ПОЛЯРИЗАТОР НА ОСНОВЕ РЕШЕТКИ НАНОПРОВОДНИКОВ

Поляризатор изготавливается способом, содержащим осаждение слоя металла поверх прозрачной подложки и первого материала с образованием поверхностного слоя поверх слоя металла; вызывание по существу однородного напряжения, ориентированного в первом направлении, в поверхностном слое, облучение поверхностного слоя потоком ионов до образования твердой наномаски, содержащей по существу периодический массив по существу параллельных удлиненных элементов, имеющих волнообразное поперечное сечение. По меньшей мере, некоторые из этих элементов имеют следующую структуру в поперечном сечении: внутренняя область из первого материала и первая внешняя область из второго материала, покрывающая первую часть внутренней области, при этом второй материал образован за счет модификации первого материала потоком ионов. Далее осуществляют травление через поверхностный слой и через слой металла вплоть до поверхности оптически прозрачной подложки при использовании наномаски для переноса рисунка удлиненных элементов ...

МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОКОРРЕКТИРУЮЩЕЙ ПОЛИМЕРНОЙ ПЛЕНКИ

Изобретение относится к материалу для изготовления светокорректирующей полимерной пленки, которая может найти широкое применение в качестве светопреобразующего материала. Материал содержит термопластичный полимер на основе полиолефинов, углеводороды парафинового ряда в количестве не более 4,5 мас.%, светостабилизирующую добавку не более 5,0 мас.% и 0,01-1,0 мас.% флуоресцирующей добавки - квантовых точек с заданной эффективной шириной запрещенной зоны, распределенных в объеме полимера. Материал может дополнительно содержать не более 5,0 мас.% пластификатора, не более 0,1 мас.% поверхностно-активного вещества, не более 1,0 мас.% антиоксиданта, не более 3,5 мас.% светорассеивающей добавки. Изобретение обеспечивает повышение фотостабильности светокорректирующей пленки и эффективности преобразования естественного света при снижении токсичности материала. 5 з.п. ф-лы, 5 ил., 8 пр.

ПОКРЫТИЕ С НИЗКОЙ ОТРАЖАТЕЛЬНОЙ СПОСОБНОСТЬЮ, СПОСОБ И СИСТЕМА ДЛЯ ПОКРЫТИЯ ПОДЛОЖКИ

Использование: для покрытия подложки покрытием с низкой отражательной способностью. Сущность изобретения заключается в том, что способ покрытия подложки углеродными наноструктурами, включающий стадии: (i) получения суспензии углеродных наноструктур в растворителе; (ii) предварительного нагрева подложки до температуры, достаточной для того, чтобы вызвать испарение растворителя при контакте суспензии с подложкой; и последующего (iii) нанесения суспензии на подложку посредством распыления; (iv) поддержания во время стадии (iii) температуры подложки, достаточной для поддержания испарения растворителя, наносимого распылением; (v) повторения стадий (iii) и (iv) до тех пор, пока на подложку не будет нанесен слой углеродных наноструктур, имеющий толщину, равную по меньшей мере 2 микрометрам; и (vi) плазменного травления покрытия для снижения плотности пленки и создания оптических полостей в покрытии, добавления оптического спейсера к суспензии перед стадией осаждения для создания оптических полостей ...

ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ

Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям, которые преобразуют солнечное излучение в электроэнергию, и может быть использовано в полупроводниковой промышленности для создания систем генерации электрической энергии. Фотопреобразователь с квантовыми точками состоит из подложки (1), например Ge или GaAs, и по меньшей мере одного фотоактивного р-n перехода (2), например из GaAs или GaInAs с концентрацией индия 0-2%, содержащего базовый слой (3), например из GaAs или GaInAs с концентрацией индия 0-2%, нелегированный слой (4), например из GaAs или GaInAs с концентрацией индия 0-2%, содержащий по меньшей мере один слой самоорганизованных квантовых точек (5), выполненных посредством осаждения слоя InGaAs с содержанием индия x от 20 до 50%, эмиттерный слой (6), например из GaAs или GaInAs с концентрацией индия 0-2%. Фотопреобразователь имеет увеличенное КПД за счет повышения тока, генерируемого фотоактивным переходом на основе Ga(n)As. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

ЛАЗЕРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПОВЕРХНОСТНОГО ИСПУСКАНИЯ, СПОСОБ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЭЛЕМЕНТА ПОВЕРХНОСТНОГО ИСПУСКАНИЯ И АТОМНЫЙ ОСЦИЛЛЯТОР

Лазерный элемент поверхностного испускания включает в себя полупроводниковую подложку и множество лазеров поверхностного испускания, сконфигурированных с возможностью испускания света со взаимно различными длинами волн. Каждый лазер поверхностного испускания включает в себя нижний брэгговский отражатель, обеспеченный на полупроводниковой подложке, резонатор, обеспеченный на нижнем брэгговском отражателе, верхний брэгговский отражатель, обеспеченный на резонаторе, и слой регулирования длины волны, обеспеченный внутри верхнего брэгговского отражателя или нижнего брэгговского отражателя. Слои регулирования длины волны, включенные в лазеры поверхностного испускания, имеют взаимно различные толщины, причем, по меньшей мере, один из слоев регулирования длины волны включает в себя слои регулирования, образованные из двух видов материалов, и числа слоев регулирования, включенных в слои регулирования длины волны, взаимно различаются. Технический результат заключается в возможности обеспечения регулирования ...

ИСТОЧНИК СВЕТА СО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИМ ЭЛЕМЕНТОМ

Использование: в приборах на светодиодах, испускания синего и/или ультрафиолетового излучения. Технический результат изобретения: создание источника излучения, позволяющего получать излучение в ультрафиолетовой области или в области синего цвета (от 370 нм до 490 нм), способного создавать белый свет с повышенным коэффициентом полезного действия, обеспечения возможности регулирования в широком диапазоне световых температур. Сущность: Источник света со светоизлучающим элементом, который испускает излучение в первой спектральной области, и с люминофором, который происходит из группы ортосиликатов щелочно-земельных металлов и который поглощает часть излучения источника света и испускает излучение в другой спектральной области. Согласно данному изобретению люминофор представляет собой активированный двухвалентным европием ортосиликат щелочно-земельного металла следующего состава: (2-х-у) SrO · х(Ваu, Саv) O·(1-а-b-с-d) SiO2 · aP2O5 bAl2O3 cB2O3 dGeO2: yEu2+ и/или (2-х-у) ВаО · х(Sru, Саv) O ...

ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ КОМПОЗИТНЫЙ МАТЕРИАЛ И СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ЕГО ОСНОВЕ

Изобретение относится к светотехнике и может быть использовано при изготовлении устройств общего и местного освещения. Люминесцентный композитный материал содержит полимерную основу 1 из оптически прозрачного полимерного материала и многослойную полимерную пленку, содержащую люминофоры, из трех слоев: оптически прозрачная полимерная пленка 2; полимерная композиция 3, включающая неорганический люминофор - иттрий-алюминиевый гранат, допированный церием, или галлий-гадолиниевый гранат, допированный церием; полимерная композиция 4 с диспергированными полупроводниковыми нанокристаллами, выполненными из полупроводникового ядра, первого и второго полупроводниковых слоев, и испускающими флуоресцентный сигнал с максимумами пиков флуоресценции в диапазоне длин волн 580-650 нм. Слои многослойной полимерной пленки могут также располагаться в следующем порядке: полимерная композиция 3, включающая неорганический люминофор, полимерная композиция 4 с диспергированными полупроводниковыми нанокристаллами ...

ФЛУОРЕСЦЕНТНОЕ СОЕДИНЕНИЕ ДЛЯ ОБРАБОТКИ ВОДЫ И СПОСОБ ЕГО ПРИМЕНЕНИЯ

Изобретение относится к соединениям или полимерам для обработки источника воды, меченной графеновой квантовой точкой, а также способы их изготовления и использования. Также изобретение относится к меченым композициям, включающим в себя соединения или полимеры для обработки промышленного источника воды, объединенные с соединением или полимером для обработки источника воды, помеченными графеновой квантовой точкой. Меченые материалы специально созданы для флуоресцирования на длинах волн с минимальным соответствием естественной или «фоновой» флуоресценции облученных материалов в промышленных источниках воды, что позволяет количественно оценивать концентрацию соединения для обработки источника воды или полимераin situ(непосредственно в реакционной системе) посредством облучения и измерения флуоресценции источника воды, содержащего меченое соединение или меченый полимер для обработки источника воды. Способы измерения флуоресценции аналогичным образом применимы для количественной оценки смесей ...

МНОГОСЛОЙНОЕ ИЗДЕЛИЕ, СОДЕРЖАЩЕЕ СТОЙКИЙ К ИСТИРАНИЮ СЛОЙ, СОДЕРЖАЩЕЕ ЕГО УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ПРОИЗВОДСТВА

Изобретение относится к многослойному изделию, содержащему стойкий к истиранию слой, расположенный на поверхности оптически прозрачной подложки. Многослойное изделие (100) содержит стойкий к истиранию слой (101), расположенный на поверхности (102) оптически прозрачной подложки (103), упомянутый слой содержит рисунок из пространственно отделенных выступов (104) материала, продолжающихся от упомянутой поверхности, причем упомянутый рисунок имеет период в диапазоне от 10 до 350 нм, и кремнезем (105), расположенный между упомянутыми выступами. Упомянутый материал имеет твердость по Кнупу, измеряемую в соответствии со стандартом твердости по Кнупу ASTM E384, которая больше, чем у кремнезема, при этом выступы (104) содержат концы (106), которые выровнены с открытой поверхностью (107) кремнезема (105), противоположной поверхности (102), или выступают из упомянутой открытой поверхности. Изобретение обеспечивает повышенную стойкость к истиранию. 3 н. и 14 з.п. ф-лы, 29 ил.

СИСТЕМЫ КВАНТОВОЙ ПАМЯТИ И СИСТЕМЫ КВАНТОВОГО ПОВТОРИТЕЛЯ, СОДЕРЖАЩИЕ ОПТИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ ИЗ ЛЕГИРОВАННОЙ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ КЕРАМИКИ, И СПОСОБЫ ИХ ПРОИЗВОДСТВА

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении эффективности хранения фотона в оптическом приборе. Система квантовой памяти содержит оптический прибор из легированной поликристаллической керамики, блок генерации магнитного поля, генератор фотонов памяти и один или более лазеров накачки, причем оптический прибор из легированной поликристаллической керамики расположен в магнитном поле блока генерации магнитного поля, когда блок генерации магнитного поля генерирует магнитное поле; один или более лазеров накачки оптически связаны с оптическим прибором из легированной поликристаллической керамики; и генератор фотонов памяти оптически связан с оптическим прибором из легированной поликристаллической керамики и конструктивно выполнен с возможностью вывода запутанной пары фотонов памяти, содержащей первый запутанный фотон памяти, запутанный со вторым запутанным фотоном памяти; оптический прибор из легированной поликристаллической керамики легирован ...

СКРЫТЫЕ ОРГАНИЧЕСКИЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА СО СВЕТОРАССЕИВАЮЩИМ СЛОЕМ

Изобретение относится к оптоэлектронному устройству (100), содержащему, по крайней мере, одну оптоэлектронную активную область (101), которая содержит, по крайней мере, задний электрод (102) и передний электрод (103), между которыми помещен органический оптоэлектронный материал (104), причем упомянутый задний электрод (102) является отражающим, а перед упомянутым передним электродом (103) расположен защитный слой (105). Защитный слой (105) содержит материал со светорассеивающими частицами (110) первого материала, диспергированными в прозрачной матрице (111) из, по крайней мере, частично гидролизованного золя кремниевой кислоты. Увеличение рассеивающих свойств защитного слоя устройство практически позволяет его скрыть за защитным слоем, когда оно не находится в своем рабочем состоянии, что является техническим результатом изобретения. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 3 ил.

ДЛИННОВОЛНОВЫЙ ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩИЙ ЛАЗЕР С ВНУТРИРЕЗОНАТОРНЫМИ КОНТАКТАМИ

Изобретение относится к электронной технике. Длинноволновый вертикально-излучающий лазер включает полуизолирующую подложку из GaAs, нижний нелегированный распределенный брэгговский отражатель (РБО), внутрирезонаторный контактный слой n-типа, композиционную решетку n-типа, содержащую по меньшей мере одну оксидную оптическую апертуру. Также лазер содержит нелегированный оптический резонатор, содержащий активную среду на основе по меньшей мере трех рядов квантовых точек InAs/InGaAs, композиционную решетку p-типа, содержащую по меньшей мере одну оксидную токовую апертуру, внутрирезонаторный контактный слой p-типа, контактный слой p-типа с модовой селекцией и верхний диэлектрический РБО. Технический результат заключается в снижении порогового тока и электрического сопротивления и в обеспечении работы в режиме одномодовой генерации в спектральном диапазоне 1,3 мкм. 17 з.п. ф-лы, 2 ил.

Способ получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита

Изобретение относится к технологи получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита, допированного ионами кадмия CsСdxPb1-xBr3, (0 Подробнее

СПОСОБ ОЦЕНКИ КОЛИЧЕСТВА ГИДРОКСИЛЬНЫХ ГРУПП НА ВНУТРЕННЕЙ ПОВЕРХНОСТИ ФОТОННО-КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ВОЛНОВОДА

Изобретение относится к нанотехнологиям и может быть использовано для оценки количества гидроксильных групп на внутренней поверхности стеклянных фотонно-кристаллических волноводов с полой сердцевиной (ФКВ с ПС), в том числе с селективно запаянными внешними оболочками, используемых для изготовления конструктивных элементов сенсоров, при химической модификации их внутренней поверхности. Способ оценки количества поверхностных гидроксильных групп на внутренней поверхности стеклянных ФКВ с ПС основан на измерении положения локальных максимумов спектра пропускания образца ФКВ с ПС, последующей химической модификации внутренней поверхности образца до полного насыщения внутренней поверхности поверхностными гидроксильными группами. Затем осуществляют измерение новых положений локальных максимумов спектра пропускания модифицированного образца и построение линейной зависимости положения локального максимума от количества поверхностных гидроксильных групп для локального максимума, изменившего свое ...

Устройство для фокусировки излучения с субдифракционным разрешением

Полезная модель относится к фокусировке когерентного оптического, террагерцового и сверхвысокочастотного излучения для получения фокусного пятна с заданной шириной меньше дифракционного предела в 3D случае и может быть использована в изображающих устройствах, устройствах интегральной оптики, для соединения оптических волноводов, для ввода излучения в фотонно-кристаллические волноводы, в системах видения и дефектоскопии, в микроскопах, для фокусировки электромагнитного излучения в локальную область с субдифракционными размерами. Заявленное устройство для фокусировки излучения с субдифракционным разрешением выполнено в форме куба с длиной каждого ребра куба L≈kλN, N=1, 2, 3 …, где λ- длина волны излучения, освещающего куб, k - эмпирический коэффициент k=0,98…1,2. Причем куб выполнен из материала с эффективным относительным показателем преломления, по отношению к показателю преломления окружающей среды и лежащего в диапазоне от 1,9 до 2,1. Вдоль оси симметрии куба, проходящей через центр противолежащих ...

Источник однофотонного излучения на основе светодиодной излучающей гетероструктуры с эпитаксиальными полупроводниковыми КТ в системе InAs/AlGaAs, изготовленной методом МПЭ

Полезная модель может быть использована для создания источников однофотонного излучения, являющихся ключевыми элементами устройств квантовой криптографии.Источник однофотонного излучения на основе светодиодной излучающей гетероструктуры с эпитаксиальными полупроводниковыми квантовыми точками (КТ) в системе InAs/AlGaAs, изготовленной методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), представляет собой структуру, ключевыми особенностями которой являются использование внутрирезонаторных электрических контактов и градиентных сверхрешеток, которые позволяют уменьшить внутренние оптические потери, сопротивление и рабочее напряжение источника излучения, а также увеличить его быстродействие; использование в качестве верхнего распределенного брэгговского отражателя последовательности диэлектрических слоев, а также наличие двух оксидных апертур сверху и снизу от слоя КТ InAs. Эпитаксиальная гетероструктура выращивается на полупроводниковой подложке GaAs (1) ориентации (001) и содержит следующие слои ...

Способ оптического управления линейной поляризацией излучения

Изобретение может быть использовано для точного контроля поляризации когерентных источников света, а также в спиноптронике. В способе оптического управления линейной поляризацией излучения, создаваемого экситон-поляритонным конденсатом, образующимся в неорганическом полупроводниковом образце при его нерезонансном возбуждении лазерным излучением, возбуждают экситон-поляритонный конденсат лазером непрерывного действия с линейной поляризацией на длине волны, отстроенной от моды полупроводникового микрорезонатора, используемого в качестве образца, перед изменением свойств возбуждающего лазерного излучения поляритонный конденсат возбуждают симметричным профилем пучка накачки и сканируют положение образца с целью обнаружения точки, в которой излучение указанного конденсата будет иметь степень поляризации меньше 0,2, после чего профиль возбуждения меняют на эллиптический и управляют линейной поляризацией излучения, изменяя свойства возбуждающего лазерного излучения, таких как эллиптичность профиля ...

ОПТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО

Оптическое устройство, подходящее для пропускания/отражения электромагнитного излучения в диапазоне длины волны электромагнитного спектра, содержит по меньшей мере одну подложку, выполненную из первого материала, один слой покрытия, выполненный из второго материала, который отличается от первого материала, поверхностную текстуру, образующую полости в устройстве, и нижний слой, расположенный непосредственно под первым слоем покрытия, представляющий собой либо второй слой покрытия, выполненный из материала, отличающегося от первого материала, либо подложку, и имеющий предопределенную толщину. Полости проходят сквозь первый слой покрытия и погружены в нижний слой, проходя через по меньшей мере часть толщины. Устройство содержит по меньшей мере один задний слой, выполненный из материала, который отличается от материала подложки и от материала покрытия, причем покрытие выполнено на первой стороне подложки, при этом задний слой выполнен на второй стороне подложки, противоположной первой стороне ...

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОАСПЕКТНЫХ ПРОТЯЖЕННЫХ СТРУКТУР С ДИАМЕТРАМИ СУБМИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ КРИСТАЛЛЕ ФЕМТОСЕКУНДНЫМИ РЕНТГЕНОВСКИМИ ИМПУЛЬСАМИ

Изобретение относится к нанотехнологиям и микроструктурным технологиям. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания протяженных полостей с диаметрами субмикронных размеров в кристалле LiF с помощью когерентных рентгеновских импульсов заключается в прошивке отверстия в кристалле LiF лазерным методом за счет наведения фокального пятна на поверхность кристалла и перемещения этого пятна с микронной точностью по поверхности кристалла, при этом для получения глубоких полостей с диаметрами субмикронных размеров в кристалле LiF используют когерентные фемтосекундные (20 фс) рентгеновские импульсы с длиной волны фотонов λ, равной 1,3776 Å, при которой длина затухания в структуре LiF равна 475 мкм. Изобретение обеспечивает возможность упрощения способа создания протяженных полостей субмикронного диаметра с аспектным соотношением порядка 1:1800 в кристалле LiF для создания фотонных кристаллов и фотонных волноводов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 пр.

Способ получения плоско-выпуклых оптических элементов терагерцового диапазона из опала на основе кремнезема

Способ получения плосковыпуклых оптических элементов терагерцового диапазона из опала на основе кремнезема заключается в получении заготовки путем седиментации частиц аморфного кремнезема в емкости, высушивания и спекающего отжига при температуре от 900 до 1200°С. Дно емкости имеет вогнутую форму, инвертированную к форме выпуклой поверхности элемента, масса частиц в емкости берется равной или больше массы частиц, образующих элемент заданной формы, диаметр емкости в 1.03…1,27 раза больше диаметра элемента. Выпуклая поверхность элемента может состоять из наклонных граней и/или конусов, углы граней и образующей конусов дна емкости равны соответствующим углам готового элемента, или выпуклая поверхность элемента может являться частью сферы, диаметр соответствующей сферической поверхности дна емкости в 1,03…1,27 раза больше диаметра поверхности готового элемента. Технический результат - повышение производительности получения оптических элементов ТГц диапазона и повышение выхода годного. 2 з.п ...

Оптически прозрачный люминесцентный наноструктурный керамический материал

Изобретение относится к области создания оптически прозрачных люминесцентных наноструктурных керамических материалов на основе алюмомагниевой шпинели (MgAl2O4) и может быть использовано в качестве функционального материала устройств фотоники, оптоэлектроники и лазерной техники. Предлагается оптически прозрачный люминесцентный наноструктурный керамический материал на основе матрицы из алюмомагниевой шпинели, содержащей оксид алюминия, отличающийся тем, что матрица из алюмомагниевой шпинели дополнительно содержит углерод в виде графеновых пластин размером 3-10 нм при следующем массовом соотношении компонентов, %: алюмомагниевая шпинель (MgAl2O4) 99,3-99,49; оксид алюминия (Al2O3) 0,4-0,5; углерод (С) 0,01-0,3. Алюмомагниевая шпинель и оксид алюминия находятся в наноструктурном состоянии с величиной области когерентного рассеяния 5-40 нм. Материал обладает перестраиваемым фотолюминесцентным диапазоном, что позволит использовать его в LED приборах, плазменных дисплейных панелях, перестраиваемых ...

МОДУЛЬ НАСЫЩАЮЩЕГОСЯ ПОГЛОТИТЕЛЯ НА ОСНОВЕ ПОЛИМЕРНОГО КОМПОЗИТА С ОДНОСТЕННЫМИ УГЛЕРОДНЫМИ НАНОТРУБКАМИ (ВАРИАНТЫ)

Заявленная группа изобретений относится к оптическим элементам для волоконных лазеров. Модуль насыщающегося поглотителя на основе полимерного композита с одностенными углеродными нанотрубками выполнен на одномодовом оптическом волокне, включающем сердцевину и оболочку. Полимерный композит содержит полимер, смешанный с одностенными углеродными нанотрубками, выбранный поглощать излучение с необходимой длиной волны. Пленка композита с нанотрубками расположена на поверхности, сполированной вдоль одной плоскости оболочки волокна. Согласно первому варианту волокно предназначено пропускать излучение в одном направлении, модуль насыщающегося поглотителя дополнительно содержит поляризатор, выполненный на участке одномодового волокна со сполированной вдоль указанной плоскости оболочкой, расположенный до сполированного участка с пленкой из композита при распространении излучения в заданном направлении, расстояние между поляризатором и поглотителем обеспечивает отклонение вектора поляризации излучения ...

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ

Изобретение относится к области нанотехнологий и может быть использовано в области измерения локальных слабых температурных полей с микро- и наноразмерным разрешением в микроэлектронике, биотехнологиях и др. Предложен способ измерения температуры, включающий предварительное построение экспериментальной градуировочной кривой зависимости величины магнитного поля в точке кросс-релаксации (КР) уровней энергии спиновых центров с основным квадруплетным спиновым состоянием S=3/2 и спиновых центров с триплетным спиновым состоянием S=1, содержащихся в кристалле карбида кремния гексагонального или ромбического политипа, от температуры. Построение экспериментальной градуировочной кривой осуществляют путем воздействия на упомянутый кристалл карбида кремния сфокусированным лазерным излучением, различным по величине постоянным магнитным полем, переменным магнитным полем низкой частоты. При этом при каждой температуре измеряют интенсивность фотолюминесценции (ФЛ) спиновых центров с основным квадруплетным ...

Способ получения прозрачной ИАГ-керамики

Изобретение относится к способу получения прозрачной керамики иттрий-алюминиевого граната (ИАГ), в том числе легированного ионами неодима, для использования в качестве активной среды в области фотоники и лазерной техники. Способ получения прозрачной ИАГ-керамики, включающий совместный высокоэнергетический помол в этаноле исходных порошков оксидов Y2O3, Nd2O3и Al2O3для формирования слабоагрегированной порошковой системы стехиометрии ИАГ с размером частиц в диапазоне 50-500 нм, сушку при температуре 70°С в течение 24 ч с последующей грануляцией порошка через сито с эффективным размером ячеек 200 меш и отжигом в атмосфере воздуха при температуре 600°С в течение 4 ч, искровое плазменное спекание полученного материала на первом этапе путем нагрева со скоростью 100°С/мин до 1000°С, выдержку, отжиг полученного образца в воздушной атмосфере, отличается тем, что высокоэнергетический помол в этаноле порошков исходных оксидов Y2O3, Nd2O3и Al2O3осуществляют с использованием LiF в качестве спекающей ...

СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ УЛУЧШЕННОГО НАНОСПЕКТРОСКОПИЧЕСКОГО СКАНИРОВАНИЯ

... 1. Устройство для идентификации последовательности химических групп в линейном полимерном образце, такой как последовательность оснований в нуклеиновой кислоте, содержащее подложку, имеющую зеркальную поверхность, выполненную из плазмонно-резонансного металла, источник луча света, линзовый блок, состоящий из одной или более плазмонно-резонансных частиц, расположенных вокруг отверстия, образующего область детектирования, и способных создавать при направлении луча света на образец в области детектирования электромагнитные щелевые моды ближнего поля в пространстве между нанолинзой и противолежащей областью детектирования на поверхности подложки при зазоре между нанолинзой и подложкой, имеющем выбранное расстояние 40 нм или меньше, детектор для приема света, излучаемого или рассеиваемого образцом на область детектирования, и для преобразования принятого света в усиленный щелевыми модами рамановский спектр, чтобы идентифицировать химическую группу образца в области детектирования, и механизм ...

МНОГОСЛОЙНАЯ СТРУКТУРА, ОБРАЗОВАННАЯ СЛОЯМИ НАНОЧАСТИЦ, СО СВОЙСТВАМИ ОДНОМЕРНОГО ФОТОННОГО КРИСТАЛА, СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ЕЕ ПРИМЕНЕНИЕ

... 1. Мезопористая многослойная структура со свойствами брэгговского отражателя или одномерного фотонного кристалла, отличающаяся тем, что она содержит периодически чередующиеся слои, состоящие из наночастиц, с различными показателями преломления, каждый слой толщиной, составляющей от 1 до 200 нм. ! 2. Многослойная структура на основе наночастиц по п.1, отличающаяся тем, что она содержит слои с наночастицами из различных материалов. ! 3. Многослойная структура на основе наночастиц по п.1, отличающаяся тем, что она содержит слои с наночастицами из одного и того же материала. ! 4. Многослойная структура на основе наночастиц по п.1, отличающаяся тем, что наночастицы могут быть из любого материала, который может быть получен в виде наночастиц с размером, составляющим от 1 до 100 нм, и который позволяет получать требуемое различие в показателях преломления между слоями. ! 5. Многослойная структура на основе наночастиц по п.4, отличающаяся тем, что материал наночастиц принадлежит к следующей группе ...

НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И СПОСОБЫ ДЛЯ ДИСПЕРГИРОВАНИЯ НАНОЧАСТИЦ В МАТРИЦЫ С ВЫСОКИМИ КВАНТОВЫМИ ВЫХОДАМИ И СТАБИЛЬНОСТЬЮ

... 1. Способ получения твердого полимера с внедренными в полимер люминесцентными наночастицами, включающий следующие стадии способа:(1) смешивание (i) люминесцентных наночастиц, имеющих наружную поверхность, покрытую защитными молекулами, содержащими первую функциональную группу и вторую функциональную группу, и (ii) предшественник твердого полимера, и(2) обеспечение возможности формирования твердого полимера, так, что получается твердый полимер с внедренными наночастицами;в котором первая функциональная группа сформирована так, чтобы соединяться с наружной поверхностью квантовой точки, а вторая функциональная группа имеет одну или несколько функций, выбранных из группы, состоящей из (a) смешиваемости с предшественником твердого полимера и (b) способности вступать в реакцию с предшественником твердого полимера,где защитные молекулы включают два типа защитных молекул, где первая функциональная группа первого типа защитных молекул содержит ион металла, имеющий координационную функциональность ...

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ИНФРАКРАСНОГО ФОТОДЕТЕКТОРА

Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур со множественными квантовыми ямами методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении устройств на основе фотоприемных матриц с чувствительностью в глубоком инфракрасном диапазоне (8-12 мкм). Сущность изобретения: в способе выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои - контактные и слои, образующие активную область, содержащую множество квантовых ям и барьеров, методом молекулярно-пучковой эпитаксии путем нагрева подложки в вакууме и попеременной подачи потоков реагентов в квантовые ямы и барьеры, а также легирующей примеси - Si в квантовые ямы, в квантовые ямы подают реагенты: Ga и As, а в квантовые барьеры - Al, Ga и As, в квантовые ямы дополнительно подают Аl в количестве, обеспечивающем его мольную долю в квантовой яме 0,02-0,10, при этом в процессе выращивания слоев, образующих активную область ...

Устройство для визуализации объектов с субволновым пространственным разрешением на основе вынужденного комбинационного рассеяния

Изобретение относится к области субдифракционной сканирующей оптической микроскопии и может быть использовано для визуализации и химической диагностики физических и биологических объектов за пределами дифракции света с помощью металинзы, встроенной в стандартный оптический микроскоп с низкой числовой апертурой. Сущность изобретения заключается в том, что в устройстве для визуализации объектов с субволновым пространственным разрешением на основе вынужденного комбинационного рассеяния, содержащем источник излучения 1, оптически сопряженный с модулем подготовки излучения 2, который оптически сопряжен с модулем преобразования излучения 3, который оптически сопряжен с модулем фокусировки 4, который оптически сопряжен с подложкой 5, которая оптически сопряжена с модулем формирования излучения для регистрации 8 и модулем приема излучения 9, на подложке 5 расположена металинза 6, а в качестве модуля преобразования излучения 3 используют модуль частотной фильтрации и отклонения излучения 3. Технический ...

УСТРОЙСТВО ДИНАМИЧЕСКОЙ ЗАЩИТЫ

Защитное устройство проявляет по меньшей мере одну динамическую реакцию на ускорение или на изменение ориентации по отношению к гравитации, причем динамическая реакция продолжается после прекращения ускорения или изменения ориентации. Кроме этого, динамическая реакция может быть оптической, так что она видима невооруженным человеческим глазом. Альтернативно, реакция может быть машиночитаемой. В некоторых случаях динамическая реакция имеет продолжительность приблизительно от 0,01 с приблизительно до 100 с или от приблизительно 1 с до приблизительно 10 с. 22 з.п. ф-лы, 18 ил.

Способ регистрации электромагнитного излучения в ИК, СВЧ и терагерцовом диапазонах длин волн

Изобретение относится к области измерительной техники и касается способа регистрации электромагнитного излучения в ИК, СВЧ и терагерцовом диапазонах длин волн. Способ включает в себя направление электромагнитного излучения на чувствительный элемент приемника излучения, преобразование его в тепловую или другой вид энергии и ее регистрацию. Перед чувствительным элементом приемника, со стороны падающего на него излучения, размещают диэлектрическое устройство, формируют непосредственно на его выходе локальную область сконцентрированного электромагнитного поля с поперечными размерами порядка λ/3-λ/4, где λ - длина волны падающего излучения, и помещают в эту локальную область чувствительный элемент приемника. Технический результат заключается в повышении чувствительности и быстродействия приемников электромагнитного излучения. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ КРИСТАЛЛОВ НИТРИДА АЛЮМИНИЯ

МНОГОСЛОЙНОЕ ИЗДЕЛИЕ, СОДЕРЖАЩЕЕ СТОЙКИЙ К ИСТИРАНИЮ СЛОЙ, СОДЕРЖАЩЕЕ ЕГО УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ПРОИЗВОДСТВА

СИСТЕМЫ КВАНТОВОЙ ПАМЯТИ И СИСТЕМЫ КВАНТОВОГО ПОВТОРИТЕЛЯ, СОДЕРЖАЩИЕ ОПТИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ ИЗ ЛЕГИРОВАННОЙ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ КЕРАМИКИ, И СПОСОБЫ ИХ ПРОИЗВОДСТВА

СОДЕРЖАЩИЕ ГРАФЕНОВЫЕ КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ ПОЛИМЕРНЫЕ КОМПОЗИЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ И СПОСОБЫ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИОДА

... 1. Способ изготовления светодиода, содержащий этапы:(i) нанесения полупроводниковой пластины, содержащей множество слоев, содержащих светодиодный слой;(ii) нанесения защитного слоя на полупроводниковую пластину;(iii) выполнения этапов обработки пластины для формирования светодиода, причем защитный слой предназначен для защиты полупроводниковой пластины во время, по крайней мере, одного из этапов обработки.2. Способ по п.1, где этапы обработки включают в себя нанесение маскирующего покрытия поверх защитного слоя.3. Способ по п.1, в котором этап нанесения маскирующего покрытия содержит нанесение маскирующего покрытия на защитный слой с последующим протравливанием участков маскирующего слоя для формирования маскирующего покрытия.4. Способ по п.3, в котором этап нанесения маскирующего слоя дополнительно включает в себя слой металла поверх указанного маскирующего слоя и отжиг слоя металла для формирования островков металла, определяющих протравливаемые участки между ними.5. Способ по любому ...

ДЛИННОВОЛНОВЫЙ ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩИЙ ЛАЗЕР С ВНУТРИРЕЗОНАТОРНЫМИ КОНТАКТАМИ

УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ДЛЯ УЛУЧШЕННОГО НАНОСПЕКТРОСКОПИЧЕСКОГО СКАНИРОВАНИЯ

... 1. Аппарат для идентификации химических групп в образце, закрепленном на поверхности, включающий субстрат, имеющий зеркальную поверхность, на которой размещается образец, сформированную из плазмонно-резонансного металла, источник светового луча, линзовый узел, имеющий кончик и нанолинзу, состоящую из одной или нескольких плазмонно-резонансных частиц, размещенных на кончике и расположенных на нем таким образом, чтобы создавать, при направлении светового луча через нанолинзу, моды электромагнитного зазора ближней зоны в пространстве между нанолинзой и прилегающим к ней участком детектирования на поверхности субстрата, в зазоре между нанолинзой и субстратом, равном 40 нм или меньше, фокусирующий механизм для перемещения линзового узла по направлению к поверхности субстрата и от нее, при величине зазора менее 40 нм, для создания мод электромагнитного зазора, усиливающих спектральные сигналы комбинационного рассеяния, генерируемые образцом на участке детектирования; детектор для улавливания ...

ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ КОМПОЗИТНЫЙ МАТЕРИАЛ И СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ЕГО ОСНОВЕ

... 1. Люминесцентный композитный материал, содержащий полимерную основу, выполненную из оптически прозрачного полимерного материала, и многослойную полимерную пленку, содержащую люминофоры, отличающийся тем, что многослойная полимерная пленка состоит из, по меньшей мере, трех слоев, один из которых представляет собой оптически прозрачную полимерную пленку, другой - полимерную композицию с диспергированными полупроводниковыми нанокристаллами, а третий слой представляет собой полимерную композицию, включающую неорганические люминофоры, при этом полупроводниковые нанокристаллы выполнены из полупроводникового ядра, первого полупроводникового слоя и второго полупроводникового слоя и испускают флуоресцентный сигнал с максимумами пиков флуоресценции в диапазоне длин волн 580-650 нм.2. Материал по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковое ядро состоит из полупроводникового материала, выбранного из группы CdS, CdSe, CdTe, InP, InAs, CuInS, CuInSe.3. Материал по п.1, отличающийся тем, что первый ...

Оптический фильтр, оптическая фильтровая система, спектрометр и способ изготовления оптического фильтра

Солнечный отражатель на основе двухслойных полых частиц SiO2/ZnO

Изобретение относится к терморегулирующим покрытиям класса «солнечный отражатель» и может быть использовано в космической технике, в оптическом приборостроении, а также в строительной индустрии. Предложено терморегулирующее покрытие на основе двухслойных полых частиц SiO2/ZnO, приготовленное из 50-30% по объему кремнийорганического лака КО-921 и 50-70% по объему модифицирующих наночастиц, причем модифицирование осуществляется двухслойными полыми частицами SiO2/ZnO со средним размером от 1400 до 1900 нм. Технический результат - разработано терморегулирующее покрытие на основе двухслойных полых частиц SiO2/ZnO, имеющее высокую стойкость оптических свойств к воздействию протонов и электронов с энергией от 10 до 200 кэВ. 2 ил., 1 табл.

Verfahren zur Herstellung einer Anordnung von rein optischen Quantum-Well-Vorrichtungen mit vertikaler Struktur

Polarisationsmodenselektiver Halbleiterlaser, Lichtquelle und optisches Kommunikationssystem unter Verwendung dieses Lasers

Halbleiterlaser mit variabler Oszillationswellenlänge.

Im blau-grünen Bereich emittierender Injektionslaser

Thermoelektrisches Material, thermoelektrisches Element, optischer Sensor und Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Materials

Die vorliegende Erfindung betrifft ein thermoelektrisches Material, das aus Nanostrukturen gebildet ist, ein thermoelektrisches Element und einen optischen Sensor, die dieses enthält, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Materials, das aus Nanostrukturen besteht. Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Nanoteilchen enthaltendes thermoelektrisches Material bereitzustellen, das verbesserte thermoelektrische Eigenschaften erzielt. Das thermoelektrische Material umfasst ein erstes Material mit einer Bandlücke und ein zweites Material, das sich von dem ersten Material unterscheidet. Das thermoelektrische Material enthält mehrere Nanoteilchen, die in einem Basismaterial verteilt sind, das ein Gemisch aus dem ersten Material und dem zweiten Material ist. Eine Zusammensetzung des zweiten Materials in dem thermoelektrischen Material ist nicht kleiner als 0,01 Atom-% und nicht größer als 2,0 Atom-% des thermoelektrischen Materials.

Anordnung zur optischen Verbindung

Elektronischer Bolometer mit Quantentöpfen und Verwendung für einen Strahlungsdetektor.

Lichtemittierende Vorrichtung.

Schottky-Übergang Anordnung

Halbleiterlaserstrukturen.

Mixture and distribution process and device

When mixing polychromatic light, light with only one wave length is fed to each element in a selective chain to form a partial spectrum. When distributing polychromatic light, one wave length is filtered out of each element. After reflection the remaining spectrum is fed to the next element to be decomposed further. A chain of photonic crystals is used for mixing and distributing. A wave length selective coupler/decoupler is allocated to each crystal.

Optischer Schalter

QUANTENSCHICHTSTRUKTUR

Nanodraht-Photodioden und Verfahren zum Herstellen von Nanodraht-Photodioden

Eine Nanodraht-Photodiode (100, 200, 300, 400) mit: einem ersten optischen Wellenleiter (102, 202, 302, 402), der ein verjüngtes erstes Ende (106, 206, 306, 406) mit einer ersten Spitze (108, 208, 308, 408) umfasst; einem zweiten optischen Wellenleiter (104, 204, 304, 404), der ein verjüngtes zweites Ende (110, 210, 310, 410) mit einer zweiten Spitze (112, 212, 312, 412), die von der ersten Spitze beabstandet ist, umfasst; und zumindest einem Nanodraht (114, 214, 314, 414), der zumindest ein Halbleitermaterial umfasst, wobei der Nanodraht die erste Spitze und die zweite Spitze in einer Überbrückungskonfiguration miteinander verbindet.

Optische Halbleitervorrichtung

Kapazitiver Detektor von elektromagnetischen Wellen.

Herstellungsverfahren einer optischen Halbleitervorrichtung

Halbleiterlaserstruktur

Transparenter Photodetektor

Transparenter Photodetektor (100, 200, 300, 500, 600), aufweisend: ein Substrat (120, 220, 320, 520, 620); einen Wellenleiter (102, 202, 302, 502, 602) auf dem Substrat (120, 220, 320, 520, 620); eine bewegliche Struktur (106, 206, 306, 506, 606), die in Bezug auf das Substrat (120, 220, 320, 520, 620) beweglich ist und in der Nähe (104, 204, 304, 504) des Wellenleiters (102, 202, 302, 502, 602) liegt; und ein Silicium-Nanodraht-Array (108, 208, 308, 508, 608), das in Bezug auf das Substrat (120, 220, 320, 520, 620) aufgehängt ist und mit der beweglichen Struktur mechanisch verbunden ist, wobei das Silicium-Nanodraht-Array (108, 208, 308, 508, 608) eine Vielzahl von Nanodrähten mit einem Piezowiderstand aufweist; wobei in Betrieb sich im Wellenleiter (102, 202, 302, 502, 602) ausbreitendes Licht (122, 222, 322, 522, 622) zu einer optischen Kraft an der beweglichen Struktur führt, was zudem zu einer mechanischen Beanspruchung an den Nanodrähten führt, um eine Änderung im elektrischen Widerstand ...

Optische Quanten-Interferenz-Vorrichtung.

VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG VON POLYAZETYLEN ODER POLYAZEN KONJUGIERTEN POLYMEREN MIT SEHR LANGER KETTE.

ANORDNUNG ZUR DETEKTION UND BEHANDLUNG VON OPTISCHER STRAHLUNG.

Verbindungshalbleiter, denselben anwendendes Halbleiter-Bauelement und Herstellungsverfahren des Halbleiter-Bauelementes.

Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

Integriertes optisches Bauteil mit Zonenplatten-Beugungsoptik

Ein integriertes Bauteil mit einer Filterstruktur aus einer ersten strukturierten Metallschicht mit ener Zonenplattenstruktur mit einem Feldkonzentrationsbereich und einem opto-elektronischen Bauelement, wobei dei Filterstruktur und das opto-elektronische Bauelement derart in einem Halbleitersubstrat integriert sind, so dass das opto-elektronische Bauelement in dem Feldkonzentrationsbereich der Filterstruktur angeordnet ist.

Integriertes optisches Bauelement mit photonischem Kristall

Ein integriertes Bauelement mit einer Mikrolinse mit wenigstens einem photonischen Kristall mit einem Feldkonzentrationsbereich und einem opto-elektronischen Bauteil, wobei die Filterstruktur und das opto-elektronische Bauteil derart in einem Halbleitersubstrat integriert sind, so dass das opto-elektronische Bauteil in dem Feldkonzentrationsbereich der Filterstruktur angeordnet ist.

Schichtelement und Verfahren seiner Herstellung

Halbleiterlaser

Gassensor und Verfahren zum Detektieren wenigstens einer Gaskomponente

Die Erfindung betrifft einen Gassensor (5) zum Detektieren wenigstens einer Gaskomponente. Der Gassensor (5) umfasst einen photonischen Kristall (1), welcher eine Mehrzahl von in wenigstens eine Raumrichtung periodisch angeordneten Strukturelementen (2) aufweist. Der photonische Kristall (1) weist des Weiteren wenigstens eine Störstelle auf, durch welche wenigstens ein Resonator (12) für elektromagnetische Strahlung einer Wellenlänge gebildet ist, welche von der wenigstens einen Gaskomponente absorbierbar ist. Der Gassensor (5) umfasst einen Detektor (55), welcher als von dem photonischen Kristall (1) verschiedenes Bauelement ausgebildet und dazu ausgelegt ist, von dem wenigstens einen Resonator (12) abgegebene elektromagnetische Strahlung zu detektieren. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Detektieren wenigstens einer Gaskomponente.

LICHTEMITTIERENDE VORRICHTUNG AUS SILIZIUM UND HERSTELLUNGSVERFAHREN

Optoelektronisches Bauelement in II-VI-Halbleitermaterial

The component has an active layer (4), barrier layers (3, 5) and optionally a buffer layer (2) at least one of which contains a beryllium-containing chalcogenide. The active layer comprises several strata, for example a super-lattice of BeTe/ZnSe or BeTe/ZnCdSe. Where an active ZnSe layer on a GaAs substrate (1) is used, matching of the III-V materials and II-VI materials is achieved with low electrical resistance by a pseudo-graduated buffer layer (2) by incorporation of a beryllium-containing chalcogenide.

Monolithisch integriertes optisches oder optoelektronisches Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren

ABSTIMMBARE LASERQUELLE MIT INTEGRIERTEM OPTISCHEN VERSTÄRKER

INTEGRIERTER OPTO-ELEKTRONISCHER WELLENLÄNGENWANDLER

LICHTQUELLE MIT VARIABLER WELLENLÄNGE

OBERFLÄCHENEMITTIERENDER LASER MIT VERTIKALEM RESONATOR

VERBESSERUNGEN FÜR OPTISCHE VORRICHTUNGEN

Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung desselben

Es wird ein Halbleiterlaser vorgesehen, welcher umfaßt: eine erste Mantelschicht, die aus einem Verbindungshalbleiter gebildet ist, der eine Verunreinigung vom ersten Leitfähigkeitstyp aufweist und einen mesaförmigen Vorsprung hat; eine aktive Schicht, die auf dem Vorsprung wie ein Streifen gebildet ist und Seitenflächen aufweist, die unter einem Winkel von mehr als 70 Grad, jedoch weniger als 90 Grad relativ zu einer oberen Fläche der ersten Mantelschicht geneigt sind; vergrabene Schichten, die auf beiden Seiten des Vorsprungs gebildet sind und eine Verunreinigung vom zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen; Stromblockierschichten, die jeweils ein Ende aufweisen, das mit einer virtuellen Fläche in Kontakt steht, die durch die Verlängerung einer Seitenfläche der aktiven Schicht nach oben erhalten wird, und die eine erste Facette aufweist, welche von dem einen Ende nach unten verläuft und etwa 55 Grad relativ zur oberen Fläche der ersten Mantelschicht geneigt ist, und auf jeder vergrabenen Schicht ...

Oberflächenemittierender Halbleiterlaser

QUANTENKASKADENLASER MIT ANREGUNG DURCH OPTISCHE PHONONEN

Optisches Gerät

OPTISCHE HALBLEITERVORRICHTUNG

Heterostrukturanordnung aus Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialien und Substrat dafür

Heterostrukturanordnung aus Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialien und Substrat dafür

Verfahren zur Herstellung eines Antireflektionsfilms

Gruppe III-Nitridschichten mit strukturierten Oberflächen

RINGRESONATOR MIT RADIALEM BRAGG-REFLEKTOR

Optical radiation device with radiation source providing radiation in visible wavelength region and non-visible heat radiation, used in illumination industry has metal oxide reflector giving radiation closer to black body radiation

An optical radiation device has a radiation source which provides on heating optical radiation in the visible wavelength region and also non-visible heat radiation, and a reflector (2,8,9), which because of Bragg reflection provides complete permeability for optical radiation and complete reflection of heat radiation at least in the direction of the radiation source.

Optischer Schalter

Ein optischer Schalter weist einen optischen Wellenleiter auf, dessen Ausgangsweg für ein optisches Signal sich auf zwei Wege verzweigt, einen Ladungsträgerinjektionsabschnitt, der bei einem Abzweigabschnitt des optischen Wellenleiters vorgesehen ist und in welchen Ladungsträger injiziert werden, und einen Brechungsindexänderungsabschnitt, der bei einer optischen Wellenleiterschicht des optischen Wellenleiters vorgesehen ist, und in welchem sich der Brechungsindex ändert, wenn Ladungsträger in den Ladungsträgerinjektionsabschnitt injiziert werden, wobei der Brechungsindexänderungsabschnitt eine Quantentopfschicht aufweist.

Optischer Datenträger mit Superauflösung

Nanokristall, Verfahren zu seiner Herstellung und elektronische Vorrichtung damit

Halbleiterlaservorrichtung , optisches Kommunikationssystem unter Verwendung desselben und Herstellungsverfahren

Verfahren und Anordnung zur Fokussierung elektromagnetischer Strahlung unterhalb der Beugungsgrenze

Zur Fokussierung elektromagnetischer Strahlung unterhalb der Beugungsgrenze, wodurch die physikalische Grenze für den kleinsten Bündeldurchmesser bei der Fokussierung elektromagnetischer Strahlung überwunden und eine höhere Intensität auf einer kleineren Fläche realisiert werden kann, wird ein Verfahren angegeben, mindestens umfassend die Verfahrensschritte Fokussieren eines von einer Quelle einfallenden elektromagnetischen Strahlenbündels mit üblichen Mitteln, Erzeugung evaneszenter Wellenfelder der zu fokussierenden elektromagnetischen Strahlung als Seedfelder und Verstärkung dieser Seedevaneszenzfelder in unmittelbarer räumlicher Nähe ihrer Erzeugung, wobei die Phasen der verstärkten Evaneszenzwellen einander angepasst sind.

Halbleiterlaservorrichtung

Non-focal optical power limiting polymeric materials

This invention concerns a solid polymer matrix for use as non-focal optical power limiting polymeric materials. This matrix contains: (1) a hyperbranched polymer family, especially HB-PCS OR HB-PU, HB-PUSOX or PC; (2) one or more of RSA dye, MPA dye, azo dye or DMNPAA; 3) CNT and 4) a self-focusing component. This solid polymer matrix provides efficient protection from laser beam damage along with its self-focusing mechanism.

Nano-imprint mold

A nano-imprint mold includes a mold base; mold body having a first surface and a second surface opposite the first surface; and an elastic body disposed between a surface of the mold base and the first surface of the mold body, the elastic body being composed of resin. The second surface of the mold body is provided with a nano-imprint pattern. In addition, the elastic body has a bulk modulus lower than a bulk modulus of the mold body.

Устройство для регистрации субволновых частиц

Устройство для регистрации субволновых частиц, состоящее из последовательно расположенных источника излучения преимущественно плоской волны, устройства субволновой фокусировки излучения, регистрируемой субволновой частицы, расположенной в области фокуса устройства субволновой фокусировки излучения и устройства регистрации рассеянного поля регистрируемой частицы, отличающееся тем, что устройство субволновой фокусировки излучения выполнено в виде фотонного кристалла, имеющего прямоугольную входную и выходную апертуры, при этом вдоль оптической оси фотонного кристалла выполнено субволновое отверстие с длиной не более длины фотонного кристалла и доходящей до его фокусной плоскости, а градиент эффективного показателя преломления фотонного кристалла в поперечном направлении выполнен спадающим к его краям. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 166 253 U1 (51) МПК G01N 21/49 (2006.01) G01N 15/10 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ТИТУЛЬНЫЙ (21)(22) Заявка: ЛИСТ ОПИСАНИЯ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2016122837/28, 08.06.2016 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 08.06.2016 (45) Опубликовано: 20.11.2016 Бюл. № 32 1 6 6 2 5 3 R U (57) Формула полезной модели Устройство для регистрации субволновых частиц, состоящее из последовательно расположенных источника излучения преимущественно плоской волны, устройства субволновой фокусировки излучения, регистрируемой субволновой частицы, расположенной в области фокуса устройства субволновой фокусировки излучения и устройства регистрации рассеянного поля регистрируемой частицы, отличающееся тем, что устройство субволновой фокусировки излучения выполнено в виде фотонного кристалла, имеющего прямоугольную входную и выходную апертуры, при этом вдоль оптической оси фотонного кристалла выполнено субволновое отверстие с длиной не более длины фотонного кристалла и доходящей до его фокусной плоскости, а градиент эффективного показателя преломления фотонного кристалла в поперечном ...

Single Mode Photonic Circuit Architecture and a New Optical Splitter Design Based on Parallel Waveguide Mode Conversion

The new single mode circuit (SMC) architecture is invented for photonic integrated circuits (PIC). This architecture allows using multimode waveguides or structures to construct a single mode operated PIC. The multimode sections used in such SMC based PIC possess strong lateral confinement so that the PIC can have high circuit density and high optical performance at the same time. A parallel mode converter structure is also invented here. Based on this parallel mode converter, a low loss optical splitter can be constructed for high index contrast waveguide system.

Holographic mirror for optical interconnect signal routing

A holographic mirror 10 for re-directing an optical signal that includes a base 14 having an outer surface 16, and a plurality of discrete nano-structures 12 formed into the outer surface of the base. Each nano-structure has an out-of-plane dimension 20 that is within an order of magnitude of one or both in-plane dimensions 22. The plurality of nano-structures are configured in a repeating pattern with a predetermined spacing 18 between nano-structures for re-directing an optical signal.

Optics collection and detection system and method

Optics collection and detection systems are provided for measuring optical signals from an array of optical sources over time. Methods of using the optics collection and detection systems are also described.

Compositions Comprising QD Sol-Gel Composites and Methods for Producing and Using the Same

The present invention provides OLEDs comprising cross-linked quantum dots and methods for producing and using the same.

Illumination system comprising beam shaping element

The invention relates to an illumination system ( 10 ) comprising a light emitting device ( 20 ) and a beam shaping element ( 30 ) for generating an angular distribution (φ) of the light emitted from the illumination system. The beam shaping element is configured for recycling at least a part of the light emitted from a light emitting surface ( 26 ) of the light emitting device via reflection back towards the light emitting surface. The illumination system further comprises a diffuser ( 40, 42 ) arranged substantially parallel to the light emitting surface for diffusing at least part of the recycled light. The diffuser is constituted of a translucent diffuser ( 40 ) and/or a diffusely reflective electrode layer ( 42 ) of the light emitting device. Limiting the angular distribution by recycling light, using the beam shaping element for recycling light via reflection, reduces glare when the illumination system is used in general lighting applications. The diffuser avoids that the recycled light is confined between the beam shaping element and the light emitting surface of the light emitting element. The recycling is preferably done via total internal reflection at the beam shaping element. The presence of the diffuser improves the efficiency of the illumination system.

Dynamic nano-inscribing for continuous and seamless metal and polymer nanogratings

Nanoscale grating structure can be utilized in many practical applications in optics, flat-panel displays and bio-sensors. A Dynamic Nano-Inscribing (Dynamic Nano-Inscribing) technique is disclosed for directly creating large-area, truly continuous nano-grating patterns in a variety of metal or polymer materials with feature size down to sub-50 nm and at very high speed (10 cm/sec). Dynamic Nano-Inscribing is carried out under either ambient temperature or with a brief heating time on the order of ten microseconds, which minimizes damage on UV or thermo-sensitive functional materials.

Semiconductor light emitting element, driving method of semiconductor light emitting element, light emitting device, and optical pulse tester using light emitting device

[Task] To provide a semiconductor light emitting element capable of emitting light beams with wavelengths in a plurality of wavelength ranges with a high optical output, a driving method of a semiconductor light emitting element capable of making a semiconductor light emitting element that can emit light beams with wavelengths in a plurality of wavelength ranges operate with a high optical output, a light emitting device, and a small and high-performance optical pulse tester using the light emitting device. [Means for Resolution] In a driving method of a semiconductor light emitting element with a configuration in which an active layer 13 a with a gain wavelength λ 1 of about 1.55 μm and an active layer 13 b with a gain wavelength λ 2 of about 1.3 μm are optically coupled along the guiding direction of light and are disposed in series in order of the length of the gain wavelengths λ 1 and λ 2 and a diffraction grating 20 with a Bragg wavelength of the short gain wavelength λ 2 is formed near the active layer 13 b with the short gain wavelength λ 2 and near a butt-joint coupling portion 19 between the active layers 13 a and 13 b, an upper electrode provided above the active layer 13 b is short-circuited to a lower electrode provided on a bottom surface of a semiconductor substrate so that a leakage current does not flow into the active layer 13 b when a driving current is applied to the active layer 13 a.

Edge-emitting semiconductor laser

The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser comprising a semiconductor body ( 10 ), which comprises a waveguide region ( 4 ), wherein the waveguide region ( 4 ) comprises a first waveguide layer ( 2 A), a second waveguide layer ( 2 B) and an active layer ( 3 ) arranged between the first waveguide layer ( 2 A) and the second waveguide layer ( 2 B) and serving for generating laser radiation ( 5 ), and the waveguide region ( 4 ) is arranged between a first cladding layer ( 1 A) and a second cladding layer ( 1 B) disposed downstream of the waveguide region ( 4 ) in the growth direction of the semiconductor body ( 10 ). The waveguide region ( 4 ) has a thickness d of 400 nm or less, and an emission angle of the laser radiation ( 5 ) emerging from the semiconductor body ( 10 ) in a direction parallel to the layer plane of the active layer ( 3 ) and the emission angle of the laser radiation ( 5 ) emerging from the semiconductor body ( 10 ) in a direction perpendicular to the layer plane of the active layer ( 3 ) differ from one another by less than a factor of 3.

Semiconductor device

A semiconductor device of an embodiment includes: a semiconductor layer made of p-type nitride semiconductor; an oxide layer formed on the semiconductor layer, the oxide layer being made of a polycrystalline nickel oxide, and the oxide layer having a thickness of 3 nm or less; and a metal layer formed on the oxide layer.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

A semiconductor light emitting device includes a structural body, a first electrode layer, an intermediate layer and a second electrode layer. The structural body includes a first semiconductor layer of first conductivity type, a second semiconductor layer of second conductivity type, and a light emitting layer between the first and second semiconductor layers. The first electrode layer is on a side of the second semiconductor layer opposite to the first semiconductor layer; the first electrode layer includes a metal portion and plural opening portions piercing the metal portion along a direction from the first semiconductor layer toward the second semiconductor layer, having an equivalent circular diameter not less than 10 nanometers and not more than 5 micrometers. The intermediate layer is between the first and second semiconductor layers in ohmic contact with the second semiconductor layer. The second electrode layer is electrically connected to the first semiconductor layer.

Semiconductor optical element

A semiconductor optical element has an active layer including quantum dots. The density of quantum dots in the resonator direction in a portion of the active layer in which the density of photons is relatively high is increased relative to the density of quantum dots in a portion of the active layer in which the density of photons is relatively low.

Optoelectronic device based on non-polar and semi-polar aluminum indium nitride and aluminum indium gallium nitride alloys

A high-power and high-efficiency light emitting device with emission wavelength (λ peak ) ranging from 280 nm to 360 nm is fabricated. The new device structure uses non-polar or semi-polar AlInN and AlInGaN alloys grown on a non-polar or semi-polar bulk GaN substrate.

Metamaterial Integrated Solar Concentrator

An optical device including a metamaterial layer having a negative index of refraction for at least one wavelength in the visible range of 400-700 nm, a photovoltaic cell, and an optical waveguide arranged between the metamaterial layer and the photovoltaic cell. The optical waveguide has a first face and second face arranged opposite the first face, the first face having a larger area than the second face, the metamaterial layer positioned at the first face of the optical waveguide and the photovoltaic cell positioned at the second face of the optical waveguide. The optical device can be a solar collector. The optical waveguide can have a trapezoidal cross section, with the side faces of the waveguide having an angle of tilt sufficient to ensure total internal reflection for all incidence angles within the metamaterial's acceptance cone.

Multi-wavelength high output laser source assembly with precision output beam

A laser source assembly ( 210 ) for generating an assembly output beam ( 212 ) includes a first laser source ( 218 A), a second laser source ( 218 B), and a dispersive beam combiner ( 222 ). The first laser source ( 218 A) emits a first beam ( 220 A) having a first center wavelength, and the second laser source ( 218 B) emits a second beam ( 220 B) having a second center wavelength that is different than the first center wavelength. The dispersive beam combiner ( 222 ) includes a common area 224 that combines the first beam ( 220 A) and the second beam ( 220 B) to provide the assembly output beam ( 212 ). The first beam ( 220 A) impinges on the common area ( 224 ) at a first beam angle ( 226 A), and the second beam ( 220 B) impinges on the common area ( 224 ) at a second beam angle ( 226 B) that is different than the first beam angle ( 226 A). Further, the beams ( 220 A) ( 220 B) that exit from the dispersive beam combiner ( 222 ) are substantially coaxial, are fully overlapping, and are co-propagating.

Alternating Bias Hot Carrier Solar Cells

Extremely high efficiency solar cells are described. Novel alternating bias schemes enhance the photovoltaic power extraction capability above the cell band-gap by enabling the extraction of hot carriers. In conventional solar cells, this alternating bias scheme has the potential of more than doubling their yielded net efficiency. In solar cells incorporating quantum wells (QWs) or quantum dots (QDs), the alternating bias scheme has the potential of extending such solar cell power extraction coverage, possibly across the entire solar spectrum, thus enabling unprecedented solar power extraction efficiency. Within such cells, a novel alternating bias scheme extends the cell energy conversion capability above the cell material band-gap while the quantum confinement structures are used to extend the cell energy conversion capability below the cell band-gap. Light confinement cavities are incorporated into the cell structure to allow the absorption of the cell internal photo emission, thus further enhancing the cell efficiency.

Polymer layer on x-ray window

An x-ray window comprising a plurality of thin film layers stacked together, including a thin film layer and a polymer layer. The thin film layer can be diamond, graphene, diamond-like carbon, beryllium, and combinations thereof. The polymer layer can be a polyimide. A boron hydride layer may also be included.

Methods and systems for optical focusing using negative index metamaterial

In an embodiment of methods and systems for optical focusing For laser guided seekers using negative index metamaterial, the methods and systems comprise a light focusing system comprising: a lens comprising a negative index metamaterial to focus at least one selected wavelength while defocusing other wavelengths, and a sensor upon which the lens focuses the selected wavelength.

Surface emitting laser, surface emitting laser array, and optical apparatus having surface emitting laser array

There is provided a surface emitting laser allowing a direction of a far-field pattern (FFP) centroid to be inclined from a normal direction of a substrate providing the surface emitting laser, comprising: a substrate; a lower reflecting mirror, an active layer, an upper reflecting mirror stacked on the substrate; and a surface relief structure located in an upper portion of a light emitting surface of the upper reflecting mirror, the surface relief structure being made of a material allowing at least some beams emitted from the surface emitting laser to be transmitted therethrough, a plurality of regions having a predetermined optical thickness in a normal direction of the substrate being formed in contact with other region in an in-plane direction of the substrate, and a distribution of the optical thickness in the in-plane direction of the substrate is asymmetric to a central axis of the light emitting regions.

Multimode vertical-cavity surface-emitting laser arrays

Various embodiments of the present invention are directed to monolithic VCSEL arrays where each VCSEL can be configured to lase at a different wavelength. In one embodiment, a monolithic surface-emitting laser array includes a reflective layer, a light-emitting layer ( 102 ), and a grating layer ( 112 ) configured with two or more non-periodic, sub-wavelength gratings. Each grating is configured to form a resonant cavity with the reflector, and each grating is configured with a grating pattern that shapes one or more internal cavity modes and shapes one or more external transverse modes emitted through the grating.

Method and system for near-field optical imaging

A system and method for optically imaging a sample. The method and system uses a controlled scatterer of light positioned in the near field of a sample. The extinguished power from an incident field, which illuminates both the sample and the controlled scatterer, is then measured as a function of the controlled scatterer position and is used to mathematically reconstruct an image of the sample.

Solar cell

A solar cell of the present invention comprises a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and a superlattice semiconductor layer interposed between the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer, wherein the superlattice semiconductor layer has a superlattice structure in which barrier layers and quantum dot layers comprising quantum dots are stacked alternately and repeatedly, and is formed so that the bandgaps of the quantum dots are gradually widened with increasing distance from a side of the p-type semiconductor layer and decreasing distance to a side of the n-type semiconductor layer.

Limiting strain relaxation in iii-nitride hetero-structures by substrate and epitaxial layer patterning

A method of fabricating a substrate for a semipolar III-nitride device, comprising patterning and forming one or more mesas on a surface of a semipolar III-nitride substrate or epilayer, thereby forming a patterned surface of the semipolar III-nitride substrate or epilayer including each of the mesas with a dimension/along a direction of a threading dislocation glide, wherein the threading dislocation glide results from a III-nitride layer deposited heteroepitaxially and coherently on a non-patterned surface of the substrate or epilayer.

Long semiconductor laser cavity in a compact chip

Long semiconductor laser cavities are placed in relative short length chips through the use of total internal reflection (TIR) surfaces formed through etched facets. In one embodiment, a laser cavity is formed along the perimeter edges of a rectangular semiconductor chip by using three 45° angled TIR facets to connect four legs of a ridge or buried heterostructure (BH) waveguide that defines the laser cavity. In other embodiments, even more TIR facets and waveguide legs or sections are employed to make even longer laser cavities in the shape of rectangular or quadrilateral spirals. These structures are limited in the spacing of adjacent waveguide sections, which if too small, can cause undesirable coupling between the sections. However, use of notches etched between the adjacent sections have been shown to decrease this coupling effect.

Group iii nitride semiconductor element and epitaxial wafer

A primary surface 23 a of a supporting base 23 of a light-emitting diode 21 a tilts by an off-angle of 10 degrees or more and less than 80 degrees from the c-plane. A semiconductor stack 25 a includes an active layer having an emission peak in a wavelength range from 400 nm to 550 nm. The tilt angle “A” between the (0001) plane (the reference plane S R3 shown in FIG. 5 ) of the GaN supporting base and the (0001) plane of a buffer layer 33 a is 0.05 degree or more and 2 degrees or less. The tilt angle “B” between the (0001) plane of the GaN supporting base (the reference plane S R4 shown in FIG. 5 ) and the (0001) plane of a well layer 37 a is 0.05 degree or more and 2 degrees or less. The tilt angles “A” and “B” are formed in respective directions opposite to each other with reference to the c-plane of the GaN supporting base.

High sensitivity localized surface plasmon resonance sensor and sensor system using same

The present invention relates to a high sensitivity localized surface plasmon resonance sensor and to a sensor system using same, the sensor comprising: a first metal layer including a first metal; a second metal layer arranged parallel to the first metal layer and including a second metal; and a conductive cross-linking layer disposed between the first metal layer and the second metal layer, and made of a third metal with a corrosion response that is different than that of the first metal and of the second metal.

Group-iii nitride semiconductor device, method for fabricating group-iii nitride semiconductor device, and epitaxial substrate

Provided is a Group III nitride semiconductor device, which comprises an electrically conductive substrate including a primary surface comprised of a first gallium nitride based semiconductor, and a Group III nitride semiconductor region including a first p-type gallium nitride based semiconductor layer and provided on the primary surface. The primary surface of the substrate is inclined at an angle in the range of not less than 50 degrees, and less than 130 degrees from a plane perpendicular to a reference axis extending along the c-axis of the first gallium nitride based semiconductor, an oxygen concentration Noxg of the first p-type gallium nitride based semiconductor layer is not more than 5×10 17 cm −3 , and a ratio (Noxg/Npd) of the oxygen concentration Noxg to a p-type dopant concentration Npd of the first p-type gallium nitride based semiconductor layer is not more than 1/10.

Photovoltaic device

Provided is a photovoltaic device that includes: a substrate; a first electrode disposed on the substrate: a photoelectric transformation layer disposed on the first electrode, the photoelectric transformation layer comprising a light absorbing layer which comprises at least one pair of an intrinsic first sub-layer and an intrinsic second sub-layer, each of which comprises a hydrogenated amorphous silicon based material and a hydrogenated proto-crystalline silicon based material having a crystalline silicon grain, and comprises a non-silicon based element; and a second electrode disposed on the photoelectric transformation layer.

Quantum Cascade Lasers with Electrically Tunable Emission Wavelengths

The present invention provides a QCL device with an electrically controlled refractive index through the Stark effect. By changing the electric field in the active area, the energy spacing between the lasing energy levels may be changed and, hence, the effective refractive index in the spectral region near the laser wavelength may be controlled.

Organic Optoelectronic Component and Method for Producing an Organic Optoelectronic Component

In at least one embodiment of the organic optoelectronic component ( 1 ), the latter comprises a carrier ( 2 ) and a first electrode ( 11 ), which is mounted on the carrier ( 2 ). Furthermore, the component ( 1 ) contains at least one organic layer sequence ( 3 ) with at least one organic active layer ( 33 ). Furthermore, the component ( 1 ) comprises a second electrode ( 22 ), such that the organic layer sequence ( 3 ) is located between the first electrode ( 11 ) and the second electrode ( 22 ). At least one dark region ( 4 ) and at least one bright region ( 5 ) are formed in a lateral direction. In both the dark region ( 4 ) and the bright region ( 5 ), both the first electrode ( 11 ) and the second electrode ( 22 ) and also the organic layer sequence ( 3 ) are applied to the carrier ( 2 ) in places or over the entire surface. A first reflectivity of the dark region ( 4 ) differs from a second reflectivity of the bright region ( 5 ) by at most 15 percentage points.

Reflection type display device

A reflection type display device ( 10 ) includes: a plasmon resonance layer ( 32 ) in which metal nanoparticles ( 80 ) are dispersed; a band-pass filter ( 40 ); a light shutter ( 20 ); and a silicon solar cell layer ( 50 a ) being provided close to the plasmon resonance layer ( 32 ). The band-pass filter ( 40 ) and the light shutter ( 20 ) are provided so as to overlap the plasmon resonance layer ( 32 ) in planar view. The reflection type display device ( 10 ) performs display in such a manner that: the metal nanoparticles ( 80 ) allow light having a specific wavelength to pass through; the light is then reflected by the band-pass filter ( 40 ); and the light shutter ( 20 ) adjusts an intensity of the light thus reflected.

Wavelength conversion member, light emitting device, illuminating device, vehicle headlamp, and production method

A headlamp according to an embodiment of the present invention includes a laser diode which emits a laser beam and a light emitting section which emits light upon receiving the laser beam. The light emitting section has heat-resistant (heat-tolerant) fluorescent material dispersed inside heat-resistant transparent sealing material. Accordingly, the headlamp is capable of functioning as a small-sized light source having high luminance and high luminous flux and which can be used for a long period of time.

Brownian Microbarcodes for Bioassays

Presented are encoded microparticles, methods of use in biological assays, and flexible, modular instrument systems for conducting a variety of biological assays using the encoded microparticles. The systems include various instrumentation components which are exchangeable and offer a single flexible platform on which a large number of different types of experiments and assays may be conducted including, for example, microarray analysis, encoded microparticle single and multiplex detection, tissue dissection and isolation, and other genetic analysis techniques.

Transparent display backlight assembly

In embodiments of a transparent display backlight assembly, a backlight panel is operable as a transparent panel, and a light source generates light that the backlight panel directs from the light source to illuminate a display panel of a display device. Light refraction features refract and scatter the light, where the light refraction features are spaced for approximate transparency of the backlight panel and to illuminate the display panel. An active diffuser can be implemented as an additional transparent panel and operable for activation to diffuse the light from the backlight panel that illuminates the display panel.

Optical materials, optical components, and methods

An optical component including an optical material comprising quantum confined semiconductor nanoparticles, wherein at least a portion of the nanoparticles are in a charge neutral state. Further disclosed is an optical component including an optical material comprising quantum confined semiconductor nanoparticles, wherein at least a portion of the nanoparticles are in a charge neutral state, and wherein the optical material is at least partially encapsulated. Methods, optical materials, and devices are also disclosed.

Thermally excited near-field source

A high resolution material observation system includes an object having at least one spatial dimension sufficient to support production of near-field infrared emissions, a holder adapted to receive a sample to be observed, the holder further adapted to position the sample in the near-field infrared emissions, and a thermal excitation unit, adapted to be thermally coupled to at least one of the object and the sample. The thermal excitation unit is further adapted to causing black body radiation in either the object or the sample within the infrared spectrum.

Frequency selective imaging system

An apparatus, system, and method are disclosed for a frequency selective imager. In particular, the frequency selective imager includes an array of pixels arranged in a focal plane array. Each pixel includes at least one nanoparticle-sized diameter thermoelectric junction that is formed between nanowires of different compositions. When a nanoparticle-sized diameter thermoelectric junction senses a photon, the nanoparticle-sized diameter thermoelectric junction emits an electrical pulse voltage that is proportional to an energy level of the sensed photon. In one or more embodiments, the frequency selective imager is a frequency selective optical imager that is used to sense photons having optical frequencies. In at least one embodiment, at least one of the nanowires in the frequency selective imager is manufactured from a compound material including Bismuth (Bi) and Tellurium (Te).

Polymeric dye for optical power limiting

This invention concerns a polymer coating composition for use as non-focal optical power limiting dye containing polymeric materials. This composition contains: (1) one or more Modified Polymers comprising a Polymer, such as a hyperbranched polymer family, especially HB—PCS, HB—PU, HB—PUSOX or PC with one or more of: a) reverse saturable dye (RSA), b) multi-photon absorption dye (MPA), c) an azo dye, or d) absorption dye, which dye is chemically bonded to the pendant groups of the Polymer (along its chain and/or termini) or which forms a part of the backbone of the Polymer; (2) carbon nanotubes (CNT) as optical power limiters (OPL); and (3) a self-focusing component. This Modified Polymer composition contains the dye incorporated into the polymer chain backbone or chemically bonded to the terminal groups at the ends or along the chain of the polymer, which provides efficient protection from laser beam damage along with its self-focusing mechanism.

Display device using quantum-dot and fabrication method thereof

Provided are a display device in which a shape is not limited, the mounting and wiring of elements are not required, visibility, luminance, and the representation of a color are excellent, brightness is adjustable, production cost is low, and fabrication is easy, and a fabrication method thereof. Specifically, the display device includes: a substrate; a light emitting layer formed on the top of the substrate in a predetermined pattern and containing quantum-dots that receives external light to emit light; and a light emitting element providing the external light to the light emitting layer.

Iii-nitride semiconductor laser device, and method of fabricating the iii- nitride semiconductor laser device

A method of fabricating a III-nitride semiconductor laser device includes: preparing a substrate with a semipolar primary surface, the semipolar primary surface including a hexagonal III-nitride semiconductor; forming a substrate product having a laser structure, an anode electrode, and a cathode electrode, the laser structure including a substrate and a semiconductor region, and the semiconductor region being formed on the semipolar primary surface; after forming the substrate product, forming first and second end faces; and forming first and second dielectric multilayer films for an optical cavity of the nitride semiconductor laser device on the first and second end faces, respectively.

Light emitting diode comprising semiconductor nanocrystal complexes

A light emitting diode (LED) formed by depositing an LED chip and coupling a stability layer to the LED chip. Semiconductor nanocrystals are placed in a first matrix material to form a nanocrystal complex layer. The nanocrystal complex layer is deposited on top of the stability layer. A thickness of the stability layer is chosen to maximizes a power of a light output by the nanocrystal complex layer. The matrix material and the stability layer can be of the same type of material. Additional layers of matrix material can be deposited on top of the nanocrystal complex layer. These additional layers can comprise matrix material only or can comprise matrix material and semiconductor nanocrystals to form another nanocrystal complex layer.

Semiconductor light emitting device, optical pickup unit and information recording/reproduction apparatus

A semiconductor light emitting device downsized by devising arrangement of connection pads is provided. A second light emitting device is layered on a first light emitting device. The second light emitting device has a stripe-shaped semiconductor layer formed on a second substrate on the side facing to a first substrate, a stripe-shaped p-side electrode supplying a current to the semiconductor layer, stripe-shaped opposed electrodes that are respectively arranged oppositely to respective p-side electrodes of the first light emitting device and electrically connected to the p-side electrodes of the first light emitting device, connection pads respectively and electrically connected to the respective opposed electrodes, and a connection pad electrically connected to the p-side electrode. The connection pads are arranged in parallel with the opposed electrodes.

Sol-gel based antireflective (ar) coatings with controllable pore size using organic nanocrystals and dendrimers

Embodiments of the invention relate generally to methods and compositions for forming porous low refractive index coatings on substrates. In one embodiment, a method for forming a porous coating on a substrate is provided. The method comprises coating a substrate with a sol-gel composition, comprising at least one porosity forming agent, wherein the porosity forming agent is selected from at least one of dendrimers and organic nanocrystals and removing the at least one porosity forming agent to form the porous coating. Use of at least one of the dendrimers and organic nanocrystals leads to the formation of stable pores with larger volume fraction in the film. Further, the size and interconnectivity of the pores may be controlled via selection of the organic nanocrystal or dendrimer structure, the total organic nanocrystal or dendrimer molecule fraction, polarity of the organic nanocrystal or dendrimer molecule and solvent, and other physiochemical properties of the gel phase.

Anti-Reflection Optical Element and Method for Manufacturing Anti-Reflection Optical Element

An object of the present invention is to provide an anti-reflection optical element excellent in durability in the environment high-temperature and high-humidity and scratch resistance while maintaining the anti-reflection performance of a concave-convex nanostructure. To achieve the object, an anti-reflection optical element 1 comprising a concave-convex nanostructure 20 that reduces reflection of incident light on an optical surface 11 of a base optical element 1 comprising a cover layer 30 made of a light-transmitting material that covers an outer surface of the concave-convex nanostructure 20 , wherein a peak of convex portion 21 of the concave-convex nanostructure 20 is covered with the cover layer 30 in the state where a space 40 is provided between the cover layer 30 and concave portions 22 of the concave-convex nanostructure 20 is employed.

Light emitting element and method for manufacturing same

Disclosed is a light emitting element, which emits light with small power consumption and high luminance. The light emitting element has: a IV semiconductor substrate; two or more core multi-shell nanowires disposed on the IV semiconductor substrate; a first electrode connected to the IV semiconductor substrate; and a second electrode, which covers the side surfaces of the core multi-shell nanowires, and which is connected to the side surfaces of the core multi-shell nanowires. Each of the core multi-shell nanowires has: a center nanowire composed of a first conductivity type III-V compound semiconductor; a first barrier layer composed of the first conductivity type III-V compound semiconductor; a quantum well layer composed of a III-V compound semiconductor; a second barrier layer composed of a second conductivity type III-V compound semiconductor; and a capping layer composed of a second conductivity type III-V compound semiconductor.

Light emitting device including semiconductor nanocrystals

A light emitting device includes a semiconductor nanocrystal and a charge transporting layer that includes an inorganic material. The charge transporting layer can be a hole or electron transporting layer. The inorganic material can be an inorganic semiconductor.

Gain-clamped semiconductor optical amplifiers

A gain-clamped semiconductor optical amplifier comprises: at least one first surface; at least one second surface, each second surface facing and electrically isolated from a respective first surface; a plurality of nanowires connecting each opposing pair of the first and second surfaces in a bridging configuration; and a signal waveguide overlapping the nanowires such that an optical signal traveling along the signal waveguide is amplified by energy provided by electrical excitation of the nanowires.

Group iii nitride semiconductor multilayer structure and production method thereof

According to the present invention, an AlN crystal film seed layer having high crystallinity is combined with selective/lateral growth, whereby a Group III nitride semiconductor multilayer structure more enhanced in crystallinity can be obtained. The Group III nitride semiconductor multilayer structure of the present invention is a Group III nitride semiconductor multilayer structure where an AlN crystal film having a crystal grain boundary interval of 200 nm or more is formed as a seed layer on a C-plane sapphire substrate surface by a sputtering method and an underlying layer, an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer and a p-type semiconductor layer, each composed of a Group III nitride semiconductor, are further stacked, wherein regions in which the seed layer is present and is absent are formed on the C-plane sapphire substrate surface and/or regions capable of epitaxial growth and incapable of epitaxial growth are formed in the underlying layer.

Al(x)Ga(1-x)N-CLADDING-FREE NONPOLAR III-NITRIDE BASED LASER DIODES AND LIGHT EMITTING DIODES

A method for fabricating Al x Ga 1-x N-cladding-free nonpolar III-nitride based laser diodes or light emitting diodes. Due to the absence of polarization fields in the nonpolar crystal planes, these nonpolar devices have thick quantum wells that function as an optical waveguide to effectively confine the optical mode to the active region and eliminate the need for Al-containing waveguide cladding layers.

Method of manufacturing a semiconductor laser

Provided is a semiconductor laser, wherein (λa−λw) >15 (nm) and Lt<25 (μm), where λw is the wavelength of light corresponding to the band gap of the active layer disposed at a position within a distance of 2 μm from one end surface in a resonator direction, λa is the wavelength of light corresponding to the band gap of the active layer disposed at a position that is spaced a distance of equal to or more than ( 3/10)L and ≦( 7/10)L from the one end surface in a resonator direction, “L” is the resonator length, and “Lt” is the length of a transition region provided between the position of the active layer with a band gap corresponding to a light wavelength of λw+2 (nm) and the position of the active layer with a band gap corresponding to a light wavelength of λa−2 (nm) in the resonator direction.

Laser characterization system and process

A system and process for automatically characterizing a plurality of external cavity semiconductor laser chips on a semiconductor laser bar separated from a semiconductor wafer. The system includes a diffraction grating and a steering mirror mounted on a rotary stage for rotating the diffraction grating through a range of diffraction angles. A laser bar positioning stage for automatically aligning each laser chip in a laser bar with the diffraction grating. Reflecting a laser beam emitted from a laser chip in a laser bar with diffraction grating and steering mirror to the laser analyzer. Automatically rotating the diffraction grating through a range of diffraction angles relative to the laser beam and automatically characterizing the laser optical properties such as spectra, power, or spatial modes with the laser analyzer at each diffraction angle.

Lighting apparatus and display device including the same

A lighting apparatus and a display device including the same are disclosed. The present invention relates to a lighting apparatus, which can enhance resistance against gas or humidity and which can present a stable optical property and which can enhance light-emitting efficiency, and a display device including the lighting apparatus.

Light projection unit and light projection device

A light projection unit is provided that can reduce the production of a portion where the light density is excessively increased on a fluorescent member. This light projection unit includes: a light collection member that includes a light entrance surface and a light emission surface which has an area smaller than that of the light entrance surface; a fluorescent member that includes an application surface to which the laser light emitted from the light collection member is applied and that mainly emits fluorescent light from the application surface; and a light projection member that projects the fluorescent light. The light emission surface of the light collection member is arranged a predetermined distance from the application surface of the fluorescent member.

Bi-section semiconductor laser device, method for manufacturing the same, and method for driving the same

A method for manufacturing a bi-section semiconductor laser device includes the steps of (A) forming a stacked structure obtained by stacking, on a substrate in sequence, a first compound semiconductor layer of a first conductivity type, a compound semiconductor layer that constitutes a light-emitting region and a saturable absorption region, and a second compound semiconductor layer of a second conductivity type; (B) forming a belt-shaped second electrode on the second compound semiconductor layer; (C) forming a ridge structure by etching at least part of the second compound semiconductor layer using the second electrode as an etching mask; and (D) forming a resist layer for forming a separating groove in the second electrode and then forming the separating groove in the second electrode by wet etching so that the separating groove separates the second electrode into a first portion and a second portion.

Semiconductor laser manufacturing method and semiconductor laser

Provided are a semiconductor laser manufacturing method and a semiconductor laser with a low device resistance. First, an active layer is deposited above a GaN substrate of a first conductivity type. A first guide layer made of GaN of a second conductivity type is deposited above the active layer. An AlN layer is deposited on the first guide layer. An opening is formed in the AlN layer. A first cladding layer made of a group-III nitride semiconductor of the second conductivity type is formed on the AlN layer and the first guide layer exposed through the opening such that a first growth rate at a start of growth on the first guide layer exposed through the opening becomes greater than a second growth rate at a start of growth on the AlN layer. A contact layer of the second conductivity type is formed on the first cladding layer.

Process and apparatus for producing a substrate

Process for producing a solar cell substrate, where metal particles are deposited on the surface of substrate. Metal particles are produced by liquid flame spraying method in such a way that the mean diameter of the particles to be between 30 nm and 150 nm and the deposition process is controlled in such a way that the average distance between particles is not more than four times the mean diameter of particles. Apparatus for carrying out such process.

System for Illuminating an Object with a Wave or for Imaging an Object with a Wave

A system for illuminating an object with a wave or for imaging an object with a wave comprises a lens, a plurality of transducers and a control unit connected to the plurality of transducers. The lens comprises a plurality of resonator elements incorporated inside a medium and is able to convert a near field wave of the lens to a far field wave, or reciprocally. The resonator elements are at a sub wavelength distance from each others. The control unit provides signals to the transducers so that a plurality of points on the object are illuminated as desired, or obtains signals from the transducers to build an image of a plurality of points of the object. The points are at sub wavelength distance from each others.

Metamaterial-based optical lenses

Devices based on metamaterial structures to guide and manipulate light, other electromagnetic radiation and acoustic waves. For example, a lens can include a metamaterial structure comprising nano structures of metallic and dielectric materials; and a plasmonic waveguide coupler formed over the metamaterial structure for coupling electromagnetic radiation to or from metamaterial structure. The metamaterial structure has an anisotropic structure and the plasmonic waveguide coupler is structured to include metal and non-metal parts to support surface plasmon polaritons and to cause different phase delays at different locations of an interface with the metamaterial structure in a way that the metamaterial structure and the plasmonic waveguide coupler effect a lens for performing a Fourier transform of the electromagnetic radiation coupled between the metamaterial structure and the plasmonic waveguide coupler.

Composite with nano-structured layer

Nano-structured layers having a random nano-structured anisotropic major surface.

Elevated LED

The present invention relates to light emitting diodes comprising at least one nanowire. The LED according to the invention is an upstanding nanostructure with the nanowire protruding from a substrate. A bulb with a larger diameter than the nanowire is arranged in connection to the nanowire and at an elevated position with regards to the substrate. A pn-junction is formed by the combination of the bulb and the nanowire resulting in an active region to produce light.

Wavelength tunable laser diode

A wavelength tunable laser diode (LD) is disclosed. The LD provides a SG-DFB region and a CSG-DBR region. The SG-DFB region shows a gain spectrum with a plurality of gain peaks, while, the CSG-DBR region shows a reflection spectrum with a plurality of reflection peaks. The LD may emit light with a wavelength at which the one of the gain peaks and one of the reflection peaks coincides. In the present LD, both the gain spectrum and the reflection spectrum are modified by adjusting the temperature of the SG-DFB region and that of the CSG-DBR region independently.

Method for producing semiconductor optical integrated device

A method for producing a semiconductor optical integrated device includes the steps of forming a substrate product including first and second stacked semiconductor layer portions; forming a first mask on the first and second stacked semiconductor layer portions, the first mask including a stripe-shaped first pattern region and a second pattern region, the second pattern region including a first end edge; forming a stripe-shaped mesa structure; removing the second pattern region of the first mask; forming a second mask on the second stacked semiconductor layer portion; and selectively growing a buried semiconductor layer with the first and second masks. The second mask includes a second end edge separated from the first end edge of the first mask, the second end edge being located on the side of the second stacked semiconductor layer portion in the predetermined direction with respect to the first end edge of the first mask.

Method for fabricating silicon nanowire arrays

A method for larger-area fabrication of uniform silicon nanowire arrays is disclosed. The method includes forming a metal layer with a predetermined thickness on a substrate whose surface has a silicon material by a coating process, the metal layer selected from the group consisting of Ag, Au and Pt; and performing a metal-induced chemical etching for the silicon material by using an etching solution. Accordingly, a drawback that Ag nanoparticles are utilized to perform the metal-induced chemical etching in prior art is solved.

Secondary Treatment of Films of Colloidal Quantum Dots for Optoelectronics and Devices Produced Thereby

A method of forming an optoelectronic device. The method includes providing a deposition surface and contacting the deposition surface with a ligand exchange chemical and contacting the deposition surface with a quantum dot (QD) colloid. This initial process is repeated over one or more cycles to form an initial QD film on the deposition surface. The method further includes subsequently contacting the QD film with a secondary treatment chemical and optionally contacting the surface with additional QDs to form an enhanced QD layer exhibiting multiple exciton generation (MEG) upon absorption of high energy photons by the QD active layer. Devices having an enhanced QD active layer as described above are also disclosed.

Hybrid silicon evanescent photodetectors

Photodetectors and integrated circuits including photodetectors are disclosed. A photodetector in accordance with the present invention comprises a silicon-on-insulator (SOI) structure resident on a first substrate, the SOI structure comprising a passive waveguide, and a III-V structure bonded to the SOI structure, the III-V structure comprising a quantum well region, a hybrid waveguide, coupled to the quantum well region and the SOI structure adjacent to the passive waveguide, and a mesa, coupled to the quantum well region, wherein when light passes through the hybrid waveguide, the quantum well region detects the light and generates current based on the light detected.

Lighting devices with prescribed colour emission

Optical conversion layers based on semiconductor nanoparticles for use in lighting devices, and lighting devices including same. In various embodiments, spherical core/shell seeded nanoparticles (SNPs) or nanorod seeded nanoparticles (RSNPs) are used to form conversion layers with superior combinations of high optical density (OD), low re-absorbance and small FRET. In some embodiments, the SNPs or RSNPs form conversion layers without a host matrix. In some embodiments, the SNPs or RSNPs are embedded in a host matrix such as polymers or silicone. The conversion layers can be made extremely thin, while exhibiting the superior combinations of optical properties. Lighting devices including SNP or RSNP-based conversion layers exhibit energetically efficient superior prescribed colour emission

Liquid crystal display apparatuses

A liquid crystal display apparatus includes a liquid crystal display panel which displays an image, a light guide plate, a backlight unit including a light source part which generates and supplies light, and a panel temperature adjusting member on a surface of the liquid crystal display panel. The panel temperature adjusting member includes a transparent resistor, and a power supply which supplies power to the transparent resistor. The transparent resistor emits a larger amount of heat to a region of the liquid crystal display panel, which is distant from the light source part, than to a region close to the light source part, such that the liquid crystal display panel has uniform temperature distribution.

Free form printing of silicon micro- and nanostructures

A method of making a three-dimensional structure in semiconductor material includes providing a substrate ( 20 ) is provided having at least a surface including semiconductor material. Selected areas of the surface of the substrate are exposed to a focussed ion beam whereby the ions are implanted in the semiconductor material in the selected areas. Several layers of a material selected from the group consisting of mono-crystalline, poly-crystalline or amorphous semiconductor material, are deposited on the substrate surface and between depositions focussed ion beam is used to expose the surface so as to define a three-dimensional structure. Material not part of the final structure ( 30 ) defined by the focussed ion beam is etched away so as to provide a three-dimensional structure on the substrate ( 20 ).

Optical element, light source device, and projection display device

Disclosed is an optical element that includes: carrier generation layer ( 16 ) in which carriers are generated by light from light guide body ( 12 ) into which light from a light-emitting element enters; plasmon excitation layer ( 17 ) that has a plasma frequency higher than the frequency of light generated when carrier generation layer ( 16 ) is excited by light from the light-emitting element; and wave vector conversion layer ( 18 ) that converts surface plasmon generated by plasmon excitation layer ( 17 ) light having a predetermined exit angle to output the light. Plasmon excitation layer ( 17 ) is sandwiched between two layers having dielectric properties. The effective dielectric constant of the incident side portion of plasmon excitation layer ( 17 ) including an entire structure stacked above light guide body ( 12 ) side is higher than that of the exit side portion of plasmon excitation layer ( 17 ) including the entire structure stacked above wave vector conversion layer ( 18 ) side and the medium in contact with wave vector conversion layer ( 18 ).

Device including quantum dots

A method of making a device comprises forming a layer comprising quantum dots over a substrate including a first electrode, fixing the layer comprising quantum dots formed over the substrate, and exposing at least a portion of, and preferably all, exposed surfaces of the fixed layer comprising quantum dots to small molecules. Also disclosed is a method of making a device, the method comprising forming a layer comprising quantum dots over a substrate including a first electrode, exposing the layer comprising quantum dots to small molecules and light flux. A method of making a film including a layer comprising quantum dots, and a method of preparing a device component including a layer comprising quantum dots are also disclosed. Devices, device components, and films are also disclosed.

Method of making a nanostructure

A method of making a nanostructure is provided that includes applying a thin, random discontinuous masking layer ( 105 ) to a major surface ( 103 ) of a substrate ( 101 ) by plasma chemical vapor deposition. The substrate ( 101 ) can be a polymer, an inorganic material, an alloy, or a solid solution. The masking layer ( 105 ) can include the reaction product of plasma chemical vapor deposition using a reactant gas comprising a compound selected from the group consisting of organosilicon compounds, metal alkyls, metal isopropoxides, metal acetylacetonates, and metal halides. Portions ( 107 ) of the substrate ( 101 ) not protected by the masking layer ( 105 ) are then etched away by reactive ion etching to make the nanostructures.

Adhesive composition, adhesive film including the same, method of preparing adhesive film, and display member using the same

A UV curable adhesive composition includes a morpholine group-containing (meth)acrylic copolymer.

Hole blocking layers in non-polar and semi-polar green light emitting devices

Light emitting devices are provided comprising an active region interposed between n-type and p-type sides of the device and a hole blocking layer interposed between the active region and the n-type side of the device. The active region comprises an active MQW structure and is configured for electrically-pumped stimulated emission of photons in the green portion of the optical spectrum. The n-type side of the light emitting device comprises an n-doped semiconductor region. The p-type side of the light emitting device comprises a p-doped semiconductor region. The n-doped semiconductor region comprises an n-doped non-polar or n-doped semi-polar substrate. Hole blocking layers according to the present disclosure comprise an n-doped semiconductor material and are interposed between the non-polar or semi-polar substrate and the active region of the light emitting device. The hole blocking layer (HBL) composition is characterized by a wider bandgap than that of the quantum well barrier layers of the active region.

Polarization-entangled photon pair source and method for the manufacture thereof

An entangled photon pair source including: a quantum emitter having a ground state, two degenerate states that have one elementary excitation and different spins, and a state having two elementary excitations; a first optical cavity, wherein the quantum emitter is inserted; and a second optical cavity coupled with the first cavity. The geometry of the first and second cavities, and force of coupling thereof, are selected such that the whole formed by both coupled cavities has a first pair of polarization-degenerate modes, that are resonant with transitions between the state having two elementary excitations and the two degenerate states having one elementary excitation from the quantum emitter, and a second pair of polarization-degenerate modes that are resonant with transitions between the degenerate states, having one elementary excitation, and the ground state.

Plasmonic waveguides, circuits, and systems

Waveguide structure for propagating a surface plasmon polariton, including an inter-metal plasmonic waveguide ( 1 ). The waveguide structure has two metal strip like structures ( 2, 3 ) positioned parallel to each other and an isolating material structure ( 4 ) positioned between the two metal strip like structures ( 2, 3 ). The two metal strip like structures ( 2, 3 ) are positioned at a fixed distance (d) from each other. The inter-metal plasmonic waveguide ( 1 ) is provided in a single layer of a CMOS processed substrate ( 5 ). Several waveguide structures ( 1 ) may be combined with a crystal like structure ( 6 ) to build logic gates, such as a switch having a gate, source and drain terminal ( 1 G, 1 S, 1 D). Using three dimensional designs spanning several layers in a CMOS processed substrate ( 5 ) very complex yet compact logic circuits may be designed.

Semiconductor optical integrated device

A semiconductor optical integrated device includes a substrate having a main surface with a first and second regions arranged along a waveguiding direction; a gain region including a first cladding layer, an active layer, and a second cladding layer arranged on the first region of the main surface; and a wavelength control region including a third cladding layer, an optical waveguide layer, and a fourth cladding layer arranged on the second region of the main surface and including a heater arranged along the optical waveguide layer. The substrate includes a through hole extending from a back surface of the substrate in the thickness direction and reaching the first region. A metal member is arranged in the through hole. The metal member extends from the back surface of the substrate in the thickness direction and is in contact with the first cladding layer.

Led light bulb with controlled color distribution using quantum dots

A liquid-cooled LED bulb including a base and a shell connected to the base forming an enclosed volume. The liquid-cooled LED bulb also includes a plurality of LEDs attached to the base and disposed within the shell. The LED bulb also includes a thermally-conductive liquid held within the enclosed volume and a quantum dot material for adjusting the wavelength of light emitted from LED bulb.

Photo-Switchable Fullerene-Based Materials as Interfacial Layers in Organic Photovoltaics

Design and use of photo-switching, fullerene-based dyads of the design x-D-y-A or D-y-A-x as interfacial layers (IFL) for organic photovoltaic (OPV) devices are described herein. The fullerene-based dyads and triads of the present invention contain electron-donating substituents such as porphyrins or phthalocyanines that exhibit charge separation states with long lifetimes upon irradiation, resulting in rejection of electrons reaching the electrode and concurrently promoting the conduction of holes. This phenomenon has a strong rectifying effect on the whole device, not just the interfaces, resulting in improved charge extraction from the interior of the photo-active layer. The invention further describes anchoring an IFL to the ITO surface as a monolayer, bilayer, or greater multilayers. One OPV design embodiment of the present invention embodiment involves the formation of covalent bonds via silane groups (—SiR 3 ) as the anchor (x), to form siloxane bonds.

Composite crystal colloidal array with photochromic member

The invention includes a composite material for use in a security device including a radiation diffracting component that exhibits a first optical effect and a photochromic component that exhibits a second optical effect. The composite material is particularly suited for use in authenticating articles, such as currency.

Strain-controlled atomic layer epitaxy, quantum wells and superlattices prepared thereby and uses thereof

Processes for forming quantum well structures which are characterized by controllable nitride content are provided, as well as superlattice structures, optical devices and optical communication systems based thereon.

Light emitting diode

A light emitting diode including a substrate, a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer is provided. The substrate includes a first surface and a second surface, and the second surface is a light emitting surface of the LED. The first semiconductor layer, the active layer, and the second semiconductor layer are stacked on the first surface in that order. A first electrode electrically is connected with the first semiconductor layer. A second electrode is electrically connected with the second semiconductor layer. A number of three-dimensional nano-structures are located on at least one surface of the substrate and aligned side by side, and a cross section of each of the three-dimensional nano-structure is M-shaped.

Method of manufacturing a thermally-assisted magnetic recording head that suppresses protrusion of a plasmon generator

A method of manufacturing a thermally-assisted magnetic recording head includes the steps of: forming a preliminary head section that has a surface to be polished and includes a magnetic pole, a waveguide, and a preliminary plasmon generator; causing a volumetric expansion of the preliminary plasmon generator with heat by introducing light into the core of the waveguide of the preliminary head section; and polishing the surface to be polished of the preliminary head section into a medium facing surface. The preliminary plasmon generator has an end face located in the surface to be polished. In the step of polishing the surface to be polished, the surface to be polished is subjected to polishing with the preliminary plasmon generator expanded in volume, whereby the end face of the preliminary plasmon generator is polished into the front end face, and the preliminary plasmon generator thereby becomes the plasmon generator.

Methods of Fabricating Optoelectronic Devices Using Semiconductor-Particle Monolayers and Devices Made Thereby

Methods of fabricating optoelectronic devices, such as photovoltaic cells and light-emitting devices. In one embodiment, such a method includes providing a substrate, applying a monolayer of semiconductor particles to the substrate, and encasing the monolayer with one or more coatings so as to form an encased-particle layer. At some point during the method, the substrate is removed so as to expose the reverse side of the encased-particle layer and further processing is performed on the reverse side. When a device made using such a method has been completed and installed into an electrical circuit the semiconductor particles actively participate in the photoelectric effect or generation of light, depending on the type of device.

POLYMER LAYER ON X-RAY WINDOW

An x-ray window includes a mount with a support frame and an aperture. A window film has a stack of layers including: a thin film layer comprising a material selected from the group consisting of diamond, graphene, diamond-like carbon, beryllium, and combinations thereof; a boron hydride layer; and a polymer layer. The window film, including the thin film layer, the boron hydride layer, and the polymer layer, extends across the aperture and is supported by the support frame. The window film is attached to the support frame, defining a sealed joint. The layers are capable of withstanding a differential pressure of at least 1 atmosphere. The window film is substantially transmissive to x-rays having an energy in the range of 100-20,000 electronvolts. 1. An x-ray window comprising:a. a mount, including a support frame and an aperture; i. a thin film layer comprising a material selected from the group consisting of diamond, graphene, diamond-like carbon, beryllium, and combinations thereof;', 'ii. a boron hydride layer; and', 'iii. a polymer layer;, 'b. a window film having a stack of layers includingc. the window film, including the thin film layer, the boron hydride layer, and the polymer layer, extending across the aperture and supported by the support frame;d. the window film attached to the support frame defining a sealed joint;e. the layers are capable of withstanding a differential pressure of at least 1 atmosphere; andf. the window film substantially transmissive to x-rays having an energy in the range of 100-20,000 electronvolts.2. The x-ray window of claim 1 , wherein:a. the sealed joint comprises a bond between the thin film layer and the mount at a perimeter of the thin film layer;b. the boron hydride layer and the polymer layer extend beyond the perimeter of the thin film layer; andc. the boron hydride layer and the polymer layer provide corrosion protection to the sealed joint.3. The x-ray window of claim 2 , wherein the bond is a diffusion bond claim 2 , ...

SCATTERED-PHOTON EXTRACTION-BASED LIGHT FIXTURES

A scattered photon extraction light fixture includes an optic element having a first surface; a light source for emitting short wavelength radiation, the light source disposed opposite, perpendicular, or tangential to the first surface of the optic element; a wavelength-conversion material, disposed on the first surface of the optic element, for receiving and down converting at least some of the short wavelength radiation emitted by the light source and transferring a portion of the received and down converted radiation; and one or more reflectors positioned opposite the wavelength-conversion material. A scattered photon extraction light system includes a plurality of light emitting fixtures. One or more wavelength-conversion materials, in the embodiments of the present invention, are disposed remotely from the light source(s), and used to absorb radiation in one spectral region and emit radiation in another spectral region. Lighting efficiency is improved by capturing the short wavelength and down-converted radiation. 1. A scattered photon extraction light fixture comprising:an optic element having a first surface and at least one substantially transparent sidewall extending from the first surface;a light source for emitting short wavelength radiation, the light source disposed at an end of the at least one substantially transparent sidewall opposite the first surface of the optic element;a wavelength-conversion material, disposed on the first surface of the optic element, for receiving and down converting at least some of the short wavelength radiation emitted by the light source and back transferring a portion of the received and down converted radiation; andone or more reflectors positioned opposite the wavelength-conversion material, such that the light source is positioned between the wavelength-conversion material and the reflectors, for reflecting at least some of the radiation extracted from the optic element through the at least one substantially ...

PHOTOVOLTAIC CELL

A photovoltaic cell of high efficiency may be obtained using metallic nanoparticles or nanostructures as the main light absorbing element in the photosensitive layer of the cell, which absorb the light through a surface plasmon or polaron mechanism. The cell comprises at least one photosensitive layer containing nanoparticles or nanostructures each between a n-doped and a p-doped charge transport layer, characterized in that 1. A photovoltaic cell comprising at least one photosensitive layer containing nanoparticles or nanostructures and additionally comprising at least one n-doped charge transport layer and at least one p-doped charge transport layer per each photosensitive layer placed on each side of said photosensitive layer , characterized in that the nanoparticles or nanostructures are the main light absorbing element in the photosensitive layer ,the nanoparticles or nanostructures show metallic conductivity and absorb near infrared, visible and/or ultraviolet light through a surface plasmon or polaron mechanism,the nanoparticles or nanostructures have at least one of their dimensions of size between 0.1 and 500 nm,at least 50% by weight of said nanoparticles or nanostructures from all layers are contained in said photosensitive layer and{'sub': 2', '2', '2, 'where the p-doped charge transport layers comprise a material selected from p-type amorphous silicon, amorphous silicon carbide, microcrystalline silicon, microcrystalline silicon carbide, carbon-containing microcrystalline silicon, a multilayer film of amorphous silicon carbides having different carbon contents and a multilayer film of amorphous silicon and amorphous carbon; and/or the n-doped charge transport layers comprise a material selected from n-type microcrystalline silicon, crystalline silicon, carbon-containing microcrystalline silicon, microcrystalline silicon carbide, amorphous silicon, amorphous silicon carbide and amorphous silicon germanium; or one or both charge transport layers consist ...

Solar cell and method for manufacturing same

There is provided a solar cell comprising: a substrate; a rear electrode layer disposed on the substrate; a light absorption layer disposed on the rear electrode layer; and a window layer disposed on the light absorption layer, wherein the window layer includes a plurality of conductive particles. The conductive particles improve the optical and electrical properties of the window layer.

NANOWIRE-BASED OPTOELECTRONIC DEVICE FOR LIGHT EMISSION

An optoelectronic device includes: 1. An optoelectronic device comprising:an active semiconductor area for the radiative recombination of electron-hole pairs made in the form of at least one nanowire made of an unintentionally doped semiconductor material;a semiconductor area for the radial injection of holes into the or each nanowire, made of a doped semiconductor material having a first conductivity type and a bandgap smaller than the bandgap of the material forming the nanowire; anda semiconductor area for the axial injection of electrons into the or each nanowire, made of a doped semiconductor material having a second conductivity type opposite to the first conductivity type.2. The optoelectronic device of claim 1 , wherein the active area for the radiative recombination of electron-hole pairs is made of a single semiconductor material.3. The optoelectronic device of claim 2 , wherein the active area for the radiative recombination of electron-hole pairs is formed of a semiconductor material of III-V type or of II-VI type claim 2 , and in particular of III-N type.4. The optoelectronic device of claim 3 , wherein:the active area for the radiative recombination of electron-hole pairs is formed of unintentionally doped InGaN;the doped area for the injection of holes is formed of p-doped GaN or of p-doped InGaN with a lower In concentration than the active area; andthe doped area for the injection of electrons is formed of n-doped Si or of n-doped GaN.7. The optoelectronic device of claim 3 , wherein the active area for the radiative recombination of electron-hole pairs is made of InGaN claim 3 , and:{'sup': 8', '10, 'the nanowires have a density ranging between 10and 10per square centimeter;'}the nanowires have a diameter ranging between 50 nanometers and 500 nanometers; andthe height of the active area for the radiative recombination of electron-hole pairs of the nanowires ranges between 40 nanometers and 5 micrometers.8. The optoelectronic device of claim 4 , ...

Front light devices and methods of fabrication thereof

A illumination device comprises a light guide having a first end for receiving light and configured to support propagation of light along the length of the light guide. A turning microstructure is disposed on a first side of the light guide configured to turn light incident on the first side and to direct the light out a second opposite side of the light guide, wherein the turning microstructure comprises a plurality of indentations. A cover is physically coupled to the light guide and disposed over the turning microstructure. An interlayer is between the cover and the light guide, wherein the interlayer physically couples the cover to the light guide. A plurality of open regions is between the interlayer and the plurality of indentations. Various embodiments include methods of coupling the cover to the light guide while preserving open regions between the cover and plurality of indentations.

Flexible optical device

A flexible and optionally highly elastic waveguide capable of propagating and emitting light is disclosed. The flexible waveguide comprises a flexible material having a surface and an end, wherein a first portion of the light is emitted through at least a portion of the surface of the flexible waveguide, and a second portion of the light is emitted through the end. The flexible waveguide can be used, for example as an area illuminator for many applications. Additionally disclosed is a clothing device for providing illumination. The clothing device comprises clothing (or even optionally a sheet) and a light source for providing light. In one embodiment the clothing device comprises the flexible waveguide.

Fabrication and use of elevated optical nanoantennas

A nanostructure including a pair of pointed metallic tips in proximity to each other. The pair of pointed metallic tips protrudes from a planar top surface of a substrate by a pair of pillar structures. The pair of pointed metallic tips can enhance optical scattering of materials placed therebetween through plasmonic electromagnetic field effects induced by the proximity of the pair of pointed metallic tips. Perturbation or interference from the substrate can be minimized through the increased distance from the substrate. The pair of pointed metallic tips can be formed by patterning a pair of adhesion material portions on a substrate, by vertically and laterally recessing regions that are not covered by the adhesion material portions, and by depositing a metal on the pair of adhesion material portions.

METHODS FOR REDUCING DIFFUSE REFLECTION OF NANOSTRUCTURE-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS AND TOUCH PANELS MADE OF THE SAME

The present disclosure relates to optical stacks having nanostructure-based transparent conductive films and low diffuse reflection. Also described are display devices that incorporate the optical stacks. 1. An optical stack comprising:at least one nanostructure layer; andat least one substrate adjacent to the nanostructure layer, wherein the nanostructure layer includes a plurality of conductive nanostructures, and wherein a diffuse reflection of an incident light, as viewed from the same side of the optical stack as the incident light, is less than 6% of the incident light.2. The optical stack of wherein the nanostructure layer further comprises an insulating medium embedding the plurality of conductive nanostructures.3. The optical stack of wherein the insulating medium has a refractive index of less than 1.5.4. The optical stack of wherein the insulating medium is air.5. The optical stack of wherein the individual nanostructures do not have an organic coating or have a low-index organic coating.6. The optical stack of wherein the insulating medium is HPMC claim 2 , and the plurality of conductive nanostructures are silver nanowires claim 2 , and wherein a weight ratio of HPMC and the plurality of conductive nanostructures is about 1:1 claim 2 , and the nanostructure layer has a sheet resistance of less than 100 ohms/sq.7. The optical stack of oriented such that the plurality of conductive nanostructures are more proximate to the incident light than the substrate.8. The optical stack of further comprising an overcoat immediately overlying the nanostructure layer claim 7 , wherein the overcoat has a refractive index of less than 1.5.9. The optical stack of wherein the overcoat is the same material as the insulating medium.10. The optical stack of wherein the overcoat is a low-index OCA layer having a refractive index of 1.45 or less.11. The optical stack of further comprising an undercoat interposed between the substrate and the nanostructure layer claim 7 , the ...

Method for manufacturing nano wire grid polarizer

Disclosed is a method for manufacturing a nano wire grid polarizer, including: applying a curable resin on a glass substrate, and then forming a nano pattern by pressurizing the curable resin with a nano imprint mold; processing a surface of the nano pattern in which an upper part of the nano pattern is hydrophobicized and an inside of the nano pattern is hydrophilicized; filling the inside of the nano pattern with nano metal particles; and forming a nano wire grid polarizer by removing the nano pattern.

NONLINEAR OPTICAL AND ELECTRO-OPTICAL DEVICES AND METHODS OF USE THEREOF FOR AMPLIFICATION OF NON-LINEAR PROPERTIES

This invention provides devices and methods for broad-band amplification of non linear properties. This invention provides devices comprising optically non linear material that is in contact with a slit array. The slit array causes enhancement of the electromagnetic field within the non linear materials. The enhancement of the electromagnetic field within the optically non linear material results in an amplified non linear response exhibited by the optically non linear materials. This invention provides detectors and imaging systems based on devices and methods of this invention. 1. An optical device comprising a grating , said grating comprising a slit array , and one or more dielectric layers , wherein at least one of said layers comprise non linear material and said layers are positioned on top of said grating , below said grating or on top and below said grating and wherein said layer(s) has no significant linear absorption at a certain wavelength range of the electromagnetic radiation spectrum.2. The device of claim 1 , wherein said dielectric layers comprise GaAs claim 1 , AlGaAs claim 1 , Si claim 1 , silicon dioxide claim 1 , Quartz claim 1 , Ge claim 1 , GaN claim 1 , GaAlN claim 1 , InGaAs claim 1 , InGaP or a combination thereof.3. The device of claim 1 , wherein said non linear material comprise a polymer embedded with quantum dots claim 1 , wherein said quantum dots is comprising InAs claim 1 , CdSe claim 1 , PbS claim 1 , PbSe claim 1 , CdTe claim 1 , Ge claim 1 , Si claim 1 , GaAs claim 1 , InGaAs or a combination thereof.4. The device of claim 1 , wherein said non linear material is further positioned within said slits of said grating.5. The device of claim 1 , wherein said dielectric layers are positioned on top of said grating and said grating is positioned on a substrate.6. The device of claim 5 , wherein said substrate comprises glass.7. The device of claim 1 , wherein said grating comprises an array of blocks separated by slits.8. The device of ...

Laser beam scanned display apparatus and method thereof

Generally, near seamless electronics displays may be employed in cinema and exhibition applications. Laser scanned displays may be enabled such that the display may display three dimensional (“3D”) content. A first method to enable a laser scanned display for 3D content may employ polarization, with or without polarization conversion and another method may employ multiple colors. Additionally, the envelope function that may be employed across the display may be achieved by changing laser power as a beam is scanned on the screen or by changing the dwell time of the laser beam on the pixels. One method of minimizing the effects of seams in the screen may be to reduce the screen resolution near the seams by screen design and/or laser beam dwell time or illumination energy. 1. A scanned laser display apparatus , comprising: a phosphor layer operable to receive at least some light from a light source and further operable to emit light;', 'a polarizer layer operable to receive at least some light from the phosphor layer; and', 'a film patterned retarder layer operable to receive at least some light from the polarizer layer., 'a first panel, comprising2. The scanned laser display apparatus of claim 1 , further comprising a light source operable to scan with a beam and further operable to provide light to the first panel.3. The scanned laser display apparatus of claim 1 , further comprising a diffuser layer operable to receive at least some light from the film patterned retarder layer.4. The scanned laser display apparatus of claim 1 , further comprising a wavelength selective mirror proximate to the phosphor layer.5. The scanned laser display apparatus of claim 4 , wherein the wavelength selective mirror is operable to substantially reflect RGB light and to substantially transmit light at approximately 405 nanometers.6. The scanned laser display apparatus of claim 4 , further comprising a second wave plate operable to receive at least some light from the phosphor layer and ...

Optical information reproduction device, optical information reproduction method, and information recording medium

An optical information reproduction device includes a light source ( 14 ) configured to emit reproduction light, a plasmon resonance element ( 9 ) including a resonance section ( 22 ) arranged adjacent to a recording region ( 4 ) of a recording layer ( 2 ), the resonance section ( 22 ) causing plasmon resonance between the recording region ( 4 ) and the resonance section ( 22 ), a photodetector ( 17 a ) configured to detect reflected light or transmitted light from the plasmon resonance element ( 9 ) on which the reproduction light is irradiated, and a reproduction unit ( 24 ) configured to determine, on the basis of a detection signal from the photodetector ( 17 a ), whether the recording region ( 4 ) is in a recorded state or an unrecorded state, and reproduce information recorded in the recording region ( 4 ).

Method of detecting an acceleration

A method detects an acceleration. The method includes providing a spatial mode filter positioned such that light emitted from the spatial mode filter is reflected by at least a portion of a reflective surface. The spatial mode filter and the portion of the reflective surface form an optical resonator having an optical resonance with a resonance lineshape. The method further includes emitting light from the spatial mode filter and irradiating the portion of the reflective surface. The portion of the reflective surface is responsive to acceleration of the optical resonator by changing curvature. The method further includes measuring a change of the resonance lineshape due to the acceleration of the optical resonator.

POLARITON MODE OPTICAL SWITCH WITH COMPOSITE STRUCTURE

Devices, methods, and techniques for frequency-dependent optical switching are provided. In one embodiment, a device includes a substrate, a first optical-field confining structure located on the substrate, a second optical-field confining structure located on the substrate, and a composite structure located between the first and second optical-field confining structures. The second optical-field confining structure may be spaced apart from the first optical-field confining structure. The composite structure may include an embedding structure with a surface to receive photons and multiple quantum structures located in the embedding structure. 1. A device comprising:a substrate;a first optical-field confining structure located on the substrate;a second optical-field confining structure located on the substrate, the second optical-field confining structure spaced apart from the first optical-field confining structure; and an embedding structure with a surface to receive photons; and', 'a plurality of quantum structures located in the embedding structure;, 'a composite structure located between the first and second optical-field confining structures, the composite structure comprising sufficiently confine optical fields in the plurality of quantum structures to produce a dressed state in the plurality of quantum structures, and', 'enable the plurality of quantum structures to selectively block or pass photons according to a wavelength of the photons., 'wherein the first and second optical-field confining structures are configured to2. The device of claim 1 , wherein the plurality of quantum structures include quantum dots.3. The device of claim 1 , wherein the plurality of quantum structures include quantum wires.4. The device of claim 1 , wherein the plurality of quantum structures operate in a mott insulator mode to block the photons and in a superfluid mode to pass the photons.5. The device of claim 1 , wherein at least one of the first and the second optical-field ...