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10-11-2017 дата публикации

전도성 기판을 갖는 플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지 그리고 이를 이용한 플렉시블 태양전지 모듈

Номер: KR0101796006B1
Автор: 김영조, 정상현, 김강호, 김창주, 신현범, 강호관, 최재혁, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지에 관한 것으로서, 벌크 기판 상부에 반도체층을 형성하는 제1단계와, 상기 반도체층 상부에 후면전극을 형성하는 제2단계와, 상기 후면전극 상부에 홀패턴이 구비된 플렉시블 기판을 형성시키는 제3단계와, 상기 벌크 기판을 제거하는 제4단계와, 상기 반도체층 하부에 전면전극을 형성하는 제5단계와, 상기 홀패턴 내부에 전도성 재료를 충진시키는 제6단계 및 상기 전도성 재료가 홀패턴에 충진된 플렉시블 기판 전면에 금속백시트를 형성하는 제7단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 기판을 갖는 플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지 그리고 이를 이용한 플렉시블 태양전지 모듈을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 홀패턴이 구비된 플렉시블 기판을 사용하고, 상기 홀패턴에 전도성 재료를 충진하여 사용함으로써, 플라스틱 재료의 유연성과 전도성 재료의 전도성을 융합시킨 전도성을 갖는 플렉시블 기판을 적용하여, 기존 플렉시블 기판 사용시 문제되는 전기적 및 열적 특성을 향상시켜 태양전지의 성능을 개선시키고, 이러한 홀패턴이 구비된 플렉시블 기판을 사용한 플렉시블 태양전지는 직렬로 연결하여 모듈 형태로 사용할 시에 후면전극 연결문제를 해결하고, 무게를 획기적으로 줄일 수 있는 초경량 플렉시블 태양전지 또는 초경량 플렉시블 태양전지 모듈을 제공할 수 있는 이점이 있다.

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Номер записи: 1
31-10-2016 дата публикации

BOLOMETER ARRAY SYSTEM AND TEMPERATURE MEASURING METHOD USING SAME

Номер: KR1020160124986A
Автор: PARK, BEOM DOO, SUNG, HO KUN, KANG, HO KWAN, CHOI, JAE WON, YOON, HONG MIN, LIM, WOONG SUN, PARK, MI LIM
Принадлежит:

The present invention provides a bolometer array system which comprises: one or more first bolometers having a first TCR characteristic, and measuring a resistance value; and one or more second bolometers having a TCR characteristic different from that of the first bolometer, and measuring the resistance value. According to the present invention, an error of the current temperature measured by the bolometer can be reduced. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 2
12-05-2017 дата публикации

MULTI-JUNCTION SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR101734077B1
Автор: KIM, KANG HO, KIM, YOUNG JO, JUNG, SANG HYUN, KIM, CHANG ZOO, JUN, DONG HWAN, SHIN, HYUN BEOM, PARK, WON KYU, KANG, HO KWAN, LEE, JAE JIN
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a multi-junction solar cell and a manufacturing method thereof. According to the present invention, the manufacturing method of the multi-junction solar cell comprises the following steps: laminating lower, middle, and upper solar cell layers and a photoresist layer on an upper side of a substrate in sequence; mesa-etching a part of the photoresist layer and a part of the upper solar cell layer of a lower side of the photoresist layer respectively; etching the upper solar cell layer, and then reflowing and heating a photoresist to protect the etched upper solar cell layer with the photoresist; etching a part of the middle solar cell layer located on a lower side of the upper solar cell layer, and then reflowing and heating the photoresist to protect the etched middle solar cell layer with the photoresist; etching a part of the lower solar cell layer located in a lower side of the middle solar cell layer; and completing a multi-junction solar cell structure ...

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Номер записи: 3
31-01-2023 дата публикации

플렉서블 태양전지 모듈의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 플렉서블 태양전지 모듈

Номер: KR20230015729A
Автор: 신현범, 강호관
Принадлежит:

... 본 발명에 따른 플렉서블 태양전지 모듈의 제조방법은 유연 기판, 상기 유연 기판의 일정 영역에 구비된 하부 전극층, 상기 하부 금속층의 일정 영역에 구비된 에피층, 상기 에피층의 일정 영역에 구비된 전면 전극을 포함하는 2 이상의 태양 전지셀을 포함하는 태양전지 모듈을 준비하는 단계; 상기 태양전지 모듈 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 태양 전지 모듈에 시드 금속을 증착하여 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층이 형성된 상기 태양전지 모듈 상에 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 태양 전지 모듈에 전기 도금을 수행하여 연결배선을 형성하는 단계; 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 상기 시드층을 제거하는 단계; 및 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 4
01-07-2015 дата публикации

ELECTROPLATING DEVICE AND ELECTROPLATING METHOD THEREOF CAPABLE OF CONTROLLING VOLTAGE AND CURRENT DENSITY

Номер: KR1020150073641A
Автор: HWANG, SEON YONG, SHIN, HYUN BEOM, KANG, HO KWAN, KO, CHUL GI
Принадлежит:

The present invention relates to an electroplating device and a method thereof capable of controlling voltage and current density. In an electroplating device having a plating bath in which a substrate is received, an anode facing a plated surface of the substrate and to which plating metal is connected, and a cathode connected to the substrate to form an electric field between the anode and the substrate, the electroplating device according to the present invention comprises: a power supply part for applying voltage to the substrate; a variable resistance part serially connected to the power supply part; a bypass part connected to the variable resistance part and the substrate in parallel; and a control part connected to the power supply part, the variable resistance part, and the bypass part to control the voltage and the current density applied to the substrate. Accordingly, the present invention can perform a high quality plating process by simultaneously controlling the voltage and ...

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Номер записи: 5
30-12-2015 дата публикации

Fabrication method of asymmetric nanostructures for metal and metal oxide

Номер: KR0101581437B1
Автор: 박형호, 허은진, 김신근, 이근우, 신현범, 성호근, 박경호, 강호관, 김희중
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 비대칭형 나노구조체의 형성방법에 관한 것으로서, 기판 또는 박막 상에 임프린트층을 형성하는 제1단계와, 상기 임프린트층 상에 가변형 임프린트용 스탬프를 위치시켜, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 패턴을 변형시키기 위한 압력 또는 방향으로 가변형 임프린트용 스탬프를 가압하고, 경화 공정을 수행하여 비대칭 패턴층을 형성하는 제2단계와, 상기 비대칭 패턴층의 잔류막을 제거하여 기판 또는 박막의 일부 영역을 노출시키는 제3단계와, 상기 노출된 기판 또는 박막 영역 및 비대칭 패턴층 상에 금속 또는 금속산화물을 증착하는 제4단계와, 상기 비대칭 패턴층을 제거하여 기판 또는 박막 상에 금속 또는 금속산화물 패턴을 형성하는 제5단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 간단한 공정에 의해 대면적의 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체를 얻을 수 있으며, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 압력 또는 방향에 따라 패턴의 비대칭성 정도를 조절할 수 있어 다양한 분야에 활용할 수 있는 이점이 있다.

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Номер записи: 6
02-05-2017 дата публикации

METHOD FOR FABRICATING SOLAR CELL INCLUDING FIBER

Номер: KR101731540B1
Автор: JUNG, SANG HYUN, CHOI, JE HYUK, KIM, CHANG ZOO, KIM, YOUNG JO, KIM, KANG HO, PARK, WON KYU, KANG, HO KWAN, LEE, JAE JIN
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a fiber including a flexible solar cell and a method for fabricating the same. The solar cell including the fiber according to the present invention comprises a first electrode, a second electrode having a polarity different from that of the first electrode, a pn junction layer disposed between the first and second electrodes, an ARC disposed adjacent to the first electrode or the pn junction layer, and a fiber formed to surround the first electrode, the second electrode, the pn junction layer, and the ARC on the outside of the first electrode, the second electrode, the pn junction layer, and the ARC. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 7
17-07-2017 дата публикации

볼로미터 어레이 시스템 및 그를 이용한 온도 계측 방법

Номер: KR0101758306B1
Автор: 박범두, 성호근, 강호관, 최재원, 윤홍민, 임웅선, 박미림
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 제1TCR 성질을 갖고 저항값을 측정하는 하나 이상의 제1볼로미터; 및 상기 제1볼로미터와 상이한 제TCR 성질을 갖고 저항값을 측정하는 하나 이상의 제2볼로미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 어레이 시스템을 제공한다. 본 발명에 의하면, 볼로밑터가 측정한 현재 온도의 오차를 줄일 수 있다.

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Номер записи: 8
03-03-2017 дата публикации

패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체

Номер: KR0101711551B1
Автор: 정상현, 박형호, 김창환, 임웅선, 강호관, 최재혁, 박원규, 성호근, 신현범, 박경호, 이재진
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 금속산화물 나노입자 구조체에 관한 것으로서, 기판 상에 금속레지스트를 코팅하여, 금속레지스트층을 형성하는 제1단계와, 상기 금속레지스트층을 패턴화하여, 상기 기판의 일부 영역을 노출시키고, 일정 주기(c), 폭(a) 및 높이(b)를 갖는 금속레지스트 패턴을 형성하는 제2단계 및 상기 금속레지스트 패턴에 에너지를 가하여, 상기 금속레지스트에 포함된 유기물의 분해 및 금속 분자 간 응집에 따른 상기 금속레지스트 패턴의 주기(c), 폭(a) 및 높이에 대응하여 일정 주기(e),(f), 크기(d)를 갖는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체를 형성하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은, 기판 상에 금속레지스트를 코팅하여 패턴을 형성하고, 에너지를 가하여 금속레지스트에 포함된 유기물의 분해 및 금속 분자 간 응집에 따라 소정의 주기 및 크기를 갖는 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체를 형성하여, 간단한 방법으로 나노입자의 위치와 크기 및 배열 주기의 제어가 용이하여 미세 패턴의 제작이 용이한 이점이 있다.

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Номер записи: 9
02-11-2015 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING PROBE CAPABLE OF CONTROLLING WAVELENGTHS AND PROBE MANUFACTURED THEREBY

Номер: KR101564710B1
Автор: SUNG, HO KUN, LEE, KEUN WOO, CHOI, JAE WON, LEE, BYUNG OU, YOON, HONG MIN, LEE, HEE KWAN, LEE, YONG SU, LIM, WOONG SUN, PARK, MI LIM, PARK, BEOM DOO, KANG, HO KWAN
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a method for manufacturing a probe integrated with light-emitting diodes and, more specifically, to a method for manufacturing a probe capable of controlling a wavelength and a probe manufactured thereby, which comprises: a first step of preparing a substrate; a second step of forming an alignment key for forming a light-emitting diode on some areas of the substrate to form a first electrode layer; a third step of forming multiple light-emitting diodes having different emission wavelengths on the substrate based on the alignment key; a fourth step of forming a metal interconnect electrode on the substrate, which is electrically connected to the light-emitting diode; a fifth step of forming an insulating film to cover the light-emitting diode, the whole area on the substrate, and the metal interconnect electrode; a sixth step of forming a pattern on the substrate to form a probe; a seventh step of polishing or etching the substrate to reduce the thickness ...

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Номер записи: 10
30-06-2016 дата публикации

LIGHT COLLECTING SOLAR BATTERY MODULE USING REFLECTED LIGHT

Номер: KR1020160075968A
Автор: CHOI, YOUNG SU, KANG, HO KWAN, PARK, KYUNG HO, JUNG, SANG HYUN
Принадлежит:

The present invention relates to a light collecting solar battery module using reflected light including an optical system collecting sunlight and a solar battery cell to which the sunlight collected by the optical system is incident to produce solar energy, comprising: a case having a reflection space formed therein and allowing a plurality of solar battery cells to be installed on an inner surface thereof; a light incident part formed by opening one side of the case and allowing the sunlight collected by the optical system to be incident to an interior of the case; a reflective part formed on a lower surface portion within the case and allowing incident sunlight by the light incident part to be reflected to the reflection space; and a diffusion and reflection part formed on an inner surface of the case and diffusing and reflecting light reflected by the reflective part to provide the diffused and reflected light to the solar battery cells. According to the present invention, any extra ...

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Номер записи: 11
31-07-2017 дата публикации

집광형 태양광 발전 방법 및 시스템

Номер: KR0101762921B1
Автор: 정상현, 김창주, 김영조, 김강호, 전동환, 박형호, 최영수, 성호근, 박경호, 최재혁, 신현범, 박원규, 강호관, 이재진
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 집광형 태양광 발전 방법 및 시스템에 관한 것으로서, 상기 방법은 태양 추적 방식에 따라 태양의 황도를 계산하여 태양전지판을 조정하는 단계, 상기 태양전지판을 구성하는 하나 이상의 단위 모듈에서 태양광을 집광하는 단계,단위 모듈에 장착된 온도 센서를 이용하여, 온도 분포를 측정하는 단계 및 측정한 온도 분포 결과에 따라 하나 이상의 단위 모듈을 보정하는 단계를 포함한다.

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Номер записи: 12
06-11-2015 дата публикации

synthetic mathod of self controlled MoS2 single layer by electroplating method and transistor using self controlled MoS2 single layer thereby

Номер: KR0101566851B1
Автор: 임웅선, 성호근, 이근우, 김신근, 강호관
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 단일층 이황화몰리브덴 합성 방법에 관한 것으로서, 전기도금 공정을 이용하여 음극에 자기제어 이황화몰리브덴(MoS2) 단일층(self controlled MoS2single layer)을 증착시키는 제1단계와, 상기 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 증착 후 상기 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 결정화하는 제2단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전기도금 공정을 이용한 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법 및 이에 의해 제조된 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 이용한 트랜지스터를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기존의 단일층(single layer) 형성방법이 아닌 전기도금 공정에 의해 자기제어 방식으로 이황화몰리브덴 단일층이 합성되도록 하여, 저비용으로 이황화몰리브덴 단일층을 용이하게 구현할 수 있으며, 균일도가 개선되어 대면적, 고품질의 이황화몰리브덴 단일층을 제공할 수 있으며, 트랜지스터 재료에 적용할 수 있는 이점이 있다.

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Номер записи: 13
10-10-2016 дата публикации

가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체

Номер: KR0101663629B1
Автор: 박형호, 허은진, 김신근, 이근우, 신현범, 성호근, 박경호, 강호관, 김희중
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 비대칭형 나노구조체의 형성방법에 관한 것으로서, 기판 또는 박막 상에 형성되며, 패턴의 형태가 변형이 가능한 가변형 임프린트용 스탬프를 이용하여 형성되는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체를 포함하여 이루어지며, 상기 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체는, 기판 또는 박막 상에 임프린트층을 형성하는 제1단계와, 상기 임프린트층 상에 플렉시블한 재질의 가변형 임프린트용 스탬프를 위치시켜, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 패턴이 휘어짐 변형이 유발되는 압력 또는 방향으로 가변형 임프린트용 스탬프를 가압하고, 경화 공정을 수행하여 비대칭 패턴층을 형성하는 제2단계와, 상기 비대칭 패턴층의 잔류막을 제거하여 기판 또는 박막의 일부 영역을 노출시키는 제3단계와, 상기 노출된 기판 또는 박막 영역 및 비대칭 패턴층 상에 금속 또는 금속산화물을 증착하는 제4단계와, 상기 비대칭 패턴층을 제거하여 기판 또는 박막 상에 금속 또는 금속산화물 패턴을 형성하는 제5단계;를 포함하여 구성되고, 상기 제1단계의 임프린트층의 두께는, 상기 가변형 임프린트용 스탬프로 상기 임프린트층을 가압시 임프린트층이 상기 가변형 임프린트용 스탬프 패턴 사이로 충진이 완전히 되지 않도록 상기 가변형 임프린트용 스탬프 패턴의 두께보다 상대적으로 더 얇게 형성되고, 상기 제2단계는, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 패턴을 변형시키기 위해 1.1bar~50bar의 압력으로 가변형 임프린트용 스탬프를 가압시키고, 선택적으로, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 패턴을 변형시키기 위해 상기 임프린트층과 가변형 임프린트용 스탬프의 계면에 평행한 방향으로 가변형 임프린트용 스탬프를 가압시키는 것에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 간단한 공정에 의해 대면적의 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체를 얻을 수 있으며, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 압력 또는 방향에 따라 패턴의 비대칭성 ...

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Номер записи: 14
10-05-2024 дата публикации

화합물 반도체 나노로드의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 화합물 반도체 나노로드 및 화합물 반도체 나노로드 어레이

Номер: KR102665449B1
Автор: 강호관, 신현범
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법은 기판 상에 p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제1 반도체를 포함하는 제1 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 반도체층 상에 상기 제1 반도체와 p-n 접합을 형성하도록, p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제2 반도체를 포함하는 제2 반도체 나노로드를 형성하는 단계; 상기 제2 반도체 나노로드를 감싸는 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 반도체층을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 15
31-08-2016 дата публикации

OMNIDIRECTIONAL PHOTOGRAPHING SYSTEM CAPABLE OF FLYING

Номер: KR1020160102845A
Автор: RIM, CHEON SEOG, PARK, SEA YOUL, OH, EUN JI, LEE, SANG GU, HWANG, SANG YUN, CHOI, YEON CHAN, MOON, HEE JUN, KANG, HO GWAN
Принадлежит:

According to the present invention, an omnidirectional photographing system includes: a flight unit capable of floating and changing a direction by remote control; a photographing unit for transmitting a video to the outside after photographing the video in omnidirection in real time to have a commonly photographed area, wherein the multiple photographing units are mounted on the flight unit; and a terminal unit for generating and displaying the omnidirectional video to the outside by overlapping the commonly photographed area of the videos to be received from the photographing unit. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 16
15-07-2016 дата публикации

METHOD FOR PREPARING METAL OXIDE COMPOSITE STRUCTURE VIA META-PHOTOCURING IMPRINTING AND COMPLETE-CURING PHOTOLITHOGRAPHY PROCESS AND METAL OXIDE COMPOSITE STRUCTURE PREPARED THEREBY

Номер: KR1020160084966A
Автор: PARK, HYEONG HO, KIM, SEO YEON, HER, EUN JIN, SHIN, HYUN BEOM, SUNG, HO KUN, KANG, HO KWAN, PARK, KYUNG HO, PARK, WON KYU
Принадлежит:

The present invention relates to a metal oxide composite structure and a method of preparing the same, and more specifically, to a method of preparing a metal oxide composite structure via meta-photocuring imprinting and photolithography processes and a metal oxide composite structure prepared thereby. According to the present invention, the method comprises: a step in which a photosensitive metal-organic material precursor layer is formed on top of a wafer or a film; a meta-photocuring imprinting step in which photocuring is performed at a dose below the dose which would completely cure the photosensitive metal-organic material precursor layer and above the critical dose required for curing the same, and an imprinting stamp having a first pattern is used to apply pressure to the photosensitive metal-organic material precursor layer; a step in which the imprinting stamp is removed from the photosensitive metal-organic material precursor layer; a complete curing photolithography step in ...

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Номер записи: 17
08-07-2015 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING VIA HOLE FOR FORMATION OF VIA HOLE CONTACT AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VIA HOLE MANUFACTURED THEREBY

Номер: KR1020150077843A
Автор: LEE, HEE KWAN, SUNG, HO KUN, LEE, KEUN WOO, KIM, SHIN KEUN, CHOI, JAE WON, LEE, BYUNG OU, YOON, HONG MIN, LEE, YONG SU, LIM, WOONG SUN, PARK, MI LIM, KANG, HO KWAN, KIM, HI JUNG
Принадлежит:

The present invention relates to a method for manufacturing a via hole for the formation of a via hole contact and a semiconductor device with a via hole manufactured thereby. Especially in the method for manufacturing a via hole of a semiconductor device, the present invention discloses the method for manufacturing a via hole for the formation of a via hole contact and the semiconductor device with a via hole manufactured thereby. The method includes: a first step of preparing a substrate; a second step of forming a pattern for the formation of a via hole on the upper surface and the lower surface of the substrate individually; a third step of performing an etching process on the upper side and the lower side of the substrate to form the via hole penetrating the upper surface and the lower surface of the substrate corresponding to the pattern; and a fourth step of forming a via hole contact by filling the via hole with a conductive paste. Therefore, the present invention can obtain excellent ...

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Номер записи: 18
01-07-2015 дата публикации

PRODUCING METHOD OF ASYMMETRIC METAL OR METAL OXIDE NANOSTRUCTURE

Номер: KR1020150073645A
Автор: PARK, HYEONG HO, HER, EUN JIN, KIM, SHIN KEUN, LEE, KEUN WOO, SHIN, HYUN BEOM, SUNG, HO KUN, PARK, KYUNG HO, KANG, HO KWAN, KIM, HI JUNG
Принадлежит:

The present invention relates to a producing method of asymmetric metal or metal oxide nanostructure, wherein the producing method comprises: a first step for forming an imprint layer on a substrate or a thin film; a second step for locating a variable imprint stamp on the imprint layer to press the variable imprint stamp at a pressure and in a direction suitable for transforming patterns of the variable imprint stamp, and performing a curing process thereon to form an asymmetric pattern layer; a third step for removing a residual film of the asymmetric pattern layer to expose a portion of the substrate or the thin film; a fourth step for deposing a metal or metal oxide on the exposed portion of the substrate or the thin film; and a fifth step for removing the asymmetric pattern layer to form metal or metal oxide patterns on the substrate or the thin film. Accordingly, a large-area asymmetric metal or metal oxide nanostructure can be produced. In addition, it is possible to adjust the degree ...

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Номер записи: 19
31-08-2016 дата публикации

MODULARIZED FLYING DEVICE

Номер: KR1020160102918A
Автор: HWANG, SANG YUN, RIM, CHEON SEOG, KIM, SU JUNG, JO, GEON HUI, CHOI, YEON CHAN, MOON, HEE JUN, KANG, HO GWAN
Принадлежит:

A modularized flying device comprises: an input module which receives the flying information of a flying device; an output module which outputs the driving force of the flying device; a communication module which transmits and receives manipulation commands and data for operating the flying device; and a control module which controls the input module, the output module, and the communication module. Therefore, the present invention enables the easy assembly and disassembly of the flying device as the flying device is modularized, thereby enabling a user of the flying device to easily understand and complete the structure and system of the flying device. COPYRIGHT KIPO 2016 (110) Basic input module (an angular velocity, an acceleration, a pressure sensor, etc.) (120) Expansion input module (All sensors, a switch, etc.) (210) Central control module (310) Standardization communication module (Wi-Fi, Bluetooth, ZigBee, USB) (320) First communication change module (330) Second communication ...

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Номер записи: 20
30-10-2015 дата публикации

Electro Plating Machine for Controlling Voltage and Current Density and Electro Plating Method thereby

Номер: KR0101564702B1
Автор: 황선용, 신현범, 강호관, 고철기
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 전기 도금 장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 기판을 수용하는 도금조와, 상기 기판의 피도금면에 대향되어 위치하며, 도금 금속이 연결되는 양극과, 상기 양극과 상기 기판과의 사이에 소정의 전기장이 형성되도록 상기 기판과 연결되는 음극을 포함하여 구성된 전기 도금 장치에 있어서, 기판에 전압을 인가하는 전원공급부와, 상기 전원공급부에 직렬연결된 가변저항부와, 상기 가변저항부 및 상기 기판에 병렬연결된 바이패스부와, 상기 전원공급부, 가변저항부 및 바이패스부와 연결되어 상기 기판에 인가되는 전압 및 전류 밀도를 제어하는 제어부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전압과 전류 밀도를 제어할 수 있는 전기 도금 장치 및 그 전기 도금 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 전기도금 공정을 진행함에 있어, 최적 도금 공정이 가능한 전압과 전류 밀도를 동시에 제어할 수 있어 고품질의 도금 공정의 수행이 가능한 이점이 있다.

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08-07-2015 дата публикации

METHOD TO SYNTHESIZE SELF-CONTROLLED MOS2 SINGLE LAYER BY USING ELECTROPLATING PROCESS AND TRANSISTOR USING SELF-CONTROLLED MOS2 SINGLE LAYER MANUFACTURED BY SAME

Номер: KR1020150078876A
Автор: LIM, WOONG SUN, SUNG, HO KUN, LEE, KEUN WOO, KIM, SHIN KEUN, KANG, HO KWAN
Принадлежит:

The present invention relates to a method to synthesize a self-controlled MoS2 single layer. The method includes a first step of depositing a self-controlled MoS2 single layer on a cathode by using an electroplating process; and a second step of crystallizing the self-controlled MoS2 single layer after the deposition of the self-controlled MoS2 single layer. The technological point of the present invention is a method to synthesize a self-controlled MoS2 single layer by using an electroplating process and a transistor using a self-controlled MoS2 single layer manufactured by the same. Therefore, as a MoS2 single layer is synthesized by using a self-controlled method through an electroplating process, not the existing single layer forming method, the MoS2 single layer is easily formed at a low cost, a large and high quality MoS2 single layer is provided with the improved equality, and the MoS2 single layer is able to be applied to a transistor material. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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02-06-2016 дата публикации

QUATERNARY NITRIDE POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер: WO2016085169A1
Автор: KIM, Jongmin, KOH, Yu Min, SONG, Keun Man, HEO, Jong Gon, SHIN, Hyun Beom, KANG, Ho Kwan
Принадлежит:

A gallium surface quaternary nitride power semiconductor device according to the present invention comprises: a gallium nitride buffer layer formed on a substrate; a quaternary nitride layer formed on the gallium nitride buffer layer; and a gallium nitride cap layer formed on the quaternary nitride layer, wherein a two-dimensional electron gas is formed on the top end of the quaternary nitride layer by adjusting the composition ratio of the quaternary nitride layer such that a polarisation direction faces the top surface of the quaternary nitride layer. The quaternary nitride is composed of four element types such as In, Al, Ga and N, wherein In and Al have a pre-determined composition ratio, accordingly compressive stress is applied to the quaternary nitride layer, and the polarisation of the quaternary nitride layer is adjusted so as to face toward the top part thereof.

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04-05-2015 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING HIGH POWER RED LIGHT-EMITTING DIODES

Номер: KR1020150046912A
Автор: PARK, HYEONG HO, LEE, KEUN WOO, CHOI, JE HYUK, HER, EUN JIN, KIM, CHANG HWAN, MOON, A YOUNG, KIM, SHIN KEUN, SUNG, HO KUN, SHIN, CHAN SOO, KANG, HO KWAN, KIM, HI JUNG
Принадлежит:

The present invention relates to a method for manufacturing high power red light-emitting diodes comprising: a step of forming a dielectric mask layer on the upper layer of a thin film; a step of forming a polymer layer on the upper layer of the dielectric mask; a step of forming ultraviolet curable resin layer or photosensitive metal-organic precursor layer on the upper layer of the polymer layer; a step of forming a resin pattern layer or metal oxide thin film pattern layer by curing the ultraviolet curable resin layer or photosensitive metal-organic precursor layer with a light radiation, a heating method, or a mixed method of the light radiation and heating method; a step of removing the stamp for nanoimprint from the resin pattern layer or metal oxide thin film pattern layer; a step of dry etching a thin film by using the resin pattern layer or metal oxide thin film pattern layer, polymer layer and dielectric mask layer as a dry etching mask; a step of removing a residual dielectric ...

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Номер записи: 24
26-07-2016 дата публикации

반사광을 이용한 집광형 태양전지 모듈

Номер: KR0101642506B1
Автор: 최영수, 강호관, 박경호, 정상현
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 반사광을 이용한 집광형 태양전지 모듈에 관한 것으로서, 태양광을 집광하는 광학시스템과, 상기 광학시스템에 의해 집광된 태양광이 입사되는 태양전지 셀을 포함하여 구성되어, 태양광 발전을 일으키는 태양전지 모듈에 있어서, 내부에 반사 공간이 형성되고, 내측면에 복수 개의 태양전지 셀이 장착되는 케이스와, 상기 케이스의 일측이 오픈형성되어, 상기 광학시스템에 의해 집광된 태양광이 상기 케이스 내부로 입사되도록 형성된 광입사부와, 상기 케이스의 내부 저면부에 형성되어, 상기 광입사부에 의해 입사된 태양광을 상기 반사 공간으로 반사시키도록 형성된 반사부 및 상기 케이스의 내부 표면에 형성되어, 상기 반사부에 의해 반사광을 확산 반사시켜 태양전지 셀에 제공하는 확산반사부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반사광을 이용한 집광형 태양전지 모듈을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 단일 광학시스템 외에 별도의 광학시스템이 필요하지 않으며, 트래킹 시스템의 오차에 의해 초점이 어긋나는 경우에도 입사하는 태양광을 반사시켜 태양전지 셀로 제공하도록 하며, 다수의 태양전지 셀을 단일 모듈로 제공하여 장치의 구성이 간단하고, 설치가 편리한 이점이 있다.

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08-01-2021 дата публикации

Manufacturing method of back-contact solar cell back-contact solar cell and back-contact solar cell module thereby

Номер: KR102199166B1
Автор: 강호관, 신현범, 정상현, 김창주
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 태양전지에 관한 것으로서, 에피성장용 기판 상부에 반도체층을 형성하는 제1단계와, 상기 반도체층에 메사 에칭을 진행하여 상기 반도체층을 복수개의 단위 반도체층 셀로 분리하는 제2단계와, 각 단위 반도체층 셀의 상부에 제1전극, 메사 영역에 제2전극을 형성하고, 상기 반도체층의 측면을 절연하기 위한 절연층을 형성하는 제3단계와, 상기 제1전극 및 제2전극, 상기 절연층이 형성된 단위 반도체층 셀 전면(total surface)에 유연기판을 형성하는 제4단계와, 상기 유연기판에 상기 제1전극 및 제2전극에 대응하는 영역에 상하로 관통하는 전극연결부를 형성하는 제5단계와, 상기 전극연결부에 전도성 재료를 충진시키는 제6단계와, 상기 에피성장용 기판을 상기 반도체층으로부터 박리시키고, 공정용 임시기판을 상기 유연기판에 부착시키는 제7단계와, 상기 단위 반도체층 셀의 캡 에칭(cap etching) 및 ARC(anti-reflection coating) 공정을 수행한 후 각 단위 반도체층 셀을 분리하고, 상기 공정용 임시기판을 분리하는 제8단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 전극 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 후면 전극 태양전지 그리고 이를 이용한 후면 전극 태양전지 모듈을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 태양전지의 후면에 제1전극 및 제2전극이 동시에 위치하는 후면 전극 태양전지를 제공하며, 와이어 본딩 공정 등이 전혀 필요치 않아 공정을 단순화시키고, 전극 간 연결부위가 안정적으로 이루어지도록 하여 생산성 및 내구성을 향상시키는 이점이 있다.

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09-09-2016 дата публикации

파장변환소자 및 이의 제조방법

Номер: KR0101656206B1
Автор: 김종민, 송근만, 신현범, 강호관
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 파장변환소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 Ga, N를 포함하는 4종류의 원소를 포함하여 이루어진 질화물 반도체로서, 제1방향으로 분극(polarization)이 형성된 제1종질화물반도체블럭(block); 및 Ga, N를 포함하는 4종류의 원소를 포함하여 이루어진 질화물 반도체로서, 상기 제1종질화물반도체블럭에 접하며, 상기 제1종질화물반도체블럭에 형성된 분극과 반대방향인 제2방향으로 분극이 형성된 제2종질화물반도체블럭;를 포함하고, 상기 제1종질화물반도체블럭의 측면에 상기 제2종질화물반도체블럭이 접하여 분극교차구조를 이루며, 일측에서 상기 제1종질화물반도체블럭으로 입사되어 상기 제1종질화물반도체블럭 및 상기 제2종질화물반도체블럭을 투과하는 입사광으로부터 2차조화파(second harmony generation)를 발생시키는 것을 특징으로 하기 때문에 광의 진행방향에 대한 수직방향으로 분극이 교차로 변하는 구조(분극교차구조)를 InAlGaN을 기반으로 하는 질화물반도체를 통해 구현해 냄으로써 준위상정합(Quasi Phase Matching)을 실현해 낼 수 있게 되었으며, 보다 넓은 파장영역대에서 2차조화파 발생을 통한 UV 레이저를 제조할 수 있는 기술이 개시된다.

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21-12-2015 дата публикации

ASYMMETRIC METAL OR METAL OXIDE NANOSTRUCTURE USING VARIABLE IMPRINT STAMP

Номер: KR1020150141915A
Автор: PARK, HYEONG HO, HER, EUN JIN, KIM, SHIN KEUN, LEE, KEUN WOO, SHIN, HYUN BEOM, SUNG, HO KUN, PARK, KYUNG HO, KANG, HO KWAN, KIM, HI JUNG
Принадлежит:

The present invention relates to a method for forming an asymmetric nanostructure comprising an asymmetric metal or metal oxide nanostructure formed on a substrate or a thin film, and formed by using a variable imprint stamp having a variable shape of a pattern. The method for forming an asymmetric metal or metal oxide nanostructure comprises a first step of forming an imprint layer on a substrate or a thin film; a second step of placing a variable-shaped imprint stamp of a flexible material on the imprint layer, pressing the variable-shaped imprint stamp with a pressure or in the direction of twisting the pattern of the variable-shaped imprint stamp, and performing a curing process to form an asymmetric pattern layer; a third step of exposing a part of areas of the substrate or thin film by removing a remaining film of the asymmetric pattern layer; a fourth step of depositing metal or metal oxide on the exposed area of the substrate or thin film and the asymmetric pattern layer; and a ...

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29-07-2015 дата публикации

Method of Manufacturing Semiconductor Element Using Laser Lift-Off Process and Double Transference

Номер: KR0101540080B1
Автор: 이근우, 김신근, 최재원, 이병오, 윤홍민, 이용수, 임웅선, 이희관, 박미림, 성호근, 강호관
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명에 따르면, 기판 상에 반도체층을 형성하는 반도체층 형성 단계; 레이저 리프트 오프 공정을 통해 제1유연필름으로 상기 반도체층을 전사하는 제1전사단계; 및 상기 제1유연필름으로부터 상기 반도체층을 제2유연필름으로 전사하는 제2전사단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용한 반도체 소자의 제조방법을 제공한다. 상기 구성에 의한 본 발명은, 반도체층을 성장시킬 때 드러났던 표면이 외부에 노출되도록 반도체층을 분리할 수 있는 효과가 있다.

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20-09-2017 дата публикации

METHOD TO MANUFACTURE FLEXIBLE SOLAR CELL MODULE AND FLEXIBLE SOLAR CELL MODULE MANUFACTURED THEREBY

Номер: KR101775977B1
Автор: KIM, YOUNG JO, JUNG, SANG HYUN, KIM, KANG HO, KIM, CHANG ZOO, SHIN, HYUN BEOM, KANG, HO KWAN, CHOI, JE HYUK, PARK, WON KYU
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a method to manufacture a flexible solar cell module, improving electric and thermal characteristics of an existing flexible solar cell; and a flexible solar cell module manufactured thereby. According to the present invention, the method comprises: a first step of forming a semiconductor layer on an upper part of a bulk substrate; a second step of forming a rear electrode layer on an upper part of the semiconductor layer; a third step of forming a conductive flexible substrate on an upper part of the rear electrode layer; a fourth step of removing the bulk substrate to separate a semiconductor cell including the conductive flexible substrate, the rear electrode layer, and the semiconductor layer, and forming the semiconductor cell on a temporary substrate to be adjacent to the conductive flexible substrate; a fifth step of manufacturing a plurality of solar cells on a partial region on the upper part of the semiconductor layer formed on the temporary substrate ...

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04-11-2016 дата публикации

4원계 질화물 전력반도체소자 및 이의 제조 방법

Номер: KR0101672396B1
Автор: 김종민, 고유민, 송근만, 허종곤, 신현범, 강호관
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명에 따른 갈륨면 4원계 질화물 전력반도체소자는 기판 위에 형성된 질화갈륨 버퍼층, 질화갈륨 버퍼층 위에 형성된 4원계 질화물층, 상기 4원계 질화물층 위에 형성된 질화갈륨 캡층을 포함하고, 4원계 질화물층의 조성비를 조절함으로써 분극 방향이 4원계 질화물층의 상면을 향하도록 형성하여 2차원 전자가스가 상기 4원계 질화물층의 상단에 형성되는 것을 특징으로 한다. 상기 4원계 질화물은 In, Al, Ga 및 N의 4종류의 원소로 이루어지고, In과 Al은 소정의 조성비를 가짐으로써 상기 4원계 질화물층에 압축응력이 작용하여 상기 4원계 질화물층의 분극이 상부 방향을 향하도록 조절된다.

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02-07-2020 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-JUNCTION SOLAR CELL, AND MULTI-JUNCTION SOLAR CELL MANUFACTURED BY SAME

Номер: WO2020138597A1
Автор: JUNG, Sang Hyun, KANG, Ho Kwan, KIM, Chang Zoo, SHIN, Hyun Beom
Принадлежит:

The present invention relates to a method for manufacturing a multi-junction solar cell, and a multi-junction solar cell manufactured by same, and comprises: a first step for forming a light absorption layer above a substrate for epitaxial growth; a second step for forming a back contact electrode above the light absorption layer; a third step for removing the substrate for epitaxial growth from the light absorption layer, and a fourth step for forming a front contact electrode above the light absorption layer on the side where the substrate for epitaxial growth has been removed, wherein the light absoprtion layer is formed with N sub-cells (N is a natural number greater than or equal to 2) having different absorption wavelengths from each other, and each sub-cell is joined via a tunnel junction to form a multi-junction.

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Номер записи: 32
09-11-2016 дата публикации

메타-광경화 임프린팅 공정과 완전경화 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법

Номер: KR0101673971B1
Автор: 박형호, 김서연, 허은진, 신현범, 성호근, 강호관, 박경호, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 금속 산화물 복합 구조체 제조방법에 관한 것으로서, 기판 또는 박막의 상부에 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성하는 단계와, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층을 제1패턴이 형성된 임프린트용 스탬프로 가압하되, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층이 완전경화되는 도즈보다 낮고 임계경화되는 도즈보다 높은 도즈로 광경화를 수행하는 메타-광경화 임프린팅 단계와, 상기 임프린트용 스탬프를 상기 감광성 금속-유기물 전구체층으로부터 제거하는 단계와, 상기 패턴된 감광성 금속-유기물 전구체층 상단에 제2패턴이 형성된 포토마스크를 위치시킨 후, 완전경화도즈 이상으로 자외선 또는 열을 조사하여 금속 산화 박막 패턴층을 형성하는 완전경화 포토리소그래피 단계와, 상기 경화가 완료된 금속 산화 박막 패턴층을 현상(Developing)하여, 상기 제1패턴과 제2패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 복합 구조체를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 메타-광경화 임프린팅 공정과 완전경화 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 이종(異種)의 패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 구조체의 제공이 용이하며, 완전경화가 되지 않을 정도의 도즈에서 임프린팅 공정이 진행되고, 그 후 포토리소그래피 공정에 의해 완전경화를 수행하여, 식각 공정이 생략된 중간 경화 공정을 추가함으로써, 식각 공정의 횟수를 줄일 수 있어 공정의 단순화 및 비용을 절감시키는 이점이 있다.

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Номер записи: 33
22-09-2016 дата публикации

FABRICATION METHOD OF PATTERNED METAL-OXIDE NANOPARTICLE STRUCTURE AND PATTERNED METAL-OXIDE NANOPARTICLE STRUCTURE FABRICATED THEREBY

Номер: KR1020160110742A
Автор: JUNG, SANG HYUN, PARK, HYEONG HO, KIM, CHANG HWAN, LIM, WOONG SUN, KANG, HO KWAN, CHOI, JE HYUK, PARK, WON KYU, SUNG, HO KUN, SHIN, HYUN BEOM, PARK, KYUNG HO, LEE, JAE JIN
Принадлежит:

The present invention relates to a metal oxide nanoparticle structure, and the technical gist of the present invention resides in a method for fabricating a patterned metal-oxide nanoparticle structure and a patterned metal-oxide nanoparticle structure fabricated thereby, wherein the method comprises: a first step for coating a metal resist on a substrate to form a metal resist layer; a second step for patterning the metal resist layer, exposing a region of the substrate and forming a metal resist pattern having a specific interval (c), width (a) and height (b) on the region; and a third step for energizing the metal resist pattern to form a metal oxide nanoparticle structure having an interval (e), (f), and a size (d) corresponding to the interval (c), width (a) and height of the metal resist pattern due to the degradation of organic matter and aggregation of metal molecules contained in the metal resist. Thus, by coating a metal resist on a substrate to form a pattern and energizing the ...

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Номер записи: 34
02-07-2015 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT USING LASER LIFT-OFF PROCESS AND DOUBLE TRANSFERENCE

Номер: KR1020150074321A
Автор: LEE, KEUN WOO, KIM, SHIN KEUN, CHOI, JAE WON, LEE, BYUNG OU, YOON, HONG MIN, LEE, YONG SU, LIM, WOONG SUN, LEE, HEE KWAN, PARK, MI LIM, SUNG, HO KUN, KANG, HO KWAN
Принадлежит:

The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor element using a laser lift-off process and double transference including: a step of forming a semiconductor layer on a substrate; a first transference step of transferring the semiconductor layer to a first flexible film through a laser lift-off process; and a second transference step of transferring the semiconductor layer to a second flexible film from the first flexible film. According to the configuration, the present invention can separate the semiconductor layer to have a surface having come into view when growing the semiconductor layer exposed to the outside. COPYRIGHT KIPO 2015 (AA) Start (BB) End (S110) Semiconductor layer formation step of forming a semiconductor layer on a substrate (S120) First transference step of transferring the semiconductor layer with a first flexible film through a LLO process (S130) Second transference step of removing the first flexible film and transferring the semiconductor ...

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Номер записи: 35
01-02-2024 дата публикации

플렉서블 태양전지 모듈의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 플렉서블 태양전지 모듈

Номер: KR102632464B1
Автор: 신현범, 강호관
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명에 따른 플렉서블 태양전지 모듈의 제조방법은 유연 기판, 상기 유연 기판의 일정 영역에 구비된 하부 전극층, 상기 하부 전극층의 일정 영역에 구비된 에피층, 상기 에피층의 일정 영역에 구비된 전면 전극을 포함하는 2 이상의 태양 전지셀을 포함하는 태양전지 모듈을 준비하는 단계; 상기 태양전지 모듈 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 태양 전지 모듈에 시드 금속을 증착하여 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층이 형성된 상기 태양전지 모듈 상에 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 태양 전지 모듈에 전기 도금을 수행하여 연결배선을 형성하는 단계; 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 상기 시드층을 제거하는 단계; 및 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 36
13-05-2016 дата публикации

WAVELENGTH CONVERSION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер: KR1020160053463A
Автор: KIM, JONG MIN, SONG, KEUN MAN, SHIN, HYUN BEOM, KANG, HO KWAN
Принадлежит:

The present invention relates to a wavelength conversion device and a method for manufacturing the same. The wavelength conversion device according to the present invention comprises: a first type nitride semiconductor block which is a nitride semiconductor including four types of elements including Ga and N and polarized in a first direction; and a second type nitride semiconductor block which is a nitride semiconductor including four types of elements including Ga and N, in contact with the first type nitride semiconductor block, and polarized in a second direction opposite to the polarization direction of the first type nitride semiconductor block. The second type nitride semiconductor block is in contact with the side surface of the first type nitride semiconductor block to form a cross-polarization structure. A second harmonic wave is generated from incident light which is incident on the first type nitride semiconductor block to transmit through the first type nitride semiconductor ...

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Номер записи: 37
02-12-2016 дата публикации

메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법

Номер: KR0101681753B1
Автор: 박형호, 김서연, 허은진, 신현범, 성호근, 강호관, 박경호, 박원규
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 금속 산화물 복합 구조체의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 또는 박막의 상부에 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성하는 단계와, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층을 제1패턴이 형성된 임프린트용 스탬프로 가압하되, 상기 감광성 금속-유기물 전구체층이 완전경화되는 온도보다 낮고 임계경화되는 온도보다 높은 온도로 열경화를 수행하는 메타-열경화 임프린팅 단계와, 상기 임프린트용 스탬프를 상기 감광성 금속-유기물 전구체층으로부터 제거하는 단계와, 상기 패턴된 감광성 금속-유기물 전구체층 상단에 제2패턴이 형성된 포토마스크를 위치시킨 후, 완전경화도즈 이상으로 자외선 또는 열을 조사하여 금속 산화 박막 패턴층을 형성하는 완전경화 포토리소그래피 단계와, 상기 경화가 완료된 금속 산화 박막 패턴층을 현상(Developing)하여, 상기 제1패턴과 제2패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 복합 구조체를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 이종(異種)의 패턴이 복합적으로 구현된 금속 산화물 구조체의 제공이 용이하며, 완전경화가 되지 않을 정도의 온도에서 임프린팅 공정이 진행되고, 그 후 포토리소그래피 공정에 의해 완전경화를 수행하여, 식각 공정이 생략된 중간 경화 공정을 추가함으로써, 식각 공정의 횟수를 줄일 수 있어 공정의 단순화 및 비용을 절감시키는 이점이 있다.

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Номер записи: 38
18-11-2022 дата публикации

투명 태양전지 및 이의 제조 방법

Номер: KR102468454B1
Автор: 신현범, 강호관, 정상현
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 투명 태양전지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 레이저를 이용하여 투명 기판 상면에 음각 패턴을 형성하는 단계, 및 레이저를 이용하여 음각 패턴 상에 단위 태양전지 셀을 형성하고, 단위 태양전지 셀 사이의 광 투과 영역을 개방하는 단계를 포함한다.

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Номер записи: 39
04-03-2016 дата публикации

METHOD OF PRODUCING MICRO-FLUIDIC CHANNEL WITH SELECTIVELY FORMED HYDROPHILIC AND HYDROPHOBIC AREAS AND MICRO-FLUIDIC CHANNEL PRODUCED THEREBY

Номер: KR1020160024062A
Автор: LEE, HEE KWAN, PARK, BEOM DOO, SUNG, HO KUN, LEE, KEUN WOO, YOON, HONG MIN, KANG, HO KWAN, JUNG, SENG HWAN
Принадлежит:

The present invention relates to a micro-fluidic channel and a method of producing the same. More specifically, the present invention relates to a method of producing a micro-fluidic channel with selectively formed hydrophilic and hydrophobic areas, which includes: a first step of forming a channel and a valve on a substrate by patterning; a second step of forming an oxide film layer over the entire surface of the substrate and sealing the channel while opening the valve to secure a hydrophilic area inside the channel; a third step of surface-treating the entire surface of the substrate to secure a hydrophobic area inside the valve; a fourth step of coating a polymer on the entire surface of the substrate, sealing the valve and bonding the channel and the valve; a fifth step of forming a pattern for separating a micro-fluidic channel on the substrate; and a sixth step of separating the micro-fluidic channel on the substrate, and to the micro-fluidic channel produced by the method. According ...

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Номер записи: 40
15-06-2015 дата публикации

MANUFACTURING METHOD OF PROBE WITH MONOLITHICALLY INTEGRATED MICRO-CHIP AND PROBE MANUFACTURED BY SAME

Номер: KR101528558B1
Автор: SUNG, HO KUN, CHOI, JI HYUN, KANG, HO KWAN, KIM, SHIN KEUN, PARK, BEOM DOO
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention provides a manufacturing method of a probe with a monolithically integrated micro-chip and a micro-chip manufactured by the same. The manufacturing method of the present invention comprises: a first step of preparing a substrate; a second step of forming a micro-chip in an area on the substrate; a third step of forming a metallic wiring electrode electrically connected to the micro-chip on the substrate; a fourth step of forming an insulator film to wrap around the micro-chip, all areas of the substrate, and the metallic wiring electrode; a fifth step of forming a pattern for forming the probe on the substrate; a sixth step of polishing or etching for reducing the thickness of the substrate; and a seventh step of separating a pattern in the shape of the probe from the substrate. Therefore the present invention makes the probe into a substrate by monolithically integrating the micro-chip on the substrate to reduce the thickness of the probe, and increases a medical ...

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13-10-2017 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING FLEXIBLE SOLAR CELL, FLEXIBLE SOLAR CELL MANUFACTURED THEREBY, AND FLEXIBLE SOLAR CELL MODULE USING SAME

Номер: KR1020170113797A
Автор: JUNG, SANG HYUN, KIM, CHANG ZOO, KIM, YOUNG JO, KIM, KANG HO, PARK, HYEONG HO, KANG, HO KWAN, CHOI, JE HYUK, PARK, WON KYU, SHIN, HYUN BEOM
Принадлежит:

The present invention relates to a method for manufacturing a flexible solar cell, a flexible solar cell manufactured thereby, and a flexible solar cell module using the same. The method of the present invention comprises: a first step of forming a semiconductor layer on an upper portion of a bulk substrate; a second step of forming a curable resin layer on an upper portion of the semiconductor layer; a third step of patterning and curing the curable resin layer to form a flexible substrate having a hole pattern; a fourth step of forming a rear electrode in the hole pattern; a fifth step of removing the bulk substrate; and a sixth step of forming a front electrode on a lower portion of the semiconductor layer. Thus, according to the present invention, a flexible substrate having a hole pattern is applied to improve electrical and thermal characteristics which are problematic when the flexible substrate is used, thereby improving the performance of a solar cell. A flexible solar cell using ...

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27-04-2017 дата публикации

LIGHT COLLECTING-TYPE SOLAR GENERATING METHOD AND SYSTEM

Номер: WO2017069314A1
Автор: JUNG, Sang Hyun, KIM, Chang Zoo, KIM, Youngjo, KIM, Kang Ho, JUN, Dong Hwan, PARK, Hyeong Ho, CHOI, Youngsu, SUNG, Ho Kun, PARK, Kyungho, CHOI, Je Hyuk, SHIN, Hyun Beom, PARK, Won Kyu, KANG, Ho Kwan, LEE, Jae Jin
Принадлежит:

The present invention relates to a light collecting-type solar generating method and system, the method comprising the steps of: calculating the movement of the sun through a sun tracking method, and adjusting a solar cell plate; collecting sunlight on one or more unit modules configuring the solar cell plate; using a temperature sensor mounted on a unit module to measure temperature distribution; and correcting the one or more unit modules according to the measured temperature distribution result.

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15-07-2016 дата публикации

METHOD FOR PREPARING METAL OXIDE COMPOSITE STRUCTURE VIA META-HEAT CURING IMPRINTING AND PHOTOLITHOGRAPHY PROCESS AND METAL OXIDE COMPOSITE STRUCTURE PREPARED THEREBY

Номер: KR1020160084965A
Автор: PARK, HYEONG HO, KIM, SEO YEON, HER, EUN JIN, SHIN, HYUN BEOM, SUNG, HO KUN, KANG, HO KWAN, PARK, KYUNG HO, PARK, WON KYU
Принадлежит:

The present invention relates to a metal oxide composite structure and a method of preparing the same, and more specifically, to a method of preparing a metal oxide composite structure via meta-heat curing imprinting and photolithography processes and a metal oxide composite structure prepared thereby. According to the present invention, the method comprises: a step in which a photosensitive metal-organic material precursor layer is formed on top of a wafer or a film; a meta-heat curing imprinting step in which heat curing is performed at a temperature below the temperature which would completely cure the photosensitive metal-organic material precursor layer and above the temperature which would critically cure the same, and an imprinting stamp having a first pattern is used to apply pressure to the photosensitive metal-organic material precursor layer; a step in which the imprinting stamp is removed from the photosensitive metal-organic material precursor layer; a complete curing photolithography ...

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10-12-2015 дата публикации

manufacturing method of high power Red Light-Emitting Diodes

Номер: KR0101576471B1
Автор: 박형호, 이근우, 최재혁, 허은진, 김창환, 문아영, 김신근, 성호근, 신찬수, 강호관, 김희중
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 고출력 적색 발광다이오드의 제작방법에 관한 것으로서, 나노 스케일로 표면 요철을 형성하여 광추출 효율을 증대시키는 적색 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 박막 상층에 유전체 마스크층을 형성하는 단계와, 상기 유전체 마스크층 상층에 고분자층을 형성하는 단계와, 상기 고분자층 상층에 감광성 금속유기물 전구체층을 형성하는 단계와, Pillar-type 패턴이 형성된 나노임프린트용 스탬프를 준비하는 단계와, 상기 감광성 금속유기물 전구체층을 상기 Pillar-type 패턴이 형성된 나노임프린트용 스탬프로 가압하고, 빛 조사 또는 가열 방법 중 어느 하나 또는 혼용한 방법으로 상기 감광성 금속유기물 전구체층을 경화하여 금속산화박막패턴층을 형성하는 단계와, 상기 Pillar-type 패턴이 형성된 나노임프린트용 스탬프를 상기 금속산화박막패턴층으로부터 제거하는 단계와, 상기 금속산화박막패턴층, 고분자층 및 유전체 마스크층을 건식식각마스크로 이용하여 상기 박막을 건식식각하는 단계와, 잔류된 유전체 마스크층을 제거하는 단계 및 상기 제거된 유전체 마스크층 영역 일부에 리프트오프 공정에 의해 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 고출력 적색 발광다이오드의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해, 적색 발광다이오드의 제조시 나노임프린트 공정과 건식식각을 이용하여 박막의 표면에 대면적의 균일한 표면요철을 형성하여 나노러프닝(nano-roughening)을 유도하여 광추출 효율이 향상된 적색 발광다이오드를 제공하는 이점이 있다.

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01-12-2017 дата публикации

플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지 그리고 이를 이용한 플렉시블 태양전지 모듈

Номер: KR0101796012B1
Автор: 정상현, 김창주, 김영조, 김강호, 박형호, 강호관, 최재혁, 박원규, 신현범
Принадлежит: (재)한국나노기술원

... 본 발명은 플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지에 관한 것으로서, 벌크 기판 상부에 반도체층을 형성하는 제1단계와, 상기 반도체층 상부에 경화성 수지층을 형성하는 제2단계와, 상기 경화성 수지층을 패터닝하고 경화하여, 홀패턴이 구비된 플렉시블 기판을 형성시키는 제3단계와, 상기 홀패턴 내부에 후면전극을 형성시키는 제4단계와, 상기 벌크 기판을 제거하는 제5단계와, 상기 반도체층 하부에 전면전극을 형성하는 제6단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉시블 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지 그리고 이를 이용한 플렉시블 태양전지 모듈을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 홀패턴이 구비된 플렉시블 기판을 적용하여 플렉시블 기판 사용시 문제되는 전기적 및 열적 특성을 향상시켜 태양전지의 성능을 개선시킬 수 있도록 하였으며, 이러한 홀패턴이 구비된 플렉시블 기판을 사용한 플렉시블 태양전지는 직렬로 연결하여 모듈 형태로 사용할 시에 후면전극 연결문제를 해결하고, 무게를 획기적으로 줄일 수 있는 초경량 플렉시블 태양전지 또는 초경량 플렉시블 태양전지 모듈을 제공할 수 있는 이점이 있다.

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05-07-2018 дата публикации

MANUFACTURING METHOD OF BIFACIAL LIGHT-RECEIVING SOLAR CELL AND BIFACIAL LIGHT-RECEIVING SOLAR CELL THEREBY

Номер: KR101866298B1
Автор: KANG, HO KWAN, JUNG, SANG HYUN, KIM, CHANG ZOO, SHIN, HYUN BEOM, KIM, YOUNG JO, KIM, KANG HO, PARK, KYUNG HO, PARK, WON KYU
Принадлежит: KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER

The present invention relates to a manufacturing method of a bifacial light-receiving solar cell and a bifacial light-receiving solar cell thereby. The manufacturing method of a bifacial light-receiving solar cell comprises: a first step of forming a first solar cell on an upper portion of a support substrate; a second step of forming an ohmic contact layer on an upper portion of the first solar cell; a third step of forming a second solar cell on an upper portion of the ohmic contact layer; a fourth step of removing the support substrate; a fifth step of forming a first electrode on a front surface of the first solar cell after removing the support substrate; a sixth step of forming a second electrode on a lower portion of the ohmic contact layer by mesa etching after forming the first electrode; a seventh step of forming a third electrode on a front surface of the second solar cell; and an eighth step of forming a fourth electrode on the upper portion of the ohmic contact layer by mesa ...

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13-10-2017 дата публикации

METHOD FOR MANUFACTURING FLEXIBLE SOLAR CELL HAVING CONDUCTIVE SUBSTRATE, FLEXIBLE SOLAR CELL MANUFACTURED THEREBY, AND FLEXIBLE SOLAR CELL MODULE USING SAME

Номер: KR1020170113798A
Автор: KIM, YOUNG JO, JUNG, SANG HYUN, KIM, KANG HO, KIM, CHANG ZOO, SHIN, HYUN BEOM, KANG, HO KWAN, CHOI, JE HYUK, PARK, WON KYU
Принадлежит:

The present invention relates to a method for manufacturing a flexible solar cell, a flexible solar cell manufactured thereby, and a flexible solar cell module using the same. The method of the present invention comprises: a first step of forming a semiconductor layer on an upper portion of a bulk substrate; a second step of forming a rear electrode on an upper portion of the semiconductor layer; a third step of forming a flexible substrate having a hole pattern on an upper portion of the rear electrode; a fourth step of removing the bulk substrate; a fifth step of forming a front electrode on a lower portion of the semiconductor layer; a sixth step of filling a conductive material in the hole pattern; and a seventh step of forming a metal backsheet on a front surface of the flexible substrate having the conductive material filled in the hole pattern. Thus, according to the present invention, a flexible substrate having a hole pattern is used, and a conductive material is filled in the ...

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08-05-2017 дата публикации

CONCENTRATION PHOTOVOLTAIC METHOD AND SYSTEM THEREOF

Номер: KR1020170047721A
Автор: JUNG, SANG HYUN, KIM, CHANG ZOO, KIM, YOUNG JO, KIM, KANG HO, JUN, DONG HWAN, PARK, HYEONG HO, CHOI, YOUNG SU, SUNG, HO KUN, PARK, KYUNG HO, CHOI, JE HYUK, SHIN, HYUN BEOM, PARK, WON KYU, KANG, HO KWAN, LEE, JAE JIN
Принадлежит:

The present invention relates to concentration photovoltaic method and system. The method comprises the steps of: adjusting a solar panel by calculating a solar ecliptic according to a solar tracking method; condensing solar rays from one or more unit modules constituting the solar panel; measuring temperature distribution by using a temperature sensor mounted on the unit module; and correcting the one or more unit modules according to the measured temperature distribution result. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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03-06-2016 дата публикации

QUATERNARY NITRIDE POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020160062795A
Автор: KIM, JONG MIN, KOH, YU MIN, SONG, KEUN MAN, HEO, JONG GON, SHIN, HYUN BEOM, KANG, HO KWAN
Принадлежит:

A quaternary nitride power semiconductor device according to the present invention comprises: a gallium nitride buffer layer formed on a substrate; a quaternary nitride layer formed on the gallium nitride buffer layer; and a gallium nitride cap layer formed on the quaternary nitride layer. By controlling a composition ratio of the quaternary nitride layer, a polarization direction is formed to face an upper surface of the quaternary nitride layer such that secondary electron gas is formed on an upper end of the quaternary nitride layer. The quaternary nitride consists of four kinds of elements such as In, Al, Ga, and N, wherein In and Al has a predetermined composition ratio, whereby a compressive stress is applied to the quaternary nitride layer such that a polarization of the quaternary nitride layer is controlled to face an upper direction. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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