ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР С ЖИДКОСТНЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ

Полезная модель относится к альтернативной энергетики, а именно к устройствам для получения электрической энергии за счет использования обратного термоэлектрического эффекта Зеебека. Сущность полезной модели заключается в том, что в известном термоэлектрическом генераторе с жидкостным охлаждением, содержащем корпус, теплоприемник, выполненный из теплопроводящего материала в виде пустотелой профилированной трубы квадратного сечения, термоэлектрические модули, располагаемые на четырех гранях теплоприемника и имеющие с ним тепловой контакт, а также четыре жидкостных теплообменника, примыкающих своей рабочей плоскостью к охлаждаемым сторонам термоэлектрических модулей и имеющие с ними тепловой контакт для поглощения тепла от термоэлектрических модулей, в соответствии с эффектом Зеебека, при этом жидкостные теплообменники имеют по два штуцера, для входа и выхода теплоносителя и соединяются друг с другом при помощи трубок гидравлически последовательно, при этом один штуцер первого и один штуцер ...

АВТОНОМНЫЙ ПОРТАТИВНЫЙ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ

Полезная модель может использоваться в качестве универсальных источников электрического питания во время работы экспедиций, передвижных лабораторий, при ликвидации последствий катастроф и стихийных бедствий, для энергообеспечения бортовых приборов и устройств, средств оповещения при пожарах и в других чрезвычайных ситуациях, для запуска резервных источников питания большой емкости. Системы на основе автономных портативных термоэлектрических источников питания могут включать электрические и электромеханические устройства, элементы электроники и все известные пиротехнические изделия. Конструкция состоит из термоэлектрического устройства, источника тепла, теплопровода, накопителя электрической энергии и теплообменника, который выполняет функцию корпуса всего устройства. Полезная модель позволяет повысить эффективность работы автономного портативного термоэлектрического источника питания за счет снижения тепловых потерь от источника тепла через теплоизолятор и повышения теплопередачи от источника ...

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ АКТЮАТОР

Изобретение относится к электромеханическим преобразователям на основе пьезоматериалов, а именно к пьезоэлектрическим актюаторам для использования в микромеханике, управляемой оптике, сенсорной технике, акустике, в частности при изготовлении датчиков и излучателей. Технический результат – повышение эффективности пьезоэлектрического актюатора. Пьезоэлектрический актюатор включает пьезоэлектрический слой между двумя взаимодействующими через этот слой электродами протяженной двухпроводной токопроводящей криволинейной линии с внешними выходами для подключения к электродам поляризующего или управляющего электрического напряжения. Пьезоэлектрический слой и электроды двухпроводной токопроводящей линии в целом имеют вид гибкого электродированного пьезоэлектрического волокна, которое в виде мотка пропитано жидким полимерным связующим и зафиксировано последующим его отверждением с образованием твердотельного волокнистого композитного пьезоэлектрического актюатора. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.

Термоэлемент

Изобретение относится к области прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, а именно, к конструкции высокотемпературного термоэлемента. Технический результат: повышение срока службы и эффективности. Сущность: термоэлемент содержит ветви р- и n-типа проводимости, выполненные из полупроводникового сплава кремний-германий (22,5 ат.% Ge), снабженные по теплопроводящей холодной стороне токовыми выводными шинами, а по тепловоспринимающей горячей стороне ветвей коммутационной пластиной, отделенной как и токовые выводные шины от полупроводникового материала ветвей антидиффузионными графитовыми пластинами, неразъемно соединенными с внешних сторон с токовыми выводными шинами по холодной стороне термоэлемента и коммутационной пластиной по горячей стороне. На внутренние поверхности антидиффузионных графитовых пластин, обращенных к полупроводниковому сплаву кремний-германий ветвей термоэлемента р- и n-типа проводимости, нанесены последовательно по высоте слой силицида молибдена и слой силицида ...

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОДИФИЦИРОВАННОГО СУЛЬФОИОДИДА СУРЬМЫ

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при изготовлении ультразвуковых преобразователей, сенсоров, детекторов, а также гидроакустических передатчиков, работающих в режиме приёма. Сначала готовят в стехиометрических соотношениях навески компонентов: оксида сурьмы Sb2O3, сульфида натрия Na2S, иодида калия KI и хлорида олова (II) SnCl2. Затем приготовленные навески растворяют в соляной кислоте и синтезируют целевой продукт при температуре от 45 до 85°С путём обменного взаимодействия указанных компонентов в солянокислом растворе с последующим перемешиванием на магнитной мешалке. Время синтеза составляет от 0,75 до 2 ч. Продукт синтеза последовательно промывают соляной кислотой, дистиллированной водой и ацетоном и сушат на воздухе. Полученный пьезоэлектрический материал имеет состав в соответствии с формулой Sb1-xSnxSI1-x, где 0,03≤х≤0,1, нитевидную кристаллическую структуру и высокую анизотропию пьезопараметров. Изобретение позволяет повысить температуру ...

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО АКТЮАТОРА

Изобретение относится к области изготовления устройств на основе пьезоматериалов, а именно осесимметричных пьезоэлектрических актюаторов цилиндрического (мембранного) типа исполнения контролируемых осевых радиальных перемещений для использования в микромеханике, управляемой оптике, сенсорной технике, акустике, в частности, при изготовлении пьезоэлектрических акустических элементов – датчиков и излучателей. Техническим результатом является повышение эффективности создаваемого актюатора за счет повышения отношения амплитуды осевых перемещений рабочих участков пьезоэлектрического актюатора к значениям приложенного управляющего напряжения. Для этого при изготовления цилиндрического пьезоэлектрического актюатора осуществляют нанесение двух непрерывных токопроводящих покрытий на верхней и нижней поверхностях тонкого пьезоэлектрического слоя с образованием двух взаимодействующих через слой электродов двухпроводной токопроводящей линии, при этом поперечную поляризацию слоя осуществляют посредством ...

Электрически управляемый элемент памяти, способ считывания и записи его информационного состояния

Изобретение относится к электрически управляемому элементу памяти, в котором материал памяти представляет собой пленку алюминия, нанесенную на средство управления энергетическим режимом материала памяти, выполненное в виде кремниевой подложки, контакты подачи электрического сигнала установлены на противоположных сторонах элемента памяти, считывающее устройство выполнено в виде ИК-датчика, а также к способам записи и считывания информационного состояния на материал памяти этого элемента памяти. Техническим результатом является изготовление элемента памяти, обеспечивающего большую долговечность при циклических записи и стирании информационного состояния элемента памяти за счет термического хранения данных; упрощение способа считывания и записи информационного состояния элемента памяти. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 17 ил.

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ АКТЮАТОР

Изобретение относится к области устройств на основе пьезоматериалов, а именно к пьезоэлектрическим актюаторам сложных контролируемых форм деформирования, и предназначено для использования в микромеханике, управляемой оптике, сенсорной и медицинской технике, акустике, в частности при изготовлении пьезоэлектрических акустических элементов мембранного типа. Техническим результатом является обеспечение возможности создания сложных контролируемых форм деформирования. Для этого пьезоэлектрический актюатор включает в себя пьезоэлектрический слой, токопроводящую линию в виде криволинейных электродов, расположенных на одной или обеих сторонах пьезоэлектрического слоя. Новым является то, что токопроводящая линия выполнена в виде двух или более древовидных эквипотенциальных систем криволинейных электродов, расположенных на одной или обеих сторонах пьезоэлектрического слоя, при этом каждая эквипотенциальная древовидная система электродов включает в себя управляющие базовые электроды и отходящие от ...

ПЬЕЗОАКТЮАТОР ИЗГИБНОГО ТИПА

Изобретение может быть использовано вэлектронике, управляемой оптике, микромеханике, медицине, аэрокосмической технике. Пьезоактюатор изгибного типа представляет собой упругий гибкий биморфный двухслойный стержень с прямоугольным поперечным сечением и включает в себя две соединенные друг с другом пьезоэлектрические пластины и управляющие электроды. Поляризация слоев и расположение электродов таковы, что при подключении к электродам управляющего электрического напряжения осуществляются различные лишь по знаку осевые деформации растяжения/сжатия пьезоэлектрических биморфных слоев, в результате чего происходит рабочий ход изгибных смещений в продольной плоскости биморфного стержня. Биморфный двухслойный стержень имеет криволинейную продольную ось с начальным радиусом кривизны в вертикальной продольной плоскости, поляризация и расположение электродов таковы, что при подключении к электродам управляющего электрического напряжения в плоскости слоев возникают поперечные с различным знаком осевые ...

АВТОНОМНЫЙ ГЕНЕРАТОР МОЩНЫХ ИМПУЛЬСОВ СВЧ КОЛЕБАНИЙ

Изобретение относится к области сверхвысокочастотной (СВЧ) техники и может использоваться для генерации мощных импульсов сверхширокополосных (СШП) СВЧ колебаний. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности автономной работы генератора мощных импульсов СВЧ колебаний без использования внешних стационарных источников электропитания, обеспечение компактности его размеров и уменьшение его массы. Автономный генератор мощных импульсов СВЧ колебаний состоит из генератора импульсов тока с подключенной к нему с помощью передающей линии нагрузкой. Электропитание генератора мощных импульсов СВЧ колебаний обеспечивает автономный источник электропитания, представляющий собой ударный пьезогенератор. Генератор импульсов тока представляет собой полупроводниковый формирователь сверхширокополосных импульсов. 5 ил.

Термоэлектрический интенсификатор теплопередачи между потоками сред с различной температурой

Изобретение относится к области теплотехники и может быть использовано в термоэлектрических теплообменных аппаратах. Термоэлектрический интенсификатор теплопередачи содержит термоэлектрическую батарею, составленную из идентичных по размерам и физическим свойствам термоэлементов, обе поверхности которой имеют непосредственный тепловой контакт со стенками двух транспортных зон с движущимися в них средами. В каждой из транспортных зон выполнены две группы сквозных воздуховодов в несколько рядов, количество которых варьируется от 3 до 5, расположенных в коридорном порядке. Причем в каждой транспортной зоне воздуховоды имеют зеркальное расположение относительно центральной вертикальной плоскости под углом к ней, находящимся в пределах 25-45 градусов. Пары воздуховодов в первой и второй транспортных зонах зеркально отражены в центральной горизонтальной плоскости. Над воздуховодами обоих транспортных зон установлены вентиляторы. При этом скорость вращения вентиляторов увеличивается в направлении ...

Термоэлектрический интенсификатор теплопередачи между потоками сред с различной температурой

Изобретение относится к термоэлектрической технике, в частности к термоэлектрическим устройствам для интенсификации теплообмена между потоками жидкостей или газов (средами) с различной температурой. Целью изобретения является интенсификация теплообмена между термоэлектрической батареей и обтекающими ее средами. Устройство состоит из термоэлектрической батареи, составленной из идентичных по размерам и физическим свойствам термоэлементов, питаемой основным источником электрической энергии, обе поверхности которой имеют непосредственный тепловой контакт со стенками транспортных зон с движущимися в них средами. В транспортных зонах, перпендикулярно направлению движения сред выполнены в один ряд сквозные воздуховоды, а параллельно движению сред - в один ряд несквозные воздуховоды. При этом сквозные воздуховоды и несквозные воздуховоды пересекаются и образуют единую систему для циркуляции в ней воздушного потока. При этом над поверхностями транспортных зон, противоположных контакту с термоэлектрической ...

Энергогенерирующее устройство

Энергогенерирующее устройство относится к области электрогенерирующих устройств для преобразования механической энергии движения в другие формы энергии. Предложено энергогенерирующее устройство, содержащее вязкую жидкость, способную перемещаться при нажатии на устройство, при этом корпус выполнен из эластомерного материала, внутри корпуса имеется полость, заполненная вязкой жидкостью. Верхняя часть корпуса изготовлена из эластомера с пониженной теплопроводностью, а нижняя часть из эластомера с повышенной теплопроводностью. Нижняя часть корпуса связана с одним или множеством термоэлектрических преобразователей. Нижняя часть термоэлектрических преобразователей контактирует с основанием. Каждый термоэлектрический преобразователь разделен сепаратором. Техническим результатом изобретения является упрощение конструкции энергогенерирующего устройства, сокращение затрат на его производство, уменьшение габаритов энергогенерирующего устройства и возможность получения как электрической, так и тепловой ...

Плоский термоэлектрогенератор

Предлагаемое изобретение относится к теплоэнергетике и может быть использовано для трансформации тепловой энергии в электрическую при отсутствии источников электроснабжения. Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение эффективности плоского термоэлектрогенератора. Технический результат достигается плоским термоэлектрогенератором, содержащим сборный корпус, состоящий из верхней крышки и днища, боковых бортов, отбортованных торцевых крышек, при этом верхняя крышка и днище выполнены из материала-диэлектрика с высокой теплопроводностью, боковые борта выполнены из материала-диэлектрика с низкой теплопроводностью, верхняя крышка снабжена на противоположных концах полюсными коллекторами, в полости корпуса параллельно его днищу расположен ряд термоэмиссионных преобразователей, соединенный на торцах с полюсными коллекторами, причем каждый термоэмиссионный преобразователь состоит из верхней и нижней горизонтальных пар отрезков полос фольги разных металлов М1 и М2, плотно ...

Композитный керамический материал

Изобретение относится к технологии производства керамических сегнетоэлектрических композитных материалов и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении широкого класса управляемых электрическим полем элементов и приборов электронной техники. Предлагается композитный керамический материал, содержащий титанат стронция и сложный оксид лантана состава La1,8Ca0,2Ni0,8Cu0,2O4 при следующем соотношении компонентов, мол.%: La1,8Ca0,2Ni0,8Cu0,2O4 93-99, SrTiO3 1-7. Технический результат изобретения – получение сложного оксида лантана со стабильными значениями диэлектрической проницаемости в широком частотном диапазоне, обеспечивающего в составе композиционного материала высокий уровень диэлектрической проницаемости и снижение диэлектрических потерь. 3 ил., 1 табл., 3 пр.

МАЛОГАБАРИТНЫЙ ПЬЕЗОДАТЧИК УДАРА

Полезная модель относится к области пьезотехники и может быть использована в качестве датчика ускорения для обнаружения ускорения и вибрации. Как частный случай может использоваться для определения уровня ударных нагрузок. Технический результат достигается тем, что малогабаритный пьезодатчик удара, состоящий из пьезокерамического элемента, закрепленного на магнитной подложке, внешние электроды которого соединены проводниками с токоподводящими выводами, соединяющими их с внешними цепями, представляет собой пьезокерамический многослойный элемент, пригодный для поверхностного монтажа, который изготовлен по пленочной технологии и закреплен припоем на поверхности магнитной подложки, также при изготовлении датчика учтена непропорциональная зависимость соотношения его электрофизических параметров от соотношения его габаритных размеров, кроме того, в качестве исполнительного элемента используется твердотельная цельноспеченная многослойная пьезокерамическая структура, и конструкция датчика предусматривает ...

Two-dimensional scalable superconducting qubit structure and cavity mode control method therefor

A two-dimensional scalable superconducting qubit structure and a cavity mode control method therefor. The two-dimensional scalable superconducting qubit structure comprises: a superconducting qubit chip, the superconducting qubit chip including a plurality of two-dimensionally distributed and scalable qubits; a capacitance part of each of the qubits has at least five arms distributed in a two-dimensional manner, two arms of the at least five arms in each of the qubits are respectively used for being connected to a reading coupling line and being connected to a control line, and the remaining at least three arms are coupled to adjacent qubits by means of coupling cavities. The structure facilitates for two-dimensional expansion, and is suitable for connecting a signal fan-out plate in the existing flip-chip bonding process or through silicon via technology; and when the flip-chip bonding process and through silicon via process are not provided or are thrown off, by making a plurality of ...

Phase-change memory (PCM) including liner reducing resistance drift

The temperature-vacuum impacting device

Equipment for testing and measuring an electronic component base (ECB) incorporates a hermetically sealed framework housing or platform 2 with measurement channels tipped with pogo pins 5, connected by a sealed connector 7, as the interface for connecting the samples under test. A thermal group 6 for heating and cooling the samples under test contains a Peltier element, a contact surface 4 for the heat exchange with the samples under test, and an air cooling system to absorb heat generated by the Peltier element. The air cooling system contains a cooler, water pump, and a liquid-flow air cooling radiator with fans. A raisable hood 1 can be opened to place and connect the sample under test. A vacuum system consisting of a vacuum pump, switching solenoid, electronic vacuum meter and connecting tubes is provided. The Peltier element and air cooler provide quick temperature setting for the test and the vacuum system prevents ice formation and short circuits at low temperatures.

Resistive random access memory cells integrated with vertical field effect transistor

A one-transistor-two-resistor (1T2R) resistive random access memory (ReRAM) structure, and a method for forming the same, includes forming a vertical field effect transistor (VFET) including an epitaxial region (810) located above a channel region (502) and below a dielectric cap (708). The epitaxial region (810) includes two opposing protruding regions of triangular shape bounded by <111> planes that extend horizontally beyond the channel region (502). A ReRAM stack is conformally deposited on the VFET. The ReRAM stack includes an oxide layer (1910) located directly above the epitaxial region (810), a top electrode layer (1912) directly above the oxide layer (1910) and a metal fill (1920) above the top electrode layer (1912). Each of the two opposing protruding regions of the epitaxial region (810) acts as a bottom electrode for the ReRAM stack.

Electrical Machine and Power Electronics Converter

An integrated electrical machine and power electronics converter arrangement 10, comprising: an electrical machine comprising one or more windings 1221, a power electronics converter 131 arranged to supply or receive current from the windings, a magnetocaloric effect MCE material 16 in thermal contact with the converter, and a heat sink Q for removing heat from the MCE material. The MCE material is arranged in proximity to the windings so when in use, stray magnetic flux from the windings through the MCE material activates the material in order to create magnetic refrigeration which removes heat from the converter. The machine and converter may be in a common housing or connected together in a machine housing 12 and converter housing 13. The heat sink may be arranged to transfer heat removed from the MCE material into a cooling system 17, removing heat from both the machine and the material. The cooling system may comprise conduit in a cooling jacket for cooling fluid in thermal contact ...

Driver circuitry for capacitive transducers

The present disclosure relates to circuitry for driving a capacitive transducer. The circuitry may be implemented as an integrated circuit and comprises driver circuitry configured to supply a drive signal to the capacitive transducer to cause the transducer to generate an output signal and active inductor circuitry configured to be coupled with the capacitive transducer. The active inductor circuitry may be tuneable to adjust a frequency characteristic of the output signal.

Acoustic wave device with multi-layer piezoelectric substrate

Reinforced single element bottom electrode for MTJ-containing devices

Dispositif de refroidissement à génération de courant.

La présente invention concerne un dispositif de refroidissement. Le dispositif comprend au moins un générateur thermoélectrique (1) fixé sur une source de chaleur (2). Sur la face refroidissante du générateur thermoélectrique (1) est fixé un dissipateur thermique (3). Le dissipateur thermique (3) laisse passer un flux d'air (5) perpendiculaire aux générateur thermoélectrique (1). Un ventilateur à courant continu (4) est fixé perpendiculairement au générateur thermoélectrique (1) sur l'autre extrémité du dissipateur thermique (3) et oriente son flux d'air (5) en direction du dissipateur thermique (3). Un circuit électrique (6) est connecté en série entre le générateur thermoélectrique (1) et le ventilateur (4). Une fois le circuit électrique (6) fermé, le ventilateur à courant continu (4) est alimenté par le courant électrique du générateur thermoélectrique (1) et génère sur le dissipateur thermique (3) le flux d'air (5).

Energieaufnahmevorrichtung.

Die Erfindung betrifft eine Energieaufnahmevorrichtung, umfassend eine Masse (1), die Umgebungskräften ausgesetzt ist, um sie in den Zustand einer sich bewegenden Masse zu bringen, und Mittel (4, 5, 6), die mit der Masse (1) verbunden sind, um Energie umzuwandeln und zu speichern, die in der sich bewegenden Masse (1) enthalten ist, welche Mittel (4, 5, 6) zur nachfolgenden Freisetzung der Energie angeordnet sind. Die Masse (1) ist in einem Rahmen (3) angeordnet, wobei zumindest ein elastischer Balken (2a, 2b, 2c, 2d) die Masse (1) mit dem Rahmen (3) verbindet, um Vorkehrungen zu treffen, dass die Masse (1) statisch ausbalanciert ist. Der zumindest eine elastische Balken ist ein Knickbalken (2a, 2c, 2d), der knickt, wenn die bewegliche Masse (1) eine neutrale Position in Bezug auf den Rahmen (3) verlässt, in der der elastische Balken (2a, 2c, 2d) nicht geknickt ist. Der elastische Balken (2a, 2c, 2d) wirkt in seinem geknickten Zustand den auf die bewegliche Masse (1) wirkenden Schwerkraftkräften ...

Dispositif exerçant un impacte thermique sous vide.

La présente invention appartient à l'équipement utilisé pour la réalisation des essais et des mesures des caractéristiques techniques des articles et appareils électroniques (AAE). Un dispositif exerçant un impacte thermique sous vide pour la réalisation des essais et des mesures des caractéristiques techniques des articles et des appareils électroniques comportant une plateforme porteuse étanche avec les canaux de mesure insérés dans son intérieur via un connecteur étanche, finissant par des pogo pins représentant l'interface de connexion des modèles essayés ; un groupe thermique destiné au chauffage et au refroidissement des modèles essayés et comportant un élément Peltier et une surface de contact assurant l'échange thermique de l'élément Peltier et des modèles essayés ; un système de refroidissement par air destiné à absorber la chaleur produit par les éléments Peltier comportant une prise de chaleur, une pompe à eau, un radiateur à flux d'air de refroidissement avec des ventilateurs ...

Ressort spiral piézoélectrique, et procédé de fabrication du ressort spiral.

L'invention concerne un ressort spiral piézoélectrique (3) et ses procédés de fabrication, pour un circuit d'autorégulation (10) d'une fréquence d'oscillation d'un système mécanique oscillant (3) ou un circuit de récupération d'énergie ou un circuit moteur pour l'actionnement du mouvement ou son entretien automatique. Le ressort spiral piézoélectrique (3) comprend au moins une couche piézoélectrique (7, 7') disposée sur une face de dessus (20) ou de dessous d'un certain nombre de spires du ressort en plan, et au moins deux paires d'électrodes (8a, 8b, 8c, 8d) où les électrodes de chaque paire sont disposées sur deux faces opposées d'une même couche piézoélectrique ou respectivement de deux couches piézoélectriques de manière à appliquer une tension de polarisation inverse sur chaque paire d'électrodes.

Electrically formed memory array using single element materials

Electrically formed memory arrays, and methods of processing the same are described herein. A number of embodiments include a plurality of conductive lines separated from one other by an insulation material, a first plurality of conductive extensions arranged to extend substantially perpendicular to the plurality of conductive lines, a storage element material formed around each respective one of the first plurality of conductive extensions, a second plurality of conductive extensions arranged to extend substantially perpendicular to the plurality of conductive lines, and a plurality of single element materials formed around each respective one of the second plurality of conductive extensions.

Methods of forming electronic devices, and related electronic devices

A method of forming an electronic device comprises forming a stack structure comprising vertically alternating insulative structures and additional insulative structures, and forming pillars comprising a channel material and at least one dielectric material vertically extending through the stack structure. The method comprises removing the additional insulative structures to form cell openings, forming a first conductive material within a portion of the cell openings, and forming a fill material adjacent to the first conductive material and within the cell openings. The fill material comprises sacrificial portions. The method comprises removing the sacrificial portions of the fill material, and forming a second conductive material within the cell openings in locations previously occupied by the sacrificial portions of the fill material. Related electronic devices, memory devices, and systems are also described.

Filamentary type non-volatile memory device

A filament type non-volatile memory device, includes a first electrode, a second electrode and an active layer extending between the first electrode and the second electrode, the active layer electrically interconnecting the first electrode to the second electrode, the device being suitable for having: a low resistive state, in which a conducting filament electrically interconnecting the first electrode to the second electrode uninterruptedly extends from end to end through the active layer, the filament having a low electric resistance, and a highly resistive state, in which the filament is broken, the filament having a high electric resistance. The device further includes a shunt resistance electrically connected in parallel to the active layer, between the first electrode and the second electrode.

Superconducting Field-Programmable Gate Array

A programmable circuit includes a superconducting component arranged in a multi-dimensional array of alternating narrow and wide portions. The programmable circuit further includes a plurality of heat sources, each heat source configured to selectively provide heat to a respective narrow portion sufficient to transition the respective narrow portion from a superconducting state to a non-superconducting state. The programmable circuit further includes a plurality of electrical terminals, each electrical terminal coupled to a respective wide portion of the multi-dimensional array.

COMBINED CORRUGATED PIEZOELECTRIC MICROPHONE AND CORRUGATED PIEZOELECTRIC VIBRATION SENSOR

A combined MicroElectroMechanical structure (MEMS) includes a first piezoelectric membrane having one or more first electrodes, the first piezoelectric membrane being affixed between a first holder and a second holder; and a second piezoelectric membrane having an inertial mass and one or more second electrodes, the second piezoelectric membrane being affixed between the second holder and a third holder.

QUANTUM CHIP AND CONSTRUCTION METHOD AND CONSTRUCTION APPARATUS THEREOF

A quantum chip is provided, includes: a first substrate and a second substrate arranged opposite to each other, wherein a plurality of qubits and a plurality of first controllers are arranged on a surface of the first substrate facing the second substrate, each of the plurality of qubits is coupled with at least one of the plurality of first controllers, and a plurality of control signal transmission parts are arranged on a surface of the second substrate facing the first substrate; and a plurality of connecting pieces, connected between the first substrate and the second substrate, and configured to connect the plurality of first controllers to the plurality of control signal transmission parts in a one-to-one corresponding mode.

Monofilament for producing an Nb3Sn-containing superconductor wire, especially for internal oxidation

A monofilament (100) for producing an Nb3Sn-containing superconductor wire (33) includes a powder core (1) with an Sn-containing powder, a reaction tube (3) composed of an Nb alloy that includes Nb and at least one further alloy component X. The powder core is disposed within the reaction tube. The monofilament also includes at least one source (4) for at least one partner component Pk. A respective source includes one or more source structures at a unitary radial position in the monofilament. The alloy component X and the partner component Pk form precipitates XPk on reaction annealing of the monofilament in which Sn from the powder core and Nb from the reaction tube react to produce Nb3Sn. The powder core is disposed in a moderation tube, which in turn is disposed within the reaction tube. This provides a monofilament for a powder-in-tube based Nb3Sn-containing superconductor wire with improved current carrying capacity.

BiSb topological insulator with novel buffer layer that promotes a BiSb (012) orientation

A spin-orbit torque (SOT) magnetic tunnel junction (MTJ) device includes a substrate, a buffer layer formed over the substrate, and a bismuth antimony (BiSb) layer formed over the buffer layer, the BiSb layer having a (012) orientation. In certain embodiments, the SOT MTJ device is part of a microwave assisted magnetic recording (MAMR) write head. In certain embodiments, the SOT MTJ device is part of a magnetoresistive random access memory (MRAM) device.

Topological spin textures in 3-dimensional magnetic structures

Utilizing the topological character of patterns in 3D structures is beneficial for information storage, magnetic memory and logic systems. One embodiment describes the use of topological knots, exemplified by a Möbius strip, in which a spin traversing along the band for a complete cycle will recover its original position, while having rotated away from its original orientation. The spins can respond to an external magnetic field, but cannot achieve a ferromagnetic state, in which all magnetic moments are pointing in the same direction, due to the topological knot. 3D assemblies of such nano-Möbius strips may form prototype secure magnetic information storage devices that are secure and with extremely low levels of energy dissipation.

SUPERCONDUCTOR-SEMICONDUCTOR FABRICATION

A mixed semiconductor-superconductor platform is fabricated in phases. In a masking phase, a dielectric mask is formed on a substrate, such that the dielectric mask leaves one or more regions of the substrate exposed. In a selective area growth phase, a semiconductor material is selectively grown on the substrate in the one or more exposed regions. In a superconductor growth phase, a layer of superconducting material is formed, at least part of which is in direct contact with the selectively grown semiconductor material. The mixed semiconductor-superconductor platform comprises the selectively grown semiconductor material and the superconducting material in direct contact with the selectively grown semiconductor material.

Flux-tunable qubit architecture for multiplexing qubit control lines

A method of multiplexing control lines of a qubit array includes applying a qubit control signal to a single driveline. The qubit control signal is split on the single driveline between a first resonator and a second resonator. The first driveline is operative to control a first qubit, a second tunable qubit, a third qubit, and a fourth tunable qubit. The first qubit is coupled to the second tunable qubit by the first resonator. The third qubit is coupled to the fourth tunable qubit by the second resonator. A variation in amplitude of the qubit control signal is compensated by adjusting a frequency of the second tunable qubit and a frequency of the fourth tunable qubit.

Sound vibration sensor using piezoelectric element having cantilever structure

Disclosed is a sound vibration sensor using a piezoelectric element having a cantilever structure. The sound vibration sensor includes a housing forming an exterior, a piezoelectric element having a cantilever structure installed in the housing, a support structure supporting a fixed end of the piezoelectric element, a weight attached to a free end of the piezoelectric element, and an energizing part configured to transmit an output from the piezoelectric element, wherein the sound vibration sensor comes into contact with a speaker's body, receives vibration of the body generated when the speaker utters a sound through the housing, and amplifies the vibration by the free end of the piezoelectric element to detect the voice vibration of the speaker using a piezoelectric characteristic of the piezoelectric element.

Method for making YBCO superconductor

A method of producing polycrystalline Y3Ba5Cu8Oy(Y-358) whereby powders of yttrium (III) oxide, a barium (II) salt, and copper (II) oxide are pelletized, calcined at 850 to 950° C. for 8 to 16 hours, ball milled under controlled conditions, pelletized again and sintered in an oxygen atmosphere at 900 to 1000° C. for up to 72 hours. The polycrystalline Y3Ba5Cu8Oythus produced is in the form of elongated crystals having an average length of 2 to 10 μm and an average width of 1 to 2 μm, and embedded with spherical nanoparticles of yttrium deficient Y3Ba5Cu8Oyhaving an average diameter of 5 to 20 nm. The spherical nanoparticles are present as agglomerates having flower-like morphology with an average particles size of 30 to 60 nm. The ball milled polycrystalline Y3Ba5Cu8Oyprepared under controlled conditions shows significant enhancement of superconducting and flux pinning properties.

Memory cell, semiconductor device including memory cell, and manufacturing method thereof

A memory cell includes pair of metal layers, insulating layer, memory layer, selector layer, and word line. The pair of metal layers extends in a first direction. A first metal layer of the pair is disposed in contact with a second metal layer of the pair. The first metal layer includes a first material. The second metal layer includes a second material. The second metal layer laterally protrudes with respect to the first metal layer along a second direction perpendicular to the first direction. The insulating layer extends in the first direction and is disposed on top of the pair. The memory layer conformally covers sides of the pair. The selector layer is disposed on the memory layer. The word line extends along the second direction on the selector layer over the pair.

DESIGN FOR REDUCING DARK COUNT RATE OF SNSPD BASED ON TWO-WIRE STRUCTURE

The present invention discloses a design for reducing a dark count rate of a superconducting nanowire single photon detector (SNSPD) based on a two-wire structure, which includes: intertwining two niobium nitride nanowires that are not crossed to form an SNSPD of a two-wire structure; regulating and controlling behaviors of one nanowire by adopting the other nanowire, and regulating bias current to be close to superconducting critical current; introducing an optical signal into a photosensitive area of the detector by adopting an optical fiber; outputting two channels of signals respectively through the two nanowires to make the dark count rates of the two nanowires mutually excited; and through a voltage comparator and an exclusive-OR gate, reducing a dark count rate signal, and retaining a photon response signal. The generation of the dark count rate of the detector can be inhibited effectively by the unique performance of the SNSPD of the two-wire structure; and by improving the process ...

Reference signal compensation for magnetostrictive sensor

A gap compensated stress sensing system and methods for using the same are provided. The system can include a sensor head in communication with a controller. The sensor head can contain a stress sensor configured to generate a stress signal representing stress applied to a target based upon measurement of generated magnetic fluxes passing through the target. The system can also include a drive circuit configured to provide a current for generation of the magnetic fluxes, and to measure signals characterizing a gap between the sensor head and the target. The controller can analyze these signals to determine a gap-dependent reference signal that is relatively insensitive to electrical runout. The controller can further adjust the stress signal based upon the gap-dependent reference signal to determine an improved stress signal that has reduced sensitivity to gap changes.

Semiconductor device and method for fabricating the same

A method for fabricating semiconductor device includes the steps of: forming a first magnetic tunneling junction (MTJ) and a second MTJ on a substrate; forming a first top electrode on the first MTJ and a second top electrode on the second MTJ; forming a passivation layer on the first MTJ and the second MTJ; removing part of the passivation layer so that a top surface of all of the remaining passivation layer is lower than a top surface of the first electrode; and forming a ultra low-k (ULK) dielectric layer on the first MTJ and the second MTJ.

Asynchronous read circuit using delay sensing in magnetoresistive random access memory (mRAM)

Some embodiments of the present disclosure relate to a memory device. The memory device includes an active current path including a data storage element; and a reference current path including a reference resistance element. The reference resistance element has a resistance that differs from a resistance of the data storage element. A delay-sensing element has a first input coupled to the active current path and a second input coupled to the reference current path. The delay-sensing element is configured to sense a timing delay between a first signal on the active current path and a second signal on the reference current path. The delay-sensing element is further configured to determine a data state stored in the data storage element based on the timing delay.

Piezoelectric device and manufacturing method of the same

A piezoelectric device includes a container and an AT-cut crystal element. The AT-cut crystal element has at least one side surface intersecting with a Z′-axis of the crystallographic axis of the crystal constituted of three surfaces. The first surface is a surface equivalent to a surface formed by rotating the principal surface by 4°±3.5° with an X-axis of the crystal as a rotation axis. The second surface is a surface equivalent to a surface formed by rotating the principal surface by −57°±5° with the X-axis. The third surface is a surface equivalent to a surface formed by rotating the principal surface by −42°±5° with the X-axis. When two corner portions on a side of a second side opposed to the first side of the AT-cut crystal element are viewed in plan view, each of the two corner portions have an approximately right angle.

COMPOSITE STRUCTURE FOR MEMS APPLICATIONS, COMPRISING A DEFORMABLE LAYER AND A PIEZOELECTRIC LAYER, AND ASSOCIATED MANUFACTURING PROCESS

A composite structure comprises a receiver substrate having at least one cavity defined in the substrate and devoid of solid material or filled with a sacrificial solid material, a single-crystal semiconductor layer disposed on the receiver substrate, the layer having a free surface over the entire extent of the structure and a thickness between 0.1 micron and 100 microns, and a piezoelectric layer secured to the single-crystal semiconductor layer and located between the single-crystal semiconductor layer and the receiver substrate. A device is based on a movable membrane above a cavity, and is formed from the composite structure. A method is used to fabricate the composite structure.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION MEMORY CELL WITH A BUFFER-LAYER AND METHODS FOR FORMING THE SAME

A memory cell structure including a dielectric cap layer disposed over a substrate and a first dielectric layer disposed over the dielectric cap layer. The memory cell structure may further include a buffer layer disposed over the first dielectric layer, a connection via structure embedded in the buffer layer, the first dielectric layer, and the dielectric cap layer. The memory cell structure may further include may further include a bottom electrode disposed on the connection via structure and the buffer layer, and a magnetic tunnel junction (MTJ) memory cell including one or more MTJ layers disposed on the bottom electrode.

Acoustic Resonator and Method of Forming the Same

Various embodiments may relate to an acoustic resonator. The acoustic resonator may include a piezoelectric layer. The acoustic resonator may also include a first electrode in contact with a first surface of the piezoelectric layer. The acoustic resonator may further include a plurality of dielectric structures in contact with the first surface of the piezoelectric layer. The acoustic resonator may additionally include a second electrode in contact with a second surface of the piezoelectric layer opposite the first surface. The first electrode may include a plurality of electrode structures. A dielectric structure of the plurality of dielectric structures may be in contact with a pair of neighboring electrode structures of the plurality of electrode structures.

Piezoelectric pump with annular valve arrangement

A piezoelectric pump includes a first top plate, a second top plate, a diaphragm, a first side wall, and a second side wall. The diaphragm has a vibrating part to which a piezoelectric element is attached, a frame part, and a connecting part. The connecting part has formed therein a third opening which lets a first pump chamber and a second pump chamber communicate. The frame part has formed therein a fourth opening which communicates with the third opening and also communicates with outside. The piezoelectric pump further includes: in the first pump chamber, an annular first valve provided as spaced from a first opening in a planar view so as to surround the first opening; and in the second pump chamber, an annular second valve provided as spaced from a second opening in the planar view so as to surround the second opening.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

A semiconductor device includes a substrate having an array region defined thereon, a ring of magnetic tunneling junction (MTJ) region surrounding the array region, a gap between the array region and the ring of MTJ region, and metal interconnect patterns overlapping part of the ring of MTJ region. Preferably, the array region includes a magnetic random access memory (MRAM) region and a logic region and the ring of MTJ region further includes a first MTJ region and a second MTJ region extending along a first direction and a third MTJ region and a fourth MTJ region extending along a second direction.

PIEZOELECTRIC DEVICE COMPRISING FLEXIBLE SINGLE CRYSTALLINE PIEZOELECTRIC LINBO3 AND/OR LITAO3 FILMS INTEGRATED ON FLEXIBLE SUBSTRATE AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

The invention relates to a piezoelectric device comprising flexible single crystalline piezoelectric LiNbO3 and/or LiTaO3 films integrated on flexible substrate and methods for producing the same. More specifically, the invention relates to a flexible piezoelectric device for energy harvesting. The a Flexible piezoelectric device comprises a flexible substrate layer which comprises an upper face and a lower face, and at least one LiNbO3and/or LiTaO3film, called LNT film bonded to one of the faces of the flexible substrate layer, wherein thickness tfof said at least one LNT film is chosen between a use range of 5 to 50 micrometers (μm).

PIEZOELECTRIC ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, TOUCHPAD INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Disclosed herein are a piezoelectric element, a method of manufacturing the piezoelectric element, a touchpad including the piezoelectric element, and a method of operating the touchpad, wherein the piezoelectric element has a shape of an N-hedron and includes N polygonal unit piezoelectric films forming N faces of the N-hedron, and the touchpad includes: a first piezoelectric element having a shape of an N-hedron; a pad body having a first installation groove detachably supporting the first piezoelectric element; and a signal processer receiving and processing a first signal generated by the first piezoelectric element in response to a first external force, wherein N unit signals are generated by N unit piezoelectric films forming N faces of the first piezoelectric element in response to one external force.

INPUT DEVICE

Design of superconducting devices by optimization of the superconductor's local critical current

MAGNETIC READER SENSOR DEVICE FOR READING MAGNETIC STRIPES AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SENSOR DEVICE

SEMICONDUCTOR DEVICE

A semiconductor device comprising: a substrate; a first magnetic tunnel junction (MTJ) structure disposed on the substrate; a second MTJ structure disposed on the substrate; and an interconnection structure disposed on the substrate and located between the first MTJ structure and the second MTJ structure in a first horizontal direction, wherein the interconnection structure comprises: a first metal interconnection; and a second metal interconnection disposed on and contacting the first metal interconnection.

PROGRAMMABLE MATERIAL

БЕСКОНТАКТНЫЙ СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ МАГНИТНЫЙ ПОДШИПНИК

Изобретение относится к электротехнике, а именно к области бесконтактных магнитных подшипников с использованием высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) лент второго поколения, и может найти применение при конструировании электротехнических устройств различного назначения с массивным вращающимся ротором/валом при бесконтактной передачи момента вращения неподвижному объекту. Технический результат заключается в обеспечении возможности перемещения положения ротора вдоль статора в процессе работы устройства для бесконтактной передачи момента вращения неподвижному объекту, а также возможности осуществления бесконтактного торможения устройства без его остановки. Бесконтактный сверхпроводящий магнитный подшипник состоит из статора в виде полой трубы, выполненной из немагнитного материала, на внешнюю поверхность которой намотаны сверхпроводящие обмотки, системы охлаждения ВТСП-лент и ротора, выполненного из немагнитного материала, причем оси симметрии ротора и статора совпадают. Ротор и статор ...

Термоэлектрический интенсификатор теплопередачи между потоками сред с различной температурой

Изобретение относится к термоэлектрической технике, в частности к термоэлектрическим устройствам для интенсификации теплообмена между средами с различной температурой. Термоэлектрическая батарея имеет две транспортные зоны с движущимися в них средами. В каждой из транспортных зон выполнены две группы сквозных воздуховодов в один ряд. Причем в каждой транспортной зоне воздуховоды имеют зеркальное расположение относительно центральной вертикальной плоскости под углом к ней, находящимся в пределах 25-45 градусов. Пары воздуховодов в первой и второй транспортных зонах зеркально отражены в центральной горизонтальной плоскости. Технический результат - интенсификация теплообмена за счет увеличения площади теплообмена. 1 ил.

СПОСОБ ПОЛЯРИЗАЦИИ ПОЛИМЕРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПЛАЗМЫ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА

Изобретение относится к технологии получения полимерных сегнетоэлектрических материалов и касается способа поляризации полимерных сегнетоэлектрических пленок. В изобретении предлагается способ поляризации полимерных сегнетоэлектрических пленочных материалов с толщинами в диапазоне от 1 до 100 мкм. Поляризацию проводят при пониженном давлении в вакуумной камере при воздействии на поляризуемый образец отрицательных ионов и электронов кислородной плазмы тлеющего разряда в триодной системе. Триодная система состоит из нижнего заземлённого электрода, верхнего отрицательного электрода и управляющей сетки межу ними; при этом поляризуемый образец располагается в вакуумной камере на нижнем заземленном электроде, камера откачивается до давления 1 Па и менее, после чего осуществляется контролируемая подача кислорода до давления около 10 Па. При этом между верхним электродом и управляющей сеткой зажигается плазма тлеющего разряда путем подачи высоковольтных потенциалов на верхний электрод и сетку так ...

Термоэлектрический интенсификатор теплопередачи между потоками сред с различной температурой

Изобретение относится к термоэлектрической технике, в частности к термоэлектрическим устройствам для интенсификации теплообмена между потоками жидкостей или газов (средами) с различной температурой. Термоэлектрическая батарея состоит из идентичных термоэлементов, питаемых основным источником электрической энергии. Поверхности батареи имеют непосредственный тепловой контакт со стенками транспортных зон с движущимися в них средами. В транспортных зонах, перпендикулярно направлению движения сред, выполнены сквозные воздуховоды. Параллельно движению сред в транспортных зонах выполнены в один ряд несквозные воздуховоды, расстояние между началом и концом которых от торцевых поверхностей транспортных зон составляет значение, равное 1/10 длины транспортных зон. Техническим результатом является интенсификация теплообмена за счет увеличения площади теплообмена. 1 ил.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО АКТЮАТОРА

Изобретение относится к способу изготовления пьезоэлектрического актюатора. Для изготовления пьезоэлектрического актюатора изготавливают пластинчатый пьезоэлектрический слой, размещают токопроводящую линию в виде одной или двух противолежащих друг другу двойных спиралей электродов, расположенных соответственно на одной или обеих сторонах пьезоэлектрического слоя, а в случае двухстороннего размещения токопроводящей линии однополярные с положительным или отрицательным потенциалом электроды верхней и нижней двойных спиралей располагают напротив друг друга, при этом пьезоэлектрический слой изготавливают композитным анизотропным типа «полимер/пьезоэлектрик» при меньшей его жесткости в окружном направлении по отношению к жесткости в радиальном направлении. Обеспечивается повышение эффективности свойств пьезоэлектрического актюатора. 7 з.п. ф-лы, 4 ил.

Термоэлектрический интенсификатор теплопередачи между потоками сред с различной температурой

Изобретение относится к термоэлектрической технике, в частности к термоэлектрическим устройствам для интенсификации теплообмена между потоками жидкостей или газов (средами) с различной температурой. Термоэлектрическая батарея состоит из идентичных термоэлементов, питаемых основным источником электрической энергии. Поверхности батареи имеют непосредственный тепловой контакт со стенками транспортных зон с движущимися в них средами. В транспортных зонах перпендикулярно направлению движения сред выполнены сквозные воздуховоды. Параллельно движению сред в транспортных зонах выполнены в несколько рядов, количество которых варьируется от 3 до 5, расположенных в коридорном порядке, несквозные воздуховоды, расстояние между началом и концом которых от торцевых поверхностей транспортных зон составляет значение, равное 1/10 длины транспортных зон. Техническим результатом является интенсификация теплообмена за счет увеличения площади теплообмена. 1 ил.

КОМБИНИРОВАННЫЙ СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ МАГНИТНЫЙ ПОДШИПНИК

Использование: для электротехнических устройств. Сущность изобретения заключается в том, что комбинированный сверхпроводящий магнитный подшипник состоит из статора в виде полой трубы, изготовленного из немагнитного материала с высокой теплопроводностью, на внешней стороне которого выполнены сверхпроводящие обмотки, каждая из которых представляет собой намотанную слоями ВТСП-ленту, системы охлаждения ВТСП-лент и ротора, выполненного из немагнитного материала, на котором в пазах расположены постоянные магниты, причем геометрические центры каждой намотки ВТСП-лент статора и каждого ряда магнитов ротора расположены друг напротив друга, кроме того, оси симметрии ротора и статора совпадают. На одном из краев статора на его внешней поверхности вокруг трубы расположены стопки ВТСП-лент, состоящие из 1-100 слоев, причем стопки ВТСП-лент установлены внахлест с образованием полой сверхпроводящей призмы с толщиной стенок 12 мм, в основании которой лежит правильный многоугольник, причем количество сторон ...

Термоэлектрический интенсификатор теплопередачи между потоками сред с различной температурой

Изобретение относится к термоэлектрической технике, в частности к термоэлектрическим устройствам для интенсификации теплообмена между потоками жидкостей или газов (средами) с различной температурой. Термоэлектрическая батарея состоит из идентичных термоэлементов, питаемых основным источником электрической энергии. Поверхности батареи имеют непосредственный тепловой контакт со стенками транспортных зон с движущимися в них средами. В транспортных зонах, перпендикулярно направлению движения сред, выполнены сквозные воздуховоды. Параллельно движению сред в транспортных зонах выполнены в несколько рядов, количество которых варьируется от 3 до 5, расположенных в шахматном порядке, несквозные воздуховоды, расстояние между началом и концом которых от торцевых поверхностей транспортных зон составляет значение, равное 1/10 длины транспортных зон. Техническим результатом является интенсификация теплообмена за счет увеличения площади теплообмена. 1 ил.

Термоэлектрический интенсификатор теплопередачи между потоками сред с различной температурой

Изобретение относится к термоэлектрической технике, в частности к термоэлектрическим устройствам для интенсификации теплообмена между потоками жидкостей или газов (средами) с различной температурой. Целью изобретения является интенсификация теплообмена между термоэлектрической батареей и обтекающими ее средами. Устройство состоит из термоэлектрической батареи, составленной из идентичных по размерам и физическим свойствам термоэлементов, питаемой основным источником электрической энергии, обе поверхности которой имеют непосредственный тепловой контакт со стенками двух транспортных зон с движущимися в них средами. В каждой из транспортных зон выполнены две группы сквозных воздуховодов в несколько рядов, количество которых варьируется от 3 до 5, расположенных в коридорном порядке. Причем в каждой транспортной зоне воздуховоды имеют зеркальное расположение относительно центральной вертикальной плоскости под углом к ней, находящимся в пределах 25-45 градусов. Пары воздуховодов в первой и второй ...

Электромеханический генератор энергии

Полезная модель относится к электротехнике и предназначена для выработки электрической энергии из механической энергии проезжающего транспорта по дорожному полотну, оборудованному искусственными неровностями. Техническим результатом является создание электромеханического генератора энергии, позволяющего повысить надежность за счет исключения большого количества подвижных элементов, дублирования за счёт наличия дополнительных пьезоэлементов и дополнительных крышек, обеспечивающих возврат в исходное положение только за счет упругости материала крышки и его формы в виде полой правильной треугольной пирамиды. Электромеханический генератор энергии включает прямоугольный в основании корпус с элементами крепления к дорожному полотну, основную крышку, вставленную в соответствующую габаритным размера выборку в корпусе, и установленный между ними основной пьезоэлемент, соединенный кабелем с источником потребления энергии через выпрямитель, аккумуляторную батарею и стабилизатор питания. Основная крышка ...

Переносное устройство для получения электропитания

Полезная модель относится к переносным устройствам для получения электропитания и для использования, преимущественно, в полевых условиях, где нет доступа к системам электроснабжения, например, в жилищах кочевых народов Крайнего Севера. Технический результат: создание компактного устройства простой конструкции для получения электропитания в походных условиях в холодные времена года, характеризующегося мобильностью, надежностью и удобством пользования. Устройство для получения электропитания, содержащее нагреватель, выполненный в виде замкнутого контура, включающего емкость 2 для рабочей жидкости и теплообменник 4, при этом емкость 2 снабжена опорными ножками и верхним съемным паровым клапаном 1, теплообменник 4 выполнен в виде U-образной изогнутой трубы, приваренной к боковой поверхности емкости 2 через два сквозных отверстия, выбранные по вертикальной оси на уровне верхней половины емкости 2, при этом труба теплообменника 4 с нижней стороны оперта на регулируемую по высоте стойку 5, а на ...

УСТРОЙСТВО ПРЕЦИЗИОННОГО ЛИНЕЙНОГО ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ДЛЯ НАНОПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ

Полезная модель относится к области точного приборостроения, в частности к системе нанопозиционирования объекта, где необходимо прецизионное перемещение объекта, и может быть использована для измерения с высокой точностью линейных перемещений в малогабаритных устройствах, либо для определения линейных размеров объектов в нанометровом диапазоне. Технический результат заключается в уменьшении вероятности разрушения слоя материала на основе моноэлектрета на поверхностях рабочих поверхностей направляющей и арматуры. Технический результат достигается тем, что в устройстве нанопозиционирования для прецизионного линейного перемещения, содержащем снабженные магнитными элементами направляющую и арматуру, пьезоэлектрический актуатор, соединенный с арматурой, при этом направляющая, арматура и каретка выполнены из немагнитного материала, направляющая и арматура имеют в поперечном сечении форму эллипсов, большие полуоси которых взаимно перпендикулярны, а соотношение большой полуоси к малой полуоси у ...

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО АКТЮАТОРА

Изобретение относится к способам изготовления устройств на основе пьезоматериалов. Технический результат заключается в расширении арсенала средств при создании актюатора с повышенными параметрами эффективности. Способ изготовления пьезоэлектрического актюатора включает нанесение токопроводящих электродных ленточных покрытий противоположно друг другу на верхней и нижней поверхностях пьезоэлектрического слоя с образованием взаимодействующих электродов двухпроводной токопроводящей линии, наносят электродные ленточные покрытия на верхнюю и нижнюю поверхности пьезоэлектрического слоя прямоугольной формы в виде множества параллельных прямолинейных чередующихся четных и нечетных отрезков электродов с заданным малым шагом и заданным ориентационным углом к основанию периметра пьезоэлектрического слоя, наносят на верхнюю и нижнюю поверхности пьезоэлектрического слоя два линейных базовых электрода, с образованием двух глобальных напрямую не контактирующих между собой двухсторонних систем электродов ...

Driver circuitry

Electrical Machine and Power Electronics Converter

Improvements to Thermoelectric Modules and Assemblies

An assembly of heat transfer blocks or plates 21 with thermoelectric devices 2 are connected together in stacks which may be arranged vertically or vertically and horizontally. The thermoelectric devices may be used to generate electricity from waste heat dissipated from fluids passing through channels 4, 14, 24 arranged in the blocks. Alternatively, the thermoelectric devices may be used to control the temperature of fluids passing through the channels.

Ultrasound interconnect stack and method of manufacturing same

An acoustic device and method of manufacturing same. The acoustic device having a PZT composite layer 14 with a two-dimensional array of electrodes 6; an electrical interconnect layer 3 (e.g. an application specific integrated circuit (ASIC) or a flexible circuit board) having a two-dimensional array of bond pads 17; an anisotropic conductive backing layer 7 between the electrical interconnect layer 3 and the composite layer 14. The backing layer 7 has a plurality of conducting vias 4 which are vertically aligned and electrically couple individual bond pads 17 to individual electrodes 6, and a non-conducting, acoustic damping matrix material surrounding the conducting vias 4. Wherein, respective pairs of electrodes 6 and bonding pads 17 may be connected by either one via 4 or plural vias 4.

Magnetic tunnel junction having all-around structure

A magnetic tunnel junction (MTJ) device (200) includes a cylindrically-shaped pillar structure and a first ferromagnetic layer (204) disposed on at least a portion of the pillar structure. The first ferromagnetic layer (204) exhibits a magnetization that is changeable in the presence of at least one of an applied bias and heat. The MTJ device (200) further includes a dielectric barrier (206) disposed on at least a portion of the first ferromagnetic layer (204) and a second ferromagnetic layer (202) disposed on at least a portion of the dielectric barrier (206). The second ferromagnetic layer (202) exhibits a magnetization that is fixed. The MTJ device (200) is configured such that the first and second ferromagnetic layers (202, 204) and the dielectric barrier (206) concentrically surround the pillar structure.

Mram devices containing a hardened gap fill dielectric material

A hardened gap fill dielectric material that has improved chemical and physical properties is formed laterally adjacent to a multilayered magnetic tunnel junction (MTJ) pillar and a top electrode structure of a memory structure. The harden gap fill dielectric material can be formed by introducing, via ion implantation, a bond breaking additive into an as deposited gap fill dielectric material layer and thereafter curing the gap fill dielectric material layer containing the bond breaking additive. The curing includes UV curing alone, or UV curing in combination with laser annealing. The curing employed in the present application does not negatively impact the MTJ pillar or top electrode structure.

Elastic wave device with sub-wavelength thick piezoelectric layer

An elastic wave device 10 configured to generate an elastic wave of wavelength of λ and comprising: a piezoelectric layer 12 of lithium niobate (LiNbO3) or lithium tantalate (LiTaO3), having a cut angle in a cut angle range from -10° to 30° and a thickness from 0.35λ to 0.8λ; an interdigital transducer electrode 14 on the piezoelectric layer 12; and a high velocity layer 16 in physical contact with the piezoelectric layer 12, the high velocity layer 16 having a higher bulk velocity than a velocity of the elastic wave and preferably formed of silicon. The piezoelectric layer is also preferably Y-cut, X-propagation.

Phase change device

A phase change device (PCD) has a first and second semiconductor layer. The first semiconductor layer made of a first semiconductor material and has a first semiconductor thickness, a first interface surface, and a first electrode surface. The first interface surface and first electrode surface are on opposite sides of the first semiconductor layer. The first semiconductor material can transition between a first amorphous state and a first crystalline state at one or more first conditions. The second semiconductor layer is made of a second semiconductor material and has a second semiconductor thickness, a second interface surface, and a second electrode surface. The second interface surface and second electrode surface are on opposite sides of the second semiconductor layer. The first interface surface and the second interface surface are in electrical, physical, and chemical contact with one another at an interface. The second semiconductor material can transition between a second amorphous ...

Graphene superconducting wire/conductor

A process for creating a superconducting wire or conductor from any metal such as a copper or aluminium strip or ribbon with graphene deposited on one or both sides. The coated strip is folded, bent or rolled along its length into a hollow cylinder, tube, conductor or wire, with the metal protecting the graphene layer inside or outside, thus creating a usable superconducting wire, conductor or cable at room temperature.

Display panel and display apparatus including the same

A display panel 10 that comprises: a vibration apparatus that comprises a first substrate including a pixel array layer 110; a second substrate 210 attached to the first substrate by an adhesive member 250; and a vibration generating device 230 within the adhesive member to overlap the pixel array layer and being inserted into the adhesive member; wherein the vibration generating device has a size corresponding to the pixel array layer. The vibration generating module may be surrounded by the second substrate and the adhesive member. The vibration generating module may include a piezoelectric layer (231, Fig.10) comprising a plurality of piezoelectric portions (231a, Fig.10) and a plurality of flexible portions (231b, Fig.10) between the piezoelectric portions. Integrating the display panel and the vibration generating module acts to prevent the vibration generating module from being damaged in the manufacturing process.

Semiconductor logic circuits including non-volatile memory cell

A phase change memory (PCM) device including a bottom electrode, a bottom heater over the bottom electrode, a bottom buffer layer over the bottom heater, a PCM region over the bottom buffer layer, a top buffer layer over the PCM region, a top heater over the top buffer layer, and a top electrode over the top heater.

Design method of improving piezoelectric coefficient of piezoelectric film of sawdevice and piezoelectric film

Provided is a design method of improving a piezoelectric coefficient of a piezoelectric film by (1) building a unit cell model, and adding the unit cell model according to an atom position of an AlN card to obtain a primary unit cell model; (2) expanding the built primary unit cell model into a supercell; (3) performing Sc atom doping on the supercell, and then setting one doping concentration to obtain a doped supercell model; (4) calculating a piezoelectric coefficient after Sc doping utilizing a first principle; and (5) repeating the above steps, successively changing different concentrations of Sc atom doping, and respectively calculating the piezoelectric coefficients after Sc doping utilizing the first principle, wherein the Sc doping concentration when the piezoelectric coefficient is maximum is an optimal Sc atom doping concentration value. Different concentrations of SC atom doping are used for a film using magnetron sputtering coating growth, and a dust-free cloth wiping, washing ...

Double magnetic tunnel junction device

A method of manufacturing a double magnetic tunnel junction device is provided. The method includes forming a first magnetic tunnel junction stack, forming a spin conducting layer on the first magnetic tunnel junction stack, forming a second magnetic tunnel junction stack on the spin conducting layer, and forming a dielectric spacer layer on surfaces of the spin conducting layer and the second magnetic tunnel junction stack. The second magnetic tunnel junction stack has a width that is less than a width of the first magnetic tunnel junction stack. Also, a width of the spin conducting layer increases in a thickness direction from a first side of the spin conducting layer adjacent to the second magnetic tunnel junction stack to a second side of the spin conducting layer adjacent to the first magnetic tunnel junction stack.

Spin-orbit-torque type magnetoresistance effect element and magnetic memory

A spin-orbit-torque type magnetoresistance effect element includes: a first ferromagnetic layer; a second ferromagnetic layer; a non-magnetic layer which is located between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer; and a spin-orbit-torque wiring which has the first ferromagnetic layer laminated thereon, wherein the spin-orbit-torque wiring extends in a second direction intersecting a first direction corresponding to an orthogonal direction of the first ferromagnetic layer, wherein the first ferromagnetic layer includes a first laminated structure and an interface magnetic layer in order from the spin-orbit-torque wiring, wherein the first laminated structure is a structure in which a ferromagnetic conductor layer and an inorganic compound containing layer are disposed in order from the spin-orbit-torque wiring, wherein the ferromagnetic conductor layer contains a ferromagnetic metal element, and wherein the inorganic compound containing layer contains at least one ...

Rotary-to-linear motion converter

A rotary-to-linear motion converter includes: a drive portion including a vibrating portion vibrating by a piezoelectric body and a convex portion coupled to the vibrating portion; a housing; a rotating member including a first screw portion and a driven surface that contacts the convex portion and that receives driving force of the drive portion, the rotating member pivoting around an axial center relative to the housing; a linearly moving member including a second screw portion threadably engaging with the first screw portion; and a restricting portion that is disposed at the housing and that restricts rotation of the linearly moving member.

ALL-ELECTRICALLY-CONTROLLED SPINTRONIC NEURON DEVICE, NEURON CIRCUIT AND NEURAL NETWORK

Provided is an all-electrically-controlled spintronic neuron device, a neuron circuit and a neural network. The neuron device includes: a bottom antiferromagnetic pinning layer; a synthetic antiferromagnetic layer formed on the bottom antiferromagnetic pinning layer; a potential barrier layer formed on the ferromagnetic free layer, wherein a region of the ferromagnetic free layer directly opposite to the potential barrier layer forms a threshold region; a ferromagnetic reference layer formed on the potential barrier layer; wherein the potential barrier layer, the ferromagnetic reference layer and the ferromagnetic free layer form a magnetic tunnel junction; a first antiferromagnetic pinning layer and a second antiferromagnetic pinning layer formed on an exposed region of the ferromagnetic free layer except the region directly opposite the potential barrier layer, and located on two sides of the potential barrier layer; and a first electrode formed on the ferromagnetic reference layer.

ULTRASONIC GENERATOR, TRANSDUCER, AND OBJECT DETECTOR

Provided is an apparatus including an ultrasonic generator including a transducer having a piezoelectric body that vibrates due to a piezoelectric effect and generates ultrasonic waves when an alternating voltage is applied, and three or more electrodes provided in different regions on a surface of the piezoelectric body. The apparatus includes a control unit that, when the control unit receives an ultrasonic wave generation instruction including information on a directivity of ultrasonic waves to be generated, selects from the three or more electrodes a combination of a voltage application electrode and a ground electrode corresponding to the directivity in the ultrasonic wave generation instruction and applies the alternating voltage to the voltage application electrode to generate ultrasonic waves, the voltage application electrode being an electrode to which the alternating voltage is to be applied, and the ground electrode being an electrode to be at a ground potential.

MULTI-LAYER PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

A phase change memory (PCM) cell comprises a first electrode comprised of a first electrically conductive material, a second electrode comprised of a second electrically conductive material, a first phase change layer positioned between the first electrode and the second electrode and being comprised of a first phase change material, and a second phase change layer positioned between the first electrode and the second electrode and being comprised of a second phase change material. The first phase change material has a first resistivity, the second phase change material has a second resistivity, and wherein the first resistivity is at least two times the second resistivity.

SECOND GENERATION HIGH-TEMPERATURE SUPERCONDUCTING (2G-HTS) TAPE AND FABRICATION METHOD THEREOF

A method for fabricating a second generation high-temperature superconductor (2G-HTS) tape, including: (S1) depositing a superconducting thin film on a surface of a ductile metal substrate with a buffer layer; (S2) forming a micro-holes array pattern on a surface of the superconducting thin film by etching using a reel-to-reel dynamic femtosecond infrared laser etching system, where the micro-holes array pattern covers the superconducting thin film; (S3) depositing a superconducting thick film on the surface of the superconducting thin film; and (S4) depositing a silver protective layer and a copper stabilization layer on a surface of the superconducting thick film.

LOGIC ELEMENT USING SPIN-ORBIT TORQUE AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCTURE

Disclosed is logic device using spin orbit torque. Two magnetic tunnel junctions have mutually opposite magnetization directions. The direction of the current flowing through the non-magnetic metal layer acts as an input, and the resistance states of the magnetic tunnel junctions are determined by the input program currents. Various logic devices are implemented by a method of setting the input program current to a logic high or a logic low.

TRANSDUCERS, THEIR METHODS OF MANUFACTURE AND USES

There is disclosed a transducer and a method for generating the transducer. The transducer is formed on a substrate layer. The transducer includes a first electrode layer, a first piezoelectric layer on the first electrode layer, and a second electrode layer on the first piezoelectric layer. The first electrode layer is connected to a first electrical connector and the second electrode layer is connected to a second electrical connector. The transducer can be configured to act as an acoustic sensor or an electric potential sensor.

THERMOELECTRIC DEVICES ON CERAMIC

The disclosure is related to structures and method of making thermoelectric devices. The structures include an electrically nonconductive and thermally conductive substrate with direct bonded or electroplated copper. Thermoelement pairs are formed on a barrier layer deposited on the outer layers of the substrate in gaps formed from insulator material deposited on the barrier layer. Openings in the barrier layer may be filled with an insulator to isolate thermoelements, which may then be bridged by a metal layer. Thermoelement pairs may be combined to form larger devices.

Cross-point MRAM including self-compliance selector

The present invention is directed to a magnetic memory cell including a magnetic tunnel junction (MTJ) memory element and a two-terminal bidirectional selector coupled in series between two conductive lines. The MTJ memory element includes a magnetic free layer; a magnetic reference layer; and an insulating tunnel junction layer interposed therebetween. The two-terminal bidirectional selector includes a bottom electrode; a top electrode; a load-resistance layer interposed between the bottom and top electrodes and comprising a first tantalum oxide; a first volatile switching layer interposed between the bottom and top electrodes and comprising a metal dopant and a second tantalum oxide that has a higher oxygen content than the first tantalum oxide; and a second volatile switching layer in contact with the first volatile switching layer and comprising a third tantalum oxide that has a higher oxygen content than the first tantalum oxide.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

A method for fabricating a semiconductor device includes the steps of first forming a magnetic tunneling junction (MTJ) on a substrate, forming a top electrode on the MTJ, forming an inter-metal dielectric (IMD) layer around the top electrode and the MTJ, forming a landing layer on the IMD layer and the MTJ, and then patterning the landing layer to form a landing pad. Preferably, the landing pad is disposed on the top electrode and the IMD layer adjacent to one side of the top electrode.

MRAM structure and method of fabricating the same

A magnetoresistive random access memory (MRAM) structure includes a magnetic tunnel junction (MTJ), and a top electrode which contacts an end of the MTJ. The top electrode includes a top electrode upper portion and a top electrode lower portion. The width of the top electrode upper portion is larger than the width of the top electrode lower portion. A bottom electrode contacts another end of the MTJ. The top electrode, the MTJ and the bottom electrode form an MRAM.

Active piezoelectric sheet with piezoelectric microstructures

An active acoustic system includes a thin-film sheet having an array of piezoelectric microstructures embossed in the film. Each piezoelectric microstructure may act as a speaker and/or a microphone. A control circuit is configured to individually address the piezoelectric microstructures to provide a separate voltage signal to, or receive a separate voltage signal from, each piezoelectric microstructure.

Magnetostrictive position sensor with detector coil in a chip

To reduce the construction effort and also to make it smaller, the detector coil (6) is formed in the detector head (7) of a magnetostrictive position sensor (100) in a semiconductor chip (2), in which at the same time also the evaluation circuit (16) is formed and—if biased electrically and by means of direct current—also the then necessary separate bias coil (18).

Thermoelectric generator

A thermoelectric generator includes a substrate and one or more thermoelectric elements on the substrate and each configured to convert a thermal drop across the thermoelectric elements into an electric potential by Seebeck effect. The thermoelectric generator includes a cavity between the substrate and the thermoelectric elements. The thermoelectric generator includes, within the cavity, a support structure for supporting the thermoelectric elements. The support structure has a thermal conductivity lower than a thermal conductivity of the substrate.

Carbon-based memory element

One embodiment of the disclosure can provide a storage layer of a resistive memory element comprising a resistance changeable material. The resistance changeable material can include carbon. Contact layers can be provided for contacting the storage layer. The storage layer can be disposed between a bottom contact layer and a top contact layer. The resistance changeable material can be annealed at a predetermined temperature over a predetermined annealing time for rearranging an atomic order of the resistance changeable material.

Hall sensor

Provided is a highly-sensitive Hall element capable of eliminating an offset voltage without increasing the chip size. The Hall element includes: a Hall sensing portion having a shape of a cross and four convex portions; Hall voltage output terminals which are arranged at the centers of the front edges of the four convex portions, respectively; and control current input terminals which are arranged on side surfaces of each of the convex portions independently of the Hall voltage output terminals. In this case, the Hall voltage output terminal has a small width and the control current input terminal has a large width.

Magnetic storage element and magnetic memory

Disclosed herein is a magnetic storage element including: a reference layer configured to have a magnetization direction fixed to a predetermined direction; a recording layer configured to have a magnetization direction that changes due to spin injection in a direction corresponding to recording information; an intermediate layer configured to separate the recording layer from the reference layer; and a heat generator configured to heat the recording layer. A material of the recording layer is such a magnetic material that magnetization at 150° C. is at least 50% of magnetization at a room temperature and magnetization at a temperature in a range from 150° C. to 200° C. is in a range from 10% to 80% of magnetization at a room temperature.

Method and device for harvesting energy from ocean waves

A method and device for generating electricity from ocean waves. The device includes at least one magnetostrictive element and one or more electrically conductive coils or circuits. When the magnetostrictive element is deployed in a body of water, the motion of the body of water, including wave motion, causes changes in the strain of the magnetostrictive element. The electrically conductive coil or circuit is within the vicinity of the magnetostrictive element. A corresponding change in magnetic field around the magnetostrictive element generates an electric voltage and/or electric current in the electrically conductive coil or circuit.

High-precision resistor and trimming method thereof

An embodiment of an electrically trimmable electronic device, wherein a resistor of electrically modifiable material is formed by a first generally strip-shaped portion and by a second generally strip-shaped portion, which extend transversely with respect to one another and are in direct electrical contact in a crossing area. The first and second portions have respective ends connected to own contact regions, coupled to a current pulse source and are made of the same material or of the same composition of materials starting from a same resistive layer of the material having electrically modifiable resistivity, for example, a phase-change material, such as a Ge—Sb—Te alloy, or polycrystalline silicon, or a metal material used for thin-film resistors. The trimming is performed by supplying a trimming current to the second portion so as to heat the crossing area and modify the resistivity thereof, without flowing longitudinally in the first portion.

CPP-Type Magnetoresistive Element Including Spacer Layer

An MR element includes a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, and a spacer layer disposed between the first and second ferromagnetic layers. The spacer layer includes a nonmagnetic metal layer, a first oxide semiconductor layer, and a second oxide semiconductor layer that are stacked in this order. The nonmagnetic metal layer is made of Cu, and has a thickness in the range of 0.3 to 1.5 nm. The first oxide semiconductor layer is made of a Ga oxide semiconductor, and has a thickness in the range of 0.5 to 2.0 nm. The second oxide semiconductor layer is made of a Zn oxide semiconductor, and has a thickness in the range of 0.1 to 1.0 nm.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Methods of forming and operating phase change memory devices include adjusting an activation energy barrier between a metastable phase and a stable phase of a phase change material in a memory cell. In some embodiments, the activation energy barrier is adjusted by applying stress to the phase change material in the memory cell. Memory devices include a phase change memory cell and a material, structure, or device for applying stress to the phase change material in the memory cell. In some embodiments, a piezoelectric device may be used to apply stress to the phase change material. In additional embodiments, a material having a thermal expansion coefficient greater than that of the phase change material may be positioned to apply stress to the phase change material.

Storage apparatus

Disclosed herein is a storage apparatus including a cell array configured to include storage devices arranged to form an array. Each of the storage device has: a storage layer for storing information as the state of magnetization of a magnetic substance; a fixed-magnetization layer having a fixed magnetization direction; and a tunnel insulation layer sandwiched between the storage layer and the fixed-magnetization layer. In an operation to write information on the storage layer, a write current is generated to flow in the layer-stacking direction of the storage layer and the fixed-magnetization layer in order to change the direction of the magnetization of the storage layer. The cell array is divided into a plurality of cell blocks. The thermal stability of the storage layer of any particular one of the storage devices has a value peculiar to the cell block including the particular storage device.

Traffic load control in a mesh network

The present technology relates to protocols relative to utility meters associated with an open operational framework. More particularly, the present subject matter relates to protocol subject matter for advanced metering infrastructure, adaptable to various international standards, while economically supporting a 2-way mesh network solution in a wireless environment, such as for operating in a residential electricity meter field. The present subject matter supports meters within an ANSI standard C12.22/C12.19 system while economically supporting a 2-way mesh network solution in a wireless environment, such as for operating in a residential electricity meter field, all to permit cell-based adaptive insertion of C12.22 meters within an open framework. Cell isolation is provided through quasi-orthogonal sequences in a frequency hopping network. Additional features relate to apparatus and methodology subject matters concerning Traffic Load Control in a Mesh Network.

Термоэлектрический генератор бытовой с жидкостным охлаждением

1. Термоэлектрический генератор бытовой с жидкостным охлаждением, включающий охлаждающий теплообменник, выполненный в виде сосуда для охлаждающего агента, горячий теплообменник, размещенный между ними термоэлектрический генераторный модуль, имеющий «горячие» и «холодные» горизонтальные поверхности, и токоотводы, отличающийся тем, что горячий теплообменник выполнен в виде полой емкости, обращенной дном к дну сосуда для охлаждающего агента охлаждающего теплообменника, горизонтальные «горячие» и «холодные» поверхности термоэлектрического генераторного модуля снабжены слоем теплопроводящей пасты, а участки дна емкости горячего теплообменника и дна сосуда охлаждающего теплообменника, свободные от наличия поверхностей указанного модуля, снабжены слоем термостойкого силиконового клея-герметика, причем боковые стенки емкости и сосуда покрыты теплоизолирующим материалом, при этом генератор дополнительно содержит защитный раструб в форме усеченного полого конуса, обращенного стороной нижнего основания с большим диаметром в сторону охлаждающего теплообменника, который стороной верхнего основания с меньшим диаметром закреплен в зоне размещения термоэлектрического генераторного модуля у дна охлаждающего сосуда, причем высота указанного конуса составляет величину 80% высоты боковой стенки сосуда, а соотношение его малого диаметра к большому составляет 1:1,2 соответственно.2. Генератор по п. 1, отличающийся тем, что усеченный полый конус выполнен в виде набора трапециевидных лепестков, закрепленных одной стороной в зоне установки термоэлектрического генераторного модуля и выполненных с возможностью «зонтичного» раскры РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 35/30 (13) 162 936 U1 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ТИТУЛЬНЫЙ (21)(22) Заявка: ЛИСТ ОПИСАНИЯ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ 2015152883/28, 09.12.2015 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 09.12.2015 (45) Опубликовано: 27.06.2016 Бюл. № 18 1 6 2 9 3 6 R U (57) Формула полезной ...

Оптоволоконный сверхпроводниковый однофотонный детектор

Использование: для детекторов оптического излучения с высокой квантовой эффективностью. Сущность полезной модели заключается в том, что сверхпроводниковый однофотонный детектор представляет собой оптический модуль на базе оптической розетки FC и включает криогенный предусилитель и сменный модуль с отрезком оптической ферулы с одномодовым волокном, при этом на боковых поверхностях модуля сформированы золотые контактные площадки, а на коре оптического волокна сформированы чувствительные слои из сверхпроводника в виде меандровой структуры, причем меандровая структура представляет собой два меандра, ориентированных ортогонально друг другу и разделенных слоем диэлектрика толщиной, равной четверти длины волны. Технический результат: обеспечение возможности повышения общей эффективности SSPD без усложнения его конструкции. 4 ил. Ц 1 176010 ко РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ 1 11 ее аа а за (1 ВУ 175 04101 (51) МПК ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ НО. 39/00 (2006.01) (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК НОГ. 39/24 (2006.01) (21)(22) Заявка: 2017117185, 17.05.2017 (72) Автор(ы): (24) Дата начала отсчета срока действия патента: 17.05.2017 Дата регистрации: 26.12.2017 Приоритет(ь): (22) Дата подачи заявки: 17.05.2017 (45) Опубликовано: 26.12.2017 Бюл. № 36 Адрес для переписки: 121059, Москва, Бережковская наб., 22, стр. 3, Фонд перспективных исследований, генеральному директору А.И. Григорьеву Божко Сергей Иванович (КО), Кулик Сергей Павлович (КО), Молотков Сергей Николаевич (КП), Ионов Андрей Михайлович (КО), Черняк Владимир Максимович (КП) (73) Патентообладатель(и): Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ (ВО) (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: КО 2346357 С1, 10.02.2009. ВО 2539771 СЛ, 27.01.2015. ВЧ 2581405 СТ, 20.04.2016. 05 9500519 В2, 22.11.2016. 05 7049593 В2, 23.05.2006. 05 20140353476 АТ, 04.12.2014. (54) Оптоволоконный сверхпроводниковый однофотонный детектор (57) Реферат: ...

Высоковольтное токоограничивающее устройство на основе высокотемпературной сверхпроводимости

Полезная модель относится к области электротехники, в частности к высоковольтным токоограничивающим сильноточным устройствам на основе высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП ТОУ) и может найти применение для последовательного включения в сеть 220 кВ для ограничения токов короткого замыкания. ВТСП ТОУ, содержит горизонтальный цилиндрический криостат с внутренней и внешней стенками, образующими объем для размещения криогенной среды; установленную в криостате ВТСП сборку соосно размещенных токоограничивающих модулей ограничителя тока; колодцы, размещенные в верхней части криостата, входящие в его состав; вертикально установленные в колодцах подводящий и отводящий токовводы, где каждый токоввод одним концом соединен со сборкой упомянутых модулей, а вторым концом - с электрической сетью, при этом, каждый упомянутый токоввод представляет собой электрический проводник, содержащий последовательно расположенные изолирующую оболочку, выполненную из пропитанного электроизоляционной смолой нетканого гидрофобного материала и монолитную защитную оболочку из диэлектрического эластичного материала. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 183 512 U1 (51) МПК H02H 9/02 (2006.01) H01L 39/16 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H02H 9/02 (2006.01); H01L 39/16 (2006.01) (21)(22) Заявка: 2018122672, 21.06.2018 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: (73) Патентообладатель(и): Закрытое акционерное общество "СуперОкс" (ЗАО "СуперОкс") (RU) 25.09.2018 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 2453961 C1, 20.06.2012. RU (45) Опубликовано: 25.09.2018 Бюл. № 27 1 8 3 5 1 2 R U 89783 U1, 10.12.2009. RU 2126568 C1, 20.02.1999. US 5063472 A1, 05.11.1991. (54) ВЫСОКОВОЛЬТНОЕ ТОКООГРАНИЧИВАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ СВЕРХПРОВОДИМОСТИ (57) Реферат: Полезная модель относится к области верхней части криостата, входящие в его состав; электротехники, в частности к ...

Магнитопьезофибер

Полезная модель относится к области радиоэлектроники и может быть использована при разработке таких устройств, как высокочувствительные датчики постоянного магнитного поля, переменного магнитного поля, постоянного тока, переменного тока, преобразователи, гираторы, источники возобновляемой энергии и других устройств. Сущность: магнитопьезофибер состоит из пьезоэлектрических волокон в полимерной матрице, покрытых с двух сторон полиимидной пленкой с встречно-штыревыми электродами и магнитострикционными слоями. Магнитострикционные слои выполнены в виде волокон, которые наносятся с двух сторон пьезоэлектрических волокон в полиимидной пленке поверх встречно-штыревых электродов, покрытых изолирующей пленкой. Ширина и центральные оси магнитострикционных и пьезоэлектрических волокон совпадают. Технический результат: повышение значения магнитоэлектрического эффекта. 2 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 184 785 U1 (51) МПК H01L 41/083 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 41/083 (2006.01) (21)(22) Заявка: 2018128132, 31.07.2018 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 08.11.2018 (45) Опубликовано: 08.11.2018 Бюл. № 31 20180033947 A1, 01.02.2018. US 7771846 B2, 10.08.2010. RU 2363074 C1, 27.07.2009. RU 2491684 C2 27.08.2013. (54) МАГНИТОПЬЕЗОФИБЕР (57) Реферат: Полезная модель относится к области радиоэлектроники и может быть использована при разработке таких устройств, как высокочувствительные датчики постоянного магнитного поля, переменного магнитного поля, постоянного тока, переменного тока, преобразователи, гираторы, источники возобновляемой энергии и других устройств. Сущность: магнитопьезофибер состоит из пьезоэлектрических волокон в полимерной матрице, покрытых с двух сторон полиимидной R U 1 8 4 7 8 5 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: US 9735341 B2, 15.08.2017. US Стр.: 1 пленкой с встречно-штыревыми электродами и магнитострикционными ...

Конструкция преобразователя магнитного поля на основе наноструктур, обладающих гигантским магниторезистивным эффектом

Полезная модель относится к микроэлектронике и может быть использована в конструкциях датчиков магнитного поля и магнитополупроводниковых микросистем.Конструкция преобразователя магнитного поля на основе наноструктур, обладающих гигантским магниторезистивным эффектом, содержит кристалл 1 и четыре магниторезистора, выполненных на поверхности кристалла, соединенных слоем алюминия в мостовую схему Уинстона с расположением активных плеч 2 между двумя концентраторами магнитного поля 3 из магнитомягкого материала и опорных плеч 4, расположенных под экранами 5. Концентраторы магнитного поля 3 размещены в заглублениях 6, выполненных в кристалле 1. Вдоль концентраторов магнитного поля 3 размещены экраны 5, выполненные из магнитомягкого материала. На обратной стороне кристалла 1 дополнительно установлен магнит 7 с расположением полюсов магнита под концентраторами магнитного поля 3. Магниторезисторы выполнены из многослойных тонкопленочных наноструктур с гигантским магниторезистивным эффектом.Технический результат, получаемый при реализации заявляемой полезной модели, выражается в обеспечении возможности определения направления вектора магнитного поля за счет формирования нечетной выходной характеристики преобразователя магнитного поля с сохранением чувствительности преобразователя магнитного поля без увеличения энергопотребления. 1 з.п. ф-лы, 3 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 189 844 U1 (51) МПК H01L 43/00 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 43/00 (2018.08) (21)(22) Заявка: 2018139669, 08.11.2018 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 06.06.2019 (73) Патентообладатель(и): Российская Федерация, от имени которой выступает федеральное государственное казенное учреждение "Войсковая часть 68240" (RU) (45) Опубликовано: 06.06.2019 Бюл. № 16 Адрес для переписки: 107031, Москва, Войсковая часть 1125 1 8 9 8 4 4 R U 2568148 C1, 10.11.2015. RU 2636141 C1, 20.11.2017. ...

Электрогенерирующее устройство на основе термоэлектричества и детандирования газа

Полезная модель относится к оборудованию энергетических установок, генерирующих электроэнергию, и предназначена для использования на объектах газовой промышленности.Традиционный способ выработки электрической энергии основан на использовании при редуцировании сжатого газа эффектов Ранка-Хилша и Зеебека.В полезной модели предлагается использовать устройство электроснабжения, в котором термоэлектрический генератор, снабженный стальным цилиндром, выполненным в виде короткозамкнутого витка и контактирующим с термоэлектрическими элементами цилиндрической формы, газовой турбиной, выполненной с возможностью вращения магнитного ротора в стальном цилиндре, и сопловым направляющим аппаратом перед лопатками газовой турбины.Технический результат от использования предлагаемой полезной модели - увеличение эффективности использования перепада давления на газораспределительных пунктах за счет внедрения источника электроэнергии с приводом от турбины, помещенной в газовый поток. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 190 354 U1 (51) МПК F17D 1/04 (2006.01) H01L 35/28 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК F17D 1/04 (2019.02); H01L 35/28 (2019.02) (21)(22) Заявка: 2018137420, 24.10.2018 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: (73) Патентообладатель(и): Черных Анатолий Петрович (RU) Дата регистрации: 28.06.2019 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 2417337 C2, 27.04.2011. RU 2534443 C2, 27.11.2014. RU 139787 U1, 20.04.2014. UA 78571 U, 25.03.2013. JP 2001342848 A, 14.12.2001. (45) Опубликовано: 28.06.2019 Бюл. № 19 R U (54) ЭЛЕКТРОГЕНЕРИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСТВА И ДЕТАНДИРОВАНИЯ ГАЗА (57) Реферат: Полезная модель относится к оборудованию короткозамкнутого витка и контактирующим с энергетических установок, генерирующих термоэлектрическими элементами электроэнергию, и предназначена для цилиндрической формы, газовой турбиной, использования на объектах газовой ...

Сверхпроводящее защитное устройство радиоприемных устройств с автокомпенсатором

Использование: для защиты устройств радиоэлектронной аппаратуры. Сущность полезной модели заключается в том, что сверхпроводящее защитное устройство радиоприемных устройств с автокомпенсатором состоит из тонкой пленки высокотемпературного сверхпроводника в виде микрополосковой линии передачи, которая подключается к коаксиальному кабелю входной цепи антенно-фидерного устройства последовательно при помощи коаксиально-полосковых переходов и помещается в термостат с жидким азотом, при этом переход из сверхпроводящего в нормальное состояние ускоряется внешним подмагничиванием, источником внешнего магнитного поля является цепь автокомпенсатора, состоящая из независимой от радиоприемного устройства вспомогательной антенны, последовательно соединенной с катушкой подмагничивания, способной функционировать при переменных токах, наводимых мощными электромагнитными излучениями на вспомогательной антенне с техническими характеристиками и условиями установки идентичными основной антенне радиоприемника. Технический результат: обеспечение возможности эффективной защиты от мощного электромагнитного излучения. 2 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 191 803 U1 (51) МПК H01L 39/16 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 39/16 (2019.05) (21)(22) Заявка: 2019114608, 13.05.2019 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 22.08.2019 (45) Опубликовано: 22.08.2019 Бюл. № 24 U 1 1 9 1 8 0 3 R U (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: RU 2221314 C1, 10.01.2004. EP 2945199 A1, 18.11.2015. RU 2576243 C1, 27.02.2016. EP 503447 A2, 16.09.1992. RU 2126568 C1, 20.02.1999. Д.Б. Кучер, А.И. Харланов, М.В. Степанова, Экспериментальная оценка влияния внешнего подмагничивания тонкой высокотемпературной сверхпроводящей пленки на характеристики активых датчиковограничителей, (см. прод.) (54) СВЕРХПРОВОДЯЩЕЕ ЗАЩИТНОЕ УСТРОЙСТВО РАДИОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ С АВТОКОМПЕНСАТОРОМ (57) Реферат: ...

Токоограничивающее устройство на основе высокотемпературной сверхпроводимости

Полезная модель относится к области электротехники, в частности к высоковольтному оборудованию - высокотемпературным сверхпроводящим токоограничивающим устройствам (далее ВТСП ТОУ), работающим в среде жидкого азота в сетях 35-750 кВ. Высоковольтное токоограничивающее устройство на основе высокотемпературной сверхпроводимости, содержащее: горизонтальный цилиндрический криостат; размещенную в криостате сборку соосно расположенных сверхпроводящих токоограничивающих модулей, нанизанных на центральную опору, где упомянутая сборка установлена, по меньшей мере, на двух парах опорных изоляторов, изоляционная часть которых выполнена в форме стержней с частично гофрированной внешней поверхностью, при этом изоляторы в каждой паре одним концом закреплены на центральной опоре, а другим - прикреплены к внутренней поверхности криостата и подводящий и отводящий изолированные токовводы, где каждый токоввод одним концом соединен со сборкой упомянутых модулей, а вторым концом - с электрической сетью. Полезная модель позволяет устранить рост напряженности электрического поля между сборкой токоограничивающих модулей и заземленными стенками криостата и увеличить электрическую прочность ВТСП ТОУ. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 194 013 U1 (51) МПК H02H 9/02 (2006.01) H01L 39/16 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H02H 9/02 (2019.08); H01L 39/16 (2019.08) (21)(22) Заявка: 2019127988, 05.09.2019 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 25.11.2019 (45) Опубликовано: 25.11.2019 Бюл. № 33 1 9 4 0 1 3 R U (54) ТОКООГРАНИЧИВАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ СВЕРХПРОВОДИМОСТИ (57) Реферат: Полезная модель относится к области изоляционная часть которых выполнена в форме электротехники, в частности к высоковольтному стержней с частично гофрированной внешней оборудованию высокотемпературным поверхностью, при этом изоляторы в каждой паре сверхпроводящим токоограничивающим одним ...

Трехкоординатное устройство позиционирования

Использование: для трехкоординатного точного позиционирования объектов с помощью пьезоэлектрических актюаторов. Сущность полезной модели заключается в том, что трехкоординатное устройство позиционирования состоит из держателя объекта и корпуса, на котором закреплены три привода, представляющие собой гибкие толкатели с подвижным элементом и содержащие пьезоэлектрические элементы, работающие на изгибной деформации, в качестве пьезоэлектрического элемента, работающего на изгибной деформации, используют бидоменные монокристаллические сегнетоэлектрические пластины, соединенные по трем координатам попарно упругими толкателями. Технический результат: увеличение точности позиционирования и силы смещения, а также увеличение температурной и вибрационной стабильности. 3 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 196 011 U1 (51) МПК H01L 41/09 (2006.01) H02N 2/02 (2006.01) H01J 37/26 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 41/09 (2020.01); H02N 2/02 (2020.01); H01J 37/26 (2020.01) (21)(22) Заявка: 2019141266, 13.12.2019 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: Дата регистрации: 13.02.2020 (45) Опубликовано: 13.02.2020 Бюл. № 5 Адрес для переписки: 119991, Москва, ГСП-1, В-49, Ленинский пр-кт, 4, НИТУ "МИСиС", Отдел интеллектуальной собственности 1 9 6 0 1 1 U 1 (56) Список документов, цитированных в отчете о поиске: SU 1453475 A1, 23.01.1989. RU 2297078 C1, 10.04.2007. RU 2566142 C2, 20.10.2015. RU 2239906 C2, 10.11.2004. US 7652409 B2, 26.01.2010. (54) Трехкоординатное устройство позиционирования (57) Реферат: Использование: для трехкоординатного точного позиционирования объектов с помощью пьезоэлектрических актюаторов. Сущность полезной модели заключается в том, что трехкоординатное устройство позиционирования состоит из держателя объекта и корпуса, на котором закреплены три привода, представляющие собой гибкие толкатели с подвижным элементом и содержащие пьезоэлектрические элементы, ...

Термоэлектрический генератор

Полезная модель относится к области преобразования тепловой энергии (например, инфракрасного излучения) в электрическую энергию Технический результат: повышение мощности и эффективности термоэлектрического генератора при уменьшении габаритов. Сущность: термоэлектрический генератор содержит два проводника с промежуточным слоем между ними, выполненным из магнитно направленных частиц аллотропного углерода. Один из проводников является приемником инфракрасных излучений, а второй проводник - приемником магнитных волн. Последний может быть выполнен в виде спирали и расположен на промежуточном слое, который может содержать заполнитель. Заполнитель может содержать жидкое стекло или эмаль, или глину, или цемент. 5 з.п. ф-лы, 2 ил. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (13) 202 800 U1 (51) МПК H01L 35/32 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (52) СПК H01L 35/32 (2021.02) (21)(22) Заявка: 2020129183, 03.09.2020 (24) Дата начала отсчета срока действия патента: (73) Патентообладатель(и): Мухаметшин Владимир Рамазанович (RU) Дата регистрации: 09.03.2021 Приоритет(ы): (22) Дата подачи заявки: 03.09.2020 (45) Опубликовано: 09.03.2021 Бюл. № 7 2 0 2 8 0 0 R U (54) ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (57) Реферат: Полезная модель относится к области преобразования тепловой энергии (например, инфракрасного излучения) в электрическую энергию Технический результат: повышение мощности и эффективности термоэлектрического генератора при уменьшении габаритов. Сущность: термоэлектрический генератор содержит два проводника с промежуточным слоем между ними, выполненным из магнитно Стр.: 1 направленных частиц аллотропного углерода. Один из проводников является приемником инфракрасных излучений, а второй проводник приемником магнитных волн. Последний может быть выполнен в виде спирали и расположен на промежуточном слое, который может содержать заполнитель. Заполнитель может содержать жидкое стекло или эмаль, или глину, или цемент. 5 з.п. ф-лы ...

RESTIVE MEMORY USING SiGe MATERIAL

A resistive memory device includes a first electrode; a second electrode having a polycrystalline semiconductor layer that includes silicon; a non-crystalline silicon structure provided between the first electrode and the second electrode. The first electrode, second electrode and non-crystalline silicon structure define a two-terminal resistive memory cell.

Vertically Fabricated BEOL Non-Volatile Two-Terminal Cross-Trench Memory Array with Two-Terminal Memory Elements and Method of Fabricating the Same

A non-Flash non-volatile cross-trench memory array formed using an array of trenches formed back-end-of-the-line (BEOL) over a front-end-of-the-line (FEOL) substrate includes two-terminal memory elements operative to store at least one bit of data that are formed at a cross-point of a first trench and a second trench. The first and second trenches are arranged orthogonally to each other. At least one layer of memory comprises a plurality of the first and second trenches to form a plurality of memory elements. The non-volatile memory can be used to replace or emulate other memory types including but not limited to embedded memory, DRAM, SRAM, ROM, and FLASH. The memory is randomly addressable down to the bit level and erase or block erase operation prior to a write operation are not required.

Semiconductor device and method for fabricating the same

A semiconductor device includes a memory block including a transistor region and a memory region. A variable resistance layer of the memory region acts as a gate insulating layer in the transistor region.

Magnetic memory

Provided is a magnetic random access memory to which spin torque magnetization reversal is applied, the magnetic random access memory being thermal stable in a reading operation and also being capable of reducing a current in a wiring operation. A magnetoresistive effect element formed by sequentially stacking a fixed layer, a nonmagnetic barrier layer, and a recording layer is used as a memory element. The recording layer adopts a laminated ferrimagnetic structure. The magnetic memory satisfies the expression M s 2 (t/w)>|J ex |>(2k B TΔ)/S, in which k B is a Boltzmann constant, T is an operating temperature of the magnetic memory, S is an area parallel to a film surface of the magnetoresistive effect element, t and M s are respectively a film thickness and a saturated magnetization of the ferromagnetic layer having a smaller film thickness among two ferromagnetic layers which are constituent members of the laminated ferrimagnetic structure, w is a length of a short side of the recording layer, Δ is a thermal stability index of the magnetic memory, and J ex is exchange coupling energy acting between the two ferromagnetic layers of the recording layer.

Power generation device

A power generation device is disclosed, which includes a plurality of thermomagnetic generator and a flow controller. The thermomagnetic generators can acquire first fluids respectively. The flow controller can control flow rates of the second fluids flowing into the thermomagnetic generators respectively, wherein a fluid temperature of the first fluid is different from a fluid temperature of the second fluid.

Method of manufacturing ceramic electronic component, ceramic electronic component, and wiring board

A method of manufacturing a ceramic electronic component prevents variations in characteristics even when the ceramic electronic component is embedded in a wiring board. Ceramic green sheets containing an organic binder having a degree of polymerization in a range from about 1000 to about 1500 are prepared. A first conductive paste layer is formed on a surface of each of the ceramic green sheets. The ceramic green sheets are laminated to form a raw ceramic laminated body. A second conductive paste layer is formed on a surface of the raw ceramic laminated body. The raw ceramic laminated body formed with the second conductive paste layer is fired.

Non-Volatile Memory Element And Memory Device Including The Same

Example embodiments, relate to a non-volatile memory element and a memory device including the same. The non-volatile memory element may include a memory layer having a multi-layered structure between two electrodes. The memory layer may include first and second material layers and may show a resistance change characteristic due to movement of ionic species therebetween. The first material layer may be an oxygen-supplying layer. The second material layer may be an oxide layer having a multi-trap level.

Method and apparatus for generating electricity by thermally cycling an electrically polarizable material using heat from various sources and a vehicle comprising the apparatus

A method for converting heat to electric energy is described which involves thermally cycling an electrically polarizable material sandwiched between electrodes. The material is heated using thermal energy obtained from: a combustion reaction; solar energy; a nuclear reaction; ocean water; geothermal energy; or thermal energy recovered from an industrial process. An apparatus is also described which includes an electrically polarizable material sandwiched between electrodes and a heat exchanger for heating the material. The heat source used to heat the material can be: a combustion apparatus; a solar thermal collector; or a component of a furnace exhaust device. Alternatively, the heat exchanger can be a device for extracting thermal energy from the earth, the sun, ocean water, an industrial process, a combustion reaction or a nuclear reaction. A vehicle is also described which comprises an apparatus for converting heat to electrical energy connected to an electric motor.

Piezo Actuator in Multi-Layered Construction

A multilayer piezo actuator is specified, in which piezoelectric layers and electrode layers are arranged to form a stack. Electrical contact is made with the electrode layers via two external electrodes which consist of wires which are woven with one another. The external electrodes are in this case connected over their entire area to the side surfaces of the stack. A method is also specified for fitting an external electrode.

Thermoelectric material coated with a protective layer

A thermoelectric material in a shape for forming part of a thermoelectric module, the thermoelectric material is coated with a protective layer to prevent degradation by humidity, oxygen, chemicals or thermal stress.

Synthesis of nanocomposite thermoelectric material

A process for forming thermoelectric nanoparticles includes the steps of forming a core material reverse micelle or micelle, adding a bismuth containing compound to the core material reverse micelle or micelle forming a reverse micelle or micelle having the bismuth containing compound dispersed therein, adding a tellurium containing compound with the formed micelle or reverse micelle in the presence of a reducing agent that alloys with the bismuth containing compound forming composite thermoelectric nanoparticles having a core and shell structure, and washing the core and shell nanoparticles in a solvent mixture including ammonium hydroxide, water and methanol wherein the core and shell nanoparticles remain un-agglomerated and have a particle size of from 1-25 nanometers.

Memory resistor having plural different active materials

Methods and means related to memory resistors are provided. A memristor includes at least two different active materials disposed between a pair of electrodes. The active materials are selected to exhibit respective and opposite changes in electrical resistance in response to changes in oxygen ion content. The active materials are subject to oxygen ion reconfiguration under the influence of an applied electric field. An electrical resistance of the memristor is thus adjustable by way of applied programming voltages and is non-volatile between programming events.

Methods of forming germanium-antimony-tellurium materials and a method of forming a semiconductor device structure including the same

A method of forming a material. The method comprises conducting an ALD layer cycle of a first metal, the ALD layer cycle comprising a reactive first metal precursor and a co-reactive first metal precursor. An ALD layer cycle of a second metal is conducted, the ALD layer cycle comprising a reactive second metal precursor and a co-reactive second metal precursor. An ALD layer cycle of a third metal is conducted, the ALD layer cycle comprising a reactive third metal precursor and a co-reactive third metal precursor. The ALD layer cycles of the first metal, the second metal, and the third metal are repeated to form a material, such as a GeSbTe material, having a desired stoichiometry. Additional methods of forming a material, such as a GeSbTe material, are disclosed, as is a method of forming a semiconductor device structure including a GeSbTe material.

Programmable resistive memory cell with oxide layer

Programmable metallization memory cells include an electrochemically active electrode and an inert electrode and an ion conductor solid electrolyte material between the electrochemically active electrode and the inert electrode. An electrically insulating oxide layer separates the ion conductor solid electrolyte material from the electrochemically active electrode.

Magnetic tunneling junction device and its manufacturing method

A magnetic pinned layer is formed over a substrate. An insulating film is formed over the magnetic pinned layer. A recess is formed in and through the insulating film. A tunneling insulating film is formed over a bottom of the recess. A first magnetic free layer is formed over the bottom of the recess via the tunneling insulating film. A second magnetic free layer is formed over the insulating film and made of a same material as the first magnetic free layer. A non-magnetic film is formed on sidewalls of the recess, extending from the first magnetic free layer to the second magnetic free layer and made of oxide of the material of the first magnetic free layer. An upper electrode is disposed over the first magnetic free layer, non-magnetic film and second magnetic free layer, and electrically connected to the first magnetic free layer and second magnetic free layer.

Method of Forming Semiconductor Device Having Self-Aligned Plug

A conductive pattern on a substrate is formed. An insulating layer having an opening exposing the conductive pattern is formed. A bottom electrode is formed on the conductive pattern and a first sidewall of the opening. A spacer is formed on the bottom electrode and a second sidewall of the opening. The spacer and the bottom electrode are formed to be lower than a top surface of the insulating layer. A data storage plug is formed on the bottom electrode and the spacer. The data storage plug has a first sidewall aligned with a sidewall of the bottom electrode and a second sidewall aligned with a sidewall of the spacer. A bit line is formed on the data storage plug.

Method to fabricate thin metal via interconnects on copper wires in mram devices

A scheme for forming a thin metal interconnect is disclosed that minimizes etch residues and provides a wet clean treatment for via openings. A single layer interlayer dielectric (ILD), BARC, and photoresist layer are successively formed on a substrate having a copper layer that is coplanar with a dielectric layer. In one embodiment, the ILD is silicon nitride with 100 to 600 Angstrom thickness. After a via opening is formed in a photoresist layer above the copper layer, a first RIE process including BARC main etch and BARC over etch steps is performed. Then a second RIE step transfers the opening through the ILD to uncover the copper layer. Photoresist and BARC are stripped with oxygen plasma and a low DC bias. Wet cleaning may involve a first ST250 treatment, ultrasonic water treatment, and then a third ST250 treatment. A bottom electrode layer may be deposited in the via opening.

Method for manufacturing thermoelectric module and thermoelectric module manufactured from the same

The present invention provides a method for manufacturing a thermoelectric module and a thermoelectric module manufactured from the same. The method includes the steps of: forming each of first and second green laminates; forming first and second preliminary electrodes by printing a conductive paste on each of the first and second green laminates; disposing thermoelectric elements on any one of the first and second preliminary electrodes; stacking the first and second green laminates in such a manner that the thermoelectric elements are interposed between the first and second preliminary electrodes; and firing the stacked first and second green sheet laminates, thereby forming the first and second electrodes, and first and second ceramic substrates, and simultaneously bonding the first ceramic substrate to the first electrode, the first and second electrodes to the thermoelectric elements, and the second ceramic substrate to the second electrode.

Actuator and method for driving actuator

The purpose of the present invention is to provide a method for driving an actuator in which unnecessary deformation is suppressed. The present invention provides a method for driving an actuator, comprising the following steps (a) and (b): a step (a) of preparing the actuator, wherein the actuator comprises a first electrode, a piezoelectric layer composed of (Bi,Na,Ba)TiO 3 , and a second electrode, the piezoelectric layer is interposed between the first electrode and the second electrode, +X direction, +Y direction, and +Z direction denote [100] direction, [01-1] direction, and [011] direction, respectively, and the piezoelectric layer is preferentially oriented along the +Z direction; and a step (b) of applying a potential difference between the first electrode and the second electrode to drive the actuator.

Memory devices using a plurality of diodes as program selectors for memory cells

At least one junction diode fabricated in standard CMOS logic processes can be used as program selectors for the memory cells that can be programmed based on the directions of current flow. These memory cells are MRAM, RRAM, CBRAM, or other memory cells that have a resistive element coupled to the P terminal of the first diode and to the N terminal of a second diode. The diodes can be constructed by P+ and N+ active regions on an N well as the P and N terminals of the diodes. By applying a high voltage to a resistive element and switching the N terminal of the first diode to a low voltage while disabling the second diode, a current flows through the memory cell can change the resistance into one state. Similarly, by applying a low voltage to a resistive element and switching the P terminal of the second diode to a high voltage while disabling the first diode, a current flows through the memory cell can change the resistance into another state. The P+ active region of the diode can be isolated from the N+ active region in an N well by using dummy MOS gate, SBL, or STI isolations.

One-time programmable memories using polysilicon diodes as program selectors

Polysilicon diodes fabricated in standard CMOS logic processes can be used as program selectors for One-Time Programmable (OTP) devices, using electrical fuse, contact/via fuse, contact/via anti-fuse, or gate-oxide breakdown anti-fuse etc. as OTP element The diode can be constructed by P+/N+ implants on a polysilicon as a program selector. The OTP device has an OTP element coupled to a polysilicon diode. The OTP devices can be used to construct a two-dimensional OTP memory with the N-terminals of the diodes in a row connected as a wordline and the OTP elements in a column connected as a bitline. By applying a high voltage between a selected bitline and a selected wordline to turn on a diode in a selected cell for suitable duration of time, a current flows through an OTP element may change the resistance state. The cell data in the OTP memory can also be read by turning on a selected wordline and to couple a selected bitline to a sense amplifier. The wordlines may have high-resistivity local wordlines coupled to low-resistivity global wordlines through conductive contact(s) or via(s).

Reversible resistive memory using diodes formed in cmos processes as program selectors

Junction diodes fabricated in standard CMOS logic processes can be used as program selectors for reversible resistive memory cells that can be programmed based on magnitude, duration, voltage-limit, or current-limit of a supply voltage or current. These cells are PCM, RRAM, CBRAM, or other memory cells that have a reversible resistive element coupled to a diode. The diode can be constructed by P+ and N+ active regions on an N well as the P and N terminals of the diode. The memory cells can be used to construct a two-dimensional memory array with the N terminals of the diodes in a row connected as a wordline and the reversible resistive elements in a column connected as a bitline. By applying a voltage or a current to a selected bitline and to a selected wordline to turn on the diode, a selected cell can be programmed into different states reversibly based on magnitude, duration, voltage-limit, or current-limit. The data in the reversible resistive memory can also be read by turning on a selected wordline to couple a selected bitline to a sense amplifier. The wordlines may have high-resistivity local wordlines coupled to low-resistive global wordlines through conductive contact(s) or via(s).

Variable resistance nonvolatile storage device and method of forming memory cell

A variable resistance nonvolatile storage device which includes (i) a semiconductor substrate ( 301 ), (ii) a variable resistance element ( 309 ) having: lower and upper electrodes ( 309 a, 309 c ); and a variable resistance layer ( 309 b ) whose resistance value reversibly varies based on voltage signals each of which has a different polarity and is applied between the electrodes ( 309 a, 309 c ), and (iii) a MOS transistor ( 317 ) formed on the substrate ( 301 ), wherein the variable resistance layer ( 309 b ) includes: oxygen-deficient transition metal oxide layers ( 309 b - 1, 309 b - 2 ) having compositions MO x and MO y (where x<y) and in contact with the electrodes ( 309 a, 309 c ) respectively, and a diffusion layer region ( 302 b ) is connected with the lower electrode ( 309 a ) to form a memory cell ( 300 ), the region ( 302 b ) serving as a drain of the transistor ( 317 ) upon application of a voltage signal which causes a resistance change to high resistance state in the variable resistance layer ( 309 b ).

Programmably reversible resistive device cells using cmos logic processes

Junction diodes fabricated in standard CMOS logic processes can be used as program selectors for reversible resistive devices, such as PCM, RRAM, CBRAM, or other memory cells. The reversible resistive devices have a reversible resistive element coupled to a diode. The diode can be constructed by P+ and N+ active regions on an N well as the P and N terminals of the diode. By applying a voltage or a current between a reversible resistive element and the N terminal of a diode, the reversible resistive device can be programmed into different states based on magnitude, duration, voltage-limit, or current-limit in a reversible manner. The P+ active region of the diode can be isolated from the N+ active region in the N well by using dummy MOS gate, SBL, or STI/LOCOS isolations.

Split thermo-electric cycles for simultaneous cooling, heating, and temperature control

The invention is new types of split-thermo-electric structures for cooling, heating, or stabilizing the temperature of an object or for electric power generation. In a first type of structure the transport of the electric current between the heat absorbing and the heat dispersing sides of the structure is disengaged from the flow of heat between the sides of the thermo-electric structure. In a second type of structure a layer of thermo-electric material on the heat absorbing side of the structure is connected by connection layers to two or more layers of thermo-electric material on the heat dispersing side of the structure. In a third type of structure the elements of which the structure is comprised are arranged to cause different values of electric current to flow at the heat absorbing and the heat dispersing sides of the structure and through different elements in the interior of the structure.

Infrared sensor, electronic device, and manufacturing method of infrared sensor

The present invention aims to reduce a size and improve quality of an infrared sensor. An infrared sensor ( 203 ) according to the present invention includes a substrate ( 202 ) and an infrared detection element ( 201 ). A principal surface of the substrate ( 202 ) includes a convex shape. The infrared detection element ( 201 ) is formed over the principal surface including the convex shape of the substrate ( 202 ). Further, as for the infrared detection element ( 201 ), an entire light-receiving surface includes a planar shape. Then, it can be the small-sized infrared sensor ( 203 ) with improved quality.

Thermoelectric module and method for fabricating the same

The present invention relates to a thermoelectric module. The thermoelectric module includes a first substrate and a second substrate opposed to each other and arranged to be separated from each other, a first electrode and a second electrode arranged in the inside surfaces of the first and the second substrates, respectively, a thermoelectric device inserted between the first and the second electrodes and electrically connected to the first and the second electrodes; and an elastic member filled between the first and the second substrates.

Thermoelectric module and method for fabricating the same

The present invention provides a thermoelectric module. The thermoelectric module includes a first substrate and a second substrate opposed to each other and arranged to be separated from each other, a first electrode and a second electrode arranged in an inside surface of the first and the second substrates, respectively, a thermoelectric device inserted between the first and the second electrodes and electrically connected to the first and the second electrodes and a hybrid filler inserted between the first substrate and the second substrate and provided with a high temperature part filler adjacent to a substrate at a side of a high temperature end to absorb heat among the first substrate and the second substrate and a low temperature part filler adjacent to a substrate at a side of a low temperature end to discharge heat.

Bumpless build-up layer package with pre-stacked microelectronic devices

The present disclosure relates to the field of integrated circuit package design and, more particularly, to packages using a bumpless build-up layer (BBUL) designs. Embodiments of the present description relate to the field of fabricating microelectronic packages, wherein a first microelectronic device having through-silicon vias may be stacked with a second microelectronic device and used in a bumpless build-up layer package.

Manufacturing method for boundary acoustic wave device and boundary acoustic wave device

A manufacturing method for a boundary acoustic wave device is capable of certainly providing the boundary acoustic wave device with desired target frequency characteristics. The manufacturing method for the boundary acoustic wave device includes a process for preparing a laminated body that includes a first medium, a second medium laminated on the first medium, and an IDT electrode that is disposed at an interface between the first and second media, and a process for implanting ions from an outer portion of the second medium and adjusting a frequency.

Piezoelectric device using nanopore and method of manufacturing the same

A piezoelectric device including an engraved nanostructure body and a method of manufacturing the same are provided. The piezoelectric device includes a matrix including a piezoelectric material, a nanopore may be disposed in the matrix, and the nanopore may be extended substantially in a predetermined direction. The method may include coating a piezoelectric material on a substrate having a nanostructure body disposed thereon, and selectively etching the nanostructure body.

Ring Electrode for Fluid Ejection

Methods, systems, and apparatus for drive a pumping chamber of a fluid ejection system are disclosed. In one implementation, the actuator for drive the pumping chamber includes a continuous piezoelectric layer between a pair of drive electrodes and a continuous reference electrode. The pair of drive electrodes includes an inner electrode and an outer electrode surrounding the inner electrode. The actuator is further coupled to a controller which, during a fluid ejection cycle, applies a negative voltage pulse differential to the outer electrode to expand the pumping chamber for a first time period, then applies another negative voltage pulse differential to the inner electrode during a second time period after the first time period to contract the pumping chamber to eject a fluid drop.

Method of managing thermal contraction of a superconductor cable and arrangement for implementing this method

A method of managing thermal contraction of a superconductor cable ( 2 ) having a cable body surrounded by an external screen ( 2 A) made form wound metal elements and installed between its ends in an enclosure ( 1 ) or cryostat filled with a cryogenic liquid, where the method includes mechanically applying a locking force loading only said screen ( 2 A) at a so-called locking point ( 5 A, 5 B) in the vicinity of the ends of the cable.

Thermoelectric material, and thermoelectric module and thermoelectric device comprising the thermoelectric material

A thermoelectric material having a high performance index and a thermoelectric module and a thermoelectric device including the thermoelectric material, and more particularly, to a thermoelectric material having a high Seebeck coefficient, high electrical conductivity, and low thermal conductivity and a thermoelectric module and a thermoelectric device including the thermoelectric material.

Methods for adjusting the conductivity range of a nanotube fabric layer

Methods for adjusting and/or limiting the conductivity range of a nanotube fabric layer are disclosed. In some aspects, the conductivity of a nanotube fabric layer is adjusted by functionalizing the nanotube elements within the fabric layer via wet chemistry techniques. In some aspects, the conductivity of a nanotube fabric layer is adjusted by functionalizing the nanotube elements within the fabric layer via plasma treatment. In some aspects, the conductivity of a nanotube fabric layer is adjusted by functionalizing the nanotube elements within the fabric layer via CVD treatment. In some aspects, the conductivity of a nanotube fabric layer is adjusted by functionalizing the nanotube elements within the fabric layer via an inert ion gas implant.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

A semiconductor memory device according to the present embodiment includes a semiconductor substrate, a select transistor, a lower electrode, a magnetic tunnel junction element, a first protection film, an upper electrode, and a second protection film. The select transistor is formed on the semiconductor substrate. The lower electrode is electrically connected to one diffusion layer of the select transistor. The magnetic tunnel junction element is provided on the lower electrode. The first protection film is provided on a side surface of the magnetic tunnel junction element. The upper electrode is provided on the magnetic tunnel junction element and the first protection film. The second protection film is provided on side surfaces of the upper electrode, the first protection film, and the lower electrode.

Piezoelectric element, liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, and methods for the manufacture thereof

A piezoelectric element, a liquid ejecting head and a liquid ejecting apparatus that have improved reliability are provided. Methods for the manufacture thereof are also provided. A piezoelectric element includes a vibration plate having a recess in a first surface, a first electrode formed in the recess, a piezoelectric layer formed on the vibration plate and the first electrode, and a second electrode formed on the piezoelectric layer, wherein an upper surface of the first electrode forms a continuous flat surface together with the first surface.

Distributed thermoelectric string and insulating panel

Inexpensive, lightweight, flexible heating and cooling panels with highly distributed thermoelectric elements are provided. A thermoelectric “string” is described that may be woven or assembled into a variety of insulating panels such as seat cushions, mattresses, pillows, blankets, ceiling tiles, office partitions, under-desk panels, electronic enclosures, building walls, refrigerator walls, and heat conversion panels. The string contains spaced thermoelectric elements which are thermally and electrically connected to lengths of braided, meshed, stranded, foamed, or otherwise expandable and compressible conductor. The elements and a portion of compacted conductor are mounted within the insulating panel On the outsides of the panel, the conductor is expanded to provide a very large surface area of contact with air or other medium for heat absorption on the cold side and for heat dissipation on the hot side.

Storage element and memory device

Disclosed herein is a storage element, including: a storage layer which has magnetization vertical to a film surface and in which a direction of the magnetization is changed in correspondence to information; a magnetization fixing layer which has magnetization vertical to a film surface becoming a reference of the information stored in the storage layer, which is composed of plural magnetic layers, and which has a multilayered ferri-pin structure into which the plural magnetic layers are laminated one upon another through a non-magnetic layer(s); and an insulating layer made of a non-magnetic material and provided between the storage layer and the magnetization fixing layer.

Piezoelectric/electrostrictive actuator

A piezoelectric/electrostrictive actuator, including a piezoelectric/electrostrictive element that includes at least one laminate including one piezoelectric/electrostrictive layer and one pair of electrodes disposed respectively on both sides of said piezoelectric/electrostrictive layer and has a moving part corresponding to a portion where said piezoelectric/electrostrictive layer is sandwiched by one pair of said electrodes and a non-moving part corresponding to a portion where said piezoelectric/electrostrictive layer is not sandwiched by one pair of said electrodes, and a moisture proof membrane disposed to cover at least the proximity of the boundary between said moving part and said non-moving part and consisting of silicone-based organic insulation material with storage elastic modulus of 100 kPa or less obtained by dynamic viscoelastic measurement using a parallel cone with diameter of 25 mm under a condition with strain of 0.1%, frequency of 1 Hz, gap of 0.5 mm and temperature of 22° C.

Liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, and actuator device

A liquid ejecting head including a pressure-generating chamber which communicates with a nozzle opening, and a piezoelectric element including a first electrode, a piezoelectric layer formed above the first electrode and having a perovskite structure represented by the general formula ABO 3 , and a second electrode formed above the piezoelectric layer, wherein the piezoelectric layer, lead, zirconium, and titanium are present at A sites of the perovskite structure, and lead, zirconium, and titanium are present at B sites of the perovskite structure.

Multi-level resistance change memory

According to one embodiment, a multi-level resistance change memory includes a memory cell includes first and second resistance change films connected in series, and a capacitor connected in parallel to the first resistance change film, a voltage pulse generating circuit generating a first voltage pulse with a first pulse width to divide a voltage of the first voltage pulse into the first and second resistance change films based on a resistance ratio thereof, and generating a second voltage pulse with a second pulse width shorter than the first pulse width to apply a voltage of the second voltage pulse to the second resistance change film by a transient response of the capacitor, and a control circuit which is stored multi-level data to the memory cell by using the first and second voltage pulses in a writing.

Semiconductor memory device having stacked structure including resistor-switched based logic circuit and method of manufacturing the same

Semiconductor memory device having a stacking structure including resistor switch based logic circuits. The semiconductor memory device includes a first conductive line that includes a first line portion and a second line portion, wherein the first line portion and the second line portion are electrically separated from each other by an intermediate region disposed between the first and second line portions, a first variable resistance material film that is connected to the first line portion and stores data, and a second variable resistance material film that controls an electrical connection between the first line portion and the second line portion.

Memory element and memory device

There is disclosed a memory element including a layered structure including a memory layer that has a magnetization perpendicular to a film face; a magnetization-fixed layer; and an insulating layer provided between the memory layer. An electron that is spin-polarized is injected in a lamination direction of a layered structure, a magnitude of an effective diamagnetic field which the memory layer receives is smaller than a saturated magnetization amount of the memory layer, in regard to the insulating layer that comes into contact with the memory layer, and the other side layer with which the memory layer comes into contact at a side opposite to the insulating layer, at least an interface that comes into contact with the memory layer is formed of an oxide film, and the memory layer includes at least one of non-magnetic metal and oxide in addition to a Co—Fe—B magnetic layer.

Memory element and memory device

There is disclosed a memory element including a memory layer that has a magnetization perpendicular to a film face and a magnetization direction thereof varies corresponding to information; a magnetization-fixed layer that has a magnetization that is perpendicular to the film face; and an insulating layer that is provided between the memory layer and the magnetization-fixed layer, wherein an electron that is spin-polarized is injected in a lamination direction of a layered structure, and thereby the magnetization direction of the memory layer varies and a recording of information is performed with respect to the memory layer, a magnitude of an effective diamagnetic field which the memory layer receives is smaller than a saturated magnetization amount of the memory layer, and a Ta film is formed in such a manner that comes into contact with a face, which is opposite to the insulating layer side, of the magnetization-fixed layer.

Magnetic Module

A magnetic field source is provided comprising a support structure upon which is positioned a conducting surface path of superconductor material. The support structure has an at least partially radially overlapping layer of material arranged in a spiral. A corresponding conducting surface path of superconductor material is arranged on the surface of the support structure such that the conducting path has a first point for the introduction of current and a second point for the extraction of current.

Electrostatically atomizing device and method of manufacturing the same

An electrostatically atomizing device in this invention comprises thermoelectric elements being different in type from each other and an emitter electrode being configured to cause the electrostatically atomization. The emitter electrode is provided with a mounting member for mounting the thermoelectric elements different in type from each other. The mounting member is provided with the electrical conductive path between the thermoelectric elements. Consequently, it is possible to achieve the downsizing of the device and the saving energy of the device while keeping the cooling performance of creating the condensation water on the emitter electrode.

Non-uniform switching based non-volatile magnetic based memory

A non-uniform switching based non-volatile magnetic memory element includes a fixed layer, a barrier layer formed on top of the fixed layer, a first free layer formed on top of the barrier layer, a non-uniform switching layer (NSL) formed on top of the first free layer, and a second free layer formed on top of the non-uniform switching layer. Switching current is applied, in a direction that is substantially perpendicular to the fixed layer, barrier layer, first free layer, non-uniform switching layer and the second free layer causing switching between states of the first free layer, second free layer and non-uniform switching layer with substantially reduced switching current.

Reactive metal implated oxide based memory

Methods, devices, and systems associated with oxide based memory can include a method of forming an oxide based memory cell. Forming an oxide based memory cell can include forming a first conductive element, forming an oxide over the first conductive element, implanting a reactive metal into the oxide, and forming a second conductive element over the oxide.

Spin torque transfer memory cell structures and methods

Spin Torque Transfer (STT) memory cell structures and methods are described herein. One or more STT memory cell structures include a tunneling barrier material positioned between a ferromagnetic storage material and a pinned ferromagnetic material in contact with an antiferromagnetic material and a multiferroic material in contact with the ferromagnetic storage material, wherein the antiferromagnetic material, the ferromagnetic storage material, and the pinned ferromagnetic material are located between a first electrode and a second electrode.

Electronic Devices, Memory Devices and Memory Arrays

Some embodiments include electronic devices having two capacitors connected in series. The two capacitors share a common electrode. One of the capacitors includes a region of a semiconductor substrate and a dielectric between such region and the common electrode. The other of the capacitors includes a second electrode and ion conductive material between the second electrode and the common electrode. At least one of the first and second electrodes has an electrochemically active surface directly against the ion conductive material. Some embodiments include memory cells having two capacitors connected in series, and some embodiments include memory arrays containing such memory cells.

Conductive path in switching material in a resistive random access memory device and control

A non-volatile memory device structure. The device structure includes a first electrode, a second electrode, a resistive switching material comprising an amorphous silicon material overlying the first electrode, and a thickness of dielectric material having a thickness ranging from 5 nm to 10 nm disposed between the second electrode and the resistive switching layer. The thickness of dielectric material is configured to electrically breakdown in a region upon application of an electroforming voltage to the second electrode. The electrical breakdown allows for a metal region having a dimension of less than about 10 nm by 10 nm to form in a portion of the resistive switching material.

Vertical transistor with hardening implatation

A method includes providing a semiconductor wafer having a plurality of pillar structures extending orthogonally from the semiconductor wafer. Each pillar structure forms a vertical pillar transistor having a top surface and a side surface orthogonal to the top surface. Then a hardening species is implanted into the vertical pillar transistor top surface. Then the vertical pillar transistor side surface is oxidized to form a side surface oxide layer. The side surface oxide layer is removed to form vertical pillar transistor having rounded side surfaces.

Spin-valve or tunnel-junction radio-frequency oscillator, process for adjusting the frequency of such an oscillator and network consisting of a plurality of such oscillators

A radio-frequency oscillator incorporates a magnetoresistive device within which an electron current is able to flow. The device includes a stack including: a magnetic trapped layer, the magnetization of which is of substantially fixed direction; a magnetic free layer; and a non-magnetic intermediate layer-interposed between the free layer and the trapped layer. The oscillator also includes a mechanism capable of making an electron current flow in the layers constituting the stack and in a direction perpendicular to the plane which contains the layers. At least the free layer is devoid of any material at its center. The electron current density flowing through the stack is capable of generating a magnetization in the free layer in a micromagnetic configuration in the shape of a skewed vortex flowing in the free layer around the center of the free layer.

Resistor structure for a non-volatile memory device and method

A non-volatile resistive switching memory device. The device includes a first electrode, a second electrode, a switching material in direct contact with a metal region of the second electrode, and a resistive material disposed between the second electrode and the switching material. The resistive material has an ohmic characteristic and a resistance substantially the same as an on state resistance of the switching device. The resistive material allows for a change in a resistance of the switching material upon application of voltage pulse without time delay and free of a reverse bias after the voltage pulse. The first voltage pulse causes a programming current to flow from the second electrode to the first electrode. The resistive material further causes the programming current to be no greater than a predetermined value.

Electroactive elastomer actuator and method for the production thereof

Described is an electroactive elastomer actuator having at least one first band-shaped electroactive elastomer coating and at least one first and one second surface electrode, which are separated by the at least one first electroactive elastomer coating. At least one second electroactive elastomer coating is applied to a surface of the second surface electrode facing away from the electroactive elastomer coating, which forms a band-shaped coating material jointly with the first and second surface electrodes and the first elastomer coating located between the two surface electrodes. The band-shaped coating material is wound around a flat coil form while forming at least two coating material layers. A surface of the first surface electrode facing away from the first elastomer coating makes surface contact with the second electroactive elastomer coating.

Semiconductor storage device

To write information on a memory cell of SPRAM formed of an MOS transistor and a tunnel magnetoresistive element, the memory cell is supplied with a current in a direction opposite to a direction of a current required for writing the information on the memory cell, and then, the memory cell is supplied with a current required for writing. In this manner, even when the same information is sequentially written on the memory cell, since the currents in the two directions are caused to flow in pairs in the tunnel magnetoresistive element of the memory cell each time information is rewritten, deterioration of a film that forms the tunnel magnetoresistive element can be suppressed. Therefore, reliability of the SPRAM can be improved.

Phase change memory apparatus having row control cell

A semiconductor integrated circuit includes a phase change memory apparatus includes a plurality of row control cells and a plurality of phase change memory cells formed on the row control cells while being electrically connected to the row control cells. The plurality of row control cells and the plurality of phase change memory cells are vertically stacked in a cell array area.

Method of manufacturing a superconductive electrical conductor, and superconductive conductor

A method of manufacturing a superconductive electric conductor is indicated, which includes as the superconductive material as ceramic material. For carrying out the method, around a plurality of flat strips ( 1 ) of a carrier coated with a superconductive ceramic material, a longitudinally entering metal band ( 3 ) is formed into a pipe having a slot extending in the longitudinal direction, where the edges located at the slot next to each other are welded together. The strips ( 1 ) are fed to the pipe with continuous change of location in such a way that each strip along the length of the conductor assumes different positions over the cross section thereof. The pipe ( 9 ) closed by the welding procedure is subsequently reduced to an interior width which corresponds approximately to an enveloping curve of all strips ( 1 ) located in the pipe.

ATOMIC LAYER DEPOSITION OF CRYSTALLINE PrCaMnO (PCMO) AND RELATED STRUCTURES AND METHODS

Methods of forming a PrCaMnO (PCMO) material by atomic layer deposition. The methods include separately exposing a surface of a substrate to a manganese-containing precursor, an oxygen-containing precursor, a praseodymium-containing precursor and a calcium-containing precursor. The resulting PCMO material is crystalline. A semiconductor device structure including the PCMO material, and related methods, are also disclosed.

System and method for dynamic self-sensing of dielectric elastomer actuators

A system and method is provided for determining the capacitance between electrodes of an artificial muscle or dielectric elastomer actuator (DEA). The method comprises measuring the voltage difference between the electrodes of the DEA, the first derivative of that voltage with respect to time, and the total instantaneous current through the DEA, then calculating the capacitance of the DEA as the difference between the total instantaneous current through the DEA and the product of the voltage between the electrodes and an error term, divided by the first derivative of the voltage between the electrodes with respect to time. The capacitance may then be used to derive estimates of the leakage current, charge upon the DEA, and/or the physical state of the DEA, thereby implementing self-sensing to allow closed-loop feedback control of DEA actuation.

Piezoelectric element, liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus

A piezoelectric element comprises a piezoelectric member made of a complex oxide and an electrode which contains platinum. The complex oxide contains potassium sodium niobate and bismuth ferrate. The molar ratio of the bismuth ferrate to the sum of the potassium sodium niobate and the bismuth ferrate is in the range of 3% to 10%. And the molar ratio of the sum of potassium and sodium to niobium is in the range of 103% to 115%.

Piezoelectric actuator and head suspension

A piezoelectric actuator includes an actuator base that supports a load beam and has an opening accommodating a piezoelectric element, a receiver member that is laid on and fixed to the actuator base and forms a receiver that faces the opening and receives the piezoelectric element, an adhesive part formed of a liquid adhesive that is filled in a space defined by the piezoelectric element, an inner circumference of the opening, and the receiver and adheres the piezoelectric element to the inner circumference of the opening and the receiver, and a suppressing zone that is formed along an overlapping area where the actuator base and receiver member overlap each other and suppresses penetration of the liquid adhesive due to a capillary phenomenon into the overlapping area.

Semiconductor device and structure

A method of manufacturing a semiconductor wafer, the method comprising: providing a base wafer comprising a semiconductor substrate; preparing a first monocrystalline layer comprising semiconductor regions; preparing a second monocrystalline layer comprising semiconductor regions overlying the first monocrystalline layer; and etching portions of said first monocrystalline layer and portions of said second monocrystalline layer as part of forming at least one transistor on said first monocrystalline layer.

Phase Change Material for a Phase Change Memory Device and Method for Adjusting the Resistivity of the Material

A phase change material for use in a phase change memory device comprises germanium-antimony-tellurium-indium, wherein the phase change material comprises in total more than 30 at % antimony, preferably 5-16 at % germanium, 30-60 at % antimony, 25-51 at % tellurium, and 2-33% at % indium.

Non-volatile memory device and methods for manufacturing the same

A variable and reversible resistive element includes a transition metal oxide layer, a bottom electrode and at least one conductive plug module. The bottom electrode is disposed under the transition metal oxide layer. The conductive plug module is disposed on the transition metal oxide layer. The conductive plug module includes a metal plug and a barrier layer. The conductive plug is electrically connected with the transition metal oxide layer. The barrier layer surrounds the metal plug, wherein the transition metal oxide layer is made by reacting a portion of a dielectric layer being directly below the metal plug and a portion of the barrier layer contacting the portion of the dielectric layer, wherein the dielectric layer is formed on the bottom electrode. Moreover, a non-volatile memory device and methods for operating and manufacturing the same is disclosed in specification.

Parylene-c as a piezoelectric material and method to make it

A parylene C polymer that is electrically poled such that it is piezoelectric is presented. Methods for manufacturing the piezoelectric parylene C polymer with an optimal piezoelectric coefficient d33 are also disclosed. Actuators formed with piezoelectric parylene C are disclosed as well as sensor devices that incorporate piezoelectric parylene C using charge integrator circuits in which the integration time is longer than likely adiabatic temperature transients.

Piezoelectric generator, sensor node, and method of manufacturing piezoelectric generator

A piezoelectric generator includes: a base body; and at least one piezoelectric transducer disposed on the base body, and including a first electrode, a piezoelectric body, and a second electrode, wherein the piezoelectric transducer includes a support section fixed to the base body, and a vibrating section disposed apart from the base body, having one end connected to the support section and the other end set as a free end, and vibrating due to a vibration applied externally, and a distance between the other end of the vibrating section and the base body is larger than a distance between the one end of the vibrating section and the base body.

Resistive Memory Element and Use Thereof

A resistive memory element that includes an element body and at least a pair of electrodes opposed to each other with at least a portion of the element body interposed therebetween. The element body is made of an oxide semiconductor which has a composition represented by the general formula: (Ba 1-x Sr x )Ti 1-y M y O 3 (wherein M is at least one from among Mn, Fe, and Co; 0≦x≦1.0; and 0.005≦y≦0.05). The first electrode of the pair of electrodes is made of a material which can form a Schottky barrier which can develop a rectifying property and resistance change characteristics in an interface region between the first electrode and the element body. The second electrode is made of a material which provides a more ohmic junction to the element body as compared with the first electrode.

Method for producing alkali metal niobate particles, and alkali metal niobate particles

Disclosed are a method of producing fine particulate alkali metal niobate in a liquid phase system, wherein the size and shape of particles of the fine particulate alkali metal niobate can be controlled; and fine particulate alkali metal niobate having a controlled shape and size. Specifically disclosed are a method of producing particulate sodium-potassium niobate represented by the formula (1): Na x K (1-x) NbO 3 (1), the method including four specific steps, wherein a high-concentration alkaline solution containing Na + ion and K + ion is used as an alkaline solution; and particulate sodium-potassium niobate having a controlled shape and size.

Self-exciting, self-sensing piezoelectric cantilever sensor for detection of airborne analytes directly in air

A method for detection of airborne biological agent using a piezoelectric cantilever sensor that includes a piezoelectric layer and a non-piezoelectric layer. A recognition entity is placed on one or both of the two layers. The antibody that recognizes and binds to the airborne species may be chemically immobilized on the cantilever sensor surface. In one embodiment, the cantilever sensor is attached to a base at only one end. In another embodiment, the sensor includes first and second bases and at least one of the piezoelectric layer and the non-piezoelectric layer is affixed to each of the first and second bases to form a piezoelectric cantilever beam sensor. In this embodiment, resonance is measured via stress on the piezoelectric layer and it has been demonstrated that such sensors are robust and exhibit excellent sensing characteristics in gaseous media with sufficient sensitivity to detect airborne species at relatively low concentrations.

Niobium based superconducting radio frequency(scrf) cavities comprising niobium components joined by laser welding, method and apparatus for manufacturing such cavities

Niobium or its alloy based Superconducting Radio Frequency (SCRF) Cavities involving atleast one laser beam welded components in the SCRF cavity welded from inside surface of the wall of cavity directed to achieving more than half the thickness to full depth penetration with minimum HAZ, minimizing distortion and shrinkage. The method ensures improved weld quality and surface finish substantially free of any weld defects. Also disclosed is the welding nozzle system and welding rigs adapted to facilitate such laser welding of the Niobium or its alloy based Superconducting Radio Frequency (SCRF) Cavities. The invention is thus directed to enhancing productivity, ensuring consistent quality and reliability, enhanced weld penetration with minimum HAZ, smooth finish of weld joints at possible reduced costs.

Wet detergent wipe

A method of making a wet detergent wipe comprising the following steps; Adsorbing a tenside in the carrier material and impregnating with a detergent solution the carrier material so functionalized. The wet detergent wipe is used for cleaning textiles by introducting it directly into the drum of a washing-machine.

HEAVILY DOPED PbSe WITH HIGH THERMOELECTRIC PERFORMANCE

The present invention discloses heavily doped PbSe with high thermoelectric performance. Thermoelectric property measurements disclosed herein indicated that PbSe is high zT material for mid-to-high temperature thermoelectric applications. At 850 K a peak zT>1.3 was observed when n H ˜1.0×10 20 cm −3 . The present invention also discloses that a number of strategies used to improve zT of PbTe, such as alloying with other elements, nanostructuring and band modification may also be used to further improve zT in PbSe.

Integrated Circuitry Comprising Nonvolatile memory Cells And Methods Of Forming A Nonvolatile Memory Cell

An integrated circuit has a nonvolatile memory cell that includes a first electrode, a second electrode, and an ion conductive material there-between. At least one of the first and second electrodes has an electrochemically active surface received directly against the ion conductive material. The second electrode is elevationally outward of the first electrode. The first electrode extends laterally in a first direction and the ion conductive material extends in a second direction different from and intersecting the first direction. The first electrode is received directly against the ion conductive material only where the first and second directions intersect. Other embodiments, including method embodiments, are disclosed.

Nonvolatile memory device and manufacturing method thereof

There are provided a resistance variable nonvolatile memory device which changes its resistance stably at low voltages and is suitable for a miniaturized configuration, and a manufacturing method thereof. The nonvolatile memory device comprises: a substrate ( 100 ); a first electrode ( 101 ); an interlayer insulating layer ( 102 ); a memory cell hole ( 103 ) formed in the interlayer insulating layer; a first resistance variable layer ( 104 a ) formed in at least a bottom portion of the memory cell hole and connected to the first electrode; a second resistance variable layer ( 104 b ) formed inside the memory cell hole ( 103 ) and located on the first resistance variable layer ( 104 a ); and a second electrode ( 105 ); the first resistance variable layer ( 104 a ) and the second resistance variable layer ( 104 b ) respectively comprising metal oxides of the same kind; and the first resistance variable layer ( 104 a ) having a higher oxygen content than the second resistance variable layer ( 104 b ).

Piezoelectric/magnetostrictive composite magnetic sensor

[Object] Disclosed is a highly sensitive piezoelectric/magnetostrictive composite magnetic sensor which has a simple structure and thus can be downsized easily. [Solving Means] Film(s) of magnetostrictive material, which is composed of an Fe alloy containing Pd, Ga, Co and the like, is(are) formed and integrated on at least one surface of a piezoelectric ceramic substrate by a sputtering method. When the magnetostrictive material is deformed by an external magnetic field, a stress is applied to the piezoelectric material that is integrated with the magnetostrictive material. The voltage generated by the change in the polarization within the piezoelectric material, said change being caused by the stress, is sensed as an output of the magnetic sensor.

Cross point variable resistance nonvolatile memory device

A cross point variable resistance nonvolatile memory device includes memory cells having the same orientation for stable characteristics of all layers. Each memory cell ( 51 ) is placed at a different one of cross points of bit lines ( 53 ) in an X direction and word lines ( 52 ) in a Y direction formed in layers. In a multilayer cross point structure where vertical array planes sharing the word lines are aligned in the Y direction each for a group of bit lines aligned in a Z direction, even and odd layer bit line selection switch elements ( 57, 58 ) switch electrical connection and disconnection between a global bit line ( 56 ) and commonly-connected even layer bit lines and commonly-connected odd layer bit lines, respectively. A bidirectional current limiting circuit ( 92 ) having parallel-connected P-type current limiting element ( 91 ) and N-type current limiting element ( 90 ) is provided between the global bit line and the switch elements.

Thermoelectric generation apparatus

A thermoelectric generation apparatus connected with a heat generation element includes a spreader and at least one thermoelectric generator. The spreader has two opposite surfaces with one surface attached to the thermoelectric generator and another surface attached to the heat generation element. The thermoelectric generator converts thermal energy into electric energy to be output. Through the spreader, thermal energy of the heat generation element can be conducted to be evenly distributed on the surface of the spreader to improve undesirable heat generation efficiency of the thermoelectric generator caused by uneven temperature distributed on the surface of the heat generation element.

High speed low power magnetic devices based on current induced spin-momentum transfer

A high speed and low power method to control and switch the magnetization direction and/or helicity of a magnetic region in a magnetic device for memory cells using spin polarized electrical current. The mapetic device comprises a reference magnetic layer with a fixed magnetic helicity and/or magnetization direction and a free magnetic layer with a changeable magnetic helicity and/or magnetization direction. The fixed magnetic layer and the free magnetic layer are preferably separated by a non-magnetic layer. The fixed and free magnetic layers may have magnetization directions at a substantially nonzero angle relative to the layer normal. A current can be applied to the device to induce a torque that alters the magnetic state of the device so that it can act as a magnetic memory for writing information. The resistance, which depends on the magnetic state of the device, is measured to read out the information stored in the device.

Memristive Device

A memristive device includes a first electrode, a second electrode crossing the first electrode at a non-zero angle, and an active region disposed between the first and second electrodes. The active region has a controlled defect profile throughout its thickness.