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16-05-2016 дата публикации

LASER ANNEALING APPARATUS

Номер: KR1020160054153A
Автор: SHIN, JOONG HAN, KUH, BONG JIN, MANOROTKUL WANIT, CHOI, HAN MEI
Принадлежит:

The present invention provides a laser annealing apparatus. The laser annealing apparatus includes: a process chamber including a chamber window through which a laser beam passes; and a chuck disposed inside the process chamber and having an upper surface on which the substrate is loaded, wherein a width of the chuck is narrower than that of the loaded substrate. Therefore, the chuck can be prevented from being damaged during a laser annealing process. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 1
02-07-2018 дата публикации

반도체 장치 및 그 제조 방법

Номер: KR0101872957B1
Автор: 김기철, 구봉진, 원정연, 이은하, 최한메
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 반도체 장치는 단결정 기판, 전기적 반도체 소자, 및 광학 소자를 구비한다. 상기 전기적 반도체 소자는 상기 단결정 기판 상에 배치되며, 결정방향<110>을 따라 연장되는 게이트 전극과 상기 게이트 전극이 연장되는 방향에 수직한 방향을 따라 상기 게이트 전극 전후에 배치된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. 상기 광학 소자는 상기 단결정 기판 상에 배치되며, 결정방향<010>을 따라 연장되는 광도파로를 포함한다.

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Номер записи: 2
11-10-2016 дата публикации

THIN FILM DEPOSITION INSTALLATION

Номер: KR1020160118116A
Автор: KUH, BONG JIN, KIM, BEOM SEOK, JEONG, WOO CHEOL, CHO, SUNG HWI, HA, WOO SUNG
Принадлежит:

The present invention discloses a thin film manufacturing installation. The installation includes: a susceptor storing a substrate inside a chamber; a reflection housing disposed outside the chamber; a heating module including heat sources disposed inside the reflection housing; and a reflection control module disposed inside the housing between the heat sources and the chamber. The reflection control module reflects light of the heat sources provided to the center of the substrate due to the reflection housing to the edge of the substrate, thereby heating the substrate at a uniform temperature. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 3
18-09-2015 дата публикации

NANO STURUCTURE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

Номер: KR0101554032B1
Автор: 차남구, 구봉진, 최한메
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 본 발명의 일 측면은, 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층과, 상기 베이스층 상에 형성되며, 상기 베이스층의 일부 영역이 노출된 복수의 제1 개구를 갖는 제1 절연막과, 상기 베이스층의 노출된 영역 각각에 형성되며, 제1 도전형 반도체로 이루어진 복수의 나노 코어와, 상기 제1 절연막보다 높게 위치한 상기 복수의 나노 코어의 표면에 형성된 활성층과, 상기 제1 절연막 상에 형성되며, 상기 복수의 나노 코어와 그 표면에 형성된 활성층을 둘러싸는 복수의 제2 개구를 갖는 제2 절연막과, 상기 제2 절연막보다 높게 위치한 상기 활성층의 표면에 형성된 제2 도전형 반도체층을 포함하는 나노구조 반도체 발광소자를 제공한다.

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Номер записи: 4
28-02-2019 дата публикации

기판 처리 장치 및 이의 세정 방법

Номер: KR1020190020228A
Автор: 정숙진, 구봉진, 김국태, 이인선, 홍수진
Принадлежит:

... 본 발명은 기판 처리 장치 및 이의 세정 방법에 관한 것이다. 본 발명의 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 위치되고, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 공정 챔버 내에 위치되는 가스 분사 유닛을 포함하되, 상기 가스 분사 유닛은: 소스 가스를 분사하는 제1 분사부; 상기 제1 분사부와 마주보고, 상기 소스 가스와 반응하는 반응 가스를 분사하는 제2 분사부; 및 상기 소스 가스와 상기 반응 가스에 의해 생성된 반응물을 제거하는 세정 가스를 분사하는 제3 분사부를 포함한다.

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Номер записи: 5
31-12-2018 дата публикации

서포터를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법

Номер: KR0101934037B1
Автор: 양현정, 정순욱, 구봉진, 김완돈, 정병홍, 탁용석
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 기판 상에 다수의 하부 전극들이 배치된다. 상기 하부 전극들 사이에 제1 및 제2 서포터들(supporters)이 형성된다. 상기 하부 전극들 상에 상부 전극이 배치된다. 상기 하부 전극들 및 상부 전극 사이에 캐패시터 유전 막이 배치된다. 상기 제1 서포터는 제1 원소, 제2 원소, 및 산소(O)를 갖는다. 상기 제1 원소의 산화물은 상기 제2 서포터보다 상기 하부 전극들에 대한 접착성이 우수하다. 상기 제2 원소의 산화물은 상기 제1 원소의 산화물보다 밴드 갭 에너지(band gap energy)가 높다.

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Номер записи: 6
26-10-2017 дата публикации

커패시터 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법

Номер: KR0101790097B1
Автор: 구봉진, 이종철, 탁용석, 유영섭, 조규호, 임종성
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 커패시터 형성 방법에서, 기판 상에 비정질 실리콘, 도핑된 비정질 실리콘, 폴리실리콘 혹은 도핑된 폴리실리콘을 사용하여 몰드막을 형성한다. 상기 몰드막을 관통하여 상기 기판 일부를 노출시키는 개구를 형성한다. 상기 개구의 측벽 상에 배리어막 패턴을 형성한다. 상기 노출된 기판 및 상기 배리어막 패턴 상에 하부 전극을 형성한다. 상기 몰드막 및 상기 배리어막 패턴을 제거한다. 상기 하부 전극 상에 유전막 및 상부 전극을 순차적으로 형성한다. 상기 커패시터는 높은 종횡비를 가지며 우수한 특성을 갖는다.

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Номер записи: 7
10-08-2018 дата публикации

반도체 소자

Номер: KR0101876996B1
Автор: 구봉진, 양상렬, 정순욱, 유영섭, 정병홍, 최한메, 임종성
Принадлежит: 삼성전자 주식회사

... 반도체 소자가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는, 기판 상에 수직 신장되는 복수의 전극 구조물들; 및 복수의 전극 구조물들 사이에 위치하고, 복수의 전극 구조물들의 일부에 접하며 금속 산화물을 포함하는 적어도 하나의 제1 지지층, 및 제1 지지층과 접하는 적어도 하나의 제2 지지층을 포함하는 적어도 하나의 지지부를 포함하고, 금속 산화물은 비결정질을 포함한다.

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Номер записи: 8
07-08-2014 дата публикации

NANO-STRUCTURED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

Номер: WO2014119911A1
Автор: CHA, Nam-Goo, KUH, Bong-Jin, CHOI, Han-Mei
Принадлежит:

Provided is a nano-structured semiconductor light-emitting element according to one aspect of the present invention comprising: a base layer comprising a first conductive semiconductor; a first insulating film, on the base layer, having a plurality of first openings exposing partial regions of the base layer; a plurality of nano-cores formed on each of the exposed regions of the base layer and comprising the first conductive semiconductor; an activation layer on the surface of the plurality of nano-cores and positioned higher than the first insulating film; a second insulating film, on the first insulating film, having a plurality of second openings and enveloping the plurality of nano-cores and the activation layer on the surface thereof; and a second conductive semiconductor layer, on the surface of the activation layer, positioned higher than the second insulating film.

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Номер записи: 9
11-05-2015 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер: KR1020150050692A
Автор: KIM, KI CHUL, SHIN, JOONG HAN, KUH, BONG JIN, KIM, TAE GON, CHOI, HAN MEI
Принадлежит:

Provided are a semiconductor device and a method for manufacturing the same. The semiconductor device includes multiple unit cells arranged on a semiconductor substrate. Each of the unit cells includes a buried insulation pattern buried in the semiconductor substrate; a first active pattern located on the buried insulation pattern; and a second active pattern arranged on the buried insulation pattern, and separated from the first active pattern. The buried insulation pattern defines a unit cell area in which the unit cells are arranged respectively. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 10
15-09-2015 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020150104420A
Автор: KIM, BEOM SEOK, KUH, BONG JIN, LIM, JONG SUNG, CHOI, HAN MEI
Принадлежит:

The present invention relates to a semiconductor device. The semiconductor device includes: a first semiconductor layer comprising a recess area, and protrusions defined by the recess area; first insulating patterns which are provided on the protrusions, and extended to a side wall of the protrusions; and a second semiconductor layer covering the first insulating patterns by filling the recess area. The protrusions include: protrusions of a first group forming a line mutually spaced in a first direction; and protrusions of a second group spaced from the protrusions of the first group in a second direction intersecting the first direction in which a line is formed by being mutually spaced in the first direction. The protrusions of the second group are arranged after being shifted from the protrusions of the first group in the first direction. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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Номер записи: 11
16-03-2023 дата публикации

수직 적층된 전계 효과 트랜지스터들을 포함하는 집적회로 소자

Номер: KR20230037348A
Автор: 김도희, 장성욱, 구봉진, 이공수, 홍사환
Принадлежит:

... 집적회로 소자는 기판 상에서 제1 수평 방향으로 길게 연장된 핀형 활성 영역과, 상기 핀형 활성 영역 상의 제1 수직 레벨에 배치되고 제1 도전형의 제1 소스/드레인 영역을 포함하는 제1 트랜지스터와, 상기 핀형 활성 영역 상의 상기 제1 수직 레벨보다 높은 제2 수직 레벨에 배치되고 상기 제1 소스/드레인 영역과 수직 방향으로 오버랩되어 있는 제2 도전형의 제2 소스/드레인 영역을 포함하는 제2 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 소스/드레인 영역 및 상기 제2 소스/드레인 영역은 서로 다른 크기를 가진다.

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Номер записи: 12
31-10-2018 дата публикации

LASER ANNEALING APPARATUS

Номер: KR1020180118395A
Автор: SHIN, JOONG HAN, CHARNVANICHBORIKARN SUPAKIT, KUH, BONG JIN, KIM, KI CHUL, LEE, JAE HEE
Принадлежит:

According to some embodiments, a laser annealing apparatus comprises: a laser oscillation structure configured to emit a first laser beam having a first wavelength and a first beam cross section to a semiconductor substrate disposed in a chamber including an optical window; a laser oscillator configured to emit a second laser beam having a second wavelength different from the first wavelength to the semiconductor substrate; a beam magnifying glass disposed on an optical path of the second laser beam to magnify a cross section of the second laser beam to a second beam cross section; a first power meter configured to measure energy of the second laser beam; and a second power meter configured to measure energy of a third laser beam which is light of the second laser beam reflected by the semiconductor substrate, wherein the widths of the first beam cross section and the second beam cross section reached on the semiconductor substrate are substantially the same. The present invention provides ...

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Номер записи: 13
03-03-2016 дата публикации

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING CONTROLLED POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер: KR1020160023152A
Автор: MANOROTKUL WANIT, SHIN, JOONG HAN, KUH, BONG JIN, CHOI, HAN MEI, MIKULIK DMITRY
Принадлежит:

An integrated circuit device includes a polycrystalline silicon thin film which is interposed between a first level semiconductor device and a second level semiconductor device which are formed on a substrate to be vertically overlapped. The polycrystalline silicon thin film includes at least one silicon single crystal. The silicon single crystal includes a planarization part providing an active region of the second level semiconductor device, and a pin shaped protrusion part which protrudes toward the first level semiconductor device from the planarization part. In order to form the polycrystalline silicon thin film, an amorphous silicon layer covering an upper surface of an inter-device dielectric layer is formed while filling the inside of a pin hole. A part of the amorphous silicon layer is melted by applying heat to the amorphous silicon layer. The melted part of the amorphous silicon layer is solidified by using a part remaining in a solid state without being melted in the pin hole ...

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Номер записи: 14
11-06-2018 дата публикации

박막 구조물 및 박막 구조물의 형성 방법

Номер: KR0101865626B1
Автор: 강종훈, 구봉진, 김태곤, 최한메, 김기철, 조은영
Принадлежит: 삼성전자주식회사

... 박막 구조물 및 그 제조 방법에서, 박막 구조물은 기판 상에 형성된 블록킹 패턴과, 상기 블록킹 패턴 사이의 기판 상에 구비되고 노출되는 면이 모두 (100) 면인 단결정 반도체막을 포함한다. 상기 박막 구조물에 포함된 단결정 반도체막은 깍여진 측면부 없이 균일한 결정성을 갖는다.

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Номер записи: 15
20-04-2017 дата публикации

반도체 소자의 제조 방법

Номер: KR0101728320B1
Автор: 윤준호, 유영섭, 민경진, 최한메, 구봉진, 양상렬, 김기철, 우상윤, 한제우, 박태진, 오정민, 임종성, 장용문, 이지은
Принадлежит: 삼성전자 주식회사

... 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 반도체 소자의 제조 방법은 기판 상에 제1 내지 제n 희생층과 제1 내지 제n 지지층이 번갈아 순차로 적층된 복합막을 형성하고, 복합막을 관통하는 복수의 개구부를 형성하고, 복수의 개구부 내에 하부 전극을 형성하고, 제1 내지 제n 지지층의 일부와 제1 내지 제n 희생층의 일부 또는 전부를 제거하되, 제1 내지 제n 지지층의 일부와 제1 내지 제n 희생층의 일부 또는 전부를 제거하는 것은, (a) 제k(단, k는 n에서 1까지 순차로 감소하는 자연수) 지지층의 일부를 제거하여 제k 희생층의 일부를 노출시키는 단계; (b) 제k 희생층의 노출면을 통해 제k 희생층을 전부 제거하는 단계; (a) 단계와 (b) 단계를 2회 이상 반복하여 하부 전극을 지지하는 복수의 지지대를 형성하는 것을 포함하고, 하부 전극 상에 유전막 및 상부 전극을 형성하는 것을 포함한다.

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Номер записи: 16