СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов, и может быть использовано для изготовления контактов к приборным наноструктурам в составе диодов и транзисторов. Способ изготовления омического контакта включает предварительную очистку поверхности полупроводника р-типа проводимости травлением с последующим последовательным напылением термическим испарением проводящего слоя серебра Ag и контактирующего с окружающей средой слоя золота Au. Все операции производят в условиях сверхвысокого базового вакуума, травление производят пучком ионов Ar+ с энергией в интервале 300-500 эВ до удаления оксидного слоя, затем поверхность полупроводника облучают пучком ионов Ar+ с энергией в интервале 1500-3000 эВ и флюенсом в интервале 1⋅1012 - 1⋅1014 см-3, а слой серебра Ag напыляют непосредственно на облученную поверхность полупроводника. Изобретение обеспечивает возможность изготовления омического контакта на слое полупроводника p-типа ...