Настройки

Укажите год
-

Небесная энциклопедия

Космические корабли и станции, автоматические КА и методы их проектирования, бортовые комплексы управления, системы и средства жизнеобеспечения, особенности технологии производства ракетно-космических систем

Подробнее
-

Мониторинг СМИ

Мониторинг СМИ и социальных сетей. Сканирование интернета, новостных сайтов, специализированных контентных площадок на базе мессенджеров. Гибкие настройки фильтров и первоначальных источников.

Подробнее

Форма поиска

Поддерживает ввод нескольких поисковых фраз (по одной на строку). При поиске обеспечивает поддержку морфологии русского и английского языка
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Ведите корректный номера.
Укажите год
Укажите год
Применить Всего найдено 3. Отображено 3.
19-06-2024 дата публикации

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА

Номер: RU2821299C1
Автор: Маркова Елена Александровна (RU), Новиков Дмитрий Александрович (RU), Микушкин Валерий Михайлович (RU)
Принадлежит: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (RU)

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов, и может быть использовано для изготовления контактов к приборным наноструктурам в составе диодов и транзисторов. Способ изготовления омического контакта включает предварительную очистку поверхности полупроводника р-типа проводимости травлением с последующим последовательным напылением термическим испарением проводящего слоя серебра Ag и контактирующего с окружающей средой слоя золота Au. Все операции производят в условиях сверхвысокого базового вакуума, травление производят пучком ионов Ar+ с энергией в интервале 300-500 эВ до удаления оксидного слоя, затем поверхность полупроводника облучают пучком ионов Ar+ с энергией в интервале 1500-3000 эВ и флюенсом в интервале 1⋅1012 - 1⋅1014 см-3, а слой серебра Ag напыляют непосредственно на облученную поверхность полупроводника. Изобретение обеспечивает возможность изготовления омического контакта на слое полупроводника p-типа ...

Подробнее
Номер записи: 1
20-03-2008 дата публикации

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕРОДНЫХ НАНОСТРУКТУР

Номер: RU2319663C1
Автор: Нащекин Алексей Викторович (RU), Неведомский Владимир Николаевич (RU), Микушкин Валерий Михайлович (RU), Гордеев Юрий Сергеевич (RU), Шнитов Владимир Викторович (RU)
Принадлежит: Общество с ограниченной ответственностью "Петротип" (RU)

Изобретение относится к области получения углеродных наноструктур на поверхности твердого тела с помощью электронного зонда и может быть использовано в области электронной литографии в части получения масок, используемых для последующего формирования полупроводниковых структур химическим, плазменным или ионным травлением. Сущность изобретения: способ получения углеродных наноструктур включает нанесение на подложку фуллеритной пленки, облучение в вакууме участков пленки выбранных формы и размеров, по меньшей мере, одним пучком электронов с диаметром, меньшим минимального линейного размера получаемых элементов структуры, до превращения материала этих участков в полимеризованный фуллерит и последующее удаление необлученных участков обработкой в органическом растворителе. Толщину пленки выбирают меньшей средней глубины проникновения облучающих электронов в материал пленки и дополнительно всю полученную после обработки в органическом растворителе структуру равномерно облучают пучком электронов ...

Подробнее
Номер записи: 2
10-09-2004 дата публикации

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕРОДНЫХ НАНОСТРУКТУР

Номер: RU2003104104A
Автор: Микушкин Валерий Михайлович (RU), Шнитов Владимир Викторович (RU), Гордеев Юрий Сергеевич (RU)
Принадлежит:

... 1. Способ получения углеродных наноструктур, включающий нанесение в вакууме фуллеритной пленки на предварительно очищенную подложку, облучение в вакууме участков пленки выбранных формы и размера пучком сфокусированных электронов до получения требуемых структурных изменений и последующее удаление необлученных участков, отличающийся тем, что процесс получения упомянутой наноструктуры проводят в условиях сверхвысокого вакуума, толщину наносимой пленки выбирают меньшей средней глубины проникновения облучающих электронов в материал пленки, энергию облучающих электронов выбирают большей энергии электронного перехода между наивысшим занятым и наинизшим свободным электронными состояниями фуллерена, в процессе облучения регистрируют спектры характеристических потерь энергии рассеянных электронов, выбирают одну из особенностей спектра, интенсивность которой изменяется при облучении, контролируют зависимость интенсивности этой особенности от дозы электронного облучения, и при выходе этой зависимости ...

Подробнее
Номер записи: 3