с канало-подобной структурой. ! 7. Способ производства ...

Способ изготовления устройства микротехники в объеме пластины фоточувствительного стекла

ПОЛИМЕРНАЯ ПОДЛОЖКА, ИМЕЮЩАЯ ПОВЕРХНОСТЬ, ПОДОБНУЮ СТЕКЛУ, И ЧИП, ПОЛУЧЕННЫЙ ИЗ УПОМЯНУТОЙ ПОЛИМЕРНОЙ ПОДЛОЖКИ

... 1. Микрожидкостный чип, содержащий по меньшей мере одну первую полимерную подложку, имеющую первую поверхность, подобную поверхности стекла, которая имитирует поверхность стекла по одному или нескольким параметрам, выбранным из:уровня содержания химического компонента, состава химических компонентов, химической структуры, гомогенности, шероховатости, морфологии, пористости, гидрофильности, сродства поверхностной энергии, адсорбционного сродства, поверхностной функциональности, химической поверхностной реакционной способности, физической поверхностной реакционной способности, дзета-потенциала и поверхностного заряда.2. Микрожидкостный чип по п.1, в котором поверхность, подобная поверхности стекла, представляет собой первую поверхность, подобную поверхности травленого стекла.3. Микрожидкостный чип по п.2, в котором упомянутая поверхность, подобная поверхности стекла, представляет собой по меньшей мере одно из поверхности, модифицированной в результате проведения плазменной обработки, поверхности ...

Процесс переноса микроструктур на конечную подложку

Предлагается способ переноса микроструктур на гибкую или жесткую конечную подложку, обеспечивающий преимущества как в скорости, так и в точности. Процесс согласно изобретению включает подвергание пленки для переноса в непрерывном процессе изготовления гибких схем следующим операциям: либо образованию микроструктур на ней, либо переносу микроструктур на поверхность пленки для переноса, с последующим переносом микроструктур с пленки для переноса на поверхность конечной подложки. Микроструктуры представляют собой однослойные или многослойные структуры, состоящие из: полостей в по сути плоской поверхности, причем полости необязательно заполняются или покрываются другим материалом; подъемов на по сути плоской поверхности; или их комбинаций. При этом микроструктуры имеют один или несколько отвержденных конформных слоев удаляемого покрытия на их поверхности и связаны с переносящей пленкой с помощью одного или нескольких слоев отвержденного связующего. Предложенный способ обеспечивает гарантированно ...

СПОСОБ И УСТРОЙСТВО СЧИТЫВАНИЯ, ИЗМЕРЕНИЯ ИЛИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ДИСПЛЕЙНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, ОБЪЕДИНЕННЫХ СО СХЕМОЙ УПРАВЛЕНИЯ ДИСПЛЕЕМ, А ТАКЖЕ СИСТЕМА, В КОТОРОЙ ПРИМЕНЕНЫ ТАКИЕ СПОСОБ И УСТРОЙСТВО

... 1. Способ, согласно которому ! подают сигнал между первым и вторым электродами устройства, выполненного с возможностью отображения части изображения, причем сигнал находится на таком уровне, что устройство находится в первом состоянии, ! подают второй сигнал между двумя указанными электродами для перехода устройства из одного состояния в другое состояние, ! измеряют электрический отклик устройства на поданный второй сигнал, ! устанавливают по измеренному электрическому отклику, достигло устройство заданного конечного состояния или нет, и устанавливают наличие ошибки, если желаемое конечное состояние не достигнуто, и ! корректируют второй сигнал, если устройство достигло заданного конечного состояния. ! 2. Способ по п.1, в котором первое положение представляет собой активированное состояние, а указанная установленная ошибка представляет собой отказ подвергнуть релаксации устройство, находящееся в активированном состоянии, причем согласно способу дополнительно корректируют второй сигнал до ...

СТОЙКАЯ КОМПОЗИЦИЯ ФРИТТЫ И СОДЕРЖАЩИЕ ЕЕ КОМПОЗИЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ

... 1. Стойкое к кристаллизации, содержащее цирконий и оксид алюминия силикатное стекло, предназначенное для использования в качестве фритты с тугоплавкими материалами, такими как оксид алюминия, где стекло имеет следующий состав в молярных процентах, мол.%: ! 2 Подробнее

СИСТЕМА И СПОСОБ ДЛЯ УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ С АКТИВНЫМ УСИЛИВАЮЩИМ ВЕЩЕСТВОМ

... 1. Устройство отображения, содержащее прозрачную подложку, интерференционный модулятор, предназначенный для модуляции света, проходящего через прозрачную подложку, объединительную плату, прикрепленную к прозрачной подложке, активное усиливающее вещество, находящееся в контакте с объединительной платой и предназначенное для обеспечения структурного усиления объединительной платы. 2. Устройство отображения по п.1, отличающееся тем, что активное усиливающее вещество является десикантом. 3. Устройство отображения по п.2, отличающееся тем, что десикант расположен в слабой точке объединительной платы. 4. Устройство отображения по п.3, отличающееся тем, что слабой точкой объединительной платы является угол углубления в объединительной плате. 5. Устройство отображения по п.2, отличающееся тем, что десикант содержит одно вещество, выбранное из группы, состоящей из цеолитов, сульфата кальция, оксида кальция, силикагеля, молекулярных сит, поверхностных абсорбентов, объемных абсорбентов, химических ...

ЗАЩИТНЫЙ КОРПУС ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ МИКРОСИСТЕМЫ, СОДЕРЖАЩИЙ ПРОМЕЖУТОЧНЫЙ ТРАНСЛЯТОР ПРОВОДКИ

... 1. Защитный корпус электромеханической микросистемы (1), интегрированной в упомянутый корпус, образованный стенкой из электроизоляционного материала, причем упомянутый корпус (10) формирует закрытую камеру, и его стенка имеет внутреннюю поверхность, ориентированную внутрь камеры, и наружную поверхность, находящуюся в контакте с внешней для камеры средой, и внутренние электрические контакты (16) располагаются на внутренних поверхностях и наружные электрические контакты (17) располагаются на наружных поверхностях, причем внутренние электрические контакты (16) и наружные электрические контакты (17) попарно электрически связаны между собой, и упомянутая микросистема является, по существу, плоской, причем первая поверхность микросистемы (1) закреплена на внутренней стенке корпуса (10), и вторая поверхность микросистемы (1) содержит электрические контакты (5) микросистемы, причем первый конец проволочного соединения (20), изготовленного из электропроводного материала, закрепляется на электрическом ...

ЕМКОСТНОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, ПОЛУЧЕННЫЙ МИКРООБРАБОТКОЙ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

... 1. Способ изготовления емкостного преобразователя (100), полученного микрообработкой, в частности, CMUT, причем способ содержит этапы, на которых:- осаждают первый электродный слой (10) на подложку (1),- осаждают первую диэлектрическую пленку (20) на первый электродный слой (10),- осаждают жертвенный слой (30) на первую диэлектрическую пленку (20), причем жертвенный слой (30) выполнен с возможностью удаления для формирования полости (35) преобразователя,- осаждают вторую диэлектрическую пленку (40) на жертвенный слой (30) и- осаждают второй электродный слой (50) на вторую диэлектрическую пленку (40),причем первая диэлектрическая пленка (20) и/или вторая диэлектрическая пленка (40) содержит первый слой, содержащий оксид, второй слой, содержащий материал с высокой k (диэлектрической проницаемостью), имеющий диэлектрическую проницаемость, равную 8 или более, и третий слой, содержащий оксид, причем второй слой располагается между первым и третьим слоями, и этапы осаждения осуществляются посредством ...

Verfahren zur Herstellung wenigstens einer Kavität in einer mikroelektronischen und/oder mikromechanischen Struktur und Sensor oder Aktor mit einer solchen Kavität

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung wenigstens einer Kavität in einer mikroelektronischen und/oder mikromechanischen Struktur unter Verwendung wenigstens einer Opferschichtor. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein solches Verfahren beziehungsweise einen solchen Sensor oder Aktor zur Verfügung zu stellen, wobei die Opferschicht einen ausreichenden Abstand zwischen den Strukturelementen während der Präparation der mikroelektronischen und/oder mikromechanischen Struktur zur Verfügung stellt, die Opferschicht leicht zu entfernen ist und darüber hinaus auf möglichst einfache Weise ein Anhaften der Strukturelemente nach Entfernen der Opferschicht vermieden werden kann, wobei die Verfahrensschritte bei möglichst niedrigen Temperaturen ausführbar sein sollen, um beispielsweise polymere Funktionsschichten zur Ausbildung eines Sensors oder Aktors einsetzen zu können. Die Aufgabe wird einerseits durch ein gattungsgemäßes Verfahren gelöst, wobei die Opferschicht ...

Mikro-Greifer

Verbesserung von Membraneigenschaften einer Halbleiteranordnung

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die ein Halbleitersubstrat (10), einen Hohlraum (20), der auf einer Seite des Halbleitersubstrats (10) gebildet ist, und eine Membran (30) aufweist, die auf der einen Seite des Halbleitersubstrats (10) angeordnet ist und den Hohlraum (20) abdeckt und hermetisch verschließt, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: a) Bilden einer Opferschicht (60) an einer Position, an welcher der Hohlraum (20) auf der einen Seite des Halbleitersubstrats (10) gebildet werden soll; b) Bilden eines Membranschutzfilms (32) für einen Ätzvorgang auf der Oberfläche der Opferschicht (60); c) Bilden eines ersten Films (34), der zu der Membran (30) werden soll, auf der einen Seite des Halbleitersubstrats (10), so dass die Opferschicht (60) abgedeckt wird; d) Strukturieren des ersten Films (34) so, dass ein Durchgangsloch (34a) gebildet wird, das sich in der Dickenrichtung des ersten Films (34) erstreckt; e) Bilden eines zweiten Films (36), der dazu...

Semiconductor sensor for detecting physical parameter with mobile section of support structure

The support structure can shift in response to physical parameters exerted on it. On the substrate surface is fitted a fixed electrode and lies opposite to at least one section of the support structure. A laminated structure of an insulation film, a lower layer, a conductive film, and an insulation film of a top layer, is deposited on the substrate top section. The conductive film forms a wiring or an electrode formed over an aperture in the top layer insulation film and is coupled to an electric connector on the substrate top surface.

Mikromechanische, verformbare Spiegelvorrichtungen (-DMD-)

MIKROMECHANISCHER SENSOR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MIKROELEKTROMECHANISCHEN SENSORS

Ein mikroelektromechanischer Sensor umfasst ein erstes Substrat (202), das ein Element (210) aufweist, das im Hinblick auf das erste Substrat (202) beweglich ist, und ein zweites Substrat (204), das eine erste Kontaktanschlussfläche (206; 506) und eine zweite Kontaktanschlussfläche (208; 508) aufweist. Das erste Substrat (202) ist derart an das zweite Substrat (204) gebondet, dass eine Bewegung des Elements (210) eine Kopplung zwischen der ersten Kontaktanschlussfläche (206; 506) und der zweiten Kontaktanschlussfläche (208; 508) verändert.

Silicon multi-layer etching, especially for micromechanical sensor production, comprises etching trenches down to buried separation layer, etching exposed separation layer and etching underlying silicon layer

Silicon multi-layer etching comprises anisotropic plasma etching of trenches (21') down to a buried separation layer (12,14,14',16), etching the exposed separation layer and then etching an underlying silicon layer (17, 17'). Etching of a layered silicon body, having a first silicon layer (15) provided with an etch mask (10), comprises: (a) a first anisotropic plasma etching operation which produces trenches (21') in the region of the mask openings (21) and which terminates at a separation layer (12,14,14',16) buried between the first silicon layer (15) and a further silicon layer (17,17'); (b) a second etching operation for etching through the exposed portions (23,23') of the separation layer; and (c) a third etching operation to etch the further silicon layer (17,17'). Preferred Features: The third etching operation produced complete isotropic under-etching between two or more trenches so that a free standing structure (32) is created. The first etching operation is a dry etching operation ...

MEMS-Vorrichtung mit Ausgasungsabschirmung

Eine verkappte, mikromaschinell gefertigte Vorrichtung hat eine bewegliche, mikromaschinell gefertigte Struktur in einer ersten hermetischen Kammer und eine oder mehrere Zwischenverbindungen in einer zweiten hermetischen Kammer, die hermetisch von der ersten hermetischen Kammer isoliert ist, und eine Barrierenschicht auf ihrer Kappe, wobei die Kappe der ersten hermetischen Kammer zugewandt ist, so dass die erste hermetische Kammer von einem Ausgasen aus der Kappe isoliert ist.

Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements

MEMS-Struktur und Verfahren zum Herstellen derselben

MEMS-Struktur mit einem Stapel (12) mit einem Substrat (14), einer ersten Ätzstoppschicht (22), einer ersten Halbleiterschicht (24), einer zweiten Ätzstoppschicht (26), einer zweiten Halbleiterschicht (28), die in der genannten Reihenfolge auf einander angeordnet sind; einer den Stapel (12) an einer dem Substrat (14) abgewandten Hauptseite bedeckenden Isolationsschicht (32); einem in dem Stapel (12) gebildeten Feder-Masse-System mit zumindest einer Feder (53a–d; 56a–d) und einem über die Feder (53a–d; 56a–d) aufgehängten Element (49); und piezoelektrischen Aktuatorschichten (36a–b; 38a–b; 42a–b), die an der Isolationsschicht (32) angeordnet sind; wobei das Feder-Masse-System in einer Dicke variiert, indem von einer ersten Ätzstoppschicht (22) abgewandten Rückseite des Substrates (14) aus an lateral unterschiedlichen Stellen a) das Substrat (14) unter Verbleib der ersten Halbleiterschicht (24) im Bereich (34) des aufgehängten Elementes (49); und b) das Substrat (14), die erste Ätzstoppschicht ...

Konzept zur spannungsarmen mechanischen Verbindung eines Halbleiterbauelements mit einem Substrat

Verfahren zur spannungsarmen, mechanischen Verbindung eines Halbleiterbauelements (100BE) mit einem Substrat (100Sub), wobei zumindest eines aus dem Halbleiterbauelement (100BE) und dem Substrat (100Sub) eine Verbindungsstruktur (102) mit zumindest drei symmetrisch zueinander angeordneten Verbindungselementen (104_1 bis 104_n) aufweist, und wobei das andere aus dem Halbleiterbauelement (100BE) und dem Substrat (100Sub) eine Verbindungsgegenstruktur (108) mit zumindest einem Verbindungsgegenelement (106_1 bis 106_m) aufweist, wobei die Verbindungsstruktur (102) und die Verbindungsgegenstruktur (108) Metalle oder Werkstoffe aufweisen, die sich unter Einwirkung von Ultraschall verbinden lassen, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Aufnehmen des Verbindungsgegenelements (106_1 bis 106_m) der Verbindungsgegenstruktur (108) zwischen den zumindest drei symmetrisch zueinander angeordneten Verbindungselementen (104_1 bis 104_n) der Verbindungsstruktur (102), so dass bei der Aufnahme der ...

Verfahren zum Ätzen eines Silizium-Substrats

Ätzverfahren für Silizium-Substrat

Sensorsystem und Herstellungsverfahren sowie Selbsttestverfahren

Halbleiter-Drucksensor

In einem Halbleiter-Drucksensorelement (100G) ist ein erster Wasserstoffpermeationsschutzfilm (11) bereitgestellt an einer ersten Oberflächenseite (1a) eines ersten Siliziumsubstrats (1), und ein zweiter Wasserstoffpermeationsschutzfilm (12) ist bereitgestellt an einer Hauptoberflächenseite (2b) eines zweiten Siliziumsubstrats (2). Die Permeationspfade der Wasserstoffflüsse, die durch Pfeile A und B in 9 gezeigt sind, werden durch die Filme blockiert. Darüber hinaus ist ein Graben (16) bereitgestellt, der eine Referenzdruckkammer (4) umgibt, und der erste Wasserstoffpermeationsschutzfilm (11) und ein dritter Wasserstoffpermeationsschutzfilm (13) werden an dem unteren Abschnitt des Grabens (16) verbunden, wodurch der Permeationspfad des Wasserstoffflusses, der durch den Pfeil 10 in 9 gezeigt ist, blockiert wird. Durch die Bereitstellung einer Wasserstoffspeicherkammer (18) wird darüber hinaus Wasserstoff eingefangen, bevor der Wasserstoff die Referenzdruckkammer (4) erreicht.

Verfahren zum Herstellen einer Elektromigration-resistenten kristallinen Übergangsmetall-Silizidschicht, entsprechende Schichtenfolge und Mikro-Heizer

Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen einer Elektromigration-resistenten kristallinen Übergangsmetall-Silizidschicht, eine Schichtenfolge und einen Mikro-Heizer. Im Schritt A des Verfahrens wird ein Halbleitersubstrat mit einer elektrisch isolierenden Schicht bereitgestellt. Im Schritt B des Verfahrens wird ein Übergangsmetall auf die elektrisch isolierende Schicht physikalisch abgeschieden. Im Schritt C des Verfahrens wird eine plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung unter Ausbilden eines Inert-Gas-Plasmas durchgeführt. Im Schritt D des Verfahrens wird in das Inert-Gas-Plasma Monosilan zugeleitet, wobei das Monosilan in Silizium und Wasserstoff zerfällt und das Silizium in Gasphase mit dem Übergangsmetall eine chemische Reaktion zum Ausbilden der Elektromigration-resistenten kristallinen Übergangsmetall-Silizidschicht eingeht.

Verfahren zum Trocknen mikromechanischer Komponenten

Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Mikro-Bauelementen und dreidimensionale Mikro-Bauelemente

Verfahren zur Herstellung von Mikro-Bauelementen, bei dem mindestens ein dreidimensionales Mikro-Bauelement mittels roll-up-Technologie auf einem Substrat hergestellt wird, wobei für die einzelnen dreidimensionalen Mikro-Bauelemente auf einem Substrat mindestens eine Opferschicht und darauf mehrere gleich oder unterschiedlich aufgebaute und strukturierte Schichtsysteme aufgebracht werden und durch die teilweise oder vollständige Entfernung der Opferschicht oder Opferschichten die einzeln aufgebrachten Schichtsysteme zu Multischichtsystemen aufgerollt werden, wobei das mindestens eine dreidimensionale Mikro- Bauelement mit allen funktionellen und strukturellen Bestandteilen innerhalb des Gesamtverfahrens vollständig hergestellt wird und nach der Herstellung vollständig funktionsfähig ist und wobei bei dem dreidimensionalen Mikro-Bauelement mindestens ein teilweise innerhalb eines umhüllenden Bauteils frei bewegliches Bauteil mittels roll-up-Technologie hergestellt wird, wobei mindestens ...

ELASTOMERISCHE MIKROPUMPEN- UND MIKROVENTILSYSTEME

Mikromechanische Struktur und Verfahren zur Herstellung derselben

Mikromechanische Struktur, umfassend: ein Substrat; und eine funktionelle Struktur, die auf dem Substrat angeordnet ist; wobei die funktionelle Struktur ein funktionelles Gebiet umfasst, das in Bezug auf das Substrat ansprechend auf eine Kraft, die auf das funktionelle Gebiet einwirkt, auslenkbar ist; wobei die funktionelle Struktur eine leitfähige Basisschicht umfasst, die ein leitfähiges Basisschichtmaterial aufweist; und wobei das leitfähige Basisschichtmaterial sektional in einer Versteifungssektion ein Kohlenstoff-Material umfasst, so dass eine Kohlenstoff-Konzentration des Kohlenstoff-Materials im leitfähigen Basisschichtmaterial wenigstens 1014 Teilchen pro cm3 beträgt und wenigstens um einen Faktor von 103 höher ist als im leitfähigen Basisschichtmaterial angrenzend an die Versteifungssektion; wobei die Versteifungssektion ein integraler Bestandteil der leitfähigen Basisschicht ist, so dass die Versteifungssektion dieselbe Dicke aufweist wie die leitfähige Basisschicht angrenzend ...

Spannungsreduzierung beim Laserwiederverschluss durch zeitlich geformte Laserpulse und Pulsfolgen

Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements mit einem Substrat und mit einer mit dem Substrat verbundenen und mit dem Substrat eine erste Kaverne umschließenden Kappe vorgeschlagen, wobei in der ersten Kaverne ein erster Druck herrscht und ein erstes Gasgemisch mit einer ersten chemischen Zusammensetzung eingeschlossen ist, wobei – in einem ersten Verfahrensschritt eine die erste Kaverne mit einer Umgebung des mikromechanischen Bauelements verbindende Zugangsöffnung in dem Substrat oder in der Kappe ausgebildet wird, wobei – in einem zweiten Verfahrensschritt der erste Druck und/oder die erste chemische Zusammensetzung in der ersten Kaverne eingestellt wird, wobei – in einem dritten Verfahrensschritt die Zugangsöffnung durch Einbringen von Energie oder Wärme in einen absorbierenden Teil des Substrats oder der Kappe mithilfe eines Lasers verschlossen wird, wobei das Einbringen der Energie oder Wärme mithilfe eines eine Laserpulsdauer und eine Laserpulsintensität ...

Verfahren zum Ausbilden eines MEMS-Bauelements mit Ätzkanälen

Verfahren zum Fertigen eines MEMS-Bauelements (12), wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen eines Bauelementsubstrats (26),Ausbilden einer Vielzahl von Gräben auf dem Substrat (34),Ausbilden eines Opfermaterials (24) auf dem Substrat über und innerhalb der Vielzahl von Gräben, um eine Vielzahl von Ätzkanälen (36) auszubilden, wobei jeder Graben einen Ätzkanal definiert, wobei jeder Ätzkanal einen Innenbereich ausbildet, der durch wenigstens einen Hohlraum in dem Opfermaterial definiert wird, und wobei der Ätzkanal zum Leiten eines Ätzmittels ausgelegt ist,Bonden eines Handle-Substrats (22) an das Opfermaterial des Bauelementsubstrats, undEntfernen von mindestens einem Abschnitt des Opfermaterials.

Struktur und Herstellungsverfahren für dieselbe

Struktur, umfassend Wolfram als Hauptkomponente und Wolframcarbid, wobei der Kohlenstoffgehalt mindestens 0,1 Masse-% beträgt und der Gesamtgehalt an Kobalt, Nickel und Eisen 3% oder weniger pro Masse, jeweils basierend auf der Struktur.

Dreischichtige Strahl-MEMS-Einrichtung und diesbezügliche Verfahren

Gehäuse für mikroelektromechanische Systemvorrichtungen und Verfahren zur Herstellung des Gehäuses für mikroelektromechanische Systemvorrichtungen

Diese Erfindung stellt ein Gehäuse für mikroelektromechanische Systemvorrichtungen bereit, welches eine MEMS-Vorrichtung, die mittels Flipchip-Technologie auf einem Substrat montiert ist, einen Film aus nicht verdampfbarem Getter-Material, der zwischen dem Substrat und der MEMS-Vorrichtung angeordnet ist, sowie eine Deckstruktur umfasst, welche die MEMS-Vorrichtung kapselt. Diese Erfindung stellt ferner ein Verfahren zur Herstellung des Gehäuses für mikroelektromechanische Systemvorrichtungen bereit.

Sensor

Eine Konfiguration mit einem ersten Substrat, das eine erste bewegliche Elektrode aufweist; einem zweiten Substrat, das mit dem ersten Substrat verbunden ist und eine erste fixierte Elektrode aufweist, die der ersten beweglichen Elektrode zugewandt ist; und einem dritten Substrat, das mit dem zweiten Substrat verbunden ist. Das erste Substrat, das zweite Substrat und das dritte Substrat sind in dieser Reihenfolge aufeinander geschichtet, und das zweite Substrat und das dritte Substrat sind zumindest in einem Teil zwischen der ersten fixierten Elektrode und dem dritten Substrat nicht miteinander verbunden.

Lichtmodul

Ein Lichtmodul weist ein optisches Element und eine Basis auf, auf der das optische Element montiert ist. Das optische Element weist einen optischen Abschnitt mit einer optischen Fläche; einen elastischen Abschnitt, der derart um den optischen Abschnitt herum vorgesehen ist, dass ein ringförmiger Bereich gebildet wird; und ein Paar von Trägerabschnitten auf, die derart vorgesehen sind, dass der optische Abschnitt in einer ersten Richtung entlang der optischen Fläche sandwichartig aufgenommen wird und auf die eine elastische Kraft aufgebracht wird und zwischen denen sich in Abstand gemäß elastischer Verformung des elastischen Abschnitts verändert. Die Basis weist eine Hauptfläche und einen Montagebereich auf, in dem eine mit der Hauptfläche kommunizierende Öffnung vorgesehen ist. Die Trägerabschnitte werden in einem Zustand in die Öffnung eingesetzt, bei dem eine elastische Kraft des elastischen Abschnitts aufgebracht wird. Das optische Element wird in dem Montagebereich von einer Reaktionskraft ...

ELEKTRONISCHE VORRICHTUNG

Eine elektronische Vorrichtung beinhaltet ein Substrat (31), einen ersten Metallfilm (36), einen Isolierfilm (37) und einen zweiten Metallfilm (38). Das Substrat hat eine Oberfläche (31a). Der erste Metallfilm ist auf der einen Oberfläche angeordnet. Der Isolierfilm ist auf der einen Oberfläche in einem Zustand angeordnet, in dem er den ersten Metallfilm bedeckt. Der Isolierfilm hat ein Kontaktloch (37a), das den ersten Metallfilm freilegt. Der zweite Metallfilm ist von einem Abschnitt des ersten Metallfilms, der von dem Kontaktloch freigelegt ist, zu einer Peripherie des Kontaktlochs des Isolierfilms angeordnet. Der Anschlussflächenabschnitt ist durch Laminieren des ersten Metallfilms und des zweiten Metallfilms ausgebildet. Der Isolierfilm hat einen Schlitz als eine Belastungsreduzierungsstruktur (37b).

Verfahren zur Herstellung einer FBAR-Vorrichtung vom Wafer-Level-Package-Typ

Verfahren zur Herstellung einer FBAR-Vorrichtung vom Wafer-Level-Package-Typ, wobei die FBAR-Vorrichtung ein mit mehreren externen Elektroden ausgebildetes Substrat aufweist, umfassend die Schritte: a) Ausbildung mehrerer funktioneller Teile der Vorrichtung auf einem ersten Wafer in bestimmten Abständen; b) Ausbildung mehrerer externer Elektroden zwischen den benachbarten funktionellen Teilen der Vorrichtung auf dem ersten Wafer, um mit den benachbarten funktionellen Teilen der Vorrichtung elektrisch verbunden zu werden, wobei jede einzelne eine bestimmte Querlänge auf der Basis des Mittelpunkts zwischen den benachbarten funktionalen Teilen der Vorrichtung hat; c) Ausbildung mehrerer Hohlräume in bestimmten Abständen auf einem zweiten Wafer, um jeweils den funktionellen Vorrichtungsteilen des ersten Wafers zu entsprechen; d) Ausbildung mehrerer vertikaler Perforationen auf dem zweiten Wafer, wobei jede einzelne eine bestimmte Querlänge auf der Basis des Mittelpunktes zwischen den benachbarten ...

MEMS-Strukturen mit planarem Hohlraum und verwandte Strukturen, Herstellungsverfahren und Design-Strukturen

Es werden Strukturen mikroelektromechanischer Systeme (MEMS) mit planarem Hohlraum, Herstellungsverfahren und Design-Strukturen bereitgestellt. Das Verfahren weist das Bilden mindestens eines Hohlraums (60a, 60b) eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), welcher eine planare Fläche aufweist, unter Anwendung eines reversen Damaszener-Verfahrens auf.

Wahrnehmung und Messung von Beschleunigung.

Verfahren zur Herstellung eines Membransensor-Arrays sowie Membransensor-Array

Verfahren zur Herstellung eines Membransensor-Arrays (20) mit einem Halbleitermaterialträger (1, 4, 11, 21, 32, 42), auf welchem mehrere flächige Membranbereiche (22, 35, 41) als Trägerschicht für Sensorelemente angeordnet sind, und die flächigen Membranbereiche (22, 35, 41) voneinander durch Stege (23, 40) aus Material mit im Vergleich zu den Membranbereichen (22, 35, 41) und zu der lateralen Umgebung der Stege (23, 40) deutlich besseren Wärmeleiteigenschaften thermisch entkoppelt sind, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst der Halbleitermaterialträger (1, 4, 11, 21, 32, 42) an Stellen, an welchen die Stege (23, 40) zur thermischen Entkopplung ausgebildet werden, eine Maskierung für einen nachfolgenden Schritt zur Erzeugung von porösem Halbleitermaterial erhält, dass das nicht durch Maskierung geschützte Halbleitermaterial porösiziert wird, und dass die Membranbereiche daraufhin dadurch erzeugt werden, dass eine Membran (24, 33) flächig auf den porösizierten und den nicht porösizierten ...

Sub micrometer structures producing method for structuring of e.g. scanning tips, for micro or nano-technology, involves selectively etching layer to be structured, and removing upper masking layer afterwards

The method involves forming a layer sequence on a topography i.e. substrate (1) with an elevation (1a), for covering the substrate, where the sequence has a lower layer, a layer to be structured e.g. dielectric layer, and an upper masking layer. The layers are selected such that the layer to be structured is selectively etched towards the masking layer. An opening with sub micrometer dimensions is formed in the masking layer using energy beam. The structured layer is selectively etched through the opening for producing a submicrometer structure. The masking layer is removed afterwards.

Manufacturing method for micromechanical structure, involves producing functional layer made of one material, where sealing layer is produced on functional layer, and is made of another material

The manufacturing method involves producing a functional layer (2) made of a material (2'). A sealing layer is produced on the functional layer, where the sealing layer is made of another material. A sacrificial structure (4) is manufactured from the former material, where annealing is carried out. The former and the later material are semiconductor materials, particularly silicon, and third and fourth materiasl comprise silicon oxide or silicon-germanium. An independent claim is included for a micromechanical structure.

Verfahren zum Erzeugen einer Schutzabdeckung für ein Bauelement

Verfahren zum Herstellen einer Membran mit Membranlöchern und nach diesem Verfahren hergestellte Mikro-/Nanomembran

Verfahren zum Herstellen einer Membran mit Membranlöchern (8, 9, 10), die Durchmesser im Mikro/Nanometerbereich aufweisen, wobei eine Metallfolie (1) mittels Ätzverfahren oder Laserlochverfahren mit einem Durchtrittsöffnungsraster versehen wird, in einem ersten Beschichtungsschritt die mit dem Durchtrittsraster versehene Metallfolie (1) mit einer metallischen oder nicht metallischen Beschichtung (5) versehen wird, um die Durchtrittslöcher (2, 3, 4) definiert in ihrem Durchmesser zu verringern, in einem zweiten Beschichtungsschritt hierauf eine zweite, organische oder anorganische Schicht (6) aufgebracht wird um die Oberflächeneigenschaften der mit dem ersten Beschichtungsschritt versehenen Membran definiert so einzustellen, dass eine aus dem betreffenden Membranloch (8, 9, 10) austretende Flüssigkeit Tropfen (11) mit einem möglichst großen Kontaktwinkel (δ) zwischen Oberfläche (7) und der Tropfenkontur an der Austrittsstelle aus dem Membranloch bildet, wobei Durchmesser der Membranlöcher ...

Process for preparation of a structural part in which the specific functional structures, i.e. etching troughs, are formed by anisotropic wet etching useful in production of single crystal semiconductors

Process for preparation of a structural part in which the specific functional structures, e.g. (12,13,14), i.e. etching troughs, are formed by anisotropic wet etching with production of etched surfaces in two different etching procedures (sic) in a single crystal semiconductor (11). An independent claim is included for a semiconductor structural part from a single crystal with etching troughs (12,13,14,23).

Metallisierung für Hohlraumgehäuse und nicht-magnetisches hermetisch dichtes Hohlraumgehäuse

Metallisierung (30) für eine Keramik (10), aufweisend: – eine ein Metall aufweisende Basisschicht (12), – eine Haftschicht (14), wobei die Haftschicht (14) Palladium aufweist und die Schichtdicke der Haftschicht (14) zwischen 0,1 und 5,0 μm beträgt, – eine lötfähige Schicht (16) aus einem nicht ferro-magnetischen Material, wobei sich das Material der Haftschicht (14) vom Material der lötfähigen Schicht (16) unterscheidet, und – eine Oxidationsschutzschicht (20).

Production process for sensor chips in standard plastic housings, involves packing chip with sensor element into the housing and exposing sensor element using a laser

A process for producing a packaged sensor chip (2) having an integrated sensor element (3) in a housing (4) involves packing the chip in a plastic housing formed by injection molding and exposing the sensor element, preferably using a laser (7). An Independent claim is also included for a packaged sensor chip formed as above.

Separating and drying micro-mechanical elements without sticking

A process (1) for etching out (separating) and drying micro-mechanical functional elements (A) on a semiconductor component (B) comprises: (a) producing an element (A) and separating it by wet-chemical etching inside a vessel; (b) discharging the used etching liq. (I) from the bottom of the vessel and simultaneously introducing a flushing liq. (II) with a lower density than (I) at the top; (c) running off (II) and replacing it from the top with a liq. of lower density (III); (d) repeating stage (c) as required; (e) raising the temp. in the vessel above the critical temp. of the last added liq. so as to convert it completely into vapour, and (f) releasing the pressure and removing the treated component. In an extension of this process (2), the last flushing liq. (III) is replaced by a directly sublimable substance (IV); this is introduced as a liq., converted into solid by reducing the temp. and/or raising the pressure, and then completely sublimed back into vapour in the vessel by reducing ...

Fixing component on carrier, comprises applying optically transparent UV-curable adhesive to carrier and/or component, positioning component in predetermined distance from carrier, and irradiating fixing adhesive with UV-light

The method comprises applying an optically transparent a UV-curable adhesive, as a dot pattern, a line pattern or a triangular pattern, to a carrier and/or a component so that a surface of the component on the carrier is partially covered at an area within the edge of the surface by the adhesive, positioning (201) the component in a predetermined distance from a carrier to form a gap in which the fixing adhesive adheres both the component and the carrier, and irradiating the fixing adhesive with a UV-light when a firm adhesive bond is formed between the carrier and the component. The method comprises applying an optically transparent a UV-curable adhesive, as a dot pattern, a line pattern or a triangular pattern, to a carrier and/or a component so that a surface of the component on the carrier is partially covered at an area within the edge of the surface by the adhesive, positioning (201) the component in a predetermined distance from a carrier to form a gap in which the fixing adhesive ...

Semiconductor sensor, e.g. for pressure measurement etc.

A semiconductor sensor is claimed, with a sensor element (1) consisting of semiconductors and enclosed in a resin housing (5, 6). The housing is connected with another part (2) of the sensor, and a section (5a, 6a) of the housing in contact with part (2) is irradiated with UV to improve its adhesion. Also claimed are (i) a sensor as above, with a connector frame (2) which is electrically connected to element (1), the contact sections (2a, 2b) of the frame and (5a, 6a) of the housing being irradiated with UV as above; (ii) a sensor with an element (1) on a substrate (9), with a housing (5) enclosing the element and stuck to the substrate, the contact section of (5) being irradiated as above; (iii) a sensor with an element on a substrate stuck to the inner wall of a hollow housing, one end of which is open but sealed with a casting resin so that both substrate and element are surrounded by a closed cavity, the inner wall being irradiated with UV at the contact points with the substrate; ( ...

Micro-production process comprises forming electrolyte solution, treating polymer substrate, micro-processing, and contacting with plate cathode

A micro-production process comprises forming an electrolyte solution, treating a polymer substrate, micro-processing and contacting with a plate cathode. A micro-production process comprises forming an electrolyte solution to fill a system for electroforming; selecting a polymer substrate which absorbs the electrolyte solution and treating the outer surface of the substrate and forming an electrically insulating mask film on the outer surface; micro-processing the substrate to form a three-dimensional microstructure having a number of deep recesses in the substrate; contacting the substrate with a plate cathode and dipping into the electrolyte solution; galvanically filling the recesses of the substrate with metal or alloy and desorbing the solvent in the electrolyte to shrink the substrate and separate the microstructure.

Bauelement mit einem Hohlraum

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines ersten Substrats (110), aufweisend eine Funktionsstruktur (111, 112), ein Bereitstellen eines zweiten Substrats (120), und ein Verbinden des ersten und zweiten Substrats, so dass ein Hohlraum (131, 132) im Bereich der Funktionsstruktur (111, 112) gebildet wird. Das Verfahren umfasst ferner ein Ausbilden eines Zugangs (140) zu dem Hohlraum (132), und ein Verschließen des Zugangs (140). Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Bauelement mit einer Funktionsstruktur (111, 112) und einem Hohlraum (131, 132) im Bereich der Funktionsstruktur (111, 112).

Verfahren zum Herstellen einer Nanopore zum Sequenzieren eines Biopolymers

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen mindestens einer Nanopore (28) mit einem vorbestimmten Durchmesser zum Sequenzieren eines Biopolymers (30). Das Verfahren umfasst dabei das Bereitstellen von mindestens einer Elektrode (10) und mindestens zwei Nanopartikeln (16, 16) in einem Zwischenraum (14) zwischen der Elektrode (10) und einem der Elektrode (10) gegenüberliegenden Begrenzungsbauteil (12, S1). Es folgt das Beschichten zumindest der Elektrode (10) mit einem elektrisch leitfähigen Material und hierdurch ein mechanisches Fixieren der mindestens zwei Nanopartikel (16, 16) in dem Zwischenraum (14), sodass eine fixierte poröse Anordnung (24) entsteht (S2). Das Auffüllen der fixierten porösen Anordnung (24) mit dem und/oder einem weiteren elektrisch leitfähigen Materials ermöglicht das Einstellen eines vorbestimmten Durchmessers von zumindest einer Pore (26), also das Ausbilden der Nanopore (28, S3). Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zum Sequenzieren des Biopolymers ...

Anordnung und Verfahren zum Testen mikromechanisch herstellbarer Bauelementstrukturen

Mikromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil

Mikromechanisches Bauteil mit:einem Substrat (12) mit einer beweglichen Masse (38), welche über mindestens eine Feder (50) derart mit dem Substrat (12) verbunden ist, dass die bewegliche Masse (38) in Bezug zu dem Substrat (12) zumindest aus einer ersten Stellung in eine zweite Stellung verstellbar ist, wobei die bewegliche Masse (38) und die mindestens eine Feder (50) aus dem Substrat (12) herausstrukturiert sind, und wobei mindestens ein die bewegliche Masse (38) zumindest teilweise umrahmender Trenngraben (40) und ein Bodengraben (42), welcher eine in das Substrat (12) hineinragende Innenseite der beweglichen Masse (38) von dem Substrat (12) separiert, in dem Substrat (12) ausgebildet sind;mindestens einer in Bezug zu dem Substrat (12) fest angeordneten Stator-Elektrode (24), wobei die mindestens eine Stator-Elektrode (24) mittels mindestens einer Stützverbindung (56), welche die mindestens eine Stator-Elektrode (24) mit einer an dem Substrat (12) angeordneten Verankerung (58) verbindet ...

Herstellungsverfahren für Mikrokomponenten

Herstellungsverfahren für eine Mikrokomponente, das die folgenden Schritte aufweist: einen Harzbasisformschritt zum Formen einer Harzbasis, die mit einem Lösungsmittel aufgelöst werden kann; einen Höhlungsformschritt mit Einwirkung einer äußeren physikalischen Kraft auf die Harzbasis und Formen einer Höhlung mit einer Form, die der Form einer herzustellenden Mikrokomponente entspricht; einen Metalleinfüllschritt zum Einfüllen eines Metalls in die Höhlung; einen Metallentfernungsschritt zum Schleifen und Entfernen überschüssigen Metalls; und einen Basisauflösungsschritt zum Auflösen der Harzbasis unter Verwendung eines Lösungsmittels.

Verfahren zum Erzeugen einer mikromechanischen Membranstruktur und MEMS-Bauelement

Es wird ein Verfahren vorgeschlagen, das die Realisierung von definierten mikromechanischen Membranstrukturen auf einer äußerst geringen Chipfläche ermöglicht. Dazu wird in der Vorderseite eines Siliziumsubstrats (1) ein dotierter Bereich (2) erzeugt, dessen Tiefe der angestrebten Membrandicke entspricht und dessen laterale Ausdehnung zumindest die angestrebte Membranfläche abdeckt. Unabhängig davon wird in einem DRIE(deep reactive ion etching)-Prozess in der Rückseite des Siliziumsubstrats (1) eine Kavität (3) unter dem dotierten Bereich (2) erzeugt. Der DRIE-Prozess wird vor Erreichen des dotierten Bereichs (2) abgebrochen. Dann wird die Kavität (3) in einem KOH-Ätzprozess vertieft, wobei der dotierte Substratbereich (2) als Ätzstopp fungiert, so dass der dotierte Substratbereich (2) über der Kavität (3) als Grundmembran (10) verbleibt.

Keramische Druckmesszelle

Ein Drucksensor 1 umfasst eine Druckmesszelle mit einem keramischen Grundkörper 2, einer keramischen Messmembran 3; und einem elektrischen Wandler, wobei die Messmembran mit dem Grundkörper 2 verbunden ist, wobei zwischen dem Grundkörper 2 und der Messmembran eine Messkammer ausgebildet ist, und wobei zumindest eine dem Grundkörper 2 abgewandte Seite der Messmembran mit einem zu messenden Druck beaufschlagbar ist, wobei der Wandler zum Wandeln einer Verformung der Messmembran in ein elektrisches Signal vorgesehen ist; wobei der Drucksensor weiterhin eine elektronische Schaltung 5 zum Betreiben des elektrischen Wandlers und eine Kapsel umfasst, wobei die elektronische Schaltung 5 in der Kapsel angeordnet ist, die durch den Grundkörper 2 und mindestens einem zweiten Kapselkörper gebildet ist, und wobei der zweite Kapselkörper mit dem Grundkörper entlang einer umlaufenden Fügestelle 8, die ein Glaslot umfasst, hermetisch dicht gefügt ist. Die Fügestelle 8 wird bevorzugt mit Laserstrahllöten ...

Nanoeinheiten, gebildet mit eingehängter Graphen-Membran

Halbleiter-Nanoeinheiten, wie z. B. Nanosonden- und Nanoknife-Einheiten, die unter Verwendung von Graphen-Dünnschichten, die zwischen offenen Ausnehmungen einer Halbleiterstruktur eingehängt sind, gebaut sind. Die eingehängten Graphen-Dünnschichten dienen als elektromechanische Membranen, die sehr dünn gemacht werden können, mit Dicken von einem oder wenigen Atomen, um die Empfindlichkeit und Zuverlässigkeit von Halbleiter-Nanosonden- und Nanoknife-Einheiten stark zu verbessern.

Verfahren zur Herstellung integrierter Sensoren

Aussparungen oder Vertiefungen werden in der Oberseite eines Halbleiterkörpers ausgeätzt und Sensorkomponenten darin hergestellt, die etwa zur Hälfte versenkt sind. Elektronische Bauelemente werden in dem restlichen Bereich der Oberseite des Halbleiterkörpers hergestellt, wobei diese ggf. mit einer Schutzschicht abgedeckt werden, falls die Aussparung oder Vertiefung erst nachträglich hergestellt wird.

Aperture, e.g. for a scanning probe microscopy sensor element, particle sieve or liquid or gas dosing and-or injection matrix, is produced by etching through an oxide layer in a depression exposed by semiconductor wafer back face etching

Aperture (10) production in a semiconductor material (12), by etching through an oxide layer (26) in a V-shaped depression (20) exposed by back face etching of a wafer. An aperture (10) is produced in a semiconductor material (12) by (a) etching the surface of a semiconductor wafer, e.g. a (100) silicon wafer, to form a depression (20) having a bottom especially of convex or concave corner or edge curvature; (b) oxidizing the semiconductor material (12) in the region of the depression to form an oxide layer (26) containing an inhomogeneity in the bottom region; (c) selectively back-etching the semiconductor material (12) at the wafer back face until the oxide layer is exposed; and (d) etching through the exposed oxide layer. An Independent claim is also included for an aperture (10) produced in a semiconductor material (12) by the above process.

Drucksensor und Verfahren zum Herstellen des Drucksensors

Die Erfindung betrifft einen Drucksensor (100) mit einem Substrat (102) und einer Transistorstruktur (104). Das Substrat (102) weist eine in das Substrat (102) eingebrachte Kavität (106) auf. Die Transistorstruktur (104) ist über der Kavität (106) angeordnet. Die Transistorstruktur (104) weist eine biegsame Heterostruktur (108) und je zumindest einen elektrisch leitend mit der Heterostruktur (108) verbundenen Sourcekontakt (110) und Drainkontakt (112) sowie einen Gatekontakt (114) auf. Die Heterostruktur (108) ist dazu ausgebildet, eine Position entsprechend einem Druckverhältnis zwischen einem ersten Druck in der Kavität (106) und einem zweiten Druck auf einer der Kavität gegenüberliegenden Seite der Heterostruktur (108) einzunehmen. Die Transistorstruktur (104) ist dazu ausgebildet, ein elektrisches Signal entsprechend der Position bereitzustellen.

Sensoreinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Sensoreinrichtung

Verfahren zum Herstellen einer Sensoreinrichtung (1) mit einer Membran (7), die eine Kaverne (K) überspannt, umfassend die Schritte:- Bereitstellen (S1) eines Substrats (2);- Anordnen (S2) mindestens einer ersten Opferschicht (O1) auf dem Substrat;- Anordnen (S3) einer Hilfsschicht (5) auf der mindestens ersten Opferschicht (O1) und Strukturieren der Hilfsschicht (5) derart, dass in der Hilfsschicht (5) zumindest ein Graben (G) bis zur mindestens ersten Opferschicht (O1) eingebracht wird, wobei sich der Graben (G) lateral innerhalb des Randbereichs (RB) befindet, wobei der Randbereich (RB) zumindest teilweise eine laterale Umrandung auf dem Substrat (2) darstellt;- Anordnen (S4) einer dritten Opferschicht (03) zumindest in dem Graben (G), wobei ein Hohlraum (H) in den Gräben (G) verbleibt;- Aufbringen (S5) einer Membran (7) auf der Hilfsschicht (5) und Einbringen von mindestens einem Ätzzugang (A) in der Membran im Randbereich (RB);- zumindest teilweises Entfernen (S6) der mindestens ersten ...

Siliziumwaferverbund, Geometrie-Normal und Verfahren zur Herstellung eines Mikrobauteils

Die Erfindung betrifft ein Siliziumwaferverbund (10) aus(a) einem (110)-Siliziumwafer (12) und(b) einem (111)-Siliziumwafer (14), der an den (110)-Siliziumwafer angebondet ist.

Elektrische Komponente mit Hohlraum und Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Komponente mit einem Hohlraum

Eine verbesserte elektrische Komponente und ein Verfahren zum Herstellen einer derartigen elektrischen Komponente werden bereitgestellt. Die Vorrichtung umfasst ein Trägersubstrat und eine Kappe. Die Kappe umfasst ein erstes Material und ein zweites Material, und das erste Material weist einen höheren Wärmeausdehnungskoeffizienten als das zweite Material auf.

Verfahren zur Herstellung eines Inertialsensors und Inertialsensor

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Inertialsensors (1) mit mindestens einer Schwingmasse (2) und mindestens einer integrierten Schaltung (3) vorgeschlagen, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:-- Bereitstellen eines Wafersubstrats (4), aufweisend eine Wafervorderseite (5), eine Waferrückseite (6), eine Haupterstreckungsebene (7) und eine, auf der Haupterstreckungsebene (7) senkrecht stehende vertikale Richtung (8);-- Ausbilden der integrierten Schaltung (3) auf der Wafervorderseite (5);-- Freilegen der Schwingmasse (2) durch Bildung einer Ausnehmung (10) im Wafersubstrat (4) derart, dass die freigelegte Schwingmasse (2) über eine Federstruktur (9) mit dem restlichen Wafersubstrat (4) verbunden ist, wobei die Ausnehmung (10) die Schwingmasse (2) bezüglich der Haupterstreckungsebene (7) lateral umgibt und sich außerhalb der Federstruktur (9) in vertikaler Richtung (8) von der Wafervorderseite (5) zur Waferrückseite (6) durch das gesamte Wafersubstrats (4) erstreckt.Weiterhin ...

Feldemissionsvorrichtungen und Verfahren zu ihrer Herstellung

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist eine elektronische Vorrichtung ein erstes Emitter/Kollektor-Gebiet und ein zweites Emitter/Kollektor-Gebiet auf, die in einem Substrat angeordnet sind. Das erste Emitter/Kollektor-Gebiet hat eine erste Kante/Spitze, und das zweite Emitter/Kollektor-Gebiet hat eine zweite Kante/Spitze. Ein Zwischenraum trennt die erste Kante/Spitze von der zweiten Kante/Spitze. Das erste Emitter/Kollektor-Gebiet, das zweite Emitter/Kollektor-Gebiet und der Zwischenraum bilden eine Feldemissionsvorrichtung.

Verfahren zum Herstellen mindestens einer Membrananordnung, Membrananordnung für einen mikromechanischen Sensor und Bauteil

Verfahren (18) zum Herstellen mindestens einer Membrananordnung (1) für einen mikromechanischen Sensor zum kalorimetrischen Detektieren von Gasen, wobei- ein waferförmiges Substrat (4) bereitgestellt wird (20),- mindestens ein Referenzvolumen (6) unter Bildung einer das Referenzvolumen (6) zumindest bereichsweise bedeckenden Referenzmembran (2) von einer Vorderseite (V) in das waferförmige Substrat (4) durch einen oberflächen- oder volumenmikromechanischen Prozess eingebracht (22) wird,- mindestens ein zu dem mindestens einen Referenzvolumen (6) benachbartes Messvolumen (14) von einer Rückseite (R) oder der Vorderseite (V) des waferförmigen Substrats (4) unter Bildung einer Messmembran (10) in das waferförmige Substrat (4) eingebracht (25) wird, wobei eine fluidleitende Verbindung zum Messvolumen (14) von der Rückseite (R) des waferförmigen Substrats (4) eingebracht wird,- ein waferförmiges Kappensubstrat (8) auf die Vorderseite (V) des waferförmigen Substrats (4) aufgebracht wird (23).

Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen und mikrooptomechanischen Strukturen mit Rückseitenmetallisierung

Aufbringung von Schutzmaterial auf Wafer-Ebene bei einem Eingangsprozess für Frühphasen-Teilchen- und -Feuchtigkeitsschutz

Ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung desselben werden derart bereitgestellt, dass ein Element mit mikroelektromechanischen Systemen (MEMS-Element) in einer frühen Herstellungsphase geschützt wird. Ein Verfahren zum Schützen eines MEMS-Elements beinhaltet folgende Schritte: Bereitstellen zumindest eines MEMS-Elements mit einem empfindlichen Bereich auf einem Substrat; und Aufbringen, vor einem Package-Zusammenbau-Prozess, eines Schutzmaterials über dem empfindlichen Bereich des zumindest einen MEMS-Elements, so dass der empfindliche Bereich zumindest eines MEMS-Elements vor einer äußeren Umgebung abgedichtet ist, wobei das Schutzmaterial eine Sensorfunktionalität des zumindest einen MEMS-Elements erlaubt.

Mikromechanisches Bauteil für eine kapazitive Drucksensorvorrichtung

Die Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauteil für eine kapazitive Drucksensorvorrichtung mit einem Substrat (10), einer Rahmenstruktur (12), welche eine Teiloberfläche (16) umrahmt, einer Membran (18), welche mittels der Rahmenstruktur (12) derart aufgespannt ist, dass ein freitragender Bereich (20) der Membran (18) die umrahmte Teiloberfläche (16) überspannt und ein Innenvolumen (22) mit einem darin vorliegenden Referenzdruck (p) luftdicht abgedichtet ist, und wobei der freitragende Bereich (20) der Membran (18) mittels eines physikalischen Drucks (p) auf einer Außenseite (20a) des freitragenden Bereichs (20) ungleich dem Referenzdruck (p) verformbar ist, und einer Messelektrode (24), welche auf der umrahmten Teiloberfläche (16) angeordnet ist, wobei eine Referenzmesselektrode (26) zusätzlich zu der Messelektrode (24) auf der umrahmten Teiloberfläche (16) angeordnet ist, jedoch von der Messelektrode (24) elektrisch isoliert ist. Ebenso betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren ...

Verfahren zur Herstellung eines Membran-Bauelements und ein Membran-Bauelement

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Membran-Bauelements mit einer Membran aus einer dünnen Schicht (< 1 um, Dünnschichtmembran). Das Membran-Bauelement kann bei mikroelektromechanischen Systemen (MEMS) eingesetzt werden. Die Erfindung soll ein Verfahren zur Herstellung eines Membran-Bauelements bereitstellen, wobei die Membran mit hochpräzisen Membranabmessungen und frei wählbarer Membrangeometrie herstellbar ist. Erreicht wird das mit einem Verfahren, umfassend ... Bereitstellen einer Halbleiterscheibe (100) mit einer ersten Schicht (116), einer zweiten Schicht (118) und einer dritten Schicht (126). Aufbringen (12) einer ersten Maskierungsschicht (112) auf die erste Schicht (116), wobei die erste Maskierungsschicht (112) eine erste selektiv bearbeitbare Fläche (114) zur Festlegung einer Geometrie der Membran (M1) definiert. Bilden (13) einer ersten Vertiefung (120) durch anisotropes Ätzen (13) der ersten Schicht (116) und Entfernen der ersten Maskierungsschicht ( ...

Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersensors für eine dynamische Grösse

VERFAHREN ZUR SCHAFFUNG GLEICHMÄSSIGER DICKE UND ZUR KAPSELUNG VON MIKROMECHANISCHEN ANORDNUNGEN IN HALBLEITERPROZESSEN

Verfahren zur Herstellung von mikro-elektromechanischen Anordnungen hoher Isolation

Verfahren zur Durchführung eines Selbsttests für eine mikromechanische Sensorvorrichtung und entsprechende mikromechanische Sensorvorrichtung

Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Durchführung eines Selbsttests für eine mikromechanische Sensorvorrichtung und eine entsprechende mikromechanische Sensorvorrichtung. Das Verfahren weist folgende Schritte auf: Anregen der Sensorvorrichtung (1) mit einem ersten Anregungssignalverlauf in einem ersten Selbsttest; Speichern eines entsprechenden ersten Antwortsignalverlaufs der Sensorvorrichtung (1); Anregen der Sensorvorrichtung (1) mit einem zweiten Signalverlauf in einem zweiten Selbsttest; Speichern eines entsprechenden zweiten Antwortsignalverlaufs der Sensorvorrichtung (1); Analysieren des ersten und zweiten Antwortsignalverlaufs bezüglich mindestens eines vorgegebenen Kriteriums und Erstellen eines Selbsttestergebnisses, basierend auf dem Analyseresultat des ersten und zweiten Antwortsignalverlaufs.

Verfahren zum Erzeugen einer Polymer-Struktur auf einer Substratoberfläche

Verfahren zum Erzeugen einer Polymer-Struktur (21) auf einer Substratoberfläche, mit folgenden Schritten: Aufbringen (S13) einer Haft-Schicht (13) aus einem ersten Polymer-Material auf die Substratoberfläche, wobei als erstes Polymer-Material ein SU-8-Photolack verwendet wird; Strukturieren (S15) der Haft-Schicht (13), sodass in einem ersten Bereich das erste Polymer-Material der Haft-Schicht (13) entfernt wird und in einem zweiten Bereich das erste Polymer-Material der Haft-Schicht (13) verbleibt; Aufbringen (S19) einer Polymer-Schicht (17) eines zweiten Polymer-Materials unmittelbar auf die Substratoberfläche und die verbleibende Haft-Schicht (15), wobei als zweites Polymer-Material ein SU-8-Photolack mit einer höheren Viskosität als das erste Polymer-Material verwendet wird; und Strukturieren (S21) der Polymer-Schicht (17), sodass dieselbe nur in dem zweiten Bereich und somit auf der verbleibenden Haft-Schicht (15) verbleibt, wobei die Polymer-Struktur (21) die verbleibende Haft-Schicht ...

Elektronische Baugruppe und Verfahren zur Verkapselung elektronischer Bauelemente und integrierter Schaltungen

Verfahren zum Verkapseln elektronischer Bauelemente, umfassend: a) Bereitstellen zumindest eines Trägersubstrats (1), b) Erzeugen zumindest einer Ausnehmung (7) in einer Oberseite (1a) des Trägersubstrats (1), die zumindest eine Stufe (11) umfasst, c) Anordnen zumindest eines ersten elektronischen Bauelements (61) zumindest teilweise auf der Stufe (11), um das erste elektronische Bauelement (61) im Abstand von einem Boden (71) der Ausnehmung (7) anzuordnen und Anordnen zumindest eines zweiten elektronischen Bauelements (62) auf der Oberseite (1a) des Trägersubstrats (1) angrenzend an die Ausnehmung (7), und d) zumindest teilweises Abdecken der Oberseite (1a) des Trägersubstrats (1) mit einer Deckschicht (4).

Structured silicon body with directed thermal conductivity properties for sensor insulation, is made porous with selected crystal orientation

Largely-crystalline silicon is made porous starting from an edge (15) of a region (11). The orientation differs from -100- orientation, or from an equivalent crystal orientation based on symmetry. An Independent claim is also included for a corresponding method in which thermal conductivity is orientated selectively, through introduction of porosity into an orientated crystalline body.

Verfahren zum Ausbilden von Aussparungen in einem Halbleiterbauelement und mit dem Verfahren hergestelltes Bauelement

Verfahren zum Herstellen wenigstens einer Aussparung (12) in einem Halbleiterbauelement (1, 10) mit den Schritten:Aufbringen wenigstens einer Maske (20) auf dem Halbleiterbauelement (1, 10),Ausbilden wenigstens eines Gitters (22) mit mehreren Gitteröffnungen (26) in der Maske (20) über der auszubildenden Aussparung (12), wobei die Gitteröffnungen (26) in Abhängigkeit von der Ätzrate und/oder Dimensionierung der auszubildenden Aussparung (12) ausgebildet sind,wobei für eine breitere Aussparung (12) und/oder eine randnahe Aussparung (12) ein Gitter (22) mit kleineren Gitteröffnungen (26) und für eine schmälere Aussparung (12) und/oder eine Aussparung (12) im Innenbereich des Halbleiterbauelements (1, 10) ein Gitter (22) mit größeren Gitteröffnungen (26) über der auszubildenden Aussparung (12) in der Maske (20) ausgebildet wird;Ausbilden der Aussparung (12) unterhalb des Gitters (22).

Ultrafeine Teilchenstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung

Mikroherstellungsprozess zur Herstellung von geometrisch miniaturisierten Mikrostrukturen aus dreidimensionalen Gebilden

Method for producing a stamp for hot embossing

The present invention provides a process for producing a stamp for hot embossing (HE). The stamp can be constructed from any photo-resist epoxy that is stable at temperatures equal to the glass transition temperature (T g ) of the material to be stamped. The stamp can be used repeatedly without significant distortion of features. The stamp benefits from low relative cost, high fidelity of features in all three-dimensions and fast construction. The process for producing a stamp for hot embossing from a resist, comprising the steps of producing a seed layer L 1 from a selected photoresist polymer material, soft baking the seed layer L 1 , exposing said seed layer L 1 to initiate cross-linking and then post-exposure bake L 1 to fully cross-link it, coating the cross-linked seed layer L 1 with a second photoresist polymer layer L 2 ; soft baking the second photoresist polymer layer L 2 ; applying a mask to the top surface of the soft baked layer L 2 and illuminating the unmasked portions of the soft baked layer L 2 with UV radiation through the mask, wherein the exposed areas form the pattern of the embossing features, washing away un-exposed regions of the photoresist with a developer to leave behind a relief pattern formed in the second photoresist polymer layer L 2 , which relief pattern corresponds to a pattern in the mask.

Устройство для получения наноструктур на подложке

Устройство для получения наноструктур на подложке, содержащее пьезопривод, жестко связанный с зондом конусообразной формы и неподвижной направляющей, подложку, установленную на координатном столе, отличающееся тем, что на зонд жестко установлена фокусирующая втулка, имеющая потенциал того же знака что и зонд, втулка электрически изолирована от зонда и подложки изоляторами, причем внутренний диаметр втулки составляет 1,5-2 диаметров зонда, наружный – 3-5 диаметров зонда, а выступ острия зонда относительно торца втулки равен 0,5-1 мкм. (19) RU (11) 29 926 (13) U1 (51) МПК B81C 1/00 (2000.01) РОССИЙСКОЕ АГЕНТСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21), (22) Заявка: 2002132103/20 , 04.12.2002 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 04.12.2002 (46) Опубликовано: 10.06.2003 (72) Автор(ы): Ивашов Е.Н., Кузькин В.И., Дульцев А.А. U 1 2 9 9 2 6 R U (57) Формула полезной модели Устройство для получения наноструктур на подложке, содержащее пьезопривод, жестко связанный с зондом конусообразной формы и неподвижной направляющей, подложку, установленную на координатном столе, отличающееся тем, что на зонд жестко установлена фокусирующая втулка, имеющая потенциал того же знака что и зонд, втулка электрически изолирована от зонда и подложки изоляторами, причем внутренний диаметр втулки составляет 1,5-2 диаметров зонда, наружный – 3-5 диаметров зонда, а выступ острия зонда относительно торца втулки равен 0,5-1 мкм. Ñòðàíèöà: 1 U 1 (54) Устройство для получения наноструктур на подложке 2 9 9 2 6 (73) Патентообладатель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) R U Адрес для переписки: 109028, Москва, Б. Трехсвятительский пер., 3/12, МГИЭМ, отдел охраны интеллектуальной собственности, пат. пов. Т.В. Григорьевой, рег. № 34 (71) Заявитель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального ...

УСТРОЙСТВО ВОССТАНОВЛЕНИЯ ЗОНДОВ ДЛЯ НАНОТЕХНОЛОГИИ

Устройство восстановления зондов, содержащее вакуумную камеру, внутри которой расположены анод и катод, связанные с источником питания, отличающееся тем, что анод выполнен в виде сетки, внутри вакуумной камеры установлен источник электромагнитного излучения с возможностью подачи электромагнитного потока через сетку-анод на катод, на котором установлен пакет изношенных зондов, причем сам пакет выполнен из диэлектрического материала, а каждый зонд электрически связан с катодом. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 40 534 (13) U1 (51) МПК H01J 37/28 (2000.01) B81C 3/00 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004105407/22 , 26.02.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 26.02.2004 (46) Опубликовано: 10.09.2004 (73) Патентообладатель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) (RU) U 1 4 0 5 3 4 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели Устройство восстановления зондов, содержащее вакуумную камеру, внутри которой расположены анод и катод, связанные с источником питания, отличающееся тем, что анод выполнен в виде сетки, внутри вакуумной камеры установлен источник электромагнитного излучения с возможностью подачи электромагнитного потока через сетку-анод на катод, на котором установлен пакет изношенных зондов, причем сам пакет выполнен из диэлектрического материала, а каждый зонд электрически связан с катодом. 4 0 5 3 4 (54) УСТРОЙСТВО ВОССТАНОВЛЕНИЯ ЗОНДОВ ДЛЯ НАНОТЕХНОЛОГИИ R U Адрес для переписки: 109028, Москва, Б.Трехсвятительский пер., 3/12, МГИЭМ, отдел охраны интеллектуальной собственности, пат.пов. Т.В. Григорьевой, рег.№ 34 (72) Автор(ы): Ивашов Е.Н. (RU), Степочкин А.А. (RU) U 1 U 1 4 0 5 3 4 4 0 5 3 4 R U R U Ñòðàíèöà: 2 RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 40 534 U1 Полезная модель относится к области машиностроения, а ...

УСТРОЙСТВО ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ДЛЯ НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ

1. Устройство перемещения для нанотехнологического оборудования, содержащее неподвижное основание с закрепленными на нем пьезоприводами, на которых установлены зонды, электрически взаимодействующие с подложками, отличающееся тем, что устройство снабжено средством, обеспечивающим круговое перемещение подложек. 2. Устройство перемещения для нанотехнологического оборудования по п.1, отличающееся тем, что средство, обеспечивающее круговое перемещение подложек, выполнено в виде вращающегося подложкодержателя. 3. Устройство перемещения для нанотехнологического оборудования по пп.1 и 2, отличающееся тем, что вращающийся подложкодержатель выполнен в виде подвижной карусели. 4. Устройство перемещения для нанотехнологического оборудования по пп.1 и 2, отличающееся тем, что вращающийся подложкодержатель выполнен в виде цилиндра. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 40 551 (13) U1 (51) МПК H02N 2/00 (2000.01) B81C 1/00 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004107375/20 , 16.03.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 16.03.2004 (46) Опубликовано: 10.09.2004 (73) Патентообладатель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) (RU) U 1 4 0 5 5 1 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели 1. Устройство перемещения для нанотехнологического оборудования, содержащее неподвижное основание с закрепленными на нем пьезоприводами, на которых установлены зонды, электрически взаимодействующие с подложками, отличающееся тем, что устройство снабжено средством, обеспечивающим круговое перемещение подложек. 2. Устройство перемещения для нанотехнологического оборудования по п.1, отличающееся тем, что средство, обеспечивающее круговое перемещение подложек, выполнено в виде вращающегося подложкодержателя. 3. Устройство перемещения для ...

НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО

Устройство для получения наноструктур на подложке, содержащее пьезопривод, жестко связанный с зондом конусообразной формы и неподвижной направляющей, подложку, установленную на координатном столе, отличающееся тем, что устройство дополнительно снабжено источником пульсирующего СВЧ-напряжения. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 47 871 (13) U1 (51) МПК B81C 1/00 (2000.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2004117982/22 , 17.06.2004 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 17.06.2004 (45) Опубликовано: 10.09.2005 R U 4 7 8 7 1 Формула полезной модели Устройство для получения наноструктур на подложке, содержащее пьезопривод, жестко связанный с зондом конусообразной формы и неподвижной направляющей, подложку, установленную на координатном столе, отличающееся тем, что устройство дополнительно снабжено источником пульсирующего СВЧ-напряжения. Ñòðàíèöà: 1 U 1 U 1 (54) НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО 4 7 8 7 1 (73) Патентообладатель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (Технический Университет) (RU) R U Адрес для переписки: 109028, Москва, Б. Трехсвятительский пер., 3/12, МГИЭМ, отдел охраны интеллектуальной собственности, пат. пов. Т.В. Григорьевой, рег.№34 (72) Автор(ы): Железов П.Е. (RU) , Ивашов Е.Н. (RU), Коломейцев Н.П. (RU), Кондратьев Д.П. (RU), Тихоглаз Ю.С. (RU) , Юсупов Б.Б. (RU) RU 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 47 871 U1 Полезная модель относится к области нанотехники, а более конкретно к нанотехнологическим устройствам. Известно нанотехнологическое устройство, содержащее пьезопривод, установленный на неподвижном основании, зонд, связанный с пьезоприводом, подложко держатель с подложкой электрически связанной с зондом [Неволин В.К. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии. - Учебное пособие /М.: МИЭТ 2000г. (аналог)]. Недостатком ...

УСТРОЙСТВО КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА ИОННО-ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ИОННО-ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ

1. Устройство контроля процесса ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии, включающее металлический цилиндрический контейнер с размещенным в нем подложкодержателем с образцом, сеткой и приемником электронов под положительным потенциалом, отличающееся тем, что над подложкодержателем с образцом размещен приемник электронов, находящийся под положительным относительно «земли» потенциалом. 2. Устройство контроля процесса ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии по п.1, отличающееся тем, что приемник электронов выполнен чашеобразной формы, открытая часть которой направлена в сторону образца с подложкодержателем. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 84 366 U1 (51) МПК B81C 5/00 (2006.01) H05K 13/08 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка: 2009107726/22, 03.03.2009 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 03.03.2009 (45) Опубликовано: 10.07.2009 (73) Патентообладатель(и): Билалов Билал Аругович (RU) U 1 8 4 3 6 6 R U Ñòðàíèöà: 1 U 1 Формула полезной модели 1. Устройство контроля процесса ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии, включающее металлический цилиндрический контейнер с размещенным в нем подложкодержателем с образцом, сеткой и приемником электронов под положительным потенциалом, отличающееся тем, что над подложкодержателем с образцом размещен приемник электронов, находящийся под положительным относительно «земли» потенциалом. 2. Устройство контроля процесса ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии по п.1, отличающееся тем, что приемник электронов выполнен чашеобразной формы, открытая часть которой направлена в сторону образца с подложкодержателем. 8 4 3 6 6 (54) УСТРОЙСТВО КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА ИОННО-ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ...

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ УПОРЯДОЧЕННЫХ МИКРОСТРУКТУР ДИСЛОКАЦИЙ В ПРИПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Устройство для формирования упорядоченных микроструктур дислокаций в приповерхностном слое полупроводников, состоящее из импульсного YAG:Nd лазера, светоделительной пластины, поворотных зеркал и фокусирующей линзы, отличающееся тем, что данное устройство позволяет проводить микроструктурирование интенсивности лазерного излучения путем интерференции двух лазерных лучей, полученных при расщеплении исходного лазерного луча, между которыми вносится определенная разность хода, и затем оба луча фокусируются на поверхность полупроводниковой пластины, на которой они интерферируют, приводя к нагреву поверхности с распределением температуры, повторяющем форму интерференционной картины, и к генерации упорядоченных микроструктур дислокаций. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 111 533 U1 (51) МПК B81C 1/00 (2006.01) H01L 21/268 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ (21)(22) Заявка: ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2011129857/28, 19.07.2011 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 19.07.2011 (72) Автор(ы): Банишев Александр Федорович (RU), Банишев Александр Александрович (RU) (45) Опубликовано: 20.12.2011 Бюл. № 35 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ УПОРЯДОЧЕННЫХ МИКРОСТРУКТУР ДИСЛОКАЦИЙ В ПРИПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1 1 1 5 3 3 Адрес для переписки: 140700, Московская обл., г. Шатура, ул. Святоозерская, 1, УРАН Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН (ИПЛИТ РАН) R U (73) Патентообладатель(и): Учреждение Российской академии наук Институт проблем лазерных и информационных технологий (RU) Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 19.07.2011 1 1 1 5 3 3 R U приповерхностном слое полупроводников, состоящее из импульсного YAG:Nd3+ лазера, светоделительной пластины, поворотных зеркал и фокусирующей линзы, отличающееся тем, что данное устройство позволяет проводить микроструктурирование интенсивности лазерного излучения путем интерференции двух лазерных лучей, полученных при расщеплении исходного лазерного луча, между ...

Method for Reducing Chip Warpage

A method of forming an integrated circuit structure including providing a wafer comprising a front surface and a back surface, wherein the wafer comprises a chip; forming an opening extending from the back surface into the chip; filling an organic material in the opening, wherein substantially no portion of the organic material is outside of the opening and on the back surface of the wafer; and baking the organic material to cause a contraction of the organic material.

Guided self-assembly of block copolymer line structures for integrated circuit interconnects

Complex self-assembled patterns can be created using a sparse template and local changes to the shape or distribution of the posts of the template to direct pattern generation of block copolymer. The post spacing in the template is formed commensurate with the equilibrium periodicity of the block copolymer, which controls the orientation of the linear features. Further, the posts can be arranged such that the template occupies only a few percent of the area of the final self-assembled patterns. Local aperiodic features can be introduced by changing the period or motif of the lattice or by adding guiding posts. According to one embodiment, an array of carefully spaced and shaped posts, prepared by electron-beam patterning of an inorganic resist, can be used to template complex patterns in a cylindrical-morphology block copolymer. These complex self-assembled patterns can form a mask used in fabrication processes of arbitrary structures such as interconnect layouts.

Surface mount mems device structure and fabricating method thereof for crystal oscillators

A method of fabricating surface mount micro electro mechanical systems (MEMS) device includes forming SMD MEMS crystal oscillator devices on wafer and forming its bonding structure, also can either use lithographic packing process or single package mount bonding crystal blanks packing process. The method further includes embedded crystal device into the integrated circuit, it effectively to eliminate the use of extra the discrete components, reduced the fabrication cost and fail rate for system in package (SIP) or chip on board (COB) packing.

Process for manufacturing a micromechanical structure having a buried area provided with a filter

A process for manufacturing a micromechanical structure envisages: forming a buried cavity within a body of semiconductor material, separated from a top surface of the body by a first surface layer; and forming an access duct for fluid communication between the buried cavity and an external environment. The method envisages: forming an etching mask on the top surface at a first access area; forming a second surface layer on the top surface and on the etching mask; carrying out an etch such as to remove, in a position corresponding to the first access area, a portion of the second surface layer, and an underlying portion of the first surface layer not covered by the etching mask until the buried cavity is reached, thus forming both the first access duct and a filter element, set between the first access duct and the same buried cavity.

Bonded Microelectromechanical Assemblies

A MEMS device is described that has a body with a component bonded to the body. The body has a main surface and a side surface adjacent to the main surface and smaller than the main surface. The body is formed of a material and the side surface is formed of the material and the body is in a crystalline structure different from the side surface. The body includes an outlet in the side surface and the component includes an aperture in fluid connection with the outlet.

Bonding unit control unit and multi-layer bonding method

A multi-layer bonding method of the present invention includes: forming a first bonded substrate by bonding a first substrate and an intermediate substrate in a bonding chamber; conveying a second substrate inside said bonding chamber when said first bonded substrate is arranged inside said bonding chamber; and forming a second bonded substrate by bonding said first bonded substrate and said second substrate in said bonding chamber. According to such a multi-layer bonding method, the upper-side substrate can be bonded with an intermediate substrate and then a first bonded substrate is bonded with a lower-side substrate without taking out the first bonded substrate from the bonding chamber. For this reason, a second bonded substrate can be produced at high speed and at a low cost.

Microphone and accelerometer

The invention relates to a method for manufacturing a micromachined microphone and an accelerometer from a wafer 1 having a first layer 2 , the method comprising the steps of dividing the first layer 2 into a microphone layer 5 and into an accelerometer layer 6 , covering a front side of the microphone layer 5 and a front side of the accelerometer layer 6 with a continuous second layer 7 , covering the second layer 7 with a third layer 8 , forming a plurality of trenches 9 in the third layer 8 , removing a part 10 of the wafer 1 below a back side of the microphone layer 5 , forming at least two wafer trenches 11 in the wafer 1 below a back side of the accelerometer layer 6 , and removing a part 12, 13 of the second layer 7 through the plurality of trenches 9 formed in the third layer 8 . The micromachined microphone and the accelerometer according to the invention is advantageous over prior art as it allows for body noise cancellation in order to minimize structure borne sound.

Method to form nanopore array

A method of forming nanopore is provided that includes forming a first structure on a substrate, and forming a second structure overlying the first structure. An intersecting portion of the first and the second structures is etched to provide an opening of nanopore dimensions. The substrate may be etched with a backside substrate etch to expose the nanopore opening.

Methods Of Forming Patterns, And Methods Of Forming Integrated Circuits

Some embodiments include methods of forming patterns in substrates by utilizing block copolymer assemblies as patterning materials. A block copolymer assembly may be formed over a substrate, with the assembly having first and second subunits arranged in a pattern of two or more domains. Metal may be selectively coupled to the first subunits relative to the second subunits to form a pattern of metal-containing regions and non-metal-containing regions. At least some of the block copolymer may be removed to form a patterned mask corresponding to the metal-containing regions. A pattern defined by the patterned mask may be transferred into the substrate with one or more etches. In some embodiments, the patterning may be utilized to form integrated circuitry, such as, for example, gatelines.

MEMS Sensor Package

A MEMS sensor package includes a support and a MEMS sensor chip having a mounting side adhered on the support by a point-shaped adhesive or a linear-shaped adhesive in such a way that the MEMS sensor chip has a free side opposite to the mounting and suspended above the support. Because the MEMS sensor chip has the free side that is not restrained on the support, the stress due to deformation of the support will not affect the accuracy of the MEMS sensor chip.

Inductive getter activation for high vacuum packaging

An approach to activating a getter within a sealed vacuum cavity is disclosed. The approach uses inductive coupling from an external coil to a magnetically permeable material deposited in the vacuum cavity. The getter material is formed over this magnetically permeable material, and heated specifically thereby, leaving the rest of the device cavity and microdevice relatively cool. Using this inductive coupling technique, the getter material can be activated after encapsulation, and delicate structures and low temperature wafer bonding mechanisms may be used.

Substrate bonding with metal germanium silicon material

In one embodiment, a semiconductor structure including a first substrate, a semiconductor device on the first substrate, a second substrate, and a conductive bond between the first substrate and the second substrate that surrounds the semiconductor device to seal the semiconductor device between the first substrate and the second substrate. The conductive bond comprises metal, silicon, and germanium. A percentage by atomic weight of silicon in the conductive bond is greater than 5%.

Bond ring for a first and second substrate

The present disclosure provides a device having a plurality of bonded substrates. The substrates are bonded by a first bond ring and a second bond ring. In an embodiment, the first bond ring is a eutectic bond and the second bond ring is at least one of an organic material and a eutectic bond. The second bond ring encircles the first bond ring. The first bond ring provides a hermetic region of the device. In a further embodiment, a plurality of wafers are bonded which include a third bond ring disposed at the periphery of the wafers.

Package systems and manufacturing methods thereof

A package system includes a first substrate and a second substrate. The second substrate is electrically coupled with the first substrate. The second substrate includes at least one first opening. At least one electrical bonding material is disposed between the first substrate and the second substrate. A first portion of the at least one electrical bonding material is at least partially filled in the at least one first opening.

Package systems and manufacturing methods thereof

A package system includes a first substrate. A second substrate is electrically coupled with the first substrate. At least one electrical bonding material is disposed between the first substrate and the second substrate. The at least one electrical bonding material includes a eutectic bonding material. The eutectic bonding material includes a metallic material and a semiconductor material. The metallic material is disposed adjacent to a surface of the first substrate. The metallic material includes a first pad and at least one first guard ring around the first pad.

Handling layer for transparent substrate

A device is provided which includes a transparent substrate. An opaque layer is disposed on the transparent substrate. A conductive layer disposed on the opaque layer. The opaque layer and the conductive layer form a handling layer, which may be used to detect and/or align the transparent wafer during fabrication processes. In an embodiment, the conductive layer includes a highly-doped silicon layer. In an embodiment, the opaque layer includes a metal. In embodiment, the device may include a MEMs device.

Vertical electrode structure using trench and method for fabricating the vertical electrode structure

Provided is a vertical electrode structure using a trench and a method of manufacturing the vertical electrode structure. The method of forming a vertical electrode structure using a trench includes steps of: forming the trench on a predetermined region of a semiconductor substrate; and forming electrode layers in predetermined regions of inner and outer portions of the trench. In this manner, the electrode deposition in the vertical direction is established by using the trench, so that it is possible to form a deposited electrode having a size of several hundred nm or less by a short processing time and a low processing cost.

Channel and method of forming channels

A device is made by forming sacrificial fibers on a substrate mold. The fibers and mold are covered with a first material. The substrate mold is removed, and the covered fibers are then removed to form channels in the first material.

Superhydrophobic films

Superhydrophobic films and methods of making such films are disclosed. More particularly, superhydrophobic films having durable nanostructures with high contrast ratios and various methods of producing such films are disclosed.

Disposable Bond Gap Control Structures

In certain embodiments, a bond gap control structure (BGCS) is placed outwardly from a substrate. The BGCS is configured to control a geometry of a bond line of a joining material. The joining material is deposited outwardly from the substrate. The substrate is bonded to another substrate with the joining material. The BGCS is at least partially removed from the substrate.

3-dimensional standing type metamaterial structure and method of fabricating the same

Provided are 3-dimensional standing type metamaterial structures and methods of fabricating the same. The 3-dimensional metamaterial structure includes a substrate; and a resonator, which includes a fixing unit fixed to the substrate; and a plurality of arms, which extend from the fixing unit and are curved upward on the substrate, wherein permittivity, permeability, and refractive index of the metamaterial structure in a predetermined frequency band differ from permittivity, permeability, and refractive index of the substrate. The resonator may be easily fabricated in MEMS/NEMS (micro-electro-mechanical system/nano-electro-mechanical system) processes.

Systems and methods for a four-layer chip-scale mems device

Systems and methods for a micro-electromechanical system (MEMS) apparatus are provided. In one embodiment, a system comprises a first double chip that includes a first base layer; a first device layer bonded to the first base layer, the first device layer comprising a first set of MEMS devices; and a first top layer bonded to the first device layer, wherein the first set of MEMS devices is hermetically isolated. The system also comprises a second double chip that includes a second base layer; a second device layer bonded to the second base layer, the second device layer comprising a second set of MEMS devices; and a second top layer bonded to the second device layer, wherein the second set of MEMS devices is hermetically isolated, wherein a first top surface of the first top layer is bonded to a second top surface of the second top layer.

Pattern forming method

According to one embodiment, a pattern including first and second block phases is formed by self-assembling a block copolymer onto a film to be processed. The entire block copolymer present in a first region is removed under a first condition by carrying out energy beam irradiation and development, thereby leaving a pattern including the first and second block phases in a region other than the first region. The first block phase present in a second region is selectively removed under a second condition by carrying out energy beam irradiation and development, thereby leaving a pattern including the first and second block phases in an overlap region between a region other than the first region and a region other than the second region, and leaving a pattern of second block phase in the second region excluding the overlap region. The film is etched with the left patterns as masks.

Method and system for packaging a display

A package structure and method of packaging for an interferometric modulator. A transparent substrate having an interferometric modulator formed thereon is provided. A backplane is joined to the transparent substrate with a seal where the interferometric modulator is exposed to the surrounding environment through an opening in either the backplane or the seal. The opening is sealed after the transparent substrate and backplane are joined and after any desired desiccant, release material, and/or self-aligning monolayer is introduced into the package structure.

Micromechanical component

A micromechanical component includes: a substrate having a multitude of trench structures which separate a first and a second mass element of the substrate from a web element of the substrate, in such a way that the first and second mass elements enclose the web element along an extension direction of the main surface of the substrate and are disposed to allow movement relative to the substrate in the direction of a surface normal of the main surface; a first electrode layer applied on the main surface of the substrate and forms a first electrode on the web element between the first and second mass elements; and a second electrode layer applied on the first and second mass elements and forming a self-supporting second electrode above the first electrode in the area of the web element, the first and second electrode forming a capacitance.

Device and method for coating a micro- and/or nano-structured structural substrate and coated structural substrate

The present invention relates to a device and a method for coating a microstructured and/or nanostructured structured substrate. According to the present invention, the coating is performed in a vacuum chamber. The pressure level in the vacuum chamber is elevated during or after the charging of the vacuum chamber with coating substance.

Self-assembly of lithographically patterned polyhedral nanostructures and formation of curving nanostructures

The self-assembly of polyhedral nanostructures having at least one dimension of about 100 nm to about 900 nm with electron-beam lithographically patterned surfaces is provided. The presently disclosed three-dimensional nanostructures spontaneous assemble from two-dimensional, tethered panels during plasma or wet chemical etching of the underlying silicon substrate. Any desired surface pattern with a width as small as fifteen nanometers can be precisely defined in all three dimensions. The formation of curving, continuous nanostructures using extrinsic stress also is disclosed.

Mems switches and fabrication methods

MEMS switches and methods of fabricating MEMS switches. The switch has a vertically oriented deflection electrode having a conductive layer supported by a supporting layer, at least one drive electrode, and a stationary electrode. An actuation voltage applied to the drive electrode causes the deflection electrode to be deflect laterally and contact the stationary electrode, which closes the switch. The deflection electrode is restored to a vertical position when the actuation voltage is removed, thereby opening the switch. The method of fabricating the MEMS switch includes depositing a conductive layer on mandrels to define vertical electrodes and then releasing the deflection electrode by removing the mandrel and layer end sections.

Resin bonding method by photoirradiation, method for producing resin article, resin article produced by the same method, method for producing microchip, and microchip produced by the same method

A resin bonding method according to the present invention is a resin bonding method for bonding a first resin and a second resin including (I) a step of irradiating spaces containing oxygen molecules with vacuum ultraviolet light having a wavelength of 175 nm or less, the spaces being in contact with surfaces of the first and second resins; and (II) a step of, after the irradiation, subjecting the surfaces to temperature rise while the surfaces are in contact with each other, to bond the first resin and the second resin together with the surfaces serving as bonding surfaces. In the step (I), the surfaces of the first and second resins may be further irradiated with the vacuum ultraviolet light. In this case, a light amount of the vacuum ultraviolet light having reached the surfaces is preferably, for example, 0.1 J/cm 2 or more and 10 J/cm 2 or less.

Wafer Level Structures and Methods for Fabricating and Packaging MEMS

Methods of fabricating a Micro-Electromechanical System (MEMS) in a hermetically sealed cavity formed at a substrate level are provided. Generally, the method comprises: (i) forming a number of first open cavities in a surface of a first substrate and a number of second open cavities in a surface of a second substrate corresponding to the first open cavities; (ii) forming an actuator/sensor layer including a number of MEMS devices with electrically conductive regions therein; (iii) bonding the first substrate and the second substrate to the actuator/sensor layer so that at least one of the number of the first and second open cavities align with at least one of the number of MEMS devices to form a sealed cavity around the MEMS; and (iv) electrically connecting the electrically conductive regions of the MEMS device to a pad outside of the sealed cavity through an electrical interconnect. Other embodiments are also described.

Method to prevent metal pad damage in wafer level package

The present disclosure provide a method of manufacturing a microelectronic device. The method includes forming a bonding pad on a first substrate; forming wiring pads on the first substrate; forming a protection material layer on the first substrate, on sidewalls and top surfaces of the wiring pads, and on sidewalls of the bonding pad, such that a top surface of the bonding pad is at least partially exposed; bonding the first substrate to a second substrate through the bonding pad; opening the second substrate to expose the wiring pads; and removing the protection material layer.

Thin Semiconductor Device Having Embedded Die Support and Methods of Making the Same

Ultra-thin semiconductor devices, including piezoresistive sensing elements can be formed in a wafer stack that facilitates handling many thin device dice at a wafer level. Three embodiments are provided to form the thin dice in a wafer stack using three different fabrication techniques that include anodic bonding, adhesive bonding and fusion bonding. A trench is etched around each thin die to separate the thin die from others in the wafer stack. A tether layer, also known as a tether, is used to hold thin dice or dice in a wafer stack. Such as wafer stack holds many thin dice together at a wafer level for handling and enables easier die picking in packaging processes.

Forming nanometer-sized patterns by electron microscopy

A method for forming nanometer-sized patterns and pores in a membrane is described. The method comprises incorporating a reactive material onto the membrane, the reactive material being a material capable of lowering an amount of energy required for forming a pore and/or pattern by irradiating the membrane material with an electron beam, thus leading to a faster pore and/or pattern formation.

Composite sacrificial structure for reliably creating a contact gap in a mems switch

The present Disclosure provides for fabrication devices and methods for manufacturing a micro-electromechanical system (MEMS) switch on a substrate. The MEMS fabrication device may have a first and second sacrificial layer that form the mold of an actuation member. The actuation member is formed over the first and second sacrificial layers to manufacture a MEMS switch from the MEMS fabrication device.

Processing liquid for suppressing pattern collapse of fine metal structure and method for producing fine metal structure using same

There are provided a processing liquid for suppressing pattern collapse of a fine metal structure, containing at least one member selected from an imidazolium halide having an alkyl group containing 12, 14 or 16 carbon atoms, a pyridinium halide having an alkyl group containing 14 or 16 carbon atoms, an ammonium halide having an alkyl group containing 14, 16 or 18 carbon atoms, a betaine compound having an alkyl group containing 12, 14 or 16 carbon atoms, and an amine oxide compound having an alkyl group containing 14, 16 or 18 carbon atoms, and a method for producing a fine metal structure using the same.

Method for mems device fabrication and device formed

The present invention generally relates to methods for producing MEMS or NEMS devices and the devices themselves. A thin layer of a material having a lower recombination coefficient as compared to the cantilever structure may be deposited over the cantilever structure, the RF electrode and the pull-off electrode. The thin layer permits the etching gas introduced to the cavity to decrease the overall etchant recombination rate within the cavity and thus, increase the etching rate of the sacrificial material within the cavity. The etchant itself may be introduced through an opening in the encapsulating layer that is linearly aligned with the anchor portion of the cantilever structure so that the topmost layer of sacrificial material is etched first. Thereafter, sealing material may seal the cavity and extend into the cavity all the way to the anchor portion to provide additional strength to the anchor portion.

Methods for self-aligned self-assembled patterning enhancement

Methods for producing self-aligned, self-assembled sub-ground-rule features without the need to use additional lithographic patterning. Specifically, the present disclosure allows for the creation of assist features that are localized and self-aligned to a given structure. These assist features can either have the same tone or different tone to the given feature.

Method and apparatus for etching the silicon oxide layer of a semiconductor substrate

An aspect of the invention is to provide a method and apparatus for etching the silicon oxide layer of a semiconductor substrate, whereby the processing time for cleaning or rinsing, as well as any undesired aftereffects by residual hydrofluoric acid, may be reduced, in using the dry etching method involving the use of dense carbon dioxide that contains hydrofluoric acid, during the manufacturing process of a micro-electronic device.

MEMS and Protection Structure Thereof

A protection structure of a pad is provided. The pad is disposed in a dielectric layer on a semiconductor substrate and the pad includes a connection region and a peripheral region which encompasses the connection region. The protection structure includes at least a barrier, an insulation layer and a mask layer. The barrier is disposed in the dielectric layer in the peripheral region. The insulation layer is disposed on the dielectric layer. The mask layer is disposed on the dielectric layer and covers the insulation layer and the mask layer includes an opening to expose the connection region of the pad.

Method for manufacturing structure

A method for manufacturing a structure includes forming a layer of photosensitive material above a substrate, disposing a mask above the layer of photosensitive material, shielding a portion of the layer of photosensitive material other than a first region of the layer of photosensitive material, exposing the first region, moving the mask along a surface of the layer of photosensitive material, shielding a portion of the layer of photosensitive material other than a second region that is a portion of the first region and a third region that is adjacent to the second region and is a portion of the region shielded in the step, and exposing the second region and the third region, and developing the layer of photosensitive material to form surfaces in the layer of photosensitive material at different heights along a direction in which the mask is moved.

Method of producing nanopatterned articles, and articles produced thereby

A nanopatterned surface is prepared by forming a block copolymer film on a miscut crystalline substrate, annealing the block copolymer film, then reconstructing the surface of the annealed block copolymer film The method creates a well-ordered array of voids in the block copolymer film that is maintained over a large area. The nanopatterned block copolymer films can be used in a variety of different applications, including the fabrication of high density data storage media.

Polyhedral oligomeric silsesquioxane compositions, methods of using these compositions, and structures including these compositions

Embodiments of the present disclosure include functionalized polyhedral oligomeric silsesquioxane compositions or mixtures, methods of using functionalized polyhedral oligomeric silsesquioxane compositions, structures including functionalized polyhedral oligomeric silsesquioxane, and the like.

Method for producing an integrated device

An article for producing an integrated device includes a deformable layer and one or more components releasably attached on one surface of the deformable layer.

Mems-microphone

A MEMS microphone having an improved noise performance due to reduced DC leakage current is provided. For that, a minimum distance between a signal line of the MEMS microphone and other conducting structures is maintained. Further, a DC guard structure fencing at least a section of the signal line is provided.

Apparatus for detecting target molecules and related methods

An apparatus for analysis of a sample and in particular of a biological sample. The apparatus contains a microfluidic chip with dies, adapted to be selectively activated or deactivated by presence of target molecules in the biological sample. The apparatus further contains a light source to emit light for illumination of the microfluidic chip and an optical filter to allow passage of the light from the dies once activated or deactivated by the presence of the target molecules. A method for pressurizing a microfluidic chip is also disclosed, where a chamber is provided, the chamber is connected with the microfluidic chip and pressure is applied to the chamber.

Method for Electrochemical Fabrication

An electroplating method that includes: a) contacting a first substrate with a first article, which includes a substrate and a conformable mask disposed in a pattern on the substrate; b) electroplating a first metal from a source of metal ions onto the first substrate in a first pattern, the first pattern corresponding to the complement of the conformable mask pattern; and c) removing the first article from the first substrate, is disclosed. Electroplating articles and electroplating apparatus are also disclosed.

Method for disposing a component

Provided is a method for disposing a component on a substrate ( 100 ), the method comprising steps of: a step (a) of preparing the substrate ( 100 ), a first liquid, and a component-dispersing liquid; a step (b) of applying the first liquid to the substrate ( 100 ) along the +X direction continuously to dispose the first liquid on hydrophilic lines ( 112 ) and hydrophilic body regions ( 111 ) along the +X direction alternately; a step (c) of bringing the component-dispersing liquid in contact with the first liquid disposed on the hydrophilic region ( 111 ); and a step (d) of removing the first liquid and the second liquid from the substrate ( 100 ) to dispose the component on the hydrophilic region ( 111 ).

Low temperature bi-cmos compatible process for mems rf resonators and filters

A method of removal of a first and second sacrificial layer wherein an O 2 plasma or an O 2 -containing environment is introduced to a cavity and a gap region through a plurality of via holes in a cavity capping material.

Self-assembly of block copolymers on topographically patterned polymeric substrates

Highly-ordered block copolymer films are prepared by a method that includes forming a polymeric replica of a topographically patterned crystalline surface, forming a block copolymer film on the topographically patterned surface of the polymeric replica, and annealing the block copolymer film. The resulting structures can be used in a variety of different applications, including the fabrication of high density data storage media. The ability to use flexible polymers to form the polymeric replica facilitates industrial-scale processes utilizing the highly-ordered block copolymer films.

Processes and mounting fixtures for fabricating electromechanical devices and devices formed therewith

Processes and fixtures for producing electromechanical devices, and particularly three-dimensional electromechanical devices such as inertial measurement units (IMUs), through the use of a fabrication process and a three-dimensional assembly process that entail joining single-axis device-IC chips while positioned within a mounting fixture that maintains the orientations and relative positions of the chips during the joining operation.

Method of fabricating liquid film, method of arranging nano particles and substrate having liquid thin film fabricated using the same

A method of fabricating a liquid film is provided. The method comprises the steps of applying hydrophilic liquid onto a substrate with an electrode formed thereunder, covering the hydrophilic liquid with a protection film comprising hydrophobic liquid, dispersing surfactant for reducing the surface tension between the hydrophilic liquid and the protection film, and applying voltage to the hydrophilic liquid and the electrode to wet the substrate with the hydrophilic liquid. With the surfactant and the electro-wetting principle, a contact angle between the hydrophilic liquid and the substrate is controlled. The liquid film having a uniform thickness in nano size is thus formed on the substrate. The protection film prevents the evaporation of the liquid film in the air to thereby secure the stability of the liquid film.

Method for manufacturing micro-structure and optically patternable sacrificial film-forming composition

A micro-structure is manufactured by patterning a sacrificial film, forming an inorganic material film on the pattern, and etching away the sacrificial film pattern through an aperture to define a space having the contour of the pattern. The patterning stage includes the steps of (A) coating a substrate with a composition comprising a cresol novolac resin, a crosslinker, and a photoacid generator, (B) heating to form a sacrificial film, (C) patternwise exposure, (D) development to form a sacrificial film pattern, and (E) forming crosslinks within the cresol novolac resin.

Nonvolatile nano-electromechanical system device

A nonvolatile nano-electromechanical system device is provided and includes a cantilever structure, including a beam having an initial shape, which is supported at one end thereof by a supporting base and a beam deflector, including a phase change material (PCM), disposed on a portion of the beam in a non-slip condition with a material of the beam, the PCM taking one of an amorphous phase or a crystalline phase and deflecting the beam from the initial shape when taking the crystalline phase.

Device for measuring environmental forces and method of fabricating the same

A device for measuring environmental forces, and a method for fabricating the same, is disclosed that comprises a device wafer, the device wafer comprising a first device layer separated from a second device layer by a first insulation layer. The first device wafer is bonded to an etched substrate wafer to create a suspended diaphragm and boss, the flexure of which is determined by an embedded sensing element.

Methods of forming semiconductor structures

A method of forming a semiconductor structure includes forming an opening in a substrate. A dielectric layer is formed and substantially conformal to the opening. A sacrificial structure is formed within the opening, covering a portion of the dielectric layer. A portion of the dielectric layer is removed by using the sacrificial structure as an etch mask layer. The sacrificial structure is removed.

Method of preventing stiction of mems devices

A method and apparatus are disclosed for reducing stiction in MEMS devices. The method comprises patterning a CMOS wafer to expose Titanium-Nitride (TiN) surface for a MEMS stop and patterning the TiN to form a plurality of stop pads on the top metal aluminum surface of the CMOS wafer. The method is applied for a moveable MEMS structure bonded to a CMOS wafer. The TiN surface and/or plurality of stop pads minimize stiction between the MEMS structure and the CMOS wafer. Further, the TiN film on top of aluminum electrode suppresses the formation of aluminum hillocks which effects the MEMS structure movement.

Semiconductor apparatus

The disclosure relates to integrated circuit fabrication, and more particularly to a semiconductor apparatus with a metallic alloy. An exemplary structure for an apparatus comprises a first silicon substrate; a second silicon substrate; and a contact connecting each of the first and second substrates, wherein the contact comprises a Ge layer adjacent to the first silicon substrate, a Cu layer adjacent to the second silicon substrate, and a metallic alloy between the Ge layer and Cu layer.

Micro-electro-mechanical system (mems) and related actuator bumps, methods of manufacture and design structures

Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structures are provided. The method of forming a MEMS structure includes forming a wiring layer on a substrate comprising actuator electrodes and a contact electrode. The method further includes forming a MEMS beam above the wiring layer. The method further includes forming at least one spring attached to at least one end of the MEMS beam. The method further includes forming an array of mini-bumps between the wiring layer and the MEMS beam.

Microfabricated elastomeric valve and pump systems

A method of fabricating an elastomeric structure, comprising: forming a first elastomeric layer on top of a first micromachined mold, the first micromachined mold having a first raised protrusion which forms a first recess extending along a bottom surface of the first elastomeric layer; forming a second elastomeric layer on top of a second micromachined mold, the second micromachined mold having a second raised protrusion which forms a second recess extending along a bottom surface of the second elastomeric layer; bonding the bottom surface of the second elastomeric layer onto a top surface of the first elastomeric layer such that a control channel forms in the second recess between the first and second elastomeric layers; and positioning the first elastomeric layer on top of a planar substrate such that a flow channel forms in the first recess between the first elastomeric layer and the planar substrate.

Manufacturing method for a micromechanical component, corresponding composite component, and corresponding micromechanical component

A micromechanical component including a first composite of a plurality of semiconductor chips, the first composite having a first front and back surfaces, a second composite of a corresponding plurality of carrier substrates, the second composite having a second front and back surfaces; wherein the first front surface and the second front surface are connected via a structured adhesion promoter layer in such a way that each semiconductor chip is connected, essentially free of cavities, to a corresponding carrier substrate corresponding to a respective micromechanical component.

Alignment methods in fluid-filled mems displays

This application relates to a display including a first layer of material including a first aperture having at least one side, a first substrate separated from the first layer of material by a gap, where the first substrate is arranged to pass through a portion of light emitted from a light source into the gap. The display further includes a movable shutter arranged within the gap, where the shutter is movable to at least a first position and a second position, to obstruct passage of the portion of light through the first aperture at the first position. The movable shutter has a first edge, and in the first position, the movable shutter is aligned with the first aperture such that the first edge extends a first length past the at least one side of the first aperture.

Multilayer antireflection coatings, structures and devices including the same and methods of making the same

Multi-layer antireflection coatings, devices including multi-layer antireflection coatings and methods of forming the same are disclosed. A block copolymer is applied to a substrate and self-assembled into parallel lamellae above a substrate. The block copolymer may optionally be allowed to self-assemble into a multitude of domains oriented either substantially parallel or substantially perpendicular to an underlying substrate.

Block copolymer for manufacturing nanowire and method for manufacturing thereof

A block copolymer for manufacturing a nanowire and a method of manufacturing the same are disclosed. The block copolymer and the method of manufacturing a nanowire using the same are used to fabricate a nanowire having a diameter of less than or equal to 30 nm and a porous nanowire having a diameter within the same range and pores with a diameter of less than or equal to 10 nm.

Sloped structure, method for manufacturing sloped structure, and spectrum sensor

A method for manufacturing a sloped structure is disclosed. The method includes the steps of: (a) forming a sacrificial film above a substrate; (b) forming a first film above the sacrificial film; (c) forming a second film having a first portion connected to the substrate, a second portion connected to the first film, and a third portion positioned between the first portion and the second portion; (d) removing the sacrificial film; and (e) bending the third portion of the second film after the step (d), thereby sloping the first film with respect to the substrate.

Lid, fabricating method thereof, and mems package made thereby

A lid for a MEMS device and the relative manufacturing method. The lid includes: a first board with opposite first and second surfaces having first and second metal layers disposed thereon, respectively, wherein a through cavity extends through the first board and the first and second metal layers; a second board with opposite third and fourth surfaces; an adhesive layer sandwiched between the second surface of the first board and the third surface of the second board to couple the first and second boards together such that the through cavity is closed by the second board, thereby forming a recess; and a first conductor layer coating the bottom and the side surfaces of the recess.

Method for making a reinforced silicon micromechanical part

A method of fabricating a reinforced silicon micromechanical part includes: micromachining the part, or a batch of parts in a silicon wafer; forming a silicon dioxide layer over the entire surface of the part, in one or plural operations, so as to obtain a thickness of silicon dioxide that is at least five times greater than the thickness of native silicon dioxide; and removing the silicon dioxide layer by etching.

Method of manufacturing liquid ejection head substrate

A liquid ejection head substrate including a silicon substrate having a liquid supply port as hollow and slots as through holes connecting the hollow and a liquid channel arranged opposite sides of the substrate. The method includes etching the substrate to form the hollow; forming a first resist on the hollow; etching the first resist on the bottom of the hollow under conditions of securing an equal etching rate to both the silicon substrate and the first resist; forming a second resist on the hollow; patterning the second resist into an etching mask; and etching the substrate using the etching mask to form the through holes.

Free form printing of silicon micro- and nanostructures

A method of making a three-dimensional structure in semiconductor material includes providing a substrate ( 20 ) is provided having at least a surface including semiconductor material. Selected areas of the surface of the substrate are exposed to a focussed ion beam whereby the ions are implanted in the semiconductor material in the selected areas. Several layers of a material selected from the group consisting of mono-crystalline, poly-crystalline or amorphous semiconductor material, are deposited on the substrate surface and between depositions focussed ion beam is used to expose the surface so as to define a three-dimensional structure. Material not part of the final structure ( 30 ) defined by the focussed ion beam is etched away so as to provide a three-dimensional structure on the substrate ( 20 ).

Metal thin shield on electrical device

This disclosure provides systems and methods for forming a metal thin film shield over a thin film cap to protect electromechanical systems devices in a cavity beneath. In one aspect, a dual or multi layer thin film structure is used to seal a electromechanical device. For example, a metal thin film shield can be mated over an oxide thin film cap to encapsulate the electromechanical device and prevent degradation due to wafer thinning, dicing and package assembly induced stresses, thereby strengthening the survivability of the electromechanical device in the encapsulated cavity. During redistribution layer processing, a metal thin film shield, such as a copper layer, is formed over the wafer surface, patterned and metalized.

Method of Fabricating an Integrated Device

A method of fabricating an integrated device including a MicroElectroMechanical system (MEMS) and an associated microcircuit is provided. In one embodiment, the method comprises: forming a high temperature contact through a dielectric layer to an underlying element of a microcircuit formed adjacent to a MicroElectroMechanical System (MEMS) structure on a substrate; and depositing a layer of conducting material over the dielectric layer, and patterning the layer of conducting material to form a local interconnect (LI) for the microcircuit overlying and electrically coupled to the contact and a bottom electrode for the adjacent MEMS structure. Other embodiments are also provided.

Glass as a substrate material and a final package for mems and ic devices

This disclosure provides systems, methods and apparatus for glass packaging of integrated circuit (IC) and electromechanical systems (EMS) devices. In one aspect, a glass package may include a glass substrate, a cover glass and one or more devices encapsulated between the glass substrate and the cover glass. The cover glass may be bonded to the glass substrate with an adhesive such as an epoxy, or a metal bond ring. The glass package also may include one or more signal transmission pathways between the one or more devices and the package exterior. In some implementations, a glass package including an EMS and/or IC device is configured to be directly attached to a printed circuit board (PCB) or other integration substrate by surface mount technology.

Integrated circuit and method for fabricating the same

A method for fabricating integrated circuit is provided. First, a substrate having a micro electromechanical system (MEMS) region is provided. A first interconnect structure and a hard mask layer have been disposed on the MEMS region in sequence. Next, an anisotropic etching process is performed by using the hard mask layer as a photo mask to etch a portion of the first interconnect structure exposed by the hard mask layer. Accordingly, a MEMS structure is formed. A portion of the substrate in MEMS region is exposed by the MEMS structure. Then, an isotropic etching process is performed for removing the portion of the substrate in MEMS region to form a cavity with a center region and a ring-like indentation region. The center region is surrounded by the ring-like indentation region and the MEMS structure suspends above the cavity. An integrated circuit is also provided.

Scanner apparatus having electromagnetic radiation devices coupled to mems actuators

A disclosed scanner apparatus includes a member having spaced apart proximal and distal portions. An electromagnetic radiation device is configured to direct electromagnetic radiation therefrom and is moveably coupled to the distal portion of the member. The electromagnetic radiation device is configured to move in a first plane of movement to a first position to direct the electromagnetic radiation along a first path and configured to move in the plane of movement to a second position to direct the electromagnetic radiation along a second path. A MicroElectroMechanical Systems (MEMS) actuator is coupled to the electromagnetic radiation device, wherein the MEMS actuator is configured to move in a first direction to move the electromagnetic radiation device to the first position and configured to move in a second direction to move the electromagnetic radiation device to the second position. Other scanning and robotic structure devices are disclosed.

Surface mount actuator

A silicon MEMS device can have at least one solder contact formed thereupon. The silicon MEMS device can be configured to be mounted to a circuit board via the solder contact(s). The silicon MEMS device can be configured to be electrically connected to the circuit board via the solder contact(s).

Cascaded Electrostatic Actuator

A cascaded electrostatic actuator can be formed from a substantially planar substrate. The cascaded electrostatic actuator can be formed in a plane of the substrate. Various embodiments are described.

Fabricating method of nano structure for antireflection and fabricating method of photo device integrated with antireflection nano structure

A method of fabricating nanostructure for antireflection and a method of fabricating a photo device integrated with the nanostructure for antireflection are provided. The fabrication of the nanostructure for antireflection includes coating a solution containing a combination of metal ions with organic or inorganic ions on a substrate, sintering the coated solution using an annealing process to grow nanoscale metal particles, and chemically etching the substrate using the metal particles as mask or accelerator to form a subwavelength nanostructure on the surface of the substrate, thereby manufacturing the nanostructure for antireflection without an apparatus requiring a vacuum state using a simple method for a short amount of time to minimize reflection of light at an interface between a semiconductor material and the air, and producing a photo device having good luminous efficiency and performance at low cost in large quantities by applying it to the photo device.

Method for strip testing of mems devices, testing strip of mems devices and mems device thereof

A method for testing a strip of MEMS devices, the MEMS devices including at least a respective die of semiconductor material coupled to an internal surface of a common substrate and covered by a protection material; the method envisages: detecting electrical values generated by the MEMS devices in response to at least a testing stimulus; and, before the step of detecting, at least partially separating contiguous MEMS devices in the strip. The step of separating includes defining a separation trench between the contiguous MEMS devices, the separation trench extending through the whole thickness of the protection material and through a surface portion of the substrate, starting from the internal surface of the substrate.

3d integrated electronic device structure including increased thermal dissipation capabilities

A microelectronic device structure including increased thermal dissipation capabilities. The structure including a three-dimensional (3D) integrated chip assembly that is flip chip bonded to a substrate. The chip assembly including a device substrate including an active device disposed thereon. A cap layer is phsyically bonded to the device substrate to at least partially define a hermetic seal about the active device. The microelectronic device structure provides a plurality of heat dissipation paths therethrough to dissipate heat generated therein.

Micro-electromechanical semiconductor component

The micro-electromechanical semiconductor component is provided with a semiconductor substrate in which a cavity is formed, which is delimited by lateral walls and by a top and a bottom wall. In order to form a flexible connection to the region of the semiconductor substrate, the top or bottom wall is provided with trenches around the cavity, and bending webs are formed between said trenches. At least one measuring element that is sensitive to mechanical stresses is formed within at least one of said bending webs. Within the central region surrounded by the trenches, the top or bottom wall comprises a plurality of depressions reducing the mass of the central region and a plurality of stiffening braces separating the depressions.

MICRO-ELECTROMECHANICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

The micro-electromechanical semiconductor component is provided with a first silicon semiconductor substrate having an upper face, into which a cavity delimited by side walls and a floor wall is introduced, and having a second silicon semiconductor substrate comprising a silicon oxide layer and a polysilicon layer applied thereon having a defined thickness. The polysilicon layer of the second silicon semiconductor substrate faces the upper side of the first silicon semiconductor substrate, the two silicon semiconductor substrates are bonded, and the second silicon semiconductor substrate covers the cavity in the first silicon semiconductor substrate. Grooves that extend up to the polysilicon layer are arranged in the second silicon semiconductor substrate in the region of the section thereof that covers the cavity. 1. A micro-electromechanical semiconductor component comprising:a first silicon semiconductor substrate having an upper side in which a cavity delimited by side walls and a bottom wall is formed,a second silicon semiconductor substrate comprising a silicon oxide layer and a polysilicon layer applied thereon having a defined thickness,wherein the polysilicon layer of the second silicon semiconductor substrate is arranged to face the upper side of the first silicon semiconductor substrate, and is bonded to the first silicon semiconductor substrate,wherein the second silicon semiconductor substrate covers the cavity in the first silicon semiconductor substrate,wherein grooves that extend up to the polysilicon layer are arranged in the second silicon semiconductor substrate in a region of a section thereof that covers the cavity.221. The micro-electromechanical semiconductor component according to claim 1 , wherein adjacent trenches are separated from each other by bending webs which extend between a region () of the second silicon semiconductor substrate surrounded by the trenches and a region of the first silicon semiconductor substrate arranged around the ...

Mold, method of manufacturing the same, article having fine uneven structure on surface, and method of manufacturing the same

A mold in which a fine uneven structure is formed on the surface by anodizing a surface of an aluminum base material having a purity of equal to or more than 99.5% by mass, wherein a 60-degree gloss of the surface on the side where a fine uneven structure is formed is equal to or more than 750%.

Transparent material processing with an ultrashort pulse laser

Methods for ultrashort pulse laser processing of optically transparent materials. A method for scribing transparent materials uses ultrashort laser pulses to create multiple scribe features with a single pass of the laser beam across the material, with at least one of the scribe features being formed below the surface of the material. Slightly modifying the ultrashort pulse laser processing conditions produces sub-surface marks. When properly arranged, these marks are clearly visible with side-illumination and not clearly visible without side-illumination. In addition, a method for welding transparent materials uses ultrashort laser pulses to create a bond through localized heating. The ultrashort pulse duration causes nonlinear absorption of the laser radiation, and the high repetition rate of the laser causes pulse-to-pulse accumulation of heat within the materials.

Method for producing microparticles

Silicon microcarriers suitable for fluorescent assays as a well as a method of producing such microcarriers are provided. The method includes the steps of providing a SOI wafer having a bottom layer of monocristalline silicone, an insulator layer and a bottom layer of monocristalline silicon, delineating microparticles, etching away the insulator layer and then depositing an oxide layer on the wafer still holding the microparticles before finally lifting-off the microparticles.

ANGLE CONTROL OF MULTI-CAVITY MOLDED COMPONENTS FOR MEMS AND NEMS GROUP ASSEMBLY

A method of making a mold includes forming spaced mold cavities in a mold body. The mold cavities include geometrically similar portions, but have respective depths below an initial reference surface that vary as a function of position along a particular direction. The mold cavities can be formed using anisotropic etching of preferred crystal directions in single crystal materials such as silicon. A portion of the mold material adjacent the initial reference surface is removed to expose a new reference surface at a tilt angle with respect to the initial reference surface. The modified mold cavities have their respective axes at a new desired tilt angle relative to the new reference surface. 18-. (canceled)9. A method of releasing a molded object from a mold having first and second separated surfaces , a mold cavity containing the molded object being formed in the first surface , an exposed portion of the molded object being bonded to a separate structure , the method comprising:etching a selected region of the second surface to remove sufficient mold material surrounding the molded object to allow separation of the molded object and separate structure from remaining portions of the mold.10. The method of wherein:the mold is a portion of a silicon wafer; andthe molded object is diamond.11. A method of releasing a molded object from a wafer mold claim 9 , the wafer mold having a mold cavity formed in a first surface thereof claim 9 , an exposed portion of the molded object being bonded to a separate structure claim 9 , the method comprising:coating the second surface of the wafer mold with an etch-resistant material;removing the etch resistant material on a portion of the second surface of the wafer mold, which portion is generally opposite the molded object; andetching the wafer mold from the second surface to remove wafer material surrounding the molded object.12. The method of claim 11 , and further comprising claim 11 , before bonding the molded part to the ...

Methods for producing a thin film consisting of nanosheet monolayer film(s) by spin coat methods, and hyperhydrophilized materials, substrates for an oxide thin film and dielectric materials obtained therefrom

To provide a method for producing a thin film consisting of nanosheet monolayer film(s) and use of the thin film obtained thereby. The method for producing a thin film consisting of nanosheet monolayer film(s) by a spin coat method according to the invention comprises a step for preparing an organic solvent sol formed by allowing nanosheets obtained by the exfoliation of an inorganic layered compound to be dispersed in an organic solvent; and a step for dropping the organic solvent sol onto a substrate and rotating the substrate using a spin coater. Preferably, the nanosheet size, the organic solvent sol concentration and the spin coater rotation speed are controlled.

Method for Making Micro-Electro-Mechanical System Device

The present invention discloses a method for making a MEMS device, comprising: providing a zero-layer substrate; forming a MEMS device region on the substrate, wherein the MEMS device region is provided with a first sacrificial region to separate a suspension structure of the MEMS device from another part of the MEMS device; removing the first sacrificial region by etching; and micromachining the zero-layer substrate.

Wafer Level Packaging

A method of wafer level packaging includes providing a substrate including a buried oxide layer and a top oxide layer, and etching the substrate to form openings above the buried oxide layer and a micro-electro-mechanical systems (MEMS) resonator element between the openings, the MEMS resonator element enclosed within the buried oxide layer, the top oxide layer, and sidewall oxide layers. The method further includes filling the openings with polysilicon to form polysilicon electrodes adjacent the MEMS resonator element, removing the top oxide layer and the sidewall oxide layers adjacent the MEMS resonator element, bonding the polysilicon electrodes to one of a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) wafer or a carrier wafer, removing the buried oxide layer adjacent the MEMS resonator element, and bonding the substrate to a capping wafer to seal the MEMS resonator element between the capping wafer and one of the CMOS wafer or the carrier wafer. 1. A method , comprising:providing a substrate including a top oxide layer and a buried oxide layer;forming a micro-electro-mechanical systems (MEMS) resonator element that is enclosed within the substrate;forming polysilicon electrodes adjacent to the MEMS resonator element;exposing top and side surfaces of the MEMS resonator element;bonding the polysilicon electrodes to a semiconductor device;exposing a bottom surface of the MEMS resonator element; andbonding the substrate to a capping wafer to seal the MEMS resonator element between the capping wafer and the semiconductor device.2. The method of claim 1 , wherein exposing the top and side surfaces of the MEMS resonator element comprises etching openings lateral to and above the MEMS resonator element.3. The method of claim 1 , further comprising forming a bonding layer on the substrate.4. The method of claim 3 , further comprising bonding the bonding layer to the capping wafer.5. The method of claim 1 , further comprising forming metal plugs to provide an electrical ...

Semiconductor structure

Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, metrology structures and methods of manufacture are disclosed. The method includes forming one or metrology structure, during formation of a device in a chip area. The method further includes venting the one or more metrology structure after formation of the device.

MICROMECHANICAL SYSTEM

High precision MEMESs can be manufactured in a large amount without requiring a vacuum process or a lithography process. A film is aligned with a die so as to contact with each other. The film has a functional layer and a releasing layer printed thereon. The die is configured to mold a structure which comprises a functional layer retention part retaining the functional layer and a frame supporting the functional layer retention part. The resin filled between the die and the film is cured. Then, the film is separated from the die so that the functional layer is released from the releasing layer and transferred on the resin cured in the die, thereby the structure is formed. 1. A method for manufacturing a micro-electromechanical system , comprising:aligning a film with a die so as to contact with each other, the film having a functional layer and a releasing layer printed thereon, the die configured to mold a structure which comprises a functional layer retention part retaining the functional layer and a frame supporting the functional layer retention part;curing resin filled between the die and the film; andseparating the film from the die so that the functional layer is released from the releasing layer and transferred on the resin cured in the die, thereby the structure is formed.2. A method for manufacturing a micro-electromechanical system , comprising:injecting ultraviolet cure resin into a die for molding a structure which comprises a functional layer retention part retaining a functional layer and a frame supporting the functional layer retention part;aligning a film with the die into which the ultraviolet cure is injected so as to contact with each other, the film having a functional layer and a releasing layer printed thereon;emitting ultraviolet light to the ultraviolet cure resin so as to cure the resin; andseparating the film from the die so that the functional layer is released from the releasing layer and transferred on the resin cured in the die, ...

Low-Temperature Wafer Level Processing for MEMS Devices

It would be beneficial to integrate MEMS devices with silicon CMOS electronics, package them in controlled environments, e.g. vacuum for MEMS resonators, and provide industry standard electrical interconnections such as solder bumps. However, to do so requires through-wafer via-based electrical interconnections. However, the fragile nature of the MEMS devices, the requirement for vacuum, hermetic sealing, and the stresses placed on metallization membranes are not present in conventional CMOS packaging. Accordingly there is provided a means of reinforcing through-wafer vias for integrated MEMS-CMOS circuits by in-filling the through-wafer electrical vias with low temperature deposited ceramic materials deposited with processes compatible with post-processing of CMOS electronics. Beneficially ceramics such as silicon carbide provide enhanced mechanical strength, enhanced expansion matching, and increased thermal conductivity in comparison to silicon and solder materials. The ceramic reinforcing may be further adapted to include micro-channels for the provisioning of liquid cooling through the structures. 1. A method comprising:providing a substrate;fabricating within the substrate a via, the via comprising at least one etched feature and providing at least a first opening in a first surface of the substrate and a second opening in a second surface of the substrate;filling a first predetermined portion of the via with a first material; andfilling a second predetermined portion of the via with a filler material with a process having a maximum exposure to the substrate during manufacturing of at least one of 250° C. and 350° C., the second predetermined portion of the via being the interior region of the via when the filler material has been filled to a predetermined maximum thickness.2. The method according to wherein claim 1 ,filling the first predetermined portion of the via with the first material comprises depositing an electrically conductive material over a ...

MISALIGNMENT CORRECTION FOR EMBEDDED MICROELECTRONIC DIE APPLICATIONS

The present disclosure relates to the field of integrated circuit packaging and, more particularly, to packages using embedded microelectronic die applications, such a bumpless build-up layer (BBUL) designs. Embodiments of the present description relate to the field of alignment correction of microelectronic dice within the bumpless build-up layer packages. This alignment correction may comprise characterizing the misalignment of each microelectronic die mounted on a carrier and forwarding this characterization, along with data regarding the orientation of the carrier, to processing equipment that can compensate for the misalignment of each microelectronic die. 1. A microelectronic die fabrication apparatus , comprising:a pre-inspection station adapted to characterize the alignment of a microelectronic die mounted on a carrier and to forward the alignment characterization of the microelectronic die to a first data processing device and a second data processing device;a first alignment station adapted to characterize the alignment and deformation of the carrier and to forward the alignment and deformation characterization to the first data processing device;the first data processing device adapted determine the location of contact lands disposed on the microelectronic die and to send the location information to a via drilling station;the via drilling station adapted to drill at least one via through a build-up material formed on the microelectronic die in at least one location determined by the first data procession device;a second alignment station adapted to characterize the alignment and deformation of the carrier and to forward the alignment and deformation characterization to a second data procession device; andthe second data processing device adapted to instruct a writing station to form at least one conductive trace on and/or in the build-up material to compensate for misalignment of the microelectronic die on the carrier, based on the second alignment ...

MICROELECTRONIC DEVICE AND MEMS PACKAGE STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF

A microelectronic device including a substrate, at least a semi-conductor element, an anti metal ion layer, a non-doping oxide layer and a MEMS structure is provided. The substrate has a CMOS circuit region and a MEMS region. The semi-conductor element is configured within the CMOS circuit region of the substrate. The anti metal ion layer is disposed within the CMOS circuit region of the substrate and covers the semi-conductor element. The non-doping oxide layer is disposed on the substrate within the MEMS region. The MEMS structure is partially suspended above the non-doping oxide layer. The present invention also provides a MEMS package structure and a fabricating method thereof. 1. A microelectronic device , comprising:a substrate having a CMOS circuit region and a MEMS region;at least a semi-conductor element configured within the CMOS circuit region of the substrate;an anti metal ion layer disposed within the CMOS circuit region of the substrate and covering the semi-conductor element;a non-doping oxide layer disposed on the substrate within the MEMS region; anda MEMS structure partially suspended above the non-doping oxide layer.2. The microelectronic device as claimed in claim 1 , further comprising an interconnecting structure disposed on the anti metal ion layer.3. The microelectronic device as claimed in claim 1 , wherein the anti metal ion layer is a phosphorus doped silicon oxide layer.4. A MEMS package structure claim 1 , comprising:a substrate;a MEMS structure partially suspended above the substrate;a metallic layer with a plurality of first openings disposed above the MEMS structure;a mask layer with a plurality of second openings disposed above the metallic layer, wherein the second openings and the first openings staggered with each other; anda packaging layer disposed on the mask layer and filling into the second openings so as to connect to the metallic layer.5. The MEMS package as claimed in claim 4 , wherein materials of the mask layer and the ...

Miniaturized Electrical Component Comprising an MEMS and an ASIC and Production Method

The invention relates to a miniaturized electrical component comprising an MEMS chip and an ASIC chip. The MEMS chip and the ASIC chip are disposed on top of each other; an internal mounting of MEMS chip and ASIC chip is connected to external electrical terminals of the electrical component by means of vias through the MEMS chip or the ASIC chip.